KR200405302Y1 - 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부 - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 제조공정이나 화학공정 등에서 폐가스를 배출허용치 이하의 무해한 가스로 정화하는 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부에 관한 것이다.
본 고안에 따른 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부는 상하 방향으로 상기 배기가스가 관통하는 공간이 형성된 인코넬 챔버와, 인코넬 챔버를 둘러싸도록 조립되며 내측에 별도의 전원에 의하여 작동되는 히터 유닛이 각각 설치되는 적어도 하나 이상의 재킷 히터를 포함한다.
폐가스 정화처리장치, 인코넬 챔버, 재킷 히터, 히터 유닛, 연소챔버부
Description
도 1은 종래 기술에 의한 반도체용 폐가스 정화처리장치의 공정을 나타내는 구성도.
도 2는 종래 기술에 의한 반도체용 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부를 설명하기 위한 사시도.
도 3은 본 고안의 일실시예에 따른 반도체용 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부를 설명하기 위한 사시도.
도 4는 본 고안의 일실시예에 따른 반도체용 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부가 흡기 유닛에 체결된 헤드 유닛과 퀀칭(quenching) 유닛 사이에 연결된 상태를 설명하기 위한 사시도.
**도면의 주요구성에 대한 부호의 설명**
100: 연소챔버부 110: 제 1 재킷 히터
112: 제 1 히터 유닛 120: 인코넬 챔버
130: 제 2 재킷 히터 132: 제 2 히터 유닛
140: 헤드 유닛 150: 흡기 유닛
160: 퀀칭 유닛
본 고안은 습식 전기집진을 이용한 폐가스 정화처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 반도체 제조공정이나 화학공정 등에서 폐가스를 배출허용치 이하의 무해한 가스로 정화하는 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부에 관한 것이다.
화학 공정이나 반도체 제조 공정 등에서 배출되는 배기가스는 유독성, 폭발성 및 부식성이 강하기 때문에 인체에 유해할 뿐만 아니라 그대로 대기중으로 방출될 경우에는 환경오염을 유발하는 원인이 되기도 한다. 따라서, 이러한 배기가스는 유해성분의 함량을 허용 농도 이하로 낮추는 정화처리 과정이 반드시 필요하며, 이와 같은 독성물질을 제거하는 정화처리 과정을 거친 무해 가스만이 대기중으로 배출되도록 법적으로 의무화 되어 있다.
반도체 제조 공정 등에서 배출되는 유해성 가스를 처리하는 방법에는 버닝(burning) 방식과 웨팅(wetting) 방식이 있다. 상기 버닝 방식은 주로 수소기 등을 함유한 발화성 가스를 고온의 연소실에서 분해, 반응 또는 연소시켜 배기가스를 처리하는 방식이고, 웨팅 방식은 주로 수용성 가스를 수조에 저장된 물을 통과시키는 동안 물에 용해하여 배기가스를 처리하는 방식이다.
현재 사용되고 있는 반도체용 가스 스크러버 장치에는 상기 버닝 방식과 웨 팅 방식을 결합한 혼합방식이 많이 사용되고 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 혼합형 가스 스크러버(2)는 먼저 반도체 제조 장치(10) 등에서 배출되는 유해가스(12)를 버너부(burner zone: 20)에서 1차적으로 연소시켜 발화성 가스와 폭발성 가스를 제거한 다음, 웨트 세정부(30)에서 2차적으로 수용성의 유독성 가스를 물에 용해시키는 구조로 되어 있다.
즉, 반도체용 제조 장치(10)에서 배출되는 유해 가스(12)는 1차적으로 버너부(20)에서 연소/산화되거나 열분해되는 방법으로 버닝(burning)되고, 상기 버너부(20)에서 벗어난 폐가스 중 처리되지 못한 일부 가스나 분집 입자 등 미처리 가스(22) 등은 웨트 세정부(30)로 이송되며, 2차적으로 웨트 세정부(30)에서 물을 분사(spray)함으로써 산화 가스 속의 파우더(powder)가 분리되는 세정(wetting) 공정을 거치게 된다. 그 후 세정된 처리 가스(32)는 필터(filter)와 덕트(duct)를 통해 대기중으로 배출된다.
도 2는 종래 기술에 의한 반도체용 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 종래의 연소챔버부는 버닝케이스(12), 연소챔버(12), 케이스(14), 인코넬 챔버(inconnel chamber)(20), 세라믹 히터봉(22) 및 고온단열재(24)를 구비한다.
도 2에 도시한 종래의 연소챔버부에서는, 인입관이 버닝케이스(12)의 하단부에 결합되어 배기가스를 인입시키며, 버닝케이스(12)의 연소챔버(12)를 인코넬 챔버(20)가 관통한다. 그리고, 세라믹 히터봉(22)는 인코넬 챔버(20)에 삽입되어 고 온의 열을 제공하며, 고온 단열재(24)는 연소챔버(12)의 내측면에 충진되어 외부로 발산되는 고온의 열원을 차단시킨다. 또한, 토출관이 버닝케이스(12)의 상부에 결합되어 연소된 배기가스를 토출시키며, 냉각관은 토출관의 외측에 장착되어 상온 이하의 냉각수를 순환시켜 고온의 배기가스를 냉각시킨다.
하지만, 도 2에 도시한 종래의 연소챔버부는 인코넬 챔버(20)를 둘러싸고 있는 세라믹 히터봉(22)이 일체형으로 이루어져 있으므로 분해 및 조립이 쉽지 않아서 유지보수가 어려운 문제점이 있다.
또한, 세라믹 히터봉(22)에 별도의 전원을 공급하는 구조를 가지고 있지 않았으므로, 만약 전원의 공급에 문제가 발생할 경우에는 연소챔버부 전체를 사용할 수 없게 되는 문제점이 있다.
따라서, 본 고안은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 고안의 목적은 연소챔버부에 내장되는 히터를 독립적으로 작동되는 듀얼 히터로 제작하여 분해 및 조립을 용이하게 할 수 있는 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부를 제공하는 것이다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 고안의 특징에 따르면, 본 고안은 반도체 제조 공정이나 화학 공정 등에서 사용된 후 배출되는 배기가스를 정화하 는 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부에 있어서, 연소챔버부는 상하 방향으로 상기 배기가스가 관통하는 공간이 형성된 인코넬 챔버와, 상기 인코넬 챔버를 둘러싸도록 조립되며 내측에 별도의 전원에 의하여 작동되는 히터 유닛이 각각 설치되는 적어도 하나 이상의 재킷 히터를 포함한다.
또한, 재킷 히터는 2개인 것을 특징으로 한다.
또한, 재킷 히터는 부식방지 물질로 형성되는 것을 특징으로 한다.
이하, 상기한 바와 같은 구성을 가지는 본 고안의 실시예에 따른 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부를 첨부된 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.
본 고안의 반도체 제조 공정이나 화학 공정 등에서 사용된 후 배출되는 폐가스를 배출허용치 이하의 무해한 가스로 정화하는 폐가스 정화처리 과정은 버닝방식(burning-type)과 웨팅방식(wetting-type) 그리고 전기 집진방식(electric precipitator-type)으로 구분된다.
따라서, 본 고안에 의한 이중 히터를 구비하는 연소챔버부를 이용한 폐가스 정화처리장치는 반도체 제조 장비나 화학 장비 등에서 사용된 후 배출되는 배기가스를 연소시켜 발화성 가스와 폭발성 가스를 제거하는 버너부와, 상기 버너부에서 처리된 1차 처리 가스 중 수용성의 유독성 가스를 물에 용해시키는 웨트 세정부로 구성된다.
즉, 상기 폐가스 정화처리 과정에 의하면, 반도체 제조장치에서 배출되는 배기가스가 1차적으로 버너부(Burner Zone)에서 연소/산화되거나 열분해되는 방법으로 버닝(Burning)되고, 1차적으로 정화되어 버너부에서 벗어난 폐가스 중 처리되지 못한 일부 가스나 분집 입자 등은 웨트 세정부로 이송되며, 2차적으로 웨트 세정부에서 분사된 물에 의하여 산화 가스 속의 파우더(Powder)가 분리되는 세정(Wetting) 공정을 거치게 된다. 1차적으로 버너부에서 연소하여 버닝하고 2차적으로 웨트 세정부에서 세정됨에도 불구하고 여전히 처리되지 않은 배기가스를 포집하여 세정하는 전기 집진 공정을 경유하여 필터(Filter) 혹은 덕트(Duct)를 통해 대기중으로 배출된다. 이로써, 필터 혹은 덕트에는 분진 입자들이 거의 적재되지 않게 되고, 덕트를 통해서는 배출허용치 이하의 무해한 가스만 배출된다.
본 고안의 특징은 연소챔버부에 있으므로 나머지 구성에 대한 상세한 설명은 하지 않기로 하며, 연소챔버부에 대한 설명은 이하 도 3 및 도 4를 참조하여 설명하기로 한다.
도 3은 본 고안의 일실시예에 따른 반도체용 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 고안의 일실시예에 따라 이중 히터를 구비하는 연소챔버부(100)는 반도체 제조 공정이나 화학 공정 등에서 사용된 후 배출되는 배기가스를 정화하는 폐가스 정화처리장치에 사용되는 것으로, 세정노즐(cleaning nozzle)(122)을 구비하는 인코넬 챔버(120), 제 1 재킷 히터(Jacket heater)(110), 제 1 재킷 히터(110) 내에 설치되는 제 1 히터 유닛(112), 제 2 재킷 히터(130) 및 제 2 재킷 히터(130) 내에 설치되는 제 2 히터 유닛(132)을 포함한다.
본 고안의 일실시예에 따른 이중 히터를 구비하는 연소챔버부(100)에서는, 인입관이 인코넬 챔버(120)의 일단부에 결합되어 배기가스를 인입시키며, 내측에 제 1 히터 유닛(112)이 설치된 제 1 재킷 히터(110)와 내측에 제 2 히터 유닛(113)이 설치된 제 2 재킷 히터(130)가 인코넬 챔버(120)를 에워싸도록 조립되어 완성된다. 이때, 제 1 히터 유닛(112) 및 제 2 히터 유닛(132)은 인코넬 챔버(120)에 고온의 열을 제공하며, 고온 단열재가 제 1 및 제 2 히터 유닛(112, 132)과 제 1 및 제 2 재킷 히터(110, 130)의 내측면 사이에 각각 충진되어 외부로 발산되는 고온의 열원을 차단시킨다.
또한, 토출관이 인코넬 챔버(120)의 타측에 결합되어 연소된 배기가스를 토출시키며, 연소되어 토출된 배기가스는 하단부에 연결된 퀀칭 유닛을 통하여 습식 세정부로 유입된다.
그리고, 본 고안의 일실시예에 따르면 제 1 및 제 2 재킷 히터(110, 130)는 부식방지 물질로 만들어진 것을 특징으로 한다.
또한, 제 1 및 제 2 히터 유닛(112, 132)은 재킷(Jacket) 유형으로 형성된 제 1 및 제 2 재킷 히터(110, 130) 내에 설치됨으로써 조립 및 분해가 용이하고, 연소챔버부(100)의 유지 및 보수가 간편한 것을 특징으로 한다.
본 고안의 일실시예 따르면, 연소챔버부(100)는 하이드라이드(hydride) 가스를 약 700~750 ℃ 정도의 고온에서 산화반응에 의하여 안전화 산화물로 배출하는 기능을 담당하며, 이때의 산화반응은 다음의 화학식 1 및 2를 따른다.
한편, 본 고안의 일실시예에 따르는 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부는 제 1 및 제 2 히터 유닛(112, 132)이 각각 별도의 전원이 연결되어서 작동됨으로써 어느 하나의 히터 유닛에 이상이 발생하여도 다른 하나의 히터로 정상 작동이 가능하도록 구성된 것을 특징으로 한다.
도 4는 본 고안의 일실시예에 따른 반도체용 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부가 흡기 유닛과 퀀칭(quenching) 유닛에 연결된 상태를 설명하기 위한 사시도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 고안의 일실시예에 따른 반도체용 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부는 그 상단부가 흡기 유닛(150)이 체결된 헤드 유닛(140)에 연결되며, 그 하단부는 퀀칭 유닛(160)에 연결된다.
위에서 설명한 바와 같이, 본 고안의 구성에 의하면 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.
첫째, 제 1 및 제 2 히터 유닛이 각각 별도의 전원에 의해 구동되므로 히터 유닛중 하나가 작동이 되지 않는 경우에도 연소챔버부의 전체적인 기능은 상실되지 않으므로 안정성이 획기적으로 향상되는 효과가 있다.
둘째, 종래의 일체형의 세라믹 히터봉을 재킷 유형의 튜브 내에 히터 유닛을 내장함으로써 분해 및 조립이 용이하게 되어 유비 보수가 간단해지는 효과가 있다.
Claims (3)
- 반도체 제조 공정이나 화학 공정 등에서 사용된 후 배출되는 배기가스를 정화하는 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부에 있어서,상하 방향으로 상기 배기가스가 관통하는 공간이 형성된 인코넬 챔버; 및상기 인코넬 챔버를 둘러싸도록 조립되며 내측에 별도의 전원에 의하여 작동되는 히터 유닛이 각각 설치되는 적어도 하나 이상의 재킷 히터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부.
- 제 1 항에 있어서,상기 재킷 히터는 2개인 것을 특징으로 하는 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 재킷 히터는 부식방지 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부.
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KR2020050030558U KR200405302Y1 (ko) | 2005-10-27 | 2005-10-27 | 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부 |
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KR2020050030558U KR200405302Y1 (ko) | 2005-10-27 | 2005-10-27 | 폐가스 정화처리장치의 연소챔버부 |
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KR (1) | KR200405302Y1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR200447890Y1 (ko) * | 2007-11-07 | 2010-03-03 | 조수홍 | 폐가스 처리용 가열 장치 |
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2005
- 2005-10-27 KR KR2020050030558U patent/KR200405302Y1/ko not_active IP Right Cessation
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