KR20240018235A - 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기화기를 이용한 가스공급을 통해 기판처리가 수행되는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
본 발명은, 기판처리가 수행되며 배기라인(10)을 통해 내부가 배기되는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100)에 소스가스 및 캐리어가스를 공급하는 소스가스공급부(200)와; 상기 소스가스공급부(200)와 상기 공정챔버(100)를 연결하며 상기 소스가스 및 상기 캐리어가스를 전달하는 소스가스공급라인(300)과; 일단이 상기 소스가스공급라인(300)에 연결되고 타단이 상기 배기라인(10)에 연결되며, 상기 소스가스공급라인(300)을 통한 공급이 차단되는 시간 중 적어도 일부 동안 상기 캐리어가스가 상기 배기라인(10) 측으로 이동하는 바이패스라인(400)을 포함하며, 상기 바이패스라인(400) 내 상기 캐리어가스 흐름이 유지되는 동안 상기 공정챔버(100) 내부압력이 상기 배기라인(10) 내부압력보다 높게 유지되는 기판처리장치를 개시한다.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{Substrate processing apparauts and processing method for substrate}
본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기화기를 이용한 가스공급을 통해 기판처리가 수행되는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 실리콘 웨이퍼와 같은 기판 상에 필요한 박막을 증착시키는 공정이 필수적으로 진행되며, 이때의 박막증착공정에는 스퍼터링(Sputtering)법, 화학기상 증착(CVD: Chemical Vapor Deposition)법, 원자층 증착(ALD: Atomic Layer Deposition)법 등이 주로 사용된다.
스퍼터링법은, 플라즈마 상태에서 생성된 아르곤 이온을 타겟의 표면에 충돌시키면 타겟의 표면으로부터 이탈된 타겟 물질이 기판 상에 박막으로 증착되게 하는 기술로서, 접착성이 우수한 고순도 박막을 형성할 수 있는 장점은 있으나, 고 종횡비(High Aspect Ratio)를 갖는 미세 패턴을 형성하기에는 한계가 있다.
화학기상증착법은, 다양한 가스들을 반응 챔버로 주입시키고, 열 빛 또는 플라즈마와 같은 고 에너지에 의해 유도된 가스들을 반응가스와 화학 반응시킴으로써 기판 상에 박막을 증착시키는 기술이다.
화학기상증착법은, 신속하게 일어나는 화학반응을 이용하기 때문에 원자들의 열역학적 안정성을 제어하기 매우 어렵고, 박막의 물리적, 화학적 및 전기적 특성이 저하되는 문제점이 있다.
원자층증착법은, 반응가스인 처리가스와 퍼지가스를 교대로 공급하여 기판 상에 원자층 단위의 박막을 증착하는 기술로서, 단차피복성(Step Coverage)의 한계를 극복하기 위해 표면 반응을 이용하기 때문에 고 종횡비를 갖는 미세 패턴 형성에 적절하고, 박막의 전기적 및 물리적 특성이 우수한 장점이 있다.
원자층증착법을 수행하는 장치로는, 챔버 내 기판을 하나씩 로딩하면서 공정을 진행하는 매엽식장치와 챔버 내에 복수개의 기판을 로딩하여 일괄적으로 처리하는 배치(Batch)식 장치가 있다.
한편 일반적으로 기판처리장치는 기판처리를 위한 소스가스를 기화기를 통해 기화시켜 공급하는데, 소스가스 공급이 중단된 상태에서 기화기 내부 및 소스가스를 전달하는 배관 내 퍼지가 원활하게 수행되지 못하는 문제점이 있다.
이로써, 잔류하는 소스가스로 인해 기화기 및 배관 내부가 오염되고 공급되는 후속 공정가스에 영향을 주는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 기화기 및 배관 내부에 대한 지속적인 가스흐름을 유지하는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 기판처리가 수행되며 배기라인(10)을 통해 내부가 배기되는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100)에 소스가스 및 캐리어가스를 공급하는 소스가스공급부(200)와; 상기 소스가스공급부(200)와 상기 공정챔버(100)를 연결하며 상기 소스가스 및 상기 캐리어가스를 전달하는 소스가스공급라인(300)과; 일단이 상기 소스가스공급라인(300)에 연결되고 타단이 상기 배기라인(10)에 연결되며, 상기 소스가스공급라인(300)을 통한 공급이 차단되는 시간 중 적어도 일부 동안 상기 캐리어가스가 상기 배기라인(10) 측으로 이동하는 바이패스라인(400)을 포함하며, 상기 바이패스라인(400) 내 상기 캐리어가스 흐름이 유지되는 동안 상기 공정챔버(100) 내부압력이 상기 배기라인(10) 내부압력보다 높게 유지되는 기판처리장치를 개시한다.
상기 소스가스공급라인(300)을 통한 공급이 차단되는 동안 상기 바이패스라인(400)을 통해 상기 캐리어가스가 상기 배기라인(10) 측으로 지속적으로 이동할 수 있다.
상기 공정챔버(100)에 퍼지가스를 공급하기 위한 퍼지가스공급부(500)를 추가로 포함하며, 상기 퍼지가스공급부(500)는, 상기 바이패스라인(400) 내 상기 캐리어가스가 이동하는 동안 상기 공정챔버(100)에 상기 퍼지가스를 공급할 수 있다.
상기 퍼지가스공급부(500)는, 상기 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스공급원(510)과, 일단이 상기 퍼지가스공급원(510)에 결합하고 타단이 상기 공정챔버(100)에 결합하여 상기 공정챔버(100)에 상기 퍼지가스를 전달하는 복수의 퍼지가스공급라인(520)을 포함할 수 있다.
상기 소스가스공급라인(300)은, 일단이 상기 소스가스공급부(200)에 결합하고 타단이 상기 퍼지가스공급라인(520)에 결합하여, 상기 퍼지가스공급라인(520)을 통해 상기 공정챔버(100)와 연통할 수 있다.
반응가스를 공급하는 반응가스공급원(610)과, 상기 반응가스공급원(610)과 상기 공정챔버(100) 사이에 연결되어 상기 공정챔버(100)에 상기 반응가스를 전달하는 반응가스공급라인(620)을 구비하는 반응가스공급부(600)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 소스가스공급라인(300)을 통해 공급되는 상기 캐리어가스 단위 시간 당 공급유량이 상기 바이패스라인(400)을 통해 이동하는 상기 캐리어가스 단위 시간 당 유량보다 클 수 있다.
상기 퍼지가스공급부(500)를 통해 공급되는 상기 퍼지가스의 단위시간 당 공급유량은 상기 바이패스라인(400)을 통해 이동하는 상기 캐리어가스의 단위시간 당 유량보다 클 수 있다.
상기 소스가스공급부(200)는, 공급되는 액체상태의 상기 소스를 기화시켜 상기 캐리어가스와 함께 상기 소스가스공급라인(300)으로 전달하는 기화기(210)와, 상기 기화기(210)에 액체상태의 소스를 공급하는 소스공급원(220)과, 상기 기화기(210)에 상기 캐리어가스를 공급하는 캐리어가스공급원(230)을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은, 기판처리가 수행되며 배기라인(10)을 통해 내부가 배기되는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100)에 소스가스 및 캐리어가스를 공급하는 소스가스공급부(200)와; 상기 소스가스공급부(200)와 상기 공정챔버(100)를 연결하며 상기 소스가스 및 상기 캐리어가스를 전달하는 소스가스공급라인(300)과; 일단이 상기 소스가스공급라인(300)에 연결되고 타단이 상기 배기라인(10)에 연결되며, 상기 소스가스공급라인(300)을 통한 공급이 차단되는 시간 중 적어도 일부 동안 상기 캐리어가스가 이동하는 바이패스라인(400)과; 상기 공정챔버(100)에 퍼지가스를 공급하기 위한 퍼지가스공급부(500)를 포함하며, 상기 퍼지가스공급부(500)는, 상기 바이패스라인(400) 내 상기 캐리어가스 흐름이 유지되는 동안 상기 공정챔버(100)에 상기 퍼지가스를 공급하는 기판처리장치를 개시한다.
또한, 본 발명은, 상기 공정챔버(100) 내에 상기 소스가스를 공급하는 소스가스공급단계(S100)와; 상기 소스가스공급단계(S100) 이후에 상기 퍼지가스를 공급하여 상기 공정챔버(100) 내의 상기 소스가스를 퍼지하는 소스가스퍼지단계(S200)와; 상기 소스가스퍼지단계(S200) 이후에 상기 공정챔버(100) 내부에 대한 펌핑을 수행하며, 상기 소스가스공급라인(300)을 통한 공급을 차단하고 적어도 일부 동안 상기 바이패스공급라인(400)을 통해 상기 캐리어가스를 상기 배기라인(10) 측으로 이동하는 공정챔버펌핑단계(S300)를 포함하며, 상기 공정챔버펌핑단계(S300)는, 상기 공정챔버(100) 내부압력을 상기 배기라인(10) 내부압력보다 높게 유지하는 기판처리방법을 개시한다.
상기 소스가스퍼지단계(S200)는, 상기 소스가스공급라인(300)을 통해 상기 캐리어가스를 상기 공정챔버(100)에 공급할 수 있다.
상기 공정챔버펌핑단계(S300)는, 상기 공정챔버(100)에 상기 퍼지가스공급부(500)를 통해 상기 퍼지가스를 공급할 수 있다.
상기 소스가스퍼지단계(S200)에서 상기 공정챔버(100)에 공급되는 단위시간 당 상기 퍼지가스 공급유량은 상기 공정챔버펌핑단계(S300)에서 상기 공정챔버(100)에 공급되는 단위시간 당 상기 퍼지가스 공급유량 보다 클 수 있다.
상기 공정챔버펌핑단계(S300)는, 상기 퍼지가스공급부(500)를 통해 상기 공정챔버(100)에 공급되는 상기 퍼지가스의 단위시간 당 공급유량이 상기 바이패스라인(400)을 통해 이동하는 상기 퍼지가스의 단위시간 당 유량보다 클 수 있다.
상기 공정챔버펌핑단계(S300) 이후에 상기 공정챔버(100)에 반응가스를 공급하는 반응가스공급단계(S400)와, 상기 반응가스공급단계(S400) 이후에 퍼지가스를 공급하여 상기 공정챔버(100) 내의 반응가스를 퍼지하는 반응가스퍼지단계(S500)를 추가로 포함하며, 상기 반응가스퍼지단계(S500) 이후에 상기 공정챔버펌핑단계(S300)를 수행할 수 있다.
상기 공정챔버펌핑단계(S300), 상기 반응가스공급단계(S400), 상기 반응가스퍼지단계(S500) 및 상기 공정챔버펌핑단계(S300)가 순차적으로 진행되는 동안 상기 바이패스공급라인(400) 내 상기 캐리어가스 흐름을 지속적으로 유지할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법은, 공정챔버 내에 소스가스를 공급하기 위한 기화기 및 소스가스공급라인 일부에 지속적인 가스흐름을 유지함으로써 내부에 소스가스 잔류를 방지할 수 있는 이점이 있다.
특히, 본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법은, 기화기 및 소스가스공급라인 일부 내 소스가스 잔류를 방지함으로써 기화기 및 배관에 대한 오염을 막고 이후에 공급되는 소스가스에 대한 영향을 차단할 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법은, 지속적으로 공급되는 가스이동 시 배기배관으로부터 공정챔버 내부로 가스역류를 차단하여 공정챔버 내부에 대한 오염을 방지할 수 있는 이점이 있다.
도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 소스가스공급단계의 모습을 보여주는 도면이다.
도 3은, 도 1에 따른 기판처리장치 중 소스가스퍼지단계의 모습을 보여주는 도면이다.
도 4는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 공정챔버펌핑단계의 모습을 보여주는 도면이다.
도 5는, 본 발명에 따른 기판처리방법을 보여주는 순서도이다.
본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판처리가 수행되며 배기라인(10)을 통해 내부가 배기되는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100)에 소스가스 및 캐리어가스를 공급하는 소스가스공급부(200)와; 상기 소스가스공급부(200)와 상기 공정챔버(100)를 연결하며 상기 소스가스 및 상기 캐리어가스를 전달하는 소스가스공급라인(300)과; 일단이 상기 소스가스공급라인(300)에 연결되고 타단이 상기 배기라인(10)에 연결되며, 상기 소스가스공급라인(300)을 통한 공급이 차단되는 시간 중 적어도 일부 동안 상기 캐리어가스가 지속적으로 이동하는 바이패스라인(400)을 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 상기 공정챔버(100)에 퍼지가스를 공급하기 위한 퍼지가스공급부(500)를 추가로 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 공정챔버(100)에 반응가스를 공급하기 위한 반응가스공급부(600)를 추가로 포함할 수 있다.
여기서 기판처리 대상이 되는 기판은, 반도체 기판, LED, LCD 등의 표시장치에 사용하는 기판, 태양전지 기판, 글라스 기판 등을 포함할 수 있으며, 종래 개시된 어떠한 형태의 대상 기판도 적용 가능하다.
또한, 기판처리란, 증착공정, 보다 바람직하게는 원자층증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 사용한 증착공정을 의미하나, 이에 한정되는 것은 아니며 화학기상증착법을 이용한 증착공정, 열처리공정 등도 포함할 수 있다.
상기 공정챔버(100)는, 기판처리가 수행되며 배기라인(10)을 통해 내부가 배기되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
예를 들면, 상기 공정챔버(100)는, 단일의 기판이 도입되어 기판처리가 수행되는 매엽식 장치일 수 있으며, 다른 예로서 다수의 기판이 기판적재부를 통해 도입되어 기판처리가 동시에 수행되는 배치식 장치일 수 있다.
예를 들면, 상기 공정챔버(100)는, 복수의 기판이 적층된 기판적재부가 수용되도록 내부에 수용공간을 형성하는 공정튜브일 수 있으며, 후술하는 퍼지가스공급라인(520) 및 반응가스공급라인(620)과 연결되어 수용공간에 소스가스, 반응가스 및 불활성가스를 공급하기 위한 매니폴드가 구비될 수 있다.
이를 통해 상기 공정챔버(100)는, 복수의 기판이 적층된 기판적재부가 수용되어 증착막 형성 등의 기판처리 공정을 수행할 수 있다.
한편, 상기 공정챔버(100)는, 다양한 재질로 구성될 수 있으며, 예로서 석영(Quartz), 스테인리스 스틸(SUS), 알루미늄(Aluminium), 그라파이트(Graphite), 실리콘 카바이드(Silicon carbide) 또는 산화 알루미늄(Aluminium oxide) 등으로 구성될 수 있다.
상기 배기라인(10)은, 일단이 공정챔버(100)에 연결되고 타단이 외부펌프(20)에 연결되어 공정챔버(100) 내부공간을 배기하는 구성일 수 있다.
이때, 상기 배기라인(10)은, 후술하는 바이패스라인(400)에 연결되어, 바이패스라인(400)을 통해 바이패스되어 전달되는 캐리어가스를 함께 외부펌프(20)를 통해 외부로 배기할 수 있다.
상기 소스가스공급부(200)는, 공정챔버(100)에 소스가스 및 캐리어가스를 공급하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 소스가스공급부(200)는, 공정챔버(100)에 기체상태의 소스가스 및 캐리어가스를 공급하는 구성일 수 있으며, 보다 구체적으로 후술하는 소스공급원(20)으로부터 액체상태인 소스를 전달받아 가열을 통해 소스를 소스가스로 기화시킬 수 있다.
한편, 다른 예로서 상기 소스가스공급부(200)는, 기체상태의 소스를 전달받아 가열 후에 소스가스를 공정챔버(100)에 공급할 수 있으며, 전달받은 소스를 증발시켜 공정챔버(100)에 전달할 수도 있다.
예를 들면, 상기 소스가스공급부(200)는, 공급되는 액체상태의 소스를 기화시켜 캐리어가스와 함께 소스가스공급라인(300)으로 전달하는 기화기(210)와, 기화기(210)에 액체상태의 소스를 공급하는 소스공급원(220)과, 기화기(210)에 캐리어가스를 공급하는 캐리어가스공급원(230)을 포함할 수 있다.
상기 소스공급원(220)은, 기화기(210)에 액체상태의 소스를 공급하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
예를 들면, 상기 소스공급원(220)은, 액체상태의 소스를 저장하는 저장탱크로서, 각종 개폐밸브 및 유량제어밸브를 통해 액체상태의 소스를 기화기(210)에 공급할 수 있다.
이를 위해 상기 소스공급원(220)은, 소스공급라인(240)을 통해 기화기(210)와 연결될 수 있으며, 소스공급라인(240) 상에 설치되는 소스공급라인밸브(260)를 통해 소스 공급여부 및 공급유량을 제어할 수 있다.
상기 캐리어가스공급원(230)은, 기화기(210)에 캐리어가스를 공급하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
예를 들면, 상기 캐리어가스공급원(230)은, 기체상태의 캐리어가스를 저장하는 저장탱크로서, 각종 개폐밸브 및 유량제어밸브를 통해 캐리어가스를 기화기(210)에 공급할 수 있다.
이를 위해, 상기 캐리어가스공급원(230)은, 캐리어가스공급라인(250)을 통해 기화기(210)와 연결될 수 있으며, 캐리어가스공급라인(250) 상에 설치되는 캐리어가스공급라인밸브(270)를 통해 캐리어가스 공급여부 및 공급유량을 제어할 수 있다.
이때, 상기 캐리어가스는, 기체상태의 소스가스의 이동을 강화하고 소스가스공급라인(300)을 포함하는 구성에 캐리어가스가 잔류하는 것을 방지하기 위한 구성일 수 있다.
예를 들면, 상기 캐리어가스는, 불활성가스로서, N2가스가 사용될 수 있다.
상기 기화기(210)는, 공급되는 액체상태의 소스를 기화시켜 캐리어가스와 함께 소스가스공급라인(300)으로 전달하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
즉, 상기 기화기(210)는, 챔버와 가열장치를 구비한 상태에서 챔버 내에 소스를 공급받아 가열을 통한 소스 기화로 소스가스를 생성하여 공정챔버(100)에 공급할 수 있고, 이 과정에서 캐리어가스가 함께 공급 및 전달될 수 있다.
상기 소스가스공급라인(300)은, 소스가스공급부(200)와 공정챔버(100)를 연결하며 소스가스 및 캐리어가스를 전달하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 소스가스공급라인(300)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 일단이 소스가스공급부(200)에 결합하고 타단이 후술하는 퍼지가스공급라인(520)에 결합하여 이들 사이를 연통하도록 연결할 수 있으며, 퍼지가스공급라인(520)에 소스가스 및 캐리어가스를 전달함으로써, 공정챔버(100)에 소스가스 및 캐리어가스를 공급할 수 있다.
즉, 상기 소스가스공급라인(300)은, 퍼지가스공급라인(520)에 결합되어 퍼지가스공급라인(520)을 통해 공정챔버(100)와 연통할 수 있으며, 퍼지가스공급라인(520)으로부터 분기되어 소스가스공급부(200), 보다 구체적으로는 기화기(210)에 결합할 수 있다.
한편, 상기 소스가스공급라인(300)은 전술한 바와 달리, 일단이 소스가스공급부(200)에 결합하고 타단이 공정챔버(100)에 결합하여, 소스가스공급부(200)와 공정챔버(100)를 직결, 즉 직접적으로 연결할 수도 있음은 또한 물론이다.
또한, 상기 소스가스공급라인(300)은, 바이패스라인(400)과 결합되는 결합위치 전단, 즉 연결되는 퍼지가스공급라인(520) 측에 인접한 위치에 소스가스공급라인밸브(301)가 구비되며, 이를 통해 공급되는 소스가스 및 캐리어가스에 대한 공급여부 및 공급유량을 제어할 수 있다.
상기 바이패스라인(400)은, 소스가스공급라인(300)을 통한 공정챔버(100) 측으로의 캐리어가스 공급이 차단되는 동안 캐리어가스가 지속적으로 이동하는 구성일 수 있다.
예를 들면, 상기 바이패스라인(400)은, 일단이 소스가스공급라인(300)에 연결되고 타단이 배기라인(10)에 연결되며, 소스가스공급라인(300)을 통한 공급이 차단되는 동안 내부에서 캐리어가스가 지속적으로 이동할 수 있다.
즉, 상기 바이패스라인(400)은, 소스가스공급라인(300)으로부터 분기되어 배기라인(10)에 연결되는 구성으로서, 소스가스공급라인(300)을 통해 소스가스가 공정챔버(100) 측으로 공급되거나 소스가스공급라인(300)을 통해 캐리어가스가 공정챔버(100) 측으로 공급되는 상황을 제외한 모든 경우에 소스가스공급라인(300)으로부터 공급되는 캐리어가스가 내부에서 배기라인(10) 측으로 이동할 수 있다.
또한, 상기 바이패스라인(400)은, 바이패스라인밸브(401)가 설치되어, 캐리어가스의 이동을 제어할 수 있으며, 보다 구체적으로는 소스가스공급라인(300)을 통해 캐리어가스 또는 소스가스가 공정챔버(100) 측으로 공급되는 경우에는 바이패스라인밸브(401)를 통해 바이패스라인(400)을 차단하고 그 이외의 상황에서는 바이패스라인밸브(401)를 통해 바이패스라인(400)을 개방하여 캐리어가스를 전달할 수 있다.
상기 퍼지가스공급부(500)는, 공정챔버(100)에 퍼지가스를 공급하기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
예를 들면, 상기 퍼지가스공급부(500)는, 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스공급원(510)과, 일단이 퍼지가스공급원(510)에 결합하고 타단이 공정챔버(100)에 결합하여 공정챔버(100)에 퍼지가스를 전달하는 복수의 퍼지가스공급라인(520)을 포함할 수 있다.
상기 퍼지가스공급라인(520)은, 퍼지가스공급원(510)으로부터 퍼지가스를 공정챔버(100)에 전달하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 퍼지가스공급라인(520)은, 퍼지가스공급밸브(501)가 설치되어 퍼지가스 공급 여부 및 공급 유량을 결정할 수 있다.
예를 들면, 상기 퍼지가스공급라인(520)은, 복수개, 예컨대 4개로 구비될 수 있으며, 각각 구비되는 퍼지가스공급원(510)으로부터 퍼지가스를 공급받거나 단일의 퍼지가스공급원(510)에 연결되어 선택적, 독립적으로 퍼지가스를 공급받을 수 있다.
이때, 복수의 퍼지가스공급라인(520) 중 하나는 전술한 소스가스공급라인(300)과 결합, 즉 분기되어 소스가스공급라인(300)이 형성될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 퍼지가스공급라인(520)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 전술한 공정챔버(100) 내 가스공급노즐에 대응되어 순차적으로 3개의 퍼지가스공급라인(520)이 이웃하여 배치되고, 반응가스공급라인(620), 나머지 한개의 퍼지가스공급라인(520) 순서대로 배치될 수 있다.
또한, 상기 퍼지가스공급라인(520) 중 이웃하는 위치에 다른 퍼지가스공급라인(520)이 배치되는 2번째 퍼지가스공급라인(520)에 전술한 소스가스공급라인(300)이 연결되어, 퍼지가스 뿐만 아니라 소스가스 및 캐리어가스를 선택적으로 공급할 수 있다.
이로써, 상기 퍼지가스공급라인(520)들은, 반응가스공급라인(620) 및 소스가스와 캐리어가스가 공급되는 위치 양 옆에서 퍼지가스가 공급될 수 있도록 유도할 수 있다.
한편, 상기 퍼지가스공급라인(520)들은, 도 4에 도시된 바와 같이, 적어도 하나가 바이패스라인(400) 내 캐리어가스가 이동하는 동안 공정챔버(100)에 퍼지가스를 공급할 수 있으며, 이로써 공정챔버(100) 내부압력을 배기라인(10) 내부압력보다 높게 유지하도록 유도할 수 있다.
이에 대한 상세한 설명은 후술한다.
상기 반응가스공급부(600)는, 공정챔버(100)에 반응가스를 공급하기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
예를 들면, 상기 반응가스공급부(600)는, 반응가스를 공급하는 반응가스공급원(610)과, 상기 반응가스공급원(610)과 상기 공정챔버(100) 사이에 연결되어 상기 공정챔버(100)에 상기 반응가스를 전달하는 반응가스공급라인(620)을 구비할 수 있다.
상기 반응가스공급라인(620)은, 이웃하는 퍼지가스공급라인(520) 사이에 배치되어 반응가스를 공정챔버(100) 내에 공급할 수 있으며, 반응가스공급밸브(601)를 통해 반응가스 공급여부 또는 공급유량을 제어할 수 있다.
한편, 상기 반응가스공급라인(620)은, 필요에 따라 퍼지가스공급원(510)에 연결되어 퍼지가스를 공급할 수 있음은 또한 물론이다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 배기라인(10) 상에 별도의 밸브가 구비되어 바이패스라인(400)을 통한 캐리어가스 공급에도 공정챔버(100) 측으로 역류를 방지할 여지도 있으나, 바이패스라인(400)을 통한 캐리어가스 공급 도중에는 공정챔버(100)에 대한 펌핑이 수행되는 바, 배기라인(10)을 통한 다량의 배기가 수행되어야 하므로, 별도의 밸브를 설치하고 이를 폐쇄하기 어려운 문제점이 있다.
따라서, 바이패스라인(400)을 통해 캐리어가스 공급 시, 배기라인(10) 측으로부터 공정챔버(100) 측으로의 역류를 방지할 필요성이 있다.
이를 위해, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 바이패스라인(400) 내 캐리어가스가 이동하는 동안 공정챔버(100) 내부압력이 배기라인(10) 내부압력보다 높게 유지된다.
즉, 상기 바이패스라인(400)을 통해 캐리어가스를 공급받는 배기라인(10)으로부터 공정챔버(100) 측으로 역류가 발생하는 것을 방지하기 위하여, 바이패스라인(400)을 통해 캐리어가스가 배기라인(10) 측으로 이동하는 동안 배기라인(10) 내부압력이 공정챔버(100) 내부압력보다 낮게 유지될 수 있다.
이를 위해, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 바이패스라인(400)을 통해 캐리어가스를 배기라인(10)으로 바이패스하여 전달하는 경우에는, 도 4에 도시된 바와 같이, 공정챔버(100) 내에 퍼지가스공급라인(520)을 통해 퍼지가스를 공급하여 공정챔버(100) 내부압력을 배기라인(10) 내부압력보다 높게 유지할 수 있다.
한편, 배기라인(10)과 공정챔버(100) 사이의 압력관계와는 별개로 바이패스라인(400)을 통해 캐리어가스를 배기라인(10)으로 바이패스하여 전달하는 동안 공정챔버(100) 내에 퍼지가스를 공급할 수 있음은 또한 물론이다.
한편, 바이패스라인(400)을 통해 캐리어가스를 지속적을 공급하여 소스가스공급부(200) 내부 및 소스가스공급라인(300)을 포함한 각종 배관 내 퍼지 및 클리닝을 수행하는 바, 소스가스공급라인(300)을 통해 공급되는 캐리어가스 단위 시간 당 공급유량이 바이패스라인(400)을 통해 이동하는 캐리어가스 단위 시간 당 유량보다 클 수 있다.
즉, 바이패스라인(400)을 통해 이동하는 캐리어가스 단위 시간 당 공급유량을 작게하여 지속적으로 캐리어가스가 흐르도록 유도할 수 있다.
또한, 퍼지가스공급부(500)를 통해 공급되는 퍼지가스의 단위시간 당 공급유량은 바이패스라인(400)을 통해 이동하는 캐리어가스의 단위시간 당 유량보다 크도록 유도하여, 공정챔버(100) 및 배기라인(10) 사이의 내부압력 대소관계가 유지되도록 유도할 수 있다.
이하 본 발명에 따른 기판처리방법에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
이때, 본 발명에 따른 기판처리방법은 전술한 기판처리장치를 이용하여 수행될 수 있으며, 기판처리장치에 관한 중복 설명은 생략한다.
본 발명에 따른 기판처리방법은, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 공정챔버(100) 내에 상기 소스가스를 공급하는 소스가스공급단계(S100)와; 상기 소스가스공급단계(S100) 이후에 상기 퍼지가스를 공급하여 상기 공정챔버(100) 내의 상기 소스가스를 퍼지하는 소스가스퍼지단계(S200)와; 상기 소스가스퍼지단계(S200) 이후에 상기 공정챔버(100) 내부에 대한 펌핑을 수행하며, 상기 소스가스공급라인(300)을 통한 공급을 차단하고 적어도 일부 동안 상기 바이패스공급라인(400)을 통해 상기 캐리어가스를 상기 배기라인(10) 측으로 이동하는 공정챔버펌핑단계(S300)를 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리방법은, 공정챔버펌핑단계(S300) 이후에 공정챔버(100)에 반응가스를 공급하는 반응가스공급단계(S400)와, 반응가스공급단계(S400) 이후에 퍼지가스를 공급하여 공정챔버(100) 내의 반응가스를 퍼지하는 반응가스퍼지단계(S500)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 소스가스공급단계(S100)는, 공정챔버(100) 내에 소스가스를 공급하는 단계로서, 다양한 방법에 의해 수행될 수 있다.
예를 들면, 상기 소스가스공급단계(S100)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 소스공급원(220)으로부터 액체 상태의 소스를 기화기(210)에 공급하고, 동시에 캐리어가스공급원(230)으로부터 캐리어가스를 기화기(210)에 공급하여, 기화가 완료된 소스가스와 캐리어가스를 소스가스공급라인(300), 퍼지가스공급라인(520)을 거쳐 공정챔버(100)에 공급할 수 있다.
또한, 상기 소스가스공급단계(S100) 동안 소스가스 및 캐리어가스가 공급되는 퍼지가스공급라인(520)을 제외한 다른 퍼지가스공급라인(520)을 통해 퍼지가스를 함께 공급할 수 있다.
상기 소스가스퍼지단계(S200)는, 소스가스공급단계(S100) 이후에 퍼지가스를 공급하여 공정챔버(100) 내의 소스가스를 퍼지하는 단계일 수 있다.
즉, 상기 소스가스퍼지단계(S200)는, 소스가스공급단계(S100)를 통해 공급된 소스가스를 퍼지하여 원자층증착법에 따라 이후에 공급되는 반응가스와 소스가스를 분리하고 과잉공급된 소스가스를 제거하여 자기제한적인(Self-limiting) 박막 성장 메커니즘을 유도할 수 있다.
상기 소스가스퍼지단계(S200)는, 전술한 퍼지가스공급부(500)를 통해 공정챔버(100) 내에 퍼지가스를 공급하고 동시에, 소스가스공급라인(300)을 통해 캐리어가스를 공정챔버(100)에 공급할 수 있다.
즉, 상기 소스가스퍼지단계(S200)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 캐리어가스공급원(230)을 통해 캐리어가스를 기화기(210), 소스가스공급라인(300) 및 퍼지가스공급라인(520)을 거쳐 공정챔버(100) 내에 공급할 수 있으며, 동시에 퍼지가스공급라인(520)을 통해 퍼지가스를 공정챔버(100)에 공급할 수 있다.
또한, 상기 소스가스퍼지단계(S200)는, 소스가스공급단계(S100) 이후에 소스공급라인(240)을 차단함으로써 추가적인 소스가스 공급이 차단될 수 있다.
이때, 복수의 퍼지가스공급라인(520)을 통해 퍼지가스를 공급할 수 있으며, 이때 공급되는 퍼지가스의 단위시간 당 공급유량은 소스가스공급단계(S100)를 통해 공급되는 퍼지가스의 단위시간 당 공급유량보다는 큰 유량으로 공급될 수 있다.
또한, 상기 소스가스퍼지단계(S200)는, 배기라인(10)을 통해 공정챔버(100) 내부에 대한 배기를 수행하는 바, 소스가스공급단계(S100)보다 많은 유량의 퍼지가스를 공급하는 상황에서도 공정챔버(100) 내부 압력은 소스가스공급단계(S100) 보다 저하될 수 있다.
한편, 상기 퍼지가스는 전술한 캐리어가스와 같이 불활성가스가 적용될 수 있으며, 일예로 아르곤(Ar), 질소(N2)가 적용될 수 있다.
상기 공정챔버펌핑단계(S300)는, 소스가스퍼지단계(S200) 이후에 공정챔버(100) 내부에 대한 펌핑을 수행하는 단계일 수 있다.
즉, 상기 공정챔버펌핑단계(S300)는, 공정챔버(100) 내부에 대한 펌핑을 수행함으로써, 공정챔버(100) 내부를 진공상태로 만들고 이후 반응가스의 공급을 준비하는 단계일 수 있다.
예를 들면, 상기 공정챔버펌핑단계(S300)는, 배기라인(10)을 풀오픈하고 외부펌프(20)를 통해 공정챔버(100) 내부에 대한 펌핑을 수행할 수 있다.
이때, 상기 공정챔버펌핑단계(S300)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 소스가스공급라인(300)을 통한 캐리어가스의 공정챔버(100) 측으로의 공급은 차단되고, 캐리어가스공급원(230)으로부터 기화기(210)를 거친 캐리어가스가 바이패스라인(400)으로 전달되어 배기라인(10)을 통해 배기될 수 있다.
즉, 상기 공정챔버펌핑단계(S300)는, 캐리어가스 이동을 캐리어가스공급원(230)으로부터 기화기(210)를 거쳐 적어도 일부 시간동안, 보다 바람직하게는 전체 시간동안 지속적으로 유지할 수 있으며, 이를 위해 소스가스공급라인밸브(301)는 폐쇄되고, 바이패스라인밸브(401)가 개방될 수 있다.
한편, 상기 배기라인(10)으로부터 공정챔버(100) 측으로 역류를 방지하기 위하여, 공정챔버(100) 내부압력을 배기라인(10) 내부압력 보다 높게 유지할 수 있다.
이를 위해, 상기 공정챔버펌핑단계(S300)는, 퍼지가스공급라인(520)을 통해 공정챔버(100) 내에 퍼지가스를 공급할 수 있으며, 이로써 공정챔버(100) 내부압력을 배기라인(10)보다 높게 유지할 수 있다.
즉, 상기 공정챔버펌핑단계(S300)는, 공정챔버(100)에 퍼지가스공급부(500)를 통해 퍼지가스를 공급할 수 있다.
한편, 이 경우, 소스가스퍼지단계(S200)에서 공정챔버(100)에 공급되는 단위시간 당 퍼지가스 공급유량은 공정챔버펌핑단계(S300)에서 공정챔버(100)에 공급되는 단위시간 당 퍼지가스 공급유량 보다 클 수 있다.
또한, 상기 공정챔버펌핑단계(S300)는, 퍼지가스공급부(500)를 통해 공정챔버(100)에 공급되는 퍼지가스의 단위시간 당 공급유량이 바이패스라인(400)을 통해 이동하는 퍼지가스의 단위시간 당 유량보다 클 수 있으며, 보다 구체적으로는 공정챔버펌핑단계(S300)를 통해 내부에 대한 저압을 유도하여야 하는 바, 공정챔버(100) 내부압력을 배기라인(10) 보다 상대적으로 높은 압력을 유지할 수준에서 낮은 압력을 갖도록 유량이 조절될 수 있다.
한편, 상기 공정챔버펌핑단계(S300)는, 후술하는 반응가스퍼지단계(S500) 이후에 추가로 수행될 수 있고, 이로써, 소스가스공급단계(S100), 소스가스퍼지단계(S200), 상기 공정챔버펌핑단계(S300), 상기 반응가스공급단계(S400), 상기 반응가스퍼지단계(S500) 및 상기 공정챔버펌핑단계(S300)가 하나의 단위 사이클로 하여 순차적으로 적어도 1회, 일예로 복수회 반복 수행될 수 있다.
상기 반응가스공급단계(S400)는, 공정챔버펌핑단계(S300) 이후에 공정챔버(100)에 반응가스를 공급하는 단계일 수 있다.
예를 들면, 상기 반응가스공급단계(S400)는, 반응가스공급부(600)를 통해 공정챔버(100)에 반응가스를 공급하고, 소스가스공급라인(300)을 통한 소스가스 및 캐리어가스의 공정챔버(100) 측으로의 공급은 차단된 상태에서, 캐리어가스공급원(230)으로부터 기화기(210)를 거쳐 바이패스라인(400)을 통해 배기라인(10)으로 전달되는 캐리어가스의 흐름은 유지될 수 있다.
이때, 상기 반응가스공급단계(S400)는, 전술한 소스가스공급단계(S100)와 같이 퍼지가스공급라인(520)을 통해 퍼지가스를 함께 공급할 수 있다.
또한, 상기 반응가스공급단계(S400)는, 전술한 소스가스공급단계(S100)와 같이 반응가스 및 퍼지가스의 공급으로 공정챔버(100) 내부압력이 증가할 수 있으며, 기판에 반응가스를 노출할 수 있다.
상기 반응가스퍼지단계(S500)는, 반응가스공급단계(S400) 이후에 퍼지가스를 공급하여 공정챔버(100) 내의 반응가스를 퍼지하는 단계일 수 있다.
이때, 상기 반응가스퍼지단계(S500)는, 전술한 소스가스퍼지단계(S200)와 동일한 방법으로 퍼지가스가 공급될 수 있으며, 이때 공급되는 퍼지가스 단위시간 당 유량은 공정챔버펌핑단계(S300)를 통해 공급되는 퍼지가스 단위시간 당 유량보다 크고, 반응가스퍼지단계(S500)를 통해 공급되는 단위시간 당 퍼지가스 공급유량 보다 클 수 있다.
또한, 상기 반응가스퍼지단계(S500)는, 배기라인(10) 풀오픈을 통한 배기로 인해 공정챔버(100) 내부압력이 반응가스공급단계(S400)보다 낮아질 수 있다.
전술한 바와 같이, 상기 소스가스공급단계(S100), 상기 소스가스퍼지단계(S200), 상기 공정챔버펌핑단계(S300), 상기 반응가스공급단계(S400), 상기 반응가스퍼지단계(S500) 및 상기 공정챔버펌핑단계(S300)가 순차적으로 단위 사이클로 하여 적어도 1회 수행될 수 있다.
또한, 이 과정에서 상기 공정챔버펌핑단계(S300), 상기 반응가스공급단계(S400), 상기 반응가스퍼지단계(S500) 및 상기 공정챔버펌핑단계(S300)가 순차적으로 진행되는 동안 바이패스공급라인(400) 내 캐리어가스 흐름 지속적으로 유지될 수 있다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
100: 공정챔버 200: 기화기부
300: 소스가스공급라인 400: 바이패스라인
500: 퍼지가스공급부

Claims (17)

  1. 기판처리가 수행되며 배기라인(10)을 통해 내부가 배기되는 공정챔버(100)와;
    상기 공정챔버(100)에 소스가스 및 캐리어가스를 공급하는 소스가스공급부(200)와;
    상기 소스가스공급부(200)와 상기 공정챔버(100)를 연결하며 상기 소스가스 및 상기 캐리어가스를 전달하는 소스가스공급라인(300)과;
    일단이 상기 소스가스공급라인(300)에 연결되고 타단이 상기 배기라인(10)에 연결되며, 상기 소스가스공급라인(300)을 통한 공급이 차단되는 시간 중 적어도 일부 동안 상기 캐리어가스가 상기 배기라인(10) 측으로 이동하는 바이패스라인(400)을 포함하며,
    상기 바이패스라인(400) 내 상기 캐리어가스 흐름이 유지되는 동안 상기 공정챔버(100) 내부압력이 상기 배기라인(10) 내부압력보다 높게 유지되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 소스가스공급라인(300)을 통한 공급이 차단되는 동안 상기 바이패스라인(400)을 통해 상기 캐리어가스가 상기 배기라인(10) 측으로 지속적으로 이동하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 공정챔버(100)에 퍼지가스를 공급하기 위한 퍼지가스공급부(500)를 추가로 포함하며,
    상기 퍼지가스공급부(500)는,
    상기 바이패스라인(400) 내 상기 캐리어가스가 이동하는 동안 상기 공정챔버(100)에 상기 퍼지가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 퍼지가스공급부(500)는,
    상기 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스공급원(510)과, 일단이 상기 퍼지가스공급원(510)에 결합하고 타단이 상기 공정챔버(100)에 결합하여 상기 공정챔버(100)에 상기 퍼지가스를 전달하는 복수의 퍼지가스공급라인(520)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 소스가스공급라인(300)은,
    일단이 상기 소스가스공급부(200)에 결합하고 타단이 상기 퍼지가스공급라인(520)에 결합하여, 상기 퍼지가스공급라인(520)을 통해 상기 공정챔버(100)와 연통하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 청구항 3에 있어서,
    반응가스를 공급하는 반응가스공급원(610)과, 상기 반응가스공급원(610)과 상기 공정챔버(100) 사이에 연결되어 상기 공정챔버(100)에 상기 반응가스를 전달하는 반응가스공급라인(620)을 구비하는 반응가스공급부(600)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 소스가스공급라인(300)을 통해 공급되는 상기 캐리어가스 단위 시간 당 공급유량이 상기 바이패스라인(400)을 통해 이동하는 상기 캐리어가스 단위 시간 당 유량보다 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 청구항 3에 있어서,
    상기 퍼지가스공급부(500)를 통해 공급되는 상기 퍼지가스의 단위시간 당 공급유량은 상기 바이패스라인(400)을 통해 이동하는 상기 캐리어가스의 단위시간 당 유량보다 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 소스가스공급부(200)는,
    공급되는 액체상태의 상기 소스를 기화시켜 상기 캐리어가스와 함께 상기 소스가스공급라인(300)으로 전달하는 기화기(210)와, 상기 기화기(210)에 액체상태의 소스를 공급하는 소스공급원(220)과, 상기 기화기(210)에 상기 캐리어가스를 공급하는 캐리어가스공급원(230)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 기판처리가 수행되며 배기라인(10)을 통해 내부가 배기되는 공정챔버(100)와;
    상기 공정챔버(100)에 소스가스 및 캐리어가스를 공급하는 소스가스공급부(200)와;
    상기 소스가스공급부(200)와 상기 공정챔버(100)를 연결하며 상기 소스가스 및 상기 캐리어가스를 전달하는 소스가스공급라인(300)과;
    일단이 상기 소스가스공급라인(300)에 연결되고 타단이 상기 배기라인(10)에 연결되며, 상기 소스가스공급라인(300)을 통한 공급이 차단되는 시간 중 적어도 일부 동안 상기 캐리어가스가 이동하는 바이패스라인(400)과;
    상기 공정챔버(100)에 퍼지가스를 공급하기 위한 퍼지가스공급부(500)를 포함하며,
    상기 퍼지가스공급부(500)는,
    상기 바이패스라인(400) 내 상기 캐리어가스 흐름이 유지되는 동안 상기 공정챔버(100)에 상기 퍼지가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 기판처리가 수행되며 배기라인(10)을 통해 내부가 배기되는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100)에 소스가스 및 캐리어가스를 공급하는 소스가스공급부(200)와; 상기 소스가스공급부(200)와 상기 공정챔버(100)를 연결하며 상기 소스가스 및 상기 캐리어가스를 전달하는 소스가스공급라인(300)과; 일단이 상기 소스가스공급라인(300)에 연결되고 타단이 상기 배기라인(10)에 연결되며, 상기 소스가스공급라인(300)을 통한 공급이 차단되는 시간 중 적어도 일부 동안 상기 캐리어가스가 상기 배기라인(10) 측으로 이동하는 바이패스라인(400)과; 상기 공정챔버(100)에 퍼지가스를 공급하기 위한 적어도 하나의 퍼지가스공급부(500)를 포함하는 기판처리장치를 통한 기판처리방법으로서,
    상기 공정챔버(100) 내에 상기 소스가스를 공급하는 소스가스공급단계(S100)와;
    상기 소스가스공급단계(S100) 이후에 상기 퍼지가스를 공급하여 상기 공정챔버(100) 내의 상기 소스가스를 퍼지하는 소스가스퍼지단계(S200)와;
    상기 소스가스퍼지단계(S200) 이후에 상기 공정챔버(100) 내부에 대한 펌핑을 수행하며, 상기 소스가스공급라인(300)을 통한 공급을 차단하고 적어도 일부 동안 상기 바이패스공급라인(400)을 통해 상기 캐리어가스를 상기 배기라인(10) 측으로 이동하는 공정챔버펌핑단계(S300)를 포함하며,
    상기 공정챔버펌핑단계(S300)는,
    상기 공정챔버(100) 내부압력을 상기 배기라인(10) 내부압력보다 높게 유지하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 소스가스퍼지단계(S200)는,
    상기 소스가스공급라인(300)을 통해 상기 캐리어가스를 상기 공정챔버(100)에 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 공정챔버펌핑단계(S300)는,
    상기 공정챔버(100)에 상기 퍼지가스공급부(500)를 통해 상기 퍼지가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  14. 청구항 11에 있어서,
    상기 소스가스퍼지단계(S200)에서 상기 공정챔버(100)에 공급되는 단위시간 당 상기 퍼지가스 공급유량은 상기 공정챔버펌핑단계(S300)에서 상기 공정챔버(100)에 공급되는 단위시간 당 상기 퍼지가스 공급유량 보다 큰 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  15. 청구항 11에 있어서,
    상기 공정챔버펌핑단계(S300)는,
    상기 퍼지가스공급부(500)를 통해 상기 공정챔버(100)에 공급되는 상기 퍼지가스의 단위시간 당 공급유량이 상기 바이패스라인(400)을 통해 이동하는 상기 퍼지가스의 단위시간 당 유량보다 큰 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  16. 청구항 11에 있어서,
    상기 공정챔버펌핑단계(S300) 이후에 상기 공정챔버(100)에 반응가스를 공급하는 반응가스공급단계(S400)와, 상기 반응가스공급단계(S400) 이후에 퍼지가스를 공급하여 상기 공정챔버(100) 내의 반응가스를 퍼지하는 반응가스퍼지단계(S500)를 추가로 포함하며,
    상기 반응가스퍼지단계(S500) 이후에 상기 공정챔버펌핑단계(S300)를 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 공정챔버펌핑단계(S300), 상기 반응가스공급단계(S400), 상기 반응가스퍼지단계(S500) 및 상기 공정챔버펌핑단계(S300)가 순차적으로 진행되는 동안 상기 바이패스공급라인(400) 내 상기 캐리어가스 흐름을 지속적으로 유지하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
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