KR20100015830A - 건식 펌프 표면으로부터의 반도체 처리 잔류물의 인-시튜 제거 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 처리 가스가 처리 챔버 내에 도입되며 진공 처리 시스템 배기 경로를 통해 배출되는 진공 처리 시스템에 관한 것이다. 하나 이상의 건식 진공 펌프 내의 배기 가스에 의해 형성된 증착물은 처리 챔버가 사용되지 않는 동안 건식 펌프의 상류측에 플루오르화 수소산을 도입함으로써 제거된다. 플루오르화 수소산은 포어라인 내의 노즐을 통해 건식 펌프의 상류측에 또는 건식 펌프의 입구에 도입된다.
Description
본 발명은 개략적으로 처리 가스를 사용하는 진공 증착 처리(vacuum deposition processing) 분야에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 진공 처리 시스템에 사용되는 건식 진공 펌프의 내면 상에서 처리 가스로부터의 증착물(deposits)의 축적을 제거하는 것에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에 있어서 건식 펌프 메커니즘에 부착되는 처리 잔류물(process residues) 코팅을 제거하는 것에 있어서 문제가 있었다.
본 발명은 반도체 제조 공정에 있어서 건식 펌프 메커니즘에 부착되는 처리 잔류물 코팅을 제거하는 것에 대한 문제를 해결하는 것에 관한 것이다.
본 발명의 방법 및 장치는 특히 처리 챔버 내에 TDMA 금속 전구체 또는 TEMA 금속 전구체가 사용됨으로써 건식 펌프 메커니즘 내에 형성되는 상당한 유기물 함량(organic content)을 갖는 부착성 코팅을 야기하는 처리에 적용할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이들 처리에의 사용에 한정되지 않으며, 다른 금속 전구체가 상당한 유기물 함량을 갖는 유사한 부착성 코팅을 야기하는 처리에도 사용될 수 있다. 발명자는 반도체 처리 챔버가 사용되지 않는 때에 건식 펌프의 입구 내에 묽은 플루오르화 수소산을 분사하여 이들 코팅을 제거하는 장치 및 처리를 개발하였다.
도 1은 진공 반도체 제조 공정도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 시스템의 개략도,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 시스템의 개략도,
도 4는 본 발명의 일 실시예를 실시하는데 사용되는 장치의 정면도,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 커플링의 개략도,
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 방법을 도시하는 흐름도,
도 7은 건식 펌프 작동면 상의 증착물을 도시하는 전자 현미경 사진.
본 발명에 따른 시스템(200)이 도 2에 도시되어 있다. 처리 가스(210)가 진공 상태 하에서 처리 챔버(212) 내에 도입된다. 반도체 제조 공정에서는 기판 상에 금속 산화물을 증착하기 위해 금속 유기물 전구체(metal organic precursors) 및 산화제(oxidizers)와 같은 전구체 가스를 사용한다. 이러한 2가지의 처리가 원자층 증착법(atomic layer deposition; ALD) 및 화학 증착법(chemical vapor deposition; CVD)이다. 예를 들어, 테트라키스 디메틸아미노 하프늄(tetrakis dimethylamino hafnium; TDMAH) 및 오존을 사용하거나 또는 테트라키스 에틸메틸아미노 하프늄(tetrakis ethylmethylamino hafnium; TEMAH) 및 오존을 사용하면 웨이퍼 상에 산화 하프늄 ALD 막(hafnium oxide ALD films)이 증착된다. 이들과 같은 금속 유기물 ALD 처리는 이 처리에 사용되는 금속 전구체를 형성하는 부분 분해된 리간드로부터 유기성 폐기물을 본질적으로 생성한다. ALD 증착 처리는 일반적으로 2단계 처리인데, 먼저 금속 유기물 전구체가 초기 가스 펄스로 챔버를 통해 유동하여 얇은 금속 층을 형성하고, 소제된 후에 오존을 제 2 펄스로 챔버를 통해 유동시켜서 산화 금속을 형성한다. 가스 상 반응(gas phase reactions)은 챔버의 하류측에서 발생하며, 2차 반응 생성물이 건식 펌프 내에 응축된다. 이들 유기성 폐기물은 진공 펌프의 작동면 상에 급속하게 증착물을 축적시킨다.
산화 하프늄의 증착에 사용되는 ALD 처리의 경우에 있어서, 이들 폐기물은 산화 하프늄 결정을 함유하는 무정형 유기 매트릭스(amorphous organic matrix)를 포함하는 것으로 여겨진다. 산화 하프늄 결정은 비교적 단단하여, 결국 마모성이 매우 큰 합성 물질이 된다.
예시적인 진공 증착 처리(100)가 개략적으로 도 1에 도시되어 있다. 이 처리에 있어서, 테트라키스 디메틸아미노 하프늄(TDMAH) 및 오존의 처리 가스(110)를 처리 챔버 내에 도입함으로써, 산화 하프늄 막이 ALD 처리에서 기판 상에 증착된다. 처리 챔버(120) 내에서 ALD 처리는 다양한 성분을 가질 수도 있는 등각 박막 물질(conformal thin-films of materials)을 기판 상에 증착시키는 자가 제어식 순차적 계면 화학 작용(a self-limiting sequential surface chemistry)을 일으킨다. 하프늄 금속이 금속 유기물 전구체로서 제공되기 때문에, 처리로부터의 배기 가스(130)는 증기 및 고체 형태의 다양한 유기 및 금속 부산물을 포함한다. 이들 부산물이 건식 펌프를 통과할 때 건식 펌프의 작용면 상에 증착될 수도 있다.
도 7에 도시된 현미경 사진은 건식 펌프의 작용면 상의 증착물 중 확대된 부분을 도시한다. 사진은 증착물이 결절성 성질을 가지며 가장 큰 결절(nodules)의 직경이 5마이크론을 초과하는 것을 보여준다. 증착물의 결절성 성질은 증착물이 가스 상태로 또는 펌프 표면 상에 또는 양자 모두의 형태로 종자 핵(seed nuclei) 상에서 성장함을 암시한다. 또한, 부가적인 실험은 증착물이 대부분 본질적으로 유기적임을 시사하였다.
기상 핵생성(gas phase nucleation)에 의해 형성된 분말은 건식 펌프의 표면 상에 축적될 수도 있다. 기상 핵생성은 배기 가스의 가스 상 성분 간의 반응에 기인하여, 분말 형태의 고체 반응 생성물을 만들어 낸다. 이 생성물이 그와 접촉하게 되는 표면 상에 축적될 수도 있다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, "증착물(deposit)"의 용어는 막 증착, 기상 핵생성 또는 다른 현상을 포함하는 임의의 물리적 메커니즘으로 인해 배기 경로 내의 표면 상에 축적되는 고체를 의미할 수 있다.
아무리 증착물이 형성되어도, 이 증착물은 진공 처리 시스템 배기 경로 내의 건식 진공 펌프 및 다른 장치의 성능에 악영향을 미친다. 예를 들면, 건식 진공 펌프의 펌핑 요소 상의 증착물은 핌핑 요소의 유효 형상(effective shape)을 변화시켜서 펌프의 효율 및 유효성을 떨어뜨린다. 또한, 증착물은 조기의 마모 및 고장을 야기할 수 있다.
도 2를 다시 참조하면, 이 시스템의 진공 배기 경로는 처리 챔버(212)를 건식 진공 펌프(230)와 연결시키는 포어라인(foreline)(215)을 포함한다. "건식" 진 공 펌프는 오일 오염이나, 유체, 트랩 및 필터에 대한 필요성을 크게 감소시키거나 제거하는데, 이들 모두는 오일 밀봉식 회전 진공 펌프(oil-sealed rotary vacuum pump)의 특성이다. 최근의 압축비, 펌프 수명, 초기 비용 및 소음에 있어서의 향상은 많은 응용 분야에서 건식 펌프를 더욱 매력적으로 만들었다. 이제 건식 펌프는 보다 낮은 정도의 정비를 요하고, 제거할 폐유(used oil)도 없고, 교환할 필터 및 오일도 없으며, 세정할 오일 잔류물도 없기 때문에, 보다 낮은 소유 비용을 제공한다.
진공 증착 처리에 외에, 건식 펌프는 또한 로드록(loadlock) 챔버, 이송 챔버, 계측 툴(예컨대, 웨이퍼 검사 툴, 질량 분석계, 전자 현미경)에 매우 적합하며, 고 진공 처리 챔버용 포어펌프(forepump)로도 적합하다. 건식 진공 펌프는 전형적으로 10-2Torr 내지 100Torr의 입구 압력으로 작동하며, 대기압 또는 거의 대기압으로 배기된다.
저비용의 소유 및 정비 요건을 갖는 신뢰성이 높은 건식 진공 펌프는 오염이 최소한으로 유지되어야만 하는 화학 기상(CVD) 처리 및 원자층 증착(ALD) 처리에 자주 사용된다. 예를 들면, 건식 진공 펌프는 테트라키스 디메틸아미노 하프늄(TDMAH) 및 오존을 사용하는 산화 하프늄 ALD 막의 증착에 사용되며, 테트라키스 에틸메틸아미노 하프늄(TEMAH) 및 오존을 사용하는 산화 하프늄 막의 증착에 사용된다.
몇몇 건식 진공 펌프 구성은 고 진공을 생성하여 유지시키기 위해 사용할 수 있다. 루츠 진공 펌프(roots vacuum pump) 및 후크 앤 클로 진공 펌프(hook and claw vacuum pump)는, 반대 방향으로 동일 속도로 회전함으로써 케이스의 배기부 내에 가스를 포획하여 배기 포트로 가스를 강제하는 2개의 정밀 가공된 로터를 포함한다. 루츠 진공 펌프 및 후크 앤 클로 진공 펌프는 1차 펌프로서 및 보조 펌프로서 사용된다. 다른 종류의 건식 진공 펌프는 나선형 경로 내의 가스가 선회하는 로터에 의해 펌프를 통해 진행되는 스크롤 펌프(scroll pump), 및 하나 이상의 나선형 로터가 펌프를 통해 가스를 진행시키도록 회전하는 스크류 펌프(screw pump)를 포함한다.
오일 밀봉식 펌프가 오일을 사용한 밀봉 유효성을 개량하는 반면에, 건식 진공 펌프의 챔버를 밀봉하기 위해서는 오일이 필요 없다. 대신에, 건식 펌프 설계는 작동하는 구성요소 사이에 비교적 작은 간극을 유지하는 것에 의존한다. 건식 펌프의 이러한 특성이 급속한 마모 및 조기의 파멸 고장(catastrophic failure)을 야기할 수 있는 부착성 공정 폐기물의 증착에 보다 민감하게 한다.
건식 펌프 입구는 직접 처리 챔버와 연통할 수 있고, 또는 도 2에 도시된 바와 같이 포어라인(215)을 통해 처리 챔버(212)와 연통할 수도 있다. 포어라인은 예컨대 직경이 1.5인치(3.81㎝) 내지 6인치(15.24㎝), 길이가 약 60피트(18.288m)까지인 파이프일 수도 있다. 진공 처리 시스템 배기 경로는 배기물의 다양한 성분들을 재생, 제거 또는 중화하기 위한 저감 시스템(abatement system)을 포함한다.
ALD 처리에 사용되는 노(furnace) 적용예에 있어서, 포어라인은 직경이 약 6인치(15.24㎝)이며, 길이는 5피트(1.524m) 내지 60피트(18.288m)일 수도 있다. 포 어라인 차단 밸브(229)는 하기하는 펌프 세정 처리 동안에 진공 처리 챔버(212)를 포어라인(215)으로부터 밀봉할 수 있다.
플루오르화 수소산의 공급원(a source of hydrofluoric acid))(213)이 플루오르화 수소산 공급 라인(220)을 통해 포어라인(215)에 액체 산을 제공한다. 밸브(214) 또는 액체 유동 제어기는 포어라인 내로의 플루오르화 수소산의 유동을 제어한다.
도시된 바람직한 실시예에서, 공급 라인(220)은 포어라인(215) 내의 유동과 평행한 방향으로 배향된 노즐(216) 내에서 종단된다. 노즐은 약 100마이크론 내지 1000마이크론 범위의 직경을 갖는 오리피스(orifice)를 포함한다. 현재 바람직한 실시예에서, 노즐 오리피스는 직경이 225마이크론이다. 밸브 또는 액체 유동 제어기(214)는 도 2에 도시된 바와 같이 노즐(216)로부터 외부에 있을 수도 있고, 또는 밸브와 노즐이 일체형일 수도 있다.
노즐(216)로부터 나오는 묽은 액체 플루오르화 수소산은 건식 진공 펌프(230)의 고온의 표면에 직접 침투하여 기화한다. 기화된 플루오르화 수소산은 건식 진공 펌프의 내면 상의 유기물 또는 다른 증착물을 분해하거나 또는 다른 방법으로 그와 상호 작용하거나 또는 반응하여 이들 증착물을 제거한다. 제거된 증착물은 저감 장치(250)를 통해 대기로 배출된다.
발명자는 묽은 염산 수용액이 ALD 처리 동안 건식 펌프 내에 형성된 결절성 증착물의 제거에 특히 효과적이라는 것을 발견하였다. 도 7의 전자 현미경 사진에 도시된 증착물의 상당한 표면 면적이 증착물을 특정 에칭액(etchant)에 민감하게 만드는 것으로 여겨진다.
본 발명에 사용된 플루오르화 수소산 수용액에 의하면 이온성 플루오르(ionic fluorine)의 다른 공급원보다 비용을 상당히 절감할 수 있다. 또한, 플루오르화 수소산을 건식 펌프로 이송하기 위해 본 발명에 사용된 장치의 비용도 플라즈마를 생성하는데 사용되는 장치와 같이 선택적인 플루오르 이온 공급원을 이송하는데 사용되는 장치의 비용보다 휠씬 낮다.
노즐(216)을 포어라인(215)과 평행한 방향으로 지향하게 함으로써 건식 펌프의 고온 표면 상에 액체를 비말 동반하기(entrain) 위해, 공급 라인(220)은 도 2에 도시된 바와 같이 90°굽힘부(bend)(222)를 구비할 수도 있다. 제거 가능한 플랜지 또는 스풀 피스(spool piece)(221)가 포어라인(215)에 대하여 공급 라인(220)을 안정화시키며, O-링 시일(seal)과 같은 진공 시일을 제공한다. 바람직한 실시예에서, 플랜지는 포어라인 내의 포트로부터 제거 가능하다. 이 포트는 플루오르화 수소산 공급 라인 및 노즐이 없는 경우의 작업을 위해 밀봉될 수 있다.
플루오르화 수소산 수용액을 도입하기 위한 펌프 입구의 사용은 유체를 이송하기 위한 포트를 펌프 하우징 내에 구비하는 특수 제작된 펌프에 대한 필요를 없앤다. 발명자는 펌프의 상류측의 포어라인 내에 플루오르화 수소산을 주입하거나 또는 펌프 입구 내에 직접 주입됨으로써 펌프의 내부 구성요소가 철저하게 세정되는 것을 발견하였다.
노즐(216)으로부터의 액체 플루오르화 수소산의 급속 팽창하는 스트림(stream) 내에 빙정이 형성되는 것을 방지하기 위해, 질소 공급원(219)으로부터 의 질소가 노즐(216)의 상류측 또는 하류측의 포어라인(215) 내에 주입되어 압력을 증가시킨다. 예를 들어, 약 0.005Torr의 처리 작동 압력을 갖는 포어라인 내에 질소가 주입되어 0.1Torr 내지 50Torr까지, 바람직하게는 약 40Torr까지 압력을 증가시킬 수도 있다. 플루오르화 수소산의 주입은 추가로 예컨대 약 44Torr까지 압력을 상승시킬 수도 있다.
건식 진공 펌프는 증가된 하중 또는 증가된 압력을 감지하는 때에 펌프 속도를 감소시키는 과부하 보호 시스템을 구비할 수도 있다. 과부하 보호 시스템은 질소 및 플루오르화 수소산의 주입으로 인해 증가된 압력을 감지할 수도 있고, 펌프 속도를 충분히 감소시켜서 펌프 및 포어라인 내의 압력을 100Torr로, 가능하게는 400Torr까지 증가시킬 수도 있다. 이러한 경우에, 세정은 낮은 펌프 속도 및 증가된 압력에서 발생한다.
선택적인 실시예에서, 기화된 플루오르화 수소산의 질량 유량은 건식 진공 펌프로의 입구 압력이 작동 동안에 0.1Torr 내지 50Torr의 범위 내에 있도록 조정된다.
본 발명의 다른 실시예에서, 플루오르화 수소산 스트림 내의 얼음 형성은 플루오르화 수소산이 노즐에 유입되기 전에 그 액체를 기화시킴으로써 최소화된다. 도 3은 본 실시예에 따른 시스템을 도시하는데, 도 2에 대응하는 요소는 100을 더한 도면부호를 갖는다. 공급부(313)으로부터의 플루오르화 수소산이 포어라인(315)에 유입되기 전에 플루오르화 수소산을 기화시키기 위해 공급 라인(320) 내에 기화기(323)가 배치된다. 기화기(323) 내의 가열 요소(도시되지 않음)를 사용 하여 플루오르화 수소산이 기화되는 것이 바람직하다. 기화된 플루오르화 수소산은 노즐 또는 단순한 오리피스(도시되지 않음) 또는 다른 수단을 통해 포어라인 내에 도입될 수도 있다.
선택적으로, 액체 플루오르화 수소산은 포어라인 내에 도입될 때에 노즐 그 자체에 의해 분사될 수도 있다.
도 4에 도시된 가동 카트(400)는 수동 또는 자동으로 본 발명의 방법을 실시하는데 사용될 수도 있다. 가동 카트는 바람직하게는 미국 미네소타주의 챈하슨(Chanhassen)의 에드워즈 케미컬 매니지먼트 디비전(Edwards Chemical Management Division)으로부터 입수 가능한 스마트카트(상표) 고 순도 화학 물질 전송 시스템이다. 가동 카트(400)는 플루오르화 수소산의 용기(430)를 포함한다. 플루오르화 수소산의 농도는 이 처리에 사용될 정도의 것일 수도 있는데, 이는 부피로(by volume) 약 0.1% 내지 20%이다. 선택적으로, 용기(430) 내의 플루오르화 수소산의 농도는 상업적으로 이용 가능한 경우보다 높을 수도 있다. 이러한 경우에, 플루오르화 수소산에 물을 첨가하여 본 방법에 사용하기 위한 적정 농도로 희석시킨다. 용기(430)는 미국 미네소타주 미니애폴리스의 ATMI 패키징사(ATMI Packaging, Inc.)로부터 입수 가능한 나우팩(NowPAK)(등록상표) 화학 물질 공급 용기일 수도 있다.
또한, 가동 카트(400)는 플루오르화 수소산의 유동을 제어하기 위한 밸브 박스(420)를 포함한다. 밸브 박스에는 도 5에 상세히 도시된 커플링(coupling)(500)이 연결되어 있다. 밸브 박스 내의 밸브(510)는 이중 잠금식 피팅(double containment fitting)(520), 이중 잠금식 배관(525), 포어라인에의 연결 및 포어라인과의 밀봉을 위한 O-링(도시되지 않음)을 포함하는 밀봉용 플랜지(530) 및 노즐(540)에 연결되어 있다. 지점(535)에서의 배관 내의 90°굽힘부(도시되지 않음)는 노즐(540)을 플랜지에 수직하는 방향으로 지향시켜서, 노즐을 도 2에 도시된 바와 같이 포어라인과 평행하게 배향한다.
이중 잠금식 배관(525)은 가요성일 수도 있으며, 사용되지 않는 경우에는 스풀(430) 내에 저장될 수도 있다. 가동 카트(400)는 제조 설비 전체에 걸쳐서 툴로부터 툴로 이동하여 복수의 건식 펌프 상에서 본 발명의 방법을 수행할 수도 있다.
본 처리에서의 사건을 적절히 순차 배열하기 위해 제어기(225)(도 2)가 본 발명에 통합될 수도 있다. 제어기(225)는 처리 챔버(212) 또는 별도의 처리 챔버 제어기(도시되지 않음)와 연통된다. 또한, 제어기는 밸브(214) 및 질소 공급부(219)와 연통될 수도 있다. 제어기(225)는, 실행되는 경우에 도 6의 방법(600)에 도시된 바와 같은 일련의 단계를 수행하는 명령을 포함하는 컴퓨터-판독 가능한 매체에 접근할 수 있다. 제어기는 처리 챔버가 사용되지 않고 있는지를, 또는 건식 펌프 세정 단계를 시작하기 전에 처리 챔버 내의 처리가 종결되었는지(단계 610)를 확정한다. 그 후에, 플루오르화 수소산이 처리 챔버를 오염시키는 것을 방지하기 위해 포어라인 차단 밸브(229)가 폐쇄된다(단계 615). 그 후에, 질소의 유동이 포어라인 내에 도입될 수도 있다(단계 620). 일 실시예에서, 플루오르화 수소산의 유동은 노즐로 유입되기 전에 기화된다(단계 630). 그 후에, 밸브(214)(도 2)를 개방함으로써 플루오르화 수소산의 유동이 건식 펌프의 입구 내에 도입된다 (단계 640).
도 2에 도시된 플루오르화 수소산 공급원(213), 밸브(214), 공급 라인(220) 및 다른 관련 장치는 다수의 처리 챔버, 포어라인 및 건식 진공 펌프를 구비하는 설비에 사용될 수도 있다. 플루오르화 수소산 공급원은 설비의 중앙에 영구 장착된 장치일 수도 있으며, 각각의 수많은 포어라인으로 연장되는 공급 라인을 갖는다. 이러한 구성에 의하면 단일 공급원의 산을 사용하여 복수의 툴에 비교적 저비용으로 플루오르화 수소산을 공급할 수 있게 된다. 제어기(225)와 유사한 중앙 제어기가 각각의 건식 펌프에 대한 세정 사이클을 제어하여, 밸브(214)와 유사한 각 공급 라인을 위한 밸브를 작동시킬 수도 있다.
상기의 상세한 설명 및 첨부 도면은 모든 면에서 설명을 위한 예시적인 것일 뿐, 한정적이지 않은 것으로 이해되어야 하며, 본 명세서에 개시된 발명의 범위는 발명의 설명으로부터 결정되지 않고, 특허법에 의해 허용되는 최대한의 범위에 따라 해석되는 특허청구범위에 의해 결정되어야만 한다. 예를 들어, 본 시스템이 ALD 처리 및 CVD 처리의 유기성 및 유기 금속성 부산물의 증착물을 건식 진공 펌프로부터 제거하는 것과 관련하여 기술되어 있지만, 본 시스템은 유사하게 다른 처리에서 생성된 유사한 부산물을 제거하는데 사용될 수도 있다. 본 명세서에 기술 및 도시된 실시예는 단지 본 발명의 원리를 설명하기 위한 것이며, 본 발명의 사상과 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 변형예가 당업자에 의해 실시될 수도 있음을 이해해야 한다.
Claims (28)
- 진공 배기 경로를 통해 처리 챔버에 연결되어 있는 입구를 구비한 건식 진공 펌프로부터 처리 잔류물(process residues)을 제거하기 위한 시스템에 있어서,상기 건식 진공 펌프의 상기 입구 내에 유체를 도입하도록 위치 설정된 주입 노즐과,상기 주입 노즐에 연결되어 플루오르화 수소산을 상기 주입 노즐에 공급하는 플루오르화 수소산 공급원과,상기 플루오르화 수소산 공급원과 상기 주입 노즐 사이에 위치 설정되어 상기 분사 노즐을 통한 플루오르화 수소산의 유동을 조절하는 밸브를 포함하는처리 잔류물 제거용 시스템.
- 제 1 항에 있어서,적어도 상기 밸브 및 상기 처리 챔버를 제어하기 위한 제어기를 더 포함하며, 상기 제어기는 오직 상기 처리 챔버가 사용되지 않는 경우에만 상기 밸브를 개방하는처리 잔류물 제거용 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 주입 노즐은 상기 건식 진공 펌프를 향해 분사를 지향시키도록 배향되 어 있는처리 잔류물 제거용 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 진공 배기 경로는 기다란 포어라인(foreline)을 포함하며,상기 주입 노즐은 상기 포어라인의 종축을 따라 분사를 지향시키도록 배향되어 있는처리 잔류물 제거용 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 플루오르화 수소산이 상기 주입 노즐에 유입되기 전에 상기 플루오르화 수소산을 기화시키도록 연결된 기화기를 더 포함하는처리 잔류물 제거용 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 플루오르화 수소산 공급원은 부피로 0.1% 내지 20% 범위의 희석된 산을 공급하는처리 잔류물 제거용 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 플루오르화 수소산 공급원은, 기화된 플루오르화 수소산의 질량 유량을 형성하여 상기 건식 진공 펌프의 상기 입구의 압력을 0.1Torr 내지 50Torr로 유지시키도록 상기 플루오르화 수소산을 공급하는처리 잔류물 제거용 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 진공 배기 경로 내에 중성 가스(neutral gas)를 도입하도록 연결된 중성 가스 공급원을 더 포함하는처리 잔류물 제거용 시스템.
- 제 8 항에 있어서,상기 중성 가스 공급원은 질소 공급원인처리 잔류물 제거용 시스템.
- 제 8 항에 있어서,상기 건식 진공 펌프는 과부하 제어 시스템(overload control system)을 더 포함하며,상기 중성 가스 및 상기 플루오르화 수소산의 도입에 의해 상기 과부하 제어 시스템이 상기 건식 진공 펌프의 속도를 감소시키는처리 잔류물 제거용 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 진공 배기 경로는 포어라인을 포함하며,상기 주입 노즐은 상기 건식 진공 펌프의 상기 입구의 상류측 지점에서 상기 포어라인 내에 위치 설정되어 있는처리 잔류물 제거용 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 주입 노즐은 상기 건식 진공 펌프의 상기 입구에 위치 설정되어 있는처리 잔류물 제거용 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 플루오르화 수소산 공급원은 복수의 건식 진공 펌프 내에 유체를 도입하기 위한 복수의 주입 노즐에 연결되어 있는처리 잔류물 제거용 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 진공 배기 경로 내의 포트(port)와,상기 주입 노즐을 지지하며, 상기 포트에 제거 가능하게 연결된 플랜지를 더 포함하는처리 잔류물 제거용 시스템.
- 증착 처리가 실시되는 진공 처리 챔버를 배기하도록 작동하는 건식 펌프의 표면으로부터 처리 잔류물을 제거하기 위한 방법에 있어서,상기 진공 처리 챔버는 증착 처리의 사이에 사용되지 않는 상태이며, 상기 건식 펌프는 진공 배기 경로를 통해 상기 진공 처리 챔버에 연결되어 있으며,상기 진공 처리 챔버가 사용되지 않는 때에, 상기 건식 펌프의 입구 내에 플루오르화 수소산 수용액의 유동을 도입함으로써, 상기 건식 펌프의 표면으로부터 처리 잔류물이 제거되는 단계를 포함하는처리 잔류물 제거 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 진공 배기 경로 내에 질소의 유동을 도입하는 단계를 더 포함하는처리 잔류물 제거 방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 질소의 유동은 상기 건식 펌프의 상기 입구에서의 압력을 0.1Torr 내지 50Torr로 증가시키며,상기 처리 잔류물 제거 방법은, 상기 건식 펌프의 상기 입구에서의 압력을 100Torr 내지 400Torr로 추가로 증가시키도록 상기 건식 펌프의 작동 속도를 감소 시키는 단계를 더 포함하는처리 증착물 제거 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 건식 펌프의 입구 내에 플루오르화 수소산의 유동을 도입하는 단계는 상기 펌프 입구의 상류측의 상기 진공 배기 경로 내에 액체 플루오르화 수소산을 도입하는 단계를 더 포함하는처리 잔류물 제거 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 액체 플루오르화 수소산은, 상기 건식 펌프의 내부 구성요소 상에 상기 액체 플루오르화 수소산을 비말 동반(entrain)하도록 지향된 상기 진공 배기 경로 내에 도입되는처리 잔류물 제거 방법.
- 제 15 항에 있어서,액체 플루오르화 수소산의 유동을 가열함으로써 기화시키는 단계와,상기 기화된 플루오르화 수소산을 상기 건식 펌프 입구의 상류측의 노즐 내에 도입하는 단계를 더 포함하는처리 잔류물 제거 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 건식 펌프의 입구 내에 플루오르화 수소산의 유동을 도입하는 단계는 플루오르화 수소산의 유동을 계량하기 위해 밸브를 제어하는 단계를 더 포함하는처리 잔류물 제거 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 건식 펌프의 입구 내에 플루오르화 수소산의 유동을 도입하는 단계는 부피로 0.1% 내지 20% 범위의 희석된 플루오르화 수소산을 도입하는 단계를 더 포함하는처리 잔류물 제거 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 건식 펌프의 입구 내에 플루오르화 수소산의 유동을 도입하는 단계는, 노즐로부터의 기화된 플루오르화 수소산의 질량 유량을 형성하여 상기 건식 펌프의 상기 입구의 압력을 0.1Torr 내지 50Torr로 유지시키도록 기화된 플루오르화 수소산을 도입하는 단계를 더 포함하는처리 잔류물 제거 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 건식 펌프의 입구 내에 플루오르화 수소산의 유동을 도입하는 단계는 상기 건식 펌프의 상기 입구의 상류측의 상기 진공 배기 경로 내에 상기 플루오르화 수소산을 도입하는 단계를 더 포함하는처리 잔류물 제거 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 건식 펌프의 입구 내에 플루오르화 수소산의 유동을 도입하는 단계는 상기 건식 펌프의 상기 입구에 상기 플루오르화 수소산을 도입하는 단계를 더 포함하는처리 잔류물 제거 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 건식 펌프의 입구 내에 플루오르화 수소산의 유동을 도입하는 단계는 복수의 건식 펌프의 입구 내에 상기 플루오르화 수소산의 유동을 도입하는 단계를 더 포함하는처리 잔류물 제거 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 증착 처리는 테트라키스 디메틸아미노 하프늄(TDMAH) 및 오존을 사용하는 산화 하프늄 ALD 막의 증착을 포함하는처리 잔류물 제거 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 증착 처리는 테트라키스 에틸메틸아미노 하프늄(TEMAH) 및 오존을 사용하는 산화 하프늄 ALD 막의 증착을 포함하는처리 잔류물 제거 방법.
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