KR100545696B1 - 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체공정 또는 엘씨디 제조공정 중에 발생하는 유해한 폐기가스의 처리를 일괄처리할 수 있는 폐기가스처리장치를 제공하는 것으로서,
반도체제조 공정에서 사용된 배기가스들을 처리하기 위해 가스처리부로 가스를 인도하며, 저온에서 부적절한 가스들의 혼합방지를 위한 분리 N2 를 공급하고 또한 산화반응을 위한 공기를 공급하는 가스도입부와, 공정에서 사용되어 상기 가스도입부를 통해 도입된 배기가스들을 산화반응 또는 열분해처리를 위한 열분해 및 산화반응부와, 상기 열분해 및 산화반응부에서 열분해 및 산화반응처리된 후 배기되는 고온의 가스를 다음 단계로 진행시키기 전에 급속히 냉각시키는 냉각부와, 상기에서 냉각된 가스와 열분해 및 산화반응처리에 의해 발생된 부산물을 이동시키며 또한 부산물들을 처리하는 가스 및 부산물 이동경로부와, 상기 이동경로부를 통해 이동한 가스와 이동경로부에 미처리된 부산물들을 처리하는 주 습식 세정부로서의 수용성 가스 및 부산물 처리부와, 상기 주 습식세정부에서 처리된 가스를 메인 덕트로 도입하기 전에 수분을 제거하는 수분제거부와, 그리고 본 발명의 장치를 제어하는 전기제어부로 구성된다.

Description

진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치{WASTE GAS SCRUBBER INTEGRAL WITH VACCUM PUMP}
도 1은 본 발명의 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치의 개략적인 구성을 보여주는 도면.
도 2는 본 발명의 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치 중의 열분해 및 산화반응 처리부의 세부적인 구성을 보여주는 도면.
도 3은 열분해 및 산화반응 처리부의 다공성 반응기(30)의 세부를 보여주는, 도 2 중의 A부분 확대도.
도 4는 열분해 및 산화반응 처리부에서 나온 고온의 가스를 냉각시키는 냉각부를 보여주는 도면.
도 5는 냉각부를 거쳐 냉각된 가스와 부산물을 다음 처리 장치로 인도하는 가스 및 부산물 이동경로부를 보여주는 도면.
도 6은 가스의 주 습식세정 처리가 이루어지는 주 습식 세정부를 보여주는 도면.
도 7은 주 습식 세정부로부터 배출된 가스 중의 수분을 제거하고 또한 미처리된 부산물을 처리하는 수분 제거부를 보여주는 도면.
본 발명은 반도체 공정 중에 발생하는 유해 폐기가스를 처리하는 가스 스크루버에 관한 것으로서, 특히 진공펌프와 일체화되고 또한 건식처리와 습식처리를 동시에 수행할 수 있도록 구성된 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치에 관한 것이다. 이와 같은 폐기가스 처리장치에 있어서, 연소를 필요로 하는 건식처리와 수처리를 필요로 하는 습식처리를 한 장치로 수행함으로써 보다 확실한 폐기가스의 처리가 이루어질 수 있고 또한 처리의 효율성이 증대하게 된다.
반도체 재료, 소자, 제품 및 메모리의 제조에 따른 부산물로서의 가스 배출물은 공정 설비로부터 광범위한 화학종을 발생시키고 있는데, 아르신(AsH3; 수소화비소)과, 포스핀(PH3)과, 디보란(B2H6)과, 모노실란(SiH4)으로 대표되는 가스상의 독성물질을 포함하는 폐기가스가 반도체제조 공정중 여러 단계에서 발생되게 된다. 이들 화학종에는 유기 및 무기 화합물, 감광제 및 기타 반응제의 분해 생성물, 그리고 공정 설비로부터 대기중으로 배출되기 이전-에 폐기가스류에서 제거하여야 할 광범위한 종류의 기타 가스들이 포함되어 있다.
이와 같이 제거대상이 되는 폐기가스성분을 정화시키기 위해 다양한 처리기법이 적용되는데, 일례로 반도체 디바이스 제조 공정 동안 배출되는 유해성 가스를 처리하는 방법은 대표적으로 다음의 세 가지가 있다. 첫째, 주로 수소기 등을 함유 한 발화성 가스를 연소실에서 약 500℃ 내지 800℃의 고온에서 분해, 반응 또는 연소시키는 버닝(burning)방식이 있다. 둘째, 주로 수용성 가스를 수조에 저장된 물을 통과시키는 동안 물에 용해하여 처리하는 웨팅(wetting)방식이다. 셋째, 발화되지 않거나 물에 녹지 않는 유해성 가스가 흡착제를 통과하는 동안, 흡착제에 물리적 또는 화학적인 흡착에 의하여 정화하는 흡착 방식이 있다.
여기서, 배출 가스 처리는 예컨대, 배출 가스류에서 산성 가스 성분 및/또는 입자를 제거하는 스크루빙 처리(scrubbing)를 포함한다. 가스는 배출물을 고순도 산소, 공기 또는 아산화질소와 같은 산화제에 혼합하고 그 생성 가스혼합물을 열 산화 반응 챔버를 통해 유동시키는 것에 의해 유기 화합물과 기타 산화성 화합물을 제거하도록 열 산화 처리를 받을 수도 있다.
특히, 이러한 폐기가스 처리시스템에서, 불소(F2) 및 불소화 화합물과 같은 할로겐 성분은 다른 어느 성분보다도 제거해야만 하는 대상이다. 이 물질은 대기중에 오래동안 잔류할 뿐만 아니라 온난화의 주범으로 인식되고 있기 때문이다. 전자 산업에 쓰이는 과플루오르화물(PFCs)은 성막(成膜) 단계로부터의 잔류물을 제거하고 박막을 에칭하기 위해 웨이퍼 처리 장치에 사용되는 화합물로서, 지구 온난화를 발생시키는 주된 성분으로 인식되고 있어서, 업계에서는 이들 가스의 배출을 감소시키기 위해 노력하고 있다.
이상과 같은 반도체제조 공정 중의 폐기가스 처리는, 폐기가스의 특성에 따라 개별적으로 처리를 행하기 때문에, 즉 수용성인 폐기가스의 처리를 위한 습식처리장치와, 열분해로 처리해야 하는 폐기가스 처리를 위한 열분해처리장치를 개별적으로 설치하여 사용하기 때문에, 장치의 숫자가 증가하고 또한 장치가 차지하게 되는 장소의 면적 또한 과도하게 되어 장치의 유지관리가 힘들고 또한 큰 장소의 사용으로 장치의 운영비용이 증가하게 되는 단점이 있다.
따라서, 가스의 종류에 관계없이 일관적으로 폐기가스를 처리할 수 있는 장치가 제공된다면 유지관리 비용이 절감되는 한편, 유지보수가 한층 더 간결해질 수가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 현재 가스의 특성에 따라 개별적으로 이루어지고 있는 폐기가스의 처리를 일괄처리할 수 있는 폐기가스처리장치를 제공하는 것이다.
이와 같은 본 발명의 목적을 위해, 반도체제조 공정에서 사용된 배기가스들을 처리하기 위해 가스처리부로 가스를 인도하며, 저온에서 부적절한 가스들의 혼합방지를 위한 분리 N2 를 공급하고 또한 산화반응을 위한 O2 를 공급하는 가스도입부와, 공정에서 사용되어 상기 가스도입부를 통해 도입된 배기가스들을 산화반응 또는 열분해처리를 위한 열분해 및 산화반응부와, 상기 열분해 및 산화반응부에서 열분해 및 산화반응처리된 후 배기되는 고온의 가스를 다음 단계로 진행시키기 전에 급속히 냉각시키는 냉각부와, 상기에서 냉각된 가스와 열분해 및 산화반응처리에 의해 발생된 부산물을 이동시키며 또한 부산물들을 처리하는 가스 및 부산물 이동경로부와, 상기 이동경로부를 통해 이동한 가스와 이동경로부에 미처리된 부산물들을 처리하는 주 습식 세정부로서의 수용성 가스 및 부산물 처리부와, 상기 주 습식세정부에서 처리된 가스를 메인 덕트로 도입하기 전에 수분을 제거하는 수분제거부와, 그리고 본 발명의 장치를 제어하는 전기제어부로 구성된다.
도 1은 본 발명의 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치(1000)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 참조부호 VP는 폐기가스를 처리장치로 도입하는 수단으로서의 진공펌프를 나타내고, 참조번호 200은 진공펌프를 통해 인도된 폐기가스를 도입하여 폐기가스 중에서 열분해 및 산화반응이 가능한 가스를 처리하기 위한 가스도입 및 열분해, 산화반응 처리부이고, 참조번호 300은 열분해 및 산화반응 처리부를 거친 고온의 가스를 1차적으로 냉각시키기 위한 냉각부이고, 참조번호 400은 냉각부에서 냉각된 가스를 재차 냉각시켜 다음 단계로 이동시키고 또한 열분해 및 산화반응부에서 발생한 부산물을 일차적으로 제거하는 가스 및 부산물 이동경로부이고, 참조번호 500은 상기 이동경로부를 통해 이동한 가스와 이동경로부에 미처리된 부산물들을 처리하는 주 습식 세정부로서의 수용성 가스 및 부산물 처리부이고, 그리고 참조번호 600은 상기 주 습식세정부에서 처리된 가스를 메인 덕트로 도입하기 전에 수분을 제거하는 수분제거부이다. 또한, 도면 중에서 p1은 유입되는 가스의 압력을 조절하기 위한 조절계이고, p2는 처리가 되어 방출되는 가스의 압력을 조절하는 압력조절계이다. 그리고 펌프1과 펌프 2는 처리된 폐기가스를 냉각시키거나 또는 습식을 처리하기 위한 물을 순환공급하는 펌프이고, 탱크는 펌프를 통해 공급,순환되는 물을 저장하는 탱크이다.
상기 도 1과 다른 첨부도면을 참조하여 본 발명의 각 부분별 동작을 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 장치에 따라서 반도체 제조공정 중의 산화성 폐기가스를 도입하여 제일 먼저 처리하는 가스도입 및 열분해, 산화반응 처리부를 상세하게 도시한 도면이다. 가스도입 및 열분해, 산화반응 처리부는, 진공펌프(VP)를 통해 유입되는 폐기가스를 열분해 및 산화반응부 내로 인입시키기 위한 폐기가스 인입관(10)과, 저온에서 부적절한 가스들의 혼합방지를 위한 분리 N2를 공급하는 N2 인입구(15)와, 인코넬 등의 소재로 구성되어 폐기가스의 산화연소처리에 필요한 열을 공급하는 열원(히터)(20)과, 상기 열원의 외부를 감싸며 폐기가스의 산화연소 반응이 일어나는 다공성 세라믹 반응기(30)와, 폐기가스의 적절한 산화연소처리를 위한 온도를 조절하기 위해 반응기의 온도를 측정하는 온도센서(40)와, 연소식 폐기가스 처리기의 측면에 설치되어 측면에서 폐기가스의 산화연소처리를 위한 공기를 공급하는 공기분배기(50)와, 인입관을 통해 주입된 폐기가스와 공기 분배기를 통해 공급된 공기와의 산화연소반응이 일어나는 반응기의 외부관(60)과, 반응기 내 부열의 외부방출을 차단하기 위한 단열재(70), 반응기 내부로 공기를 주입하기 위한 공기 인입용 블로워(80)와, 인입용 공기중에서 산화연소에 방해되고 또한 반응기에 손상을 줄 수 있는 미세 입자를 제거하기 위한 입자 제거필터(90)와, 반응기 내부로 공급하는 공기를 단속하기 위한 솔레노이드 밸브(100)와, 반응기 내부에 공급되는 공기의 압력을 제어하기 위한 압력스위치(110)와, 그리고 반응기 내부로 공급되는 공기의 량을 확인하기 위한 공기 유량계(120 및 130)로 구성된다.
종래의 연소식 폐기가스 처리장치 대부분은 한쪽 방향으로, 폐기가스 처리장치의 위쪽에서 공기를 주입하게 되어 있지만, 도 1과 도 2에 도시되어 있듯이, 일반적인 열분해 및 폐기가스 처리장치와 같이 폐기가스 처리장치의 위쪽에서 공기 인입구(I)를 통해 공기를 공급할 뿐만 아니라, 폐기가스 처리장치의 측면부에 공기분배기(50)를 설치하여 공기를 공급함으로써 반응기 내부에서 폐기가스의 완전한 산화연소처리가 이루어질 수 있게 한다.
또한, 도 2의 열분해 및 산화반응부(200)에서 폐기가스와 공기의 산화연소 반응이 일어나는 반응기의 구성은, 통상적으로 인코넬로 이루어진 열원(히터)과 그리고 열원을 감싸는 인코넬 또는 석영 등의 반응기 외피로 구성된다. 따라서, 폐기가스와 공기의 산화반응이 일어나게 되면, 폐기가스의 종류에 따라서 그 부산물로써 미세한 입자들이 발생하여 이들이 반응기 내피에 부착하게 되어, 반응기의 효율을 떨어뜨리게 된다. 그러므로, 자주 반응기 내피를 청소해주어야 하는 단점이 있었다. 이에 따라, 본 발명에서는 공기가 자유롭게 통과할 수 있지만, 서브마이크론 정도의 미세 입자들이 통과할 수 있는 다수의 공간을 가지는 다공성의 세라믹재를 상기 반응기(30)의 외피로 사용하므로, 연소식 폐기가스 처리장치의 작동시에, 폐기가스 처리장치의 내부로 도입되는 낮은 압력의 공기들이 상기 반응기 외피의 다공(多孔)을 통해 반응기 내부로 도입된 다음에 다시 상기 다공을 통해 내부로 인입되기 때문에 반응기 내피에 폐기가스와 공기의 산화연소 반응의 생성물인 미세한 입자들이 부착되지 않게 된다. 따라서, 종래 폐기가스 연소장치의 반응기 내피에 비해, 미세한 입자들이 부착될 확률이 적어져 종래의 기술처럼 반응기 내피를 자주 청소할 필요가 없게 된다. 이러한 개념을 도 3에 간략하게 도시하여 놓았다.
도 2의 A부분의 부분확대도인 도 3에 도시되어 있듯이, 다공성 세라믹 반응기(30)의 외피는 열원(20)을 감싸고 있으며 그 표면과 내부에는 서브 마이크론의 미세 입자들이 통과할 수 있는 수많은 미세한 다공들이 형성되어 있다. 이러한 다공들은 서로 연결되어 있는 관계로, 도면에 도시되어 있듯이, 연소식 폐기가스 처리장치 내로 주입된 공기들은 다공성 세라믹 반응기(30)의 외피에 형성된 다공을 통해 외피 내측으로 도입되고, 이렇게 도입된 공기들은 다시 다공을 통해 외피 바깥으로, 즉 반응기 외피 외부로 방출되게 된다. 이와 같이, 공기들이 다공성 세라믹 반응기 외피의 다공을 통해 반응기 외피 내외측을 자유롭게 드나들 수 있게 되므로, 폐기가스와 공기의 산화연소 결과물인 미세한 입자들이 상기 세라믹 반응기 외피에 부착되기가 어렵게 된다. 상기 세라믹 반응기 외피는 알루미나(Al2O3)와 같이 상업적으로 입수가 용이하거나 또는 제작이 용이한 세라믹 재질을 사용하고, 상기에서 사용하는 열원(20)은 세라믹히터를 사용할 수도 있다.
이와 같이 구성된 열분해 및 산화반응부(200)에서 열분해성 및 산화반응성 폐기가스들이 처리되게 된다. 예컨대, 열분해와 산화반응이 일어나는 SiF4와 C2F6의 경우를 살펴보면, SiF4의 경우에는, 먼저 열분해에 의해 Si + 2F2로 변환되고, 이는 다시 산화반응에 의해 SiO2 + 2F2가 되게 된다. C2F6의 경우에는, 먼저 열분해에 의해 2C + 3F2가 되고, 이는 다시 산화반응에 의해 2CO2 + 3F2가 되게 된다. SiH4는 열분해가 일어나지 않고 단순히 산화반응에 의해서만 SiO2 +2H2O가 되게 된다.
이와 같이 일차적으로 열분해 및 산화반응을 거친 가스와 산화반응에 의해 생성된 부산물들은 냉각부(300)로 전달되게 된다. 통상적으로 열분해와 산화반응을 통해 나오는 가스들은 통상적으로 약 600 내지 1200℃ 가 되기 때문에, 습식처리 및 세정 전에 급속히 냉각되어야만 한다. 이러한 냉각은 상기 냉각부(300)에서 이루어지게 된다. 도 4는 냉각부를 보여주는 도면이다.
도 1과 도 4에 도시되어 있듯이, 펌프2를 통해 탱크로부터 물을 냉각부(300) 로 공급하고 냉각부로 공급되는 물을 다시 탱크로 순환되게 된다. 이와 같이 물을 사용하여 열분해 및 산화반응을 거친 가스를 냉각시킴과 동시에, 가스의 1차 습식처리의 기능도 가지게 된다. 또한, 펌프를 통해 순환수를 공급함으로서 산화반응에 의해 발생한 고형의 부산물이 내벽에 부착되는 것을 방지하는 기능도 하게 된다.
상기 냉각부(300)를 거친 가스와 고형의 부산물들은 가스 및 부산물 이동 경로부(400)를 지나게 된다. 도 5는 가스 및 부산물 이동 경로부(400)를 간략히 보여주는 도면이다.
도 5에 도시되어 있듯이, 냉각부(300)를 거쳐 경로부(400)에 도입되는 가스와 부산물에 펌프를 이용하여 탱크로부터 순환수를 노즐(410) 분무형태로 공급하게 된다. 이와 같이, 이동경로부(400)를 통과하는 가스와 부산물에 순환수를 공급하게 되면, 냉각부(300)를 거쳤지만 아직까지 고온의 상태인 가스를 2차 냉각시키는 기능을 하게 되고, 또한 수용성의 부산물에 저효율의 습식처리를 행하게 되는 기능을 가지게 된다. 또한, 순환수를 공급함으로서, 산화반응에 의해 생성된 고형의 부산물들이 관로내에 고착되는 것을 방지하게도 된다.
이동경로부(400)의 끝단에서 가스와 부산물들은 서로 분리가 되게 된다. 도면에 도시되어 있듯이, 부산물들은 도면의 아래쪽 방향으로 향하게 되어 도 1의 탱크 상단부에 그물형태로 도시된 거름망에 의해서 걸러지게 되고, 수용성 가스는 도 면에서 상단방향으로 향하여 주 습식세정부(500)에 공급되게 된다.
이동경로부(400)를 통과한 가스와 미처리된 부산물들은 수용성 가스 및 부산물처리부인 주 습식 세정부(500)로 공급되어 처리되게 된다.
도 6은 주 습식 세정부를 간략하게 보여주는 도면이다. 주 습식 세정부(500)는 가스와 부산물을 흡착할 수 있는 흡착제(510)와, 수용성 가스를 처리하기 위한 순환수를 공급하는 순환수 공급부(520)와, 그리고 수용성 가스가 용해되어 있는 순환수를 통해 용해되지 않은 수용성 가스들을 처리하기 위한 순수(또는 일반수돗물)을 공급하는 순수 공급부(530)로 구성된다. 이와 같은 구성에서, 상기 이동경로부(400)를 통과한 가스와 미처리 부산물들은 흡착제(510)를 통과하면서 흡착제에 흡착이 됨과 동시에, 흡착제(510) 위에서 위쪽에서 분무형태로 분사되는 순환수에 의해 수용성 가스들이 순환수 내로 용해되게 된다. 또한 순환수에 의해 용해되지 않고 잔존하는 미소한 량의 가스들은 순환수 공급부 위쪽의 순수 공급부(530)가 분무형태로 분사하는 물에 의해 용해가 된다. 이와 같이, 유독성 가스들은 흡착제와, 순환수와, 순수(일반수돗물)에 의해 다 처리가 되고, 무독성 가스가 세정부(500)를 통해 배출된다. 유독성 가스들이 용해된 관계로 산성 및 염기성을 띄는 폐수들은 부산물들과 함께 순환수 탱크로 이동하고, 부산물들은 탱크에 있는 거름망에 의해 걸러지게 된다.
이와 같이 주 습식 세정부에서 처리된 가스들은, 도 7에 도시된 바와 같이 수분제거부(600)를 통과하여 메인 덕트로 배출되게 된다. 도면에 도시되어 있듯이, 주 습식 세정부에서 처리된 무독성 가스들은 수분 제거부(600)의 상부에서부터 아래쪽으로 공급되면서, 습식 세정부를 통과하면서 함유한 수분들이 제거가 되고, 수분이 제거된 가스들은 외부의 메인 덕트(도시되 않음)와 연결된 관로(610)를 통해 외부로 배기되게 된다. 또한, 수분제거부에서는 주 습식 세정부로부터 공급되는 무독성 가스중의 수분을 처리한 폐수뿐만 아니라, 주 습식 세정부에서 처리되지 않고 남은 미소량의 잔존 부산물도 함께 순환수 탱크로 보내 처리하게 된다.
상기에서 설명한 모든 과정을 거쳐 처리가 완료된 가스들은 인체에 유해함이 없는 완전한 무독성의 순수 가스이다.
상기에서 설명한 바와 같이, 반도체제조 공정중에 발생하는 각 종의 폐기가스를 개별적으로 처리하는 열분해 및 산화반응 처리장치와 습식 처리장치를 일체로 형성하고, 또한 폐기가스의 인입을 진공펌프로 행함으로써, 장치의 크기가 작아지게 되어 유지관리가 용이하게 되고 또한 폐기가스의 인입이 용이해진다. 또한 장치의 규모가 작아지므로 설치면적이 작아지게 되어, 작업장 공간 사용효율이 증대하게 되어 경제적 이득이 발생하게 된다.
또한, 열분해 및 산화반응 처리부에서 나온 가스와 부산물들은 냉각시키는 냉각부에서 일차적인 습식세정이 이루어지고, 냉각부를 거쳐 가스를 주 습식세정부로 이동시키는 이동경로부에서 순환수를 이용하여 물을 분무형태로 분사함으로써 이차적인 습식세정이 이루어지고, 그리고 주 습식 세정부에서 주 습식세정이 이루어지게 됨으로써, 폐기가스 중 수용성 폐기가스의 완벽한 처리를 기할 수 있는 효과도 있다.
또한, 가스 및 부산물 이동경로부에서 순환수를 이용하여 물을 분무형태로 분사하기 때문에, 부산물들이 관로에 협착되는 것을 방지할 수 있는 효과도 있다.
또한, 수분제거부에서, 처리된 가스 중의 수분처리뿐만 아니라, 미처리된 부산물도 처리함으로써, 가스가 외부로 배기되기 전에 완벽한 클린가스 상태로 만들고 또한 유해할 수 있는 부산물들을 완벽하게 처리함으로써, 기존의 장비보다 한층 더 진보된 폐기가스의 처리가 이루어지게 되는 효과도 있다.

Claims (4)

  1. 반도체공정 및 엘씨디 제조공정 중에 발생하게 되는 독성가스 함유 폐기가스를 처리하기 위한 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치에 있어서,
    반도체공정 장치에서 발생하게 되는 폐기가스를 폐기가스 처리장치에 원활하게 공급하기 위한 진공펌프(VP)와;
    열분해 및 산화반응처리를 위한 폐기가스를 상기 진공펌프(VP)로부터 인입받는 인입관(10)과, 저온에서 부적절한 가스들의 혼합 방지를 위한 분리 N2를 공급하는 N2 공급관(15)과, 폐기가스의 열분해 및 산화반응처리에 필요한 열을 발생하는 히터(20)와, 상기 히터를 감싸며 또한 폐기가스의 열분해 및 산화반응이 일어나는 다공성의 반응기(30)와, 반응기의 온도제어를 위해 온도를 측정하는 온도센서(40)와, 폐기가스의 산화반응을 위해 공기를 적절히 공급하기 위한 공기 주입관(I) 및 공기 분배기(50)와, 열분해 및 산화반응 처리부의 외부관(60)과, 처리장치의 내부열이 외부로 방출되는 것을 차단하기 위한 단열재(70)와, 폐기가스의 산화반응에 필요한 공기를 인입시키는 공기 인입용 블로워(80)와, 공기중의 불순물 입자를 제거하기 위한 필터(90)와, 공기의 인입을 단속하는 솔레노이드 밸브(100)와, 인입용 공기의 압력을 제어하기 위한 압력스위치(100)와, 유입되는 공기의 량을 제어하기 위해 공기의 량을 측정하는 공기 유량계(120, 130)로 구성되어, 상기 진공펌프(VP)를 통해 인입된 폐기가스를 처리하는 열분해 및 산화반응 처리부(200)와;
    상기 열분해 및 산화반응 처리부(200)에서 처리된 고온의 폐기가스를 순환수로 냉각시키는 냉각부(300)와;
    순환수를 분무형태로 분무하는 노즐(410)을 이용하여 상기 냉각부(300)에서 냉각처리된 가스를 재차 냉각처리하며, 또한 상기 열분해 및 산화반응 처리부(200)에서 산화반응의 결과로 생성된 부산물과 가스를 분리를 하여 가스를 다음 처리부로 인도하는 가스 및 부산물 이동경로부(400)와;
    아래에서부터 흡착제(510)와, 순환수 분무노즐(520), 및 순수 분무노즐(530)을 순차적으로 구성하여 흡착제 위쪽에서부터 아래쪽으로 순환수와 순수를 분무함으로써 상기 가스 및 부산물 이동경로부(400)를 통해 공급된 가스를 습식처리하는 한편 부산물을 처리,제거하는 주 습식 세정부(500)와;
    수분 제거장치가 설치되어, 주 습식 세정부에서 처리되어 배출되는 가스를 외부의 메인 덕트로 배출하기 전에 가스 중의 수분을 처리하고, 또한 상기 과정에서 미처리된 부산물을 포획하여 제거하는 수분제거부(600)와;
    순환수를 저장하는 탱크와;
    상기 순환수를 냉각부(300)와, 가스 및 부산물 이동경로부(400)와 그리고 주 습식세정부(500)에 제공하는 펌프(펌프1 및 펌프2)로 구성되는 것을 특징으로 하는, 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 열분해 및 산화반응 처리부(200)의 다공성 반응기(30)는 미세한 구멍들이 다수 형성되어 있는 알루미나 등의 세라믹 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 냉각부(300)에서, 열분해 및 산화반응처리부(200)로 나온 가스 중 수용성 가스의 일차적 습식세정이 이루어지는 것을 특징으로 하는 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 가스 및 부산물 이동경로부(400)에서 순환수 분무노즐(410)을 사용하여 순환수를 분무형태로 분사함으로써, 냉각부(300)로부터의 가스를 재차 냉각처리할 뿐만 아니라, 상기 가스 중의 수용성 가스를 이차적으로 습식 세정처리하고 또한 부산물들이 관로에 협착되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치.
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