KR102490651B1 - 반도체 공정 시 발생하는 반응부산물 포집 장치의 신속 교체를 통한 공정 정지 로스 감축 시스템 - Google Patents
반도체 공정 시 발생하는 반응부산물 포집 장치의 신속 교체를 통한 공정 정지 로스 감축 시스템 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 공정 시 발생하는 반응부산물 포집 장치의 신속 교체를 통한 공정 정지 로스 감축 시스템에 관한 것으로, 자세하게는 반도체 공정의 프로세스 챔버에서 배출된 배기가스 중에 포함된 반응부산물을 포집하는 포집장치가 장기간 포집운전이 진행되면서 반응부산물이 쌓여 공간막힘 등으로 포집 장치 압력 및 프로세스 챔버의 압력이 상승할 경우 반도제조용 프로세스챔버 설비의 가동 중지 없이 대기 상태에서 불활성가스를 공급받아 포집장치를 우회배관을 통해 진공펌프쪽으로 연속적으로 공급하면서 배기가스의 공급이 중단된 포집장치만 신속하게 교체후 다시 배기가스를 공급받을 수 있게 구성한 공정 정지 로스 감축 시스템에 관한 것이다.
Description
본 발명은 반도체 공정 시 발생하는 반응 부산물 포집 장치의 신속 교체를 통한 공정 정지 로스 감축 시스템에 관한 것으로, 자세하게는 반도체 공정의 프로세스 챔버에서 배출된 배기가스 중에 포함된 반응부산물을 포집하는 포집장치에 반응부산물이 쌓여 공간막힘 등으로 포집 장치 압력 및 프로세스 챔버의 압력이 상승할 경우 포집장치의 교체 준비와 교체 및 유지 보수 시간과 같은 공정 정지 로스 없이 즉, 반도제조용 프로세스챔버의 가동 중지 없이 신속하게 포집장치를 교체하여 반도체 생산이 속행되도록 구성한 공정 정지 로스 감축 시스템에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 이루어진다.
전 공정은 각종 프로세스 챔버(Chamber)내에서 웨이퍼(Wafer) 상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하는 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정을 말한다.
또한 후 공정은 상기 전 공정에서 웨이퍼 상에 제조된 칩을 개별적으로 절단하여 분리한 후 리드 프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 패키지(package) 공정을 말한다.
상기 전 공정은 웨이퍼 상에 박막을 증착하거나 웨이퍼 상에 증착된 박막을 식각하는 공정을 말하는데, 이를 위해 프로세스 챔버 내로 필요로 하는 반도체 제조공정에 따라 TiCl4(사염화 티타늄), NH3(암모니아), SiH4(모노 실란), SiCl2H2(디클로로 실란), WF6(육불화텅스텐), Hf(하프늄) 등을 포함한 다양한 공정가스 중에서 선택된 가스가 주입되어 고온에서 반도체 제조 공정을 수행하게 된다. 이때 프로세스 챔버 내부에는 반응과정에서 발생하는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스 등이 다량 발생하게 된다.
이러한 유해가스를 정화하여 방출하기 위해 반도체 제조장비에는 연속운전되는 프로세스 챔버를 진공상태로 만들어 주는 진공펌프와, 진공펌프 후단에 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스를 정화시킨 후 대기로 방출하는 스크러버(Scrubber)가 설치된다.
다만, 스크러버는 단지 가스 형태의 반응부산물만을 정화하여 처리하기 때문에 반응부산물이 프로세스 챔버의 외부로 배출 후 고형화 되면, 배기배관에 고착됨에 따른 배기압력 상승, 진공펌프로 유입되어 펌프의 고장유발, 프로세스 챔버로 유해가스가 역류하여 웨이퍼를 오염시키는 등의 또 다른 문제점이 있다.
이 때문에 반도체 제조장비에는 프로세스 챔버와 진공펌프 사이에 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스 중에서 반응부산물을 포집하도록 반응부산물 포집장치가 설치되는 것이 일반적이다.
만약 포집장치가 프로세스 챔버에서 유입된 배기가스를 원활히 처리하지 못할 경우 진공펌프와 스크러버로 유입되어 펌프의 고장유발, 프로세스 챔버로 유해가스가 역류하여 고품질화 및 고효율화된 공정으로 생산중인 웨이퍼를 오염시키기 때문에 포집장치는 반도체 생산공정에 있어서 대단히 중요한 장치이다.
이때문에 운전중인 포집장치가 장기간 포집운전이 진행되면서 반응부산물이 쌓여 공간막힘 등으로 포집 장치 압력 및 프로세스 챔버의 압력이 상승할 경우 반도체 생산 공정 진행이 불가하기 때문에 프로세스 챔버 설비를 제어하는 제어부는 프로세스 챔버에 공급중이던 공정가스 공급을 중단하고 포집장치를 교체하게 된다.
프로세스 챔버 설비를 제어하는 제어부에 의해 프로세스 챔버의 가동이 중지되면 내부에 있는 반도체는 불량률이 높아지므로 제거하여 포집장치의 교체 또는 세정 공정을 진행한다.
이와 같이 웨이퍼를 제거하는 이유는 포집장치의 교체 또는 세정을 위해서 프로세스 챔버와 진공펌프의 운전을 중지시킨 상태에서 포집장치를 전단의 프로세스챔버 그리고 후단의 진공펌프와 연결된 배기배관(또는 진공배관)을 제거후 탈거하기 때문에 반도체를 제조중인 웨이퍼가 존재하면 오염에 의해 폐기되어야 하기 때문이다.
이후 포집장치를 새로 교체하는 경우 다시 전단의 프로세스 챔버 그리고 후단의 진공펌프와 연결하여 재장착하는 공정을 거친다.
또한 세정을 위해 철거된 포집장치는 내부에 설치된 내부포집타워를 분리한 다음 내부포집타워와 포집장치 하우징 내부에 포집되거나 고착된 반응부산물을 깨끗이 세정하고, 세정된 포집장치는 다시 전단의 프로세스 챔버 그리고 후단의 진공펌프와 연결하여 재장착하는 공정을 거친다.
이때 포집장치가 프로세스 챔버 및 진공펌프와 연결되었다고 곧바로 프로세스챔버가 운전을 하면 진공조건 또는 이물질의 잔존여부 또는 각종 조건이 최적의 반도체 생산을 위한 조건에 맞지 않을 수 있기 때문에 각종 검사 과정을 거친 다음 에 포집공정을 시작하게 된다.
상기와 같은 프로세스 챔버 설비의 가동중지 후 포집장치의 교체 또는 세정 후 최적의 환경조건까지 완료 후 재가동하는데 소요되는 시간은 보통 48시간 정도가 걸린다.
이와 같은 공정 중단은 반도체 생산공정에 있어서 많은 시간이 소요되기 때문에 결국 반도체 생산단가가 올라가게 된다는 구조적인 문제점이 있다.
이 때문에 종래에는 프로세스 챔버 설비의 가동중지 없이 연속적인 반도체 생산 운전이 가능하도록 포집장치를 듀얼시스템으로 구비하여 하나의 포집장치가 정상적인 포집공정을 진행하지 못하면 또 다른 포집장치를 가동시키고 운전이 중단된 포집장치를 교체하거나 세정하도록 하여 연속적인 운전이 가능하도록 하는 시스템이 개시되어 있다.
하지만 이와 같이 포집장치를 듀얼시스템으로 구비하기 위해서는 설비와 설치 공간이 2배나 필요하기 때문에 반도체 생산단가를 낮추기 어렵다는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 반도체 공정의 프로세스 챔버에서 배출된 배기가스 중에 포함된 반응부산물을 포집하는 포집장치가 장기간 포집운전이 진행되면서 반응부산물이 쌓여 공간막힘 등으로 포집 장치 압력 및 프로세스 챔버의 압력이 상승할 경우 반도제조용 프로세스챔버 설비의 가동 중지(Shut down) 없이 대기(idle) 상태에서 불활성가스를 공급받아 포집장치를 우회배관을 통해 진공펌프쪽으로 연속적으로 공급하면서 배기가스의 공급이 중단된 포집장치만 신속하게 교체후 다시 배기가스를 공급받을 수 있게 구성한 공정 정지 로스 감축 시스템을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 반응부산물 포집장치의 신속 교체가 가능한 구성을 구비하여 반도체 제조를 위한 프로세스 챔버 설비의 가동 중지(Shut down) 없이 프로세스 챔버 내의 반도체 웨이퍼 제조 공정 환경을 유지하는(idle) 상태에서 불활성가스와 배기가스의 공급 유로 제어를 통한 신속한 포집장치의 교체 과정을 수행 후 반도체 생산 재가동을 위한 환경조건의 재설정 및 검증 그리고 포집장치와 연결된 프로세스 챔버와 진공펌프 간의 연결 배관을 탈거 및 재장착하는 공정 없이 즉시 프로세스 챔버 안에 공정가스가 재투입되어 반도체 제조가 속행될 수 있도록 구성함으로써 배출된 배기가스 중 반응부산물을 포집장치에서 포집할 수 있는 공정 정지 로스 감축 시스템을 제공하는데 있다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하고 종래의 결점을 제거하기 위한 과제를 수행하는 본 발명은 반도체 공정의 프로세스 챔버에서 배출된 배기가스 중에서 반응응부산물을 포집하는 포집장치를 포함하는 공정 정지 로스 감축 시스템에 있어서,
배기가스 또는 불활성가스의 유로를 전환시키는 방향전환밸브와;
방향전환밸브의 유로전환에 따라 배기가스를 공급받아 반응부산물을 포집하는 내부포집장치가 구비된 포집장치와;
방향전환밸브의 유로전환에 따라 불활성가스를 공급받아 배기배관으로 공급하는 우회배관과;
개폐 작동을 통해 포집장치로부터 배기가스 또는 불활성가스 중 어느 하나를 공급받아 후단의 진공펌프와 연결된 배기배관으로 공급하거나 차단하는 히팅 게이트밸브와;
상기 방향전환밸브의 유로 방향 설정과 히팅 게이트밸브의 개폐를 제어하는 포집 시스템 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시 발생하는 반응부산물 포집 장치의 신속 교체를 통한 공정 정지 로스 감축 시스템을 제공함으로써 달성된다.
바람직한 실시예로, 상기 방향전환밸브는 포집 시스템 제어부에 의해 유로가 자동 전환되게 구성되어, 공급되는 배기가스를 포집장치에 공급하거나 공급되는 불활성가스를 포집장치 또는 우회배관으로 공급하도록 구성된 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예로, 상기 포집장치는 교체 후 방향전환밸브의 유로전환에 따라 프로세스 챔버로부터 불활성가스를 공급받은 다음 배기가스를 공급받아 반응부산물을 포집하도록 구성된 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예로, 상기 우회배관은 히팅 게이트밸브 하부 배기배관과 연결되도록 구성된 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예로, 상기 히팅 게이트밸브는 평상시는 온도를 높여 밸브에 부산물이 형성되는 것을 방지하여 시스템의 동작을 원활하게 하도록 구성된 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예로, 상기 포집 시스템 제어부는 평상시는 방향전환밸브와 히팅 게이트밸브가 포집장치와 유로가 연통되도록 제어하고, 프로세스 챔버 설비 제어부가 포집장치 또는 프로세스 챔버의 압력변동을 감지후 불활성가스를 프로세스 챔버에 공정가스 대신 불활성가스를 공급하게 되면 프로세스 챔버 설비 제어부와 신호가 연동된 포집 시스템 제어부는 방향전환밸브의 유로를 포집장치에서 우회배관으로 전환시키고, 히팅 게이트밸브의 유로를 차단하여 불활성가스가 우회배관을 통해 히팅 게이트밸브 하부 배기배관으로 공급하도록 제어하여 포집장치가 교체될 수 있도록 구성된 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예로, 상기 포집 시스템 제어부는 포집장치의 교체가 종료되면 차단되었던 히팅 게이트밸브가 포집 장치와 연결 되어 유로 흐름이 개방되게 제어하고, 방향전환밸브의 유로를 우회배관에서 포집 장치 쪽으로 전환되도록 제어하여 프로세스 챔버에서 배출되는 불활성가스를 포집장치를 통해 후단 진공펌프쪽으로 배출시키고, 이후 프로세스 챔버가 반도체를 생산하는 공정을 재개하여 포집장치가 배기가스를 공급받아 반응부산물을 포집후 나머지 배기가스를 배출하면 후단 진공펌프쪽으로 배출시키도록 구성한 것을 특징으로 한다.
바람직한 실시예로, 반도체 공정 시 발생하는 반응부산물 포집 장치의 신속 교체를 통한 공정 정지 로스 감축 시스템은 프로세스 챔버 설비의 가동 중지 없이 제조중인 프로세스 챔버 내의 반도체 웨이퍼 제조 공정 환경을 유지하는(idle) 상태에서 포집장치가 교체되도록 구성된 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 반도체 공정 시 발생하는 반응부산물 포집 장치의 신속 교체를 통한 공정 정지 로스 감축 시스템은 반도체 공정의 프로세스 챔버에서 배출된 배기가스 중에 포함된 반응부산물을 포집하는 포집장치가 장기간 포집운전이 진행되면서 반응부산물이 쌓여 공간막힘 등으로 포집 장치 압력 및 프로세스 챔버의 압력이 상승할 경우 반도제조용 프로세스챔버 설비의 가동 중지(Shut down) 없이 대기(idle) 상태에서 불활성가스를 공급받아 포집장치를 우회배관을 통해 진공펌프쪽으로 연속적으로 공급하면서 배기가스의 공급이 중단된 포집장치만 신속하게 교체후 프로세스 챔버로 다시 공정가스가 공급되어 배기가스가 배출되면 반응부산물을 포집할 수 있다는 효과가 있다.
또한 본 발명에 따른 반도체 공정 시 발생하는 반응부산물 포집 장치의 신속 교체를 통한 공정 정지 로스 감축 시스템은 반응부산물 포집장치의 신속 교체가 가능한 구성을 구비하여 반도체 제조를 위한 프로세스 챔버 설비의 가동 중지(Shut down) 없이 제조중인 프로세스 챔버 내의 반도체 웨이퍼 제조 공정 환경을 유지하는(idle) 상태에서 불활성가스와 배기가스의 공급 유로 제어를 통한 신속한 포집장치의 교체 과정을 수행 후 반도체 생산 재가동을 위한 환경조건의 재설정 및 검증 그리고 포집장치와 연결된 프로세스 챔버와 진공펌프 간의 연결 배관을 탈거 및 재장착하는 공정 없이 즉시 프로세스 챔버 안에 공정가스가 재투입되어 반도체 제조가 속행될 수 있도록 함으로써 배출된 배기가스 중 반응부산물을 포집장치에서 포집할 수 있다는 효과를 가진다.
또한 본 발명은 프로세스 챔버 설비의 가동 중지(Shut down) 없이 3시간 내외의 신속한 시간 안에 반도체 생산이 재개됨으로써 반도체 정지 로스 시간 감소를 통해 공정 가동 시간을 향상 시켜 생산성을 향상시킬 수 있다는 효과를 가진다.
본 발명은 상기한 바와 같은 효과를 가진 유용한 발명으로 산업상 그 이용이 크게 기대되는 발명인 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 공정 정지 로스 감축 시스템의 전체 구성도이고,
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 공정 정지 로스 감축 시스템을 구성하는 구성하는 방향전환밸브, 포집장치, 우회배관 및 히팅 게이트밸브 구성을 보인 사시도이고,
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 공정 정지 로스 감축 시스템을 구성하는 구성하는 방향전환밸브, 포집장치, 우회배관 및 히팅 게이트밸브 구성을 보인 정면도이고,
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 공정 정지 로스 감축 시스템을 구성하는 구성하는 방향전환밸브, 포집장치, 우회배관 및 히팅 게이트밸브 구성을 보인 측면도이고,
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 공정 정지 로스 감축 시스템을 통한 포집방법을 보인 순서도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 공정 정지 로스 감축 시스템을 구성하는 구성하는 방향전환밸브, 포집장치, 우회배관 및 히팅 게이트밸브 구성을 보인 사시도이고,
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 공정 정지 로스 감축 시스템을 구성하는 구성하는 방향전환밸브, 포집장치, 우회배관 및 히팅 게이트밸브 구성을 보인 정면도이고,
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 공정 정지 로스 감축 시스템을 구성하는 구성하는 방향전환밸브, 포집장치, 우회배관 및 히팅 게이트밸브 구성을 보인 측면도이고,
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 공정 정지 로스 감축 시스템을 통한 포집방법을 보인 순서도이다.
이하 본 발명의 실시 예인 구성과 그 작용을 첨부도면에 연계시켜 상세히 설명하면 다음과 같다. 또한 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 공정 정지 로스 감축 시스템의 전체 구성도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 공정 정지 로스 감축 시스템을 구성하는 구성하는 방향전환밸브, 포집장치, 우회배관 및 히팅 게이트밸브 구성을 보인 사시도이고, 도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 공정 정지 로스 감축 시스템을 구성하는 구성하는 방향전환밸브, 포집장치, 우회배관 및 히팅 게이트밸브 구성을 보인 정면도이고, 도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 공정 정지 로스 감축 시스템을 구성하는 구성하는 방향전환밸브, 포집장치, 우회배관 및 히팅 게이트밸브 구성을 보인 측면도이고, 도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 공정 정지 로스 감축 시스템을 통한 포집방법을 보인 순서도이다.
도면을 참조하면 본 발명에 따른 반도체 공정 시 발생하는 반응부산물 포집 장치의 신속 교체를 통한 공정 정지 로스 감축 시스템은, 배기가스(12) 또는 불활성가스(11)의 유로를 전환시키는 방향전환밸브(1)와; 방향전환밸브의 유로전환에 따라 배기가스(12)를 공급받아 반응부산물을 포집하는 내부포집장치가 구비된 포집장치(2)와; 방향전환밸브의 유로전환에 따라 불활성가스를 공급받아 히팅 게이트밸브 하부 배기배관으로 공급하는 우회배관(3)과; 개폐 작동을 통해 포집장치로부터 배기가스(12) 또는 불활성가스 중 어느 하나를 공급받아 후단의 진공펌프와 연결된 배기배관으로 공급하거나 차단하는 히팅 게이트밸브(4)와; 상기 방향전환밸브의 유로 방향 설정과 히팅 게이트밸브의 개폐를 제어하는 포집 시스템 제어부(5);를 포함하여 구성된다.
상기 배기가스(12)는 프로세스 챔버에서 제조되는 반도체에 따라 다양한 공정가스 성분을 포함할 수 있다. 예를 들어 TiCl4, NH3, SiH4, SiCl2H2, WF6, Hf 등이 있다. 하지만 예시한 가스만 본 발명의 배기가스(12) 성분을 한정하는 것은 아니다.
본 발명에서 사용되는 불활성가스는 청소 또는 환기를 위해 사용되는 가스로 다른 물질과 화학반응을 일으키기 어려운 가스를 사용한다. 예를 들면 N2, Ar 등이다. 하지만 예시한 가스만 본 발명의 불활성가스를 한정하는 것은 아니다.
방향전환밸브(1)는 반도체 제조에 사용되는 프로세스 챔버(6)와 배기배관과 우회배관으로 연결되어 포집장치의 압력 변동을 감지한 프로세스 챔버 설비 제어부(7)에 의해 선택적으로 공급되는 배기가스(12) 또는 불활성가스(11)를 포집장치 또는 우회배관 중 어느 하나로 공급하도록 포집 시스템 제어부(5)에 의해 유로가 자동 전환되게 구성된다. 즉, 프로세스 챔버(6)에서 공급되는 배기가스를 포집장치(2)에 공급하거나 프로세스 챔버(6)에서 공급되는 불활성가스를 포집장치(2) 또는 우회배관(3)으로 공급하도록 구성된다.
방향전환밸브(1)는 3개의 유로로 구성된 밸브 내부에 공급측 유로의 방향으로 자동으로 전환하여 배출구측 일 유로는 폐쇄하고 타 유로는 개방할 수 있는 구조가 구비되어, 배기배관을 통해 공급되는 가스를 선택된 방향의 유로로 공급할 수 있는 3웨이 밸브로 구성된다. 이때 유로전환 기능이 수동 제어가 아닌 자동전환되는 자동밸브로 구성된다. 이를 위해 모터방식 또는 공압실린더 방식으로 구성되어 모터 또는 공압실린더를 포집제어부의 제어의 이해 작동되면 유로변경이 신속하게 이루어지게 된다.
자동으로 하는 이유는 프로세스 챔버 설비 제어부(7)에서 포집장치의 압력변동 발생과 동시에 신속하게 유로변경이 이루어져야만 프로세스 챔버 내에서 제조중인 반도체 웨이퍼에 이물질 유입에 의한 오염이나 최적으로 설정된 반도체 생산 공정조건에 변동을 주지 않아야 하기 때문이나, 필요 시 수동 제어 방식으로 사용하여도 무방하다.
즉, 포집장치(2)와 방향전환밸브(1)로 연결된 프로세스 챔버(6)는 유입된 반응가스를 이용하여 웨이퍼(Wafer) 상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 공정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하여 반도체 칩(Chip)을 제조하는 장치인데, 프로세스 챔버(6)가 안정적인 공정을 수행하도록 프로세스 챔버 설비 제어부(7)가 포집 장치 압력 또는 프로세스 챔버의 압력을 감지하여 배기가스(12) 또는 불활성가스를 프로세스 챔버(6)에 공급하게 된다.
프로세스 챔버 설비 제어부(7)가 포집장치(2) 내부의 압력 변동을 감지하는 이유는 장기간 포집운전이 진행되면서 반응부산물이 쌓여 공간막힘 등으로 원활한 배기가스(12)의 배출과 포집이 이루어지지 않으면 포집장치(2)가 정상적인 포집활동을 하지 못하면서 부하가 발생하여 내부 압력이 증가하고 동시에 이와 배기배관(21)으로 연결된 프로세스 챔버 역시 압력이 상승하면서 최적의 반도체 생산 조건에 영향을 미치게 되고, 프로세스 챔버로 유해가스가 역류하여 고품질화 및 고효율화된 공정으로 생산중인 웨이퍼를 오염시키는 문제점을 방지하기 위함이다.
상기 프로세스 챔버 설비 제어부(7)가 압력변동을 감지하기 위해 미도시된 압력감지 센서를 배기배관, 프로세스 챔버 및 포집장치 중 한곳 이상에 설치하여 감지하게 된다.
포집장치(2)는 방향전환밸브(1) 후단에 설치되어 평상시는 방향전환밸브(1)와 유로가 연결되어 프로세스 챔버(6)에서 배출되는 배기가스(12)를 공급받아 반응부산물을 포집하여 나머지 배기가스(12)만 후단에 배기배관(21)과 연결된 진공펌프쪽으로 배출하게 된다. 이후 스크러버에서 배기가스(12)를 정화 후 배기배관(21)을 통해 배출시키는 역할을 한다.
또한 포집장치(2) 교체 시에는 방향전환밸브(1)와 유로가 폐쇄되어 배기가스(12) 공급이 차단된다.
또한 포집장치(2) 교체가 완료된 후에는 다시 후단의 히팅 게이트밸브(4)가 개방되어 진공펌프의 배기배관(21)과 유로가 연통되고, 전단의 방향전환밸브(1)의 유로 전환을 통해 유로가 연결되어 배기가스(12)를 공급받기 전까지 프로세스 챔버(6)에서 배출되는 불활성가스를 공급받아 후단 진공펌프쪽으로 배출한 다음, 다시 프로세스 챔버(6)가 반도체를 생산하는 공정을 재개하게 되면 배출되는 배기가스(12)를 공급받아 반응부산물을 포집하게 된다.
본 발명에 사용되는 포집장치는 그 구조나 형상이 한정되지 않고 다양한 포집장치가 장착되어 연결될 수 있다.
예를 들어 포집장치를 구성하는 하우징 내부에 다양한 포집플레이트 간의 조합으로 이루어진 구조 중 어느 하나를 가진 내부포집타워 중 어느 하나가 구비되어 배기가스(12) 중에 포함된 반응부산물을 포집할 수 있는 구조이면 되고, 배기가스의 온도를 유지하여 포집장치(Trap) 인입부 막힘 방지 및 반응부산물을 포집하기 위한 적절한 온도 설정 역할을 하는 히터는 상황에 따라 구비된 포집장치를 사용할 수도 있고, 사용하지 않을 수도 있다. 또한 선택적으로 하우징 또는 내부포집장치에 냉각수단을 구비하여 내부 온도를 조절할 수 있는 수단을 구비할 수도 있다.
우회배관(3)은 포집장치의 포집이 정상적으로 이루어 질 때는 방향전환밸브에 의해 유로가 차단된 상태를 유지하고, 프로세스 챔버 설비 제어부(7)가 포집장치 또는 프로세스 챔버의 압력변동을 감지후 불활성가스를 프로세스 챔버에 공정가스 대신 불활성가스를 공급하면 동시에 프로세스 챔버 설비 제어부(7)와 회로 연결된 포집 시스템 제어부(5)가 방향전환밸브(1)의 유로를 전환시켜 포집장치 후단에 위치한 히팅 게이트밸브(4) 하부에 위치한 배기배관(21)과 연통되도록 하는 배관으로 이를 통해 불활성가스가 배기배관(21)을 통해 진공펌프쪽으로 흐르게 된다.
우회배관(3)을 통해 공급되는 불활성가스는 포집장치의 교체시간 동안 진공펌프와 스크러버쪽으로 흐르게 됨으로써 진공펌프와 스크러버의 가동이 유지되게 된다.
본 발명 우회배관(3)을 통해 불활성가스가 공급되는 동안 즉, 포집장치가 교체되는 동안 프로세스 챔버 설비 제어부(7)에 의해 불활성가스 저장탱크(도시 생략)로부터 불활성가스가 프로세스 챔버에 공급되는 동안 내부에 제조중이던 반도체는 제거되지 않고 포집장치 교체가 완료될 동안 공정이 잠시 중단된 (아이들링 →아이들) 상태에 놓이게 된다. 따라서 모든 공정조건의 변경이 없기 때문에 공정가스만 다시 공급되면 반도체 제조공정이 속행되게 된다. 보통 포집장치(Trap) 교체 시간이 3시간 이내이므로, 본 발명 시스템을 적용한다면 3시간 내외의 아이들 시간이 소요된다.
상기 우회배관(3)은 금속재질 배관으로 구성되어 고정하거나 플렉시블한 배관으로 구성되어 자유롭게 배치 할 수 있다,
히팅 게이트밸브(4)는 프로세스 챔버 설비 제어부(7)가 포집장치 또는 프로세스 챔버의 압력변동을 감지후 불활성가스를 프로세스 챔버에 공정가스 대신 불활성가스를 공급하게 되면 포집 시스템 제어부(5)에 의해 포집장치와 연결된 유로 흐름을 차단시키는 구성이다.
또한 히팅 게이트밸브(4)는 포집장치 교체가 완료되면 폐쇄상태 였던 밸브가 개방 되고 포집 시스템 제어부(5)에 의해 방향전환밸브(1)와 연결된 우회배관(3)의 유로가 포집장치쪽으로 전환됨과 동시에 차단되었던 포집장치쪽 유로가 개방되어 포집장치와 연결되면서 프로세스 챔버(6)에서 배출되는 불활성가스를 공급받아 후단 진공펌프쪽으로 배출하게 되고, 이후 프로세스 챔버(6)가 반도체를 생산하는 공정을 재개하여 포집장치가 배기가스(12)를 공급받아 반응부산물을 포집후 나머지 배기가스(12)를 배출하면 이를 후단으로 진공펌프와 스크러버 쪽과 연결된 배기배관(21)으로 공급하게 된다.
또한 상기 히팅 게이트밸브(4)는 상기와 같은 포집장치 교체 과정이 아닌 평상시는 온도를 높여 밸브에 부산물이 형성되는 것을 방지하여 시스템의 동작을 원활하게 하도록 구성이다. 즉, 포집장치과 연통되게 개방되어 포집장치를 거치면서 반응부산물이 포집된 상태의 배기가스(12)가 포집장치 배출구를 통해 배출되면 이를 재가열하여 온도가 상승된 배기가스(12)가 배기배관(21) 및 밸브 내부에 고착되는 것을 방지하면서 후단의 진공펌프를 지나 스크러버로 공급되도록 한다.
포집 시스템 제어부(5)는 평상시는 방향전환밸브(1)와 히팅 게이트밸브(4)가 포집장치와 유로가 연통되도록 제어하고, 프로세스 챔버 설비 제어부(7)가 포집장치 또는 프로세스 챔버의 압력변동을 감지후 불활성가스를 프로세스 챔버에 공정가스 대신 불활성가스를 공급하게 되면 프로세스 챔버 설비 제어부와 신호가 연동된 포집 시스템 제어부는 방향전환밸브(1)의 유로를 포집장치에서 우회배관으로 전환시키고, 히팅 게이트밸브(4)의 유로를 차단하여 불활성가스가 우회배관(3)을 통해 히팅 게이트밸브 하부 배기배관(21)으로 공급하도록 제어한다.
이러한 포집 시스템 제어부(5)의 유로 제어에 의해 포집장치(2)는 신속하게 교체되게 된다.
또한 포집 시스템 제어부(5)는 포집장치의 교체가 종료되면 방향전환밸브(1)의 유로를 우회배관에서 포집장치쪽으로 전환되도록 제어하고, 동시에 차단되었던 히팅 게이트밸브(4)도 포집장치와 연결되도록 유로 흐름이 개방되게 제어한다.
이로인해 방향전환밸브(1)와 히팅 게이트밸브(4)가 포집장치(2)와 함께 연통되면 프로세스 챔버(6)에서 배출되는 불활성가스를 포집장치(2)를 통해 후단 진공펌프쪽으로 배출시키고, 이후 프로세스 챔버(6)가 반도체를 생산하는 공정을 재개하면 포집장치가 배기가스(12)를 공급받아 반응부산물을 포집후 나머지 배기가스(12)를 후단 진공펌프와 스크러버 쪽과 연결된 배기배관(21)으로 공급하게 된다.
본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
(1) : 방향전환밸브 (2) : 포집장치
(3) : 우회배관 (4) : 히팅 게이트밸브
(5) : 포집 시스템 제어부 (6) : 프로세스 챔버
(7) : 프로세스 챔버 설비 제어부 (8) : 진공펌프
(9) : 스크러버 (10) : 공정가스
(11) : 불활성가스 (12) : 배기가스
(21) : 배기배관
(3) : 우회배관 (4) : 히팅 게이트밸브
(5) : 포집 시스템 제어부 (6) : 프로세스 챔버
(7) : 프로세스 챔버 설비 제어부 (8) : 진공펌프
(9) : 스크러버 (10) : 공정가스
(11) : 불활성가스 (12) : 배기가스
(21) : 배기배관
Claims (8)
- 반도체 공정의 프로세스 챔버에서 배출된 배기가스 중에서 반응응부산물을 포집하는 포집장치를 포함하는 공정 정지 로스 감축 시스템에 있어서,
배기가스 또는 불활성가스의 유로를 전환시키는 방향전환밸브(1)와;
방향전환밸브의 유로전환에 따라 배기가스를 공급받아 반응부산물을 포집하는 내부포집장치가 구비된 포집장치(2)와;
방향전환밸브의 유로전환에 따라 불활성가스를 공급받아 배기배관으로 공급하는 우회배관(3)과;
개폐 작동을 통해 포집장치로부터 배기가스 또는 불활성가스 중 어느 하나를 공급받아 후단의 진공펌프와 연결된 배기배관으로 공급하거나 차단하는 히팅 게이트밸브(4)와;
상기 방향전환밸브의 유로 방향 설정과 히팅 게이트밸브의 개폐를 제어하는 포집 시스템 제어부(5);를 포함하되,
상기 포집장치(2)는 교체 후 방향전환밸브의 유로전환에 따라 프로세스 챔버(6)로부터 불활성가스를 공급받은 다음 배기가스를 공급받아 반응부산물을 포집하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시 발생하는 반응부산물 포집 장치의 신속 교체를 통한 공정 정지 로스 감축 시스템.
- 청구항 1에 있어서,
상기 방향전환밸브(1)는 포집 시스템 제어부(5)에 의해 유로가 자동 전환되게 구성되어, 공급되는 배기가스를 포집장치(2)에 공급하거나 공급되는 불활성가스를 포집장치(2) 또는 우회배관(3)으로 공급하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시 발생하는 반응부산물 포집 장치의 신속 교체를 통한 공정 정지 로스 감축 시스템.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 우회배관(3)은 히팅 게이트밸브 하부 배기배관과 연결되도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시 발생하는 반응부산물 포집 장치의 신속 교체를 통한 공정 정지 로스 감축 시스템.
- 청구항 1에 있어서,
상기 히팅 게이트밸브(4)는 평상시는 온도를 높여 밸브에 부산물이 형성되는 것을 방지하여 시스템의 동작을 원활하게 하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시 발생하는 반응부산물 포집 장치의 신속 교체를 통한 공정 정지 로스 감축 시스템.
- 청구항 1에 있어서,
상기 포집 시스템 제어부(5)는 평상시는 방향전환밸브(1)와 히팅 게이트밸브(4)가 포집장치와 유로가 연통되도록 제어하고, 프로세스 챔버 설비 제어부(7)가 포집장치 또는 프로세스 챔버의 압력변동을 감지후 불활성가스를 프로세스 챔버에 공정가스 대신 불활성가스를 공급하게 되면 프로세스 챔버 설비 제어부와 신호가 연동된 포집 시스템 제어부는 방향전환밸브(1)의 유로를 포집장치에서 우회배관(3)으로 전환시키고, 히팅 게이트밸브(4)의 유로를 차단하여 불활성가스가 우회배관(3)을 통해 히팅 게이트밸브 하부 배기배관으로 공급하도록 제어하여 포집장치가 교체될 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시 발생하는 반응부산물 포집 장치의 신속 교체를 통한 공정 정지 로스 감축 시스템.
- 청구항 1에 있어서,
상기 포집 시스템 제어부(5)는 포집장치의 교체가 종료되면 차단되었던 히팅 게이트밸브가 포집 장치와 연결 되어 유로 흐름이 개방되게 제어하고, 방향전환밸브의 유로를 우회배관에서 포집 장치 쪽으로 전환되도록 제어하여 프로세스 챔버(6)에서 배출되는 불활성가스를 포집장치(2)를 통해 후단 진공펌프쪽으로 배출시키고, 이후 프로세스 챔버(6)가 반도체를 생산하는 공정을 재개하여 포집장치가 배기가스를 공급받아 반응부산물을 포집후 나머지 배기가스를 배출하면 후단 진공펌프쪽으로 배출시키도록 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시 발생하는 반응부산물 포집 장치의 신속 교체를 통한 공정 정지 로스 감축 시스템.
- 청구항 1에 있어서,
상기 반도체 공정 시 발생하는 반응부산물 포집 장치의 신속 교체를 통한 공정 정지 로스 감축 시스템은 프로세스 챔버 설비의 가동 중지 없이 제조중인 프로세스 챔버 내의 반도체 웨이퍼 제조 공정 환경을 유지하는(idle) 상태에서 포집장치가 교체되도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정 시 발생하는 반응부산물 포집 장치의 신속 교체를 통한 공정 정지 로스 감축 시스템.
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| JP2023041038A JP7479087B2 (ja) | 2022-08-18 | 2023-03-15 | 半導体工程用反応副産物捕集装置の迅速交換による工程停止ロス減縮システム |
| CN202310269192.5A CN117594475A (zh) | 2022-08-18 | 2023-03-17 | 通过快速更换在半导体工程中产生的反应物产物的捕获装置而减少工程停止损失的系统 |
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| TW112113357A TWI822624B (zh) | 2022-08-18 | 2023-04-10 | 通過快速更換在半導體製程中産生的反應副產物的捕獲裝置而減少製程停止損失的系統 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102634912B1 (ko) | 2023-08-04 | 2024-02-08 | 주식회사 엠엠티 | 반도체 공정시 발생하는 부산물 포집장치 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08172083A (ja) * | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Ebara Corp | 副生成物トラップ装置及びその洗浄方法 |
| JPH10284474A (ja) * | 1997-04-02 | 1998-10-23 | Sony Corp | 半導体製造装置 |
| KR100544320B1 (ko) | 2004-06-02 | 2006-01-23 | 나명수 | 반도체 부산물 처리장치 및 그 처리방법 |
| KR100647725B1 (ko) | 2006-05-09 | 2006-11-23 | 주식회사 미래보 | 반도체 장치의 부산물 포집장치 |
| KR100930320B1 (ko) | 2007-11-27 | 2009-12-08 | 주식회사 미래보 | 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치 |
| KR20100011823A (ko) * | 2008-07-25 | 2010-02-03 | 주식회사 아이피에스 | 반도체 제조 장치 및 이 장치의 배기 가스 처리방법 |
| KR20110097395A (ko) * | 2010-02-25 | 2011-08-31 | 주식회사 라온테크 | 게이트 밸브 |
| KR20180057746A (ko) * | 2016-11-21 | 2018-05-31 | (주)티티에스 | 트랩 장치 |
| KR20200120135A (ko) * | 2019-04-11 | 2020-10-21 | (주) 엔피홀딩스 | 기판 처리 시스템 |
| KR20220008116A (ko) | 2020-07-13 | 2022-01-20 | 삼성전기주식회사 | 카메라 조리개의 제어회로 및 구동 장치 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6770145B2 (en) | 2000-12-11 | 2004-08-03 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Low-pressure CVD apparatus and method of manufacturing a thin film |
| CN1788106B (zh) * | 2003-05-13 | 2011-06-08 | 东京毅力科创株式会社 | 使用原料气体和反应性气体的处理装置 |
| EP1702351A2 (en) | 2003-12-23 | 2006-09-20 | John C. Schumacher | Exhaust conditioning system for semiconductor reactor |
| JP6007715B2 (ja) | 2012-03-29 | 2016-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | トラップ機構、排気系及び成膜装置 |
| US9314824B2 (en) * | 2013-11-08 | 2016-04-19 | Mks Instruments, Inc. | Powder and deposition control in throttle valves |
| WO2015134156A1 (en) | 2014-03-06 | 2015-09-11 | Applied Materials, Inc. | Plasma foreline thermal reactor system |
| DE102018128739A1 (de) * | 2018-11-15 | 2020-05-20 | Dürr Systems Ag | Abgasreinigungsanlage sowie Verfahren und Datenverarbeitungssystem zur Überwachung zumindest einer Abgasreinigungsanlage |
| JP3223688U (ja) | 2019-02-27 | 2019-10-24 | 潘彦儒 | 湿式スクラバー |
-
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Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08172083A (ja) * | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Ebara Corp | 副生成物トラップ装置及びその洗浄方法 |
| JPH10284474A (ja) * | 1997-04-02 | 1998-10-23 | Sony Corp | 半導体製造装置 |
| KR100544320B1 (ko) | 2004-06-02 | 2006-01-23 | 나명수 | 반도체 부산물 처리장치 및 그 처리방법 |
| KR100647725B1 (ko) | 2006-05-09 | 2006-11-23 | 주식회사 미래보 | 반도체 장치의 부산물 포집장치 |
| KR100930320B1 (ko) | 2007-11-27 | 2009-12-08 | 주식회사 미래보 | 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치 |
| KR20100011823A (ko) * | 2008-07-25 | 2010-02-03 | 주식회사 아이피에스 | 반도체 제조 장치 및 이 장치의 배기 가스 처리방법 |
| KR20110097395A (ko) * | 2010-02-25 | 2011-08-31 | 주식회사 라온테크 | 게이트 밸브 |
| KR20180057746A (ko) * | 2016-11-21 | 2018-05-31 | (주)티티에스 | 트랩 장치 |
| KR20200120135A (ko) * | 2019-04-11 | 2020-10-21 | (주) 엔피홀딩스 | 기판 처리 시스템 |
| KR20220008116A (ko) | 2020-07-13 | 2022-01-20 | 삼성전기주식회사 | 카메라 조리개의 제어회로 및 구동 장치 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102634912B1 (ko) | 2023-08-04 | 2024-02-08 | 주식회사 엠엠티 | 반도체 공정시 발생하는 부산물 포집장치 |
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