KR100543682B1 - 드라이펌프 파워상승시스템 - Google Patents

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KR100543682B1 KR1020030061379A KR20030061379A KR100543682B1 KR 100543682 B1 KR100543682 B1 KR 100543682B1 KR 1020030061379 A KR1020030061379 A KR 1020030061379A KR 20030061379 A KR20030061379 A KR 20030061379A KR 100543682 B1 KR100543682 B1 KR 100543682B1
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Abstract

본 발명은 반도체 생산라인에 설치된 배기라인에 쌓이는 파우더로 인하여 드라이펌프가 다운되는 문제 및 배기덕트가 부식, 막히는 현상을 개선시킬 수 있는 드라이펌프 파워상승시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 4 웨이밸브, 파우더트랩 및 핫질소(Hot-N2)트랜스퍼의 각기 다른 기능을 하나의 시스템으로 통합시켜 제어할 수 있는 드라이펌프 파워상승시스템에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명은, 드라이펌프(11)의 배기라인측으로 핫질소트랜스퍼(13)가, 스크러버(20)의 배기라인측으로 핫질소트랜스퍼(13')가 각기 설치되고; 상기 핫질소트랜스퍼(13)는 4 웨이밸브(14)를 통해 트랩A(19), 트랩B(19') 및 덕트(16)가 각각 설치되고, 상기 핫질소트랜스퍼(13')는 3 웨이밸브(17)를 통해 게이트밸브(18, 18')가 각각 설치되며, 상기 게이트밸브(18, 18')가 트랩A(19)와 트랩B(19')에 상호 연결되며; 이들을 제어 및 통제하는 콘트롤러(15)가 설치된 것을 그 특징으로 한다.
드라이펌프, 반도체 생산라인, 핫건, 앵글밸브, 핫질소 트랜스퍼, 드라이펌프 파워상승시스템

Description

드라이펌프 파워상승시스템{POWER UPGRADE SYSTEM OF DRY PUMP}
도 1 은 본 발명의 실시예에 관한 드라이펌프 파워상승시스템을 도시해 놓은 구성도,
도 2 는 본 발명의 드라이펌프 파워상승시스템을 설명하기 위한 적용 다이어그램,
도 3 은 본 발명의 드라이펌프 파워상승시스템이 적용되는 전체 구성도,
도 4 는 본 발명의 드라이펌프 파워상승시스템을 설명하기 위해 콘트롤러와의 상세 회로도,
도 5 은 본 발명의 드라이펌프 파워상승시스템을 설명하기 위한 흐름도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 메인챔버 11 : 드라이펌프
12 : 핫건 13, 13' : 핫질소 트랜스퍼
14 : 4 웨이밸브 15 : 콘트롤러
16 : 덕트 17 : 3 웨이밸브
18, 18' : 게이트밸브 19, 19' : 트랩A 및 트랩B
20 : 스크러버
본 발명은 반도체 생산라인에 설치된 배기라인에 쌓이는 파우더로 인하여 드라이펌프가 다운되는 문제 및 배기덕트가 부식, 막히는 현상을 개선시킬 수 있는 드라이펌프 파워상승시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 4 웨이밸브, 파우더트랩 및 핫질소트랜스퍼의 각기 다른 기능을 하나의 시스템으로 통합시켜 제어할 수 있는 드라이펌프 파워상승시스템에 관한 것이다.
제품의 생산 중에 폐기가스가 배출되는 반도체 제조공정중 웨이퍼 처리공정에서는 챔버내의 웨이퍼에 다종의 반응가스를 공급 화학 반응시켜 웨이퍼 상면에 산화막 처리를 한다. 반도체 제조공정에서는 여러 종류의 프로세싱가스(processing gas)를 사용하게 되는 바, 이때 반응가스들은 대개가 매우 독성이 강해서 인체에 치명적이고, 또한 다른 가스나 공기와 혼합되면 폭발할 수도 있어 공정후 반응가스들의 처리가 환경의 안전성 면에서 상당히 중요한 비중을 차지하고 있다. 그렇기 때문에, 상기 반응가스는 공정라인 상에서 정화 처리되어 무해한 가스로 배출되도록 의무화시키고 있다.
즉, 반도체 공정라인은, 보통 웨이퍼를 다량으로 처리하기 위해 다수의 챔버(chamber)가 구비되고 있고, 이러한 각 챔버에는 프로세싱 가스 흡입라인과 클린가스 흡입라인이 연결되는 한편 챔버의 배기라인에는 진공펌프가 설치되고 있다. 또한, 상기 진공펌프의 배기라인에는 반응가스 소각 정화용 스크러버(scrubber)를 통한 가연배기부와 산배기부가 연결되고 있다.
반도체의 웨이퍼 생산시에는 가연성가스 및 부식성이 강한 산성가스를 이용하여 웨이퍼에 막을 형성하도록 되어 있는데, 위와 같이 가연성 가스를 이용하여 1차 공정이 끝나면 산성가스를 챔버에 주입하여 자동으로 세정되게 하고, 다시 2차 공정을 위하여 산성가스를 챔버에 주입한다.
이와 관련하여 챔버 퍼지시에는 질소가스를 사용하고 있는데, 먼저 잔류 가연성가스의 퍼지시에는 스크러버의 가연 배기부로 질소가스를 배출시키고, 잔류 산성가스의 퍼지시에는 스크러버의 산배기부로 질소가스를 배출시키도록 되어 있다.
상기 챔버와 스크러버사이에는 진공펌프가 설치되면서 핫질소 트랜스퍼를 통한 일정한 길이의 배관이 설치되어 있다. 그런데, 상기 핫질소 트랜스퍼의 최적 온도전달거리는 3미터인데 비해, 상기 스크러버까지의 배관거리가 5 - 10 미터로 되어 핫질소 트랜스퍼를 2 대이상 설치해야 최적의 온도유지가 가능하도록 되어 있다.
그리고, 반도체칩과 LCD등을 생산하는 공정에는 필수적으로 각 공정 진행을 위한 진공상태를 만들어 주기 위해 진공펌프를 사용한다. 이 진공펌프의 종류 중 드라이펌프(dry pump)는 고진공 펌프의 러핑(roughing)용도 또는 단독으로 사용하고 있다.
상기 드라이펌프내부로 유입되는 중화용 질소가스의 온도가 15 - 22℃의 낮은 온도이므로, 이로 인한 펌프내부의 로터(rotor) 회전부에 파우더가 적체됨으로써 발생되는 펌프 수명 및 PM(Preventive Maintenance : 예방보전)주기가 저하된다는 문제점이 있었다. 또한, 드라이펌프 배기라인의 파우더 누적으로 인한 예방보전 주기저하 및 배기라인의 부식이 있었고, 상기 배기라인의 파우더 누적으로 인한 클린가스와 프로세스가스의 분리밸브의 동작 성능이 저하된다는 문제점도 발생하게 되었다.
한편, 종래의 라인은 챔버, 진공펌프 및 배기덕트 등으로 구성되어 있어, 반도체공정에 사용되는 가스가 배기덕트와 기타 유틸리티 배관에 쌓여 예방보전시 작업의 어려움으로 인해 작업공수가 증가하여 생산성을 저하시킨다. 이는 덕트로 유입되는 파우더가 고체화되고, 이렇게 고체화된 파우더로 인한 덕트부식 및 막히게 된다. 따라서, 배기라인의 파우더 막힘으로 진공펌프가 다운되고, 또 장기간의 파우더유입으로 인한 공조기의 기능이 저하될 뿐만 아니라 덕트내부에 파우더적체로 예상하지 못한 장비다운을 일으키는 원인이 되었다.
본 발명은 상기와 같은 제반 문제점을 해소하기 위해 발명한 것으로, 반도체 생산라인에서 높은 온도의 배출가스가 식게됨으로써 발생하는 파우더의 누적으로 인한 만약의 비상사태를 사전에 예방할 수 있고, 일정 온도의 중화용 질소가스를 이용 펌프내부 및 배기라인의 파우더누적으로 인한 문제를 최소화시킬 뿐만 아니라 4 웨이밸브, 파우더트랩 및 핫질소 트랜스퍼의 각기 다른 3 가지의 기능을 하나의 시스템으로 통합하여 제어할 수 있는 드라이펌프 파워상승시스템을 제공함에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 예방보전시 펌프의 가동 중단없이 바이패스하여 손쉽게 간이 예방보전하기 위함이고 환경오염을 막기 위한 프로세스가스와 클린 가스의 원활한 분리 배출을 유도함으로 배기라인에 쌓이는 파우더로 인하여 펌프가 다운되는 문제 및 배기덕트가 부식, 막히는 현상을 개선한 드라이펌프 파워상승시스템을 제공할 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 드라이펌프(11)의 배기라인측으로 핫질소트랜스퍼(13)가, 스크러버(20)의 배기라인측으로 핫질소트랜스퍼(13')가 각기 설치되고; 상기 핫질소트랜스퍼(13)는 4 웨이밸브(14)를 통해 트랩A(19), 트랩B(19') 및 덕트(16)가 각각 설치되고, 상기 핫질소트랜스퍼(13')는 3 웨이밸브(17)를 통해 게이트밸브(18, 18')가 각각 설치되며, 상기 게이트밸브(18, 18')가 트랩A(19)와 트랩B(19')에 상호 연결되며; 이들을 제어 및 통제하는 콘트롤러(15)가 설치된 것을 그 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 예시도면에 의거하여 상세히 설명한다.
도 1 은 본 발명의 실시예에 관한 드라이펌프 파워상승시스템을 도시해 놓은 구성도이고, 도 2 는 본 발명의 드라이펌프 파워상승시스템을 설명하기 위한 적용 다이어그램이다. 본 발명은 반도체 생산라인에 설치된 배기라인에 쌓이는 파우더로 인하여 드라이펌프(11)가 다운되는 문제 및 배기덕트(16)가 부식, 막히는 현상을 개선시킬 수 있는 드라이펌프 파워상승시스템인 바, 이는 4 웨이밸브(17), 파우더트랩(19, 19') 및 핫질소트랜스퍼(13, 13')의 각기 다른 기능을 하나의 시스템으로 통합시켜 제어할 수 있도록 되어 있다.
상기 드라이펌프(11)의 배기라인을 통해 배출되는 가스의 온도는 150 - 200 ℃로 매우 높다. 따라서, 이러한 높은 온도의 배기가스가 식게 되므로 발생되는 파우더의 누적을 막기 위해 본 발명의 드라이펌프 파워상승시스템을 설치한다. 현재 가동중인 반도체 장비의 생산성 효율을 높이기 위해 드라이펌프 파워상승시스템의 적용은 핫질소를 사용하여 일차적으로 온도를 유지시켜 파우더의 고체화를 방지하고, 2 차적으로 4 웨이밸브(17)를 통해 가스의 분리배기가 이루어지고, 3 차적으로 트랩(19, 19')에 생성된 파우더를 포집하여 배기덕트(16) 및 기타 유틸리티배관에 파우더가 쌓이는 것을 감소시켜 예방보전시 작업의 공수를 줄여 생산성을 향상시킨다.
상기 드라이펌프(11)의 배기라인측으로 핫질소트랜스퍼(13)가, 스크러버(20)의 배기라인측으로 핫질소트랜스퍼(13')가 각기 설치되고 있다. 상기 핫질소트랜스퍼(13)는 4 웨이밸브(14)를 통해 트랩A(19), 트랩B(19') 및 덕트(16)가 각각 설치되고, 상기 핫질소트랜스퍼(13')는 3 웨이밸브(17)를 통해 게이트밸브(18, 18')가 각각 설치되며, 상기 게이트밸브(18, 18')가 트랩A(19)와 트랩B(19')에 각기 연결된다.
이들을 제어 및 통제하는 콘트롤러(15)가 설치된다. 이 콘트롤러(15)는 A/C 단상 180 - 240V 60HZ 소비전력 120W이고, 레귤레이터는 최대 1.0MPa이며 플로우메터는 최대 10 ℓ/min이다. 그리고, 상기 4 웨이밸브(14)와 덕트(16)와는 클린가스를, 상기 3 웨이밸브(17)와 스크로버(20)와는 프로세스가스를 각기 원활히 흐르도록 되어 있다. 여기에 배기라인과 바이패스라인이 각기 도시되어져 있다.
이상과 같이 구성되는 본 발명에서의 트랩 자동전환기능(바이패스)은 3 웨이 밸브(17)와 4 웨이밸브(14)사이에서 트랩A(19)와 트랩B(19')중 하나가 파우더 정체가 가속화되면 자동으로 대기상태인 트랩으로 전환되고 파우더가 쌓인 트랩은 오버홀(OVERHAUL)되도록 한다.
본 발명의 유지 및 보수의 편리성으로써 배기압력 자동감시시스템은 파우더트랩(19, 19')내부에 파우더가 한계 설정치에 도달하면 배기라인의 압력이 떨어지므로 배기라인의 압력을 상시 감시한다. 센서에 의한 자동 오픈, 크로스시스템은 트랩(19, 19')을 이중으로 설치하여 트랩A(19)에 파우더가 일정량 쌓이면 압력센서가 감지하여 트랩B(19')의 앵글밸브를 자동으로 크로스하고, 트랩B(19')의 앵글밸브를 자동오픈하여 배기흐름을 정상 상태로 유지하도록 한다.
또한, 드라이펌프(11)의 런상태에서 별도 분리 예방보전시스템은 트랩A(19)내 파우더가 설정치에 도달하면 트랩A(19)를 크로스, 트랩B(19')이 오픈되므로(자동전환), 드라이펌프(11)를 오프하지 않고 런상태에서 별도 분리하여 예방 보전할 수 있다. 상기 드라이펌프(11)와 스크러버(20)의 입출구사이에 핫질소 트랜스퍼(13, 13')의 설치로 온도손실을 보호할 수 있다.
따라서, 본 발명은 손쉽게 분리되는 4 웨이밸브(14)를 사용함으로 밸브를 분해하지 않고 간이예방 보전할 수 있고, 2 개의 트랩(19, 19)을 사용함으로 사용중인 하나의 트랩예방보전시 드라이펌프(11)의 가동중단없이 또다른 트랩으로 바이패스하여 교체 가능하도록 한 시스템인 것이다. 하나의 시스템으로 여러 가지의 기능을 통합하여 콘트롤할 수 있고, 핫질소트랜스퍼(13, 13')를 입출구에 설치해 줌으로 파우더의 적체현상 해소로 드라이펌프 및 주변기기의 성능향상시킬 수 있다.
또한, 메인장비와 양방향통신으로 인터록, 디스플레이기능을 수행할 수 있고, 이중 트랩의 사용으로 트랩 예방보전시 드라이펌프의 가동중단없이 교체가능하다. 4 웨이밸브(14)에 사용되는 하우징을 일자형 구조로 제작하여 파우더제거가 쉽고, 구조의 단순화로 설치 및 메인터런스가 용이하다.
따라서, 본 발명은 4 웨이밸브(14), 핫질소 트랜스퍼(13, 13') 및 트랩(19, 19') 사용으로 배관의 파우더 적체현상을 해소함으로 배관의 예방보전주기 연장개선에 따른 비용절감을 도모할 수 있다. 각각의 장치가 차지하는 면적을 하나로 통합하여 최소화시킬 수 있어 공간활용이 용이할 뿐만 아니라 배기배관의 오버홀주기를 연장시킬 수 있다.
도 3 에 도시된 바와 같이, 메인챔버(10)에는 배기라인을 통해 드라이펌프(11)가 설치되고, 핫건(12)이 장착된 상기 드라이펌프는 배기라인(18)을 통해 핫질소 트랜스퍼(13)를 거쳐 4 웨이밸브(14)가 설치된다. 상기 드라이펌프(11)내부로 유입되는 독성 또는 부식성 가스의 파우더로 전환되는 임계온도가 매우 높다. 예컨데, 각 공정 진행시 사용 가스의 파우더로 전환되는 임계온도로는 AlCl3 가스는 130℃, (NH4)2SF6 가스는 170℃, NH4Cl 가스는 200℃이다. 따라서, 현재 일반적으로 사용되는 드라이펌프(11)의 독성 또는 부식성 가스중화용 N2 온도는 15 - 22℃ 사이의 온도로서 매우 낮은 온도이다. 그러므로, 본 발명은 이러한 낮은 온도의 중화용 N2 가스로 인한 펌프내부 및 배기라인의 파우더 누적으로 인한 문제를 최소화시켜주기 위한 것이다.
상기 드라이펌프(11)의 배기라인을 통해 배출되는 가스의 온도는 매우 높다(150℃ - 200℃). 따라서, 본 발명은 이러한 높은 온도의 배출가스가 식게 됨으로써 발생되는 파우더의 누적을 막기 위함이고, 환경오염을 막기 위한 프로세스가스와 클린가스의 원활한 분리 배출하는 것이다.
이렇게 설치된 메인챔버(10), 드라이펌프(11), 핫건(12), 핫질소 트랜스퍼(13, 13'), 4 웨이밸브(14), 3 웨이밸브(17), 트랩A(19) 및 트랩B(19')를 제어하기 위해 콘트롤러(15)가 설치되는 바, 상기 콘트롤러(15)에는 메인챔버(10)와 드라이펌프(11)로부터 각 신호가, 핫건(12)으로부터 상호신호가, 핫질소 트랜스퍼(13, 13')로부터 상호신호가, 상기 4 웨이밸브(14), 3 웨이밸브(17), 트랩A(19) 및 트랩B(19')로부터 상호신호가 각기 연결되도록 되어 있다.
이상과 같이 구성되는 본 발명은 하나의 시스템으로 핫건(12), 핫질소 트랜스퍼(13), 4 웨이밸브(14), 3 웨이밸브(17), 트랩A(19) 및 트랩B(19')의 기능을 통합하여 제어하게 되고, 이에 따라 컴팩트한 디자인으로 칫수가 작고 각각 유틸리티(utility) 설치가 필요 없음으로 설치가 용이하게 되며, 또한 중앙모니터링 기능을 갖을 뿐만 아니라 메인터런스가 용이하다.
프로세스가스에 2 개의 트랩(19, 19')을 적용하게 되는 바, 어느 트랩A(19)에 파우더가 가득차 있을 경우에는 4 웨이밸브(14)를 이용하여 자동전환시켜 가득찬 트랩쪽의 밸브가 자동으로 닫히게 되고, 다른 한쪽 트랩의 밸브가 열리게 되면서 가스의 흐름이 원활하게 이루어진다. 예방보전시 상기 트랩(19, 19')에 연결되어 있는 게이트밸브(18, 18')로 어느 한쪽을 닫고 트랩을 교체할 수 있다.
후술할 램프 또는 알람 및 트랩 위치표시기능은 트랩오버홀시기 및 트랩A(19)와 트랩B(19')중 하나의 트랩을 오버홀해야 할 때 램프 또는 알람표시가능이다. 오더(ORDER) 프로그래밍 및 셋팅으로 인터록(INTERLOCK)기능은 인터록발생시(기본설정) 메인챔버(10)를정지시키고 프로세스밸브를 오픈시킨다. 메인챔버(10)로부터의 인터록은 챔버(10)의 비정상적인 상황발생시, 콘트롤러(15)로 신호를 전송하여 밸브를 제어(프로세스 밸브오픈)한다. 콘트롤러(15)로부터 인터록은 밸브구동중 자기센서로부터 감지신호를 수신하지 못했을 경우이고, 밸브 구동중앙 밸브의 자기센서 신호가 동시에 수행될 경우이다.
도 4 는 본 발명의 드라이펌프 파워상승시스템을 설명하기 위한 콘트롤러의 회로도이고, 도 5 은 본 발명의 드라이펌프 파워상승시스템을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4 에 도시된 입출력드라이버(30)에는 메인챔버(10), 핫건(12), 핫질소 트랜스퍼(13, 13') 및 솔레노이드 밸브(37)를 통한 클린밸브(33)와 프로세스밸브(32)가 각기 연결되는 한편, LCD(31), 런(run) 및 경보부(35), CPU(34)를 통한 타이머(36), 그리고 솔레노이드 밸브(37')가 각각 연결되게 된다. 상기 핫건(12)에는 히터(12a)와 온도센서(12b)가, 핫질소 트랜스퍼(13, 13')에는 히터(13a)와 온도센서(13b)가 각기 구성되는 한편, 질소가 입력되는 솔레노이드 밸브(37)에는 클린밸브(33)의 3 웨이밸브(17)와 프로세스밸브(32)의 솔레노이드밸브(37')가 각기 연결되어 있다.
이상과 같이 구성되어지는 콘트롤러는 메인챔버(10)에서 신호가 입출력드라이버(30)에 입력되면 솔레노이드 밸브(37)로 출력되는 데, 평상시 프로세스밸브(32)가 오픈되어 있다가 솔레노이드 밸브(37)의 동작과 동시에 클린밸브(33)로 전환된다. 이때 클린센서가 감지되면 정상적으로 인식한다. 만약 클린센서가 감지하지 못하면 비정상적으로 인식하여 장비의 인터럽트(interrupt)를 발생시키게 된다. 이와 함께 핫질소 트랜스퍼(13, 13')와 핫건(12)의 셋팅온도에 맞게 N2 온도를 일정하게 유지시켜준다.
즉, 도 5 에 도시된 바와 같이 메인콘트롤에서 핫질소 트랜스퍼(13, 13')의 셋팅온도가 온도센서(13b)에 의해 크거나 같으면 히터(13a)에 전원을 차단시키고 런 및 경보부(35)를 작동시켜 경보를 울려주고, 이와 달리 작으면 히터(13a)에 전원을 공급시킨다.
상기 메인콘트롤은 메인챔버(10)에서 신호가 있으면 프로세스밸브(32)를 닫거나 클린밸브(33)를 오픈하게 된다. 이때 프로세스밸브(32)를 닫거나 클린밸브(33)를 오픈하면 상기 메인콘트롤이 이루어지는 한편, 그렇지 않는 경우에는 인터럽트가 발생되어진다.
상기 메인콘트롤에서 핫건(12)의 셋팅온도가 온도센서(12b)에 의해 크거나 같으면 히터(12a)에 전원을 차단시키고, 런 및 경보부(35)를 작동시켜 경보를 울려주고, 이와 달리 작으면 히터(12a)에 전원을 공급시키고 있다. 프로세스가스에 사용되는 트랩A(19) 또는 트랩B(19')중 하나의 트랩을 상시 구동시키는 중 비상시 질소가 차단되는 경우, 입출력드라이버(30)로부터 신호를 받아 솔레노이드밸브(37, 37')를 통해 트랩A(19) 또는 트랩B(19')중 하나의 트랩과 밸브가 닫히고, 다른 하나의 트랩과 밸브는 열리게 자동 전환됨으로 가스의 원활한 흐름을 원활히 해준다.
또한, 예방보전시 질소가 차단될 경우에는 수동으로 게이트밸브(18, 18')로 트랩A(19) 또는 트랩B(19')중 하나의 트랩을 닫고 해당 트랩을 교체할 수 있다.
이상과 같이 작동되는 본 발명은 드라이펌프내부에 높은 온도의 중화용 N2 가스를 퍼지(PURGE)시켜 주고, 펌프파우더의 로터 회전부 또는 로터와 플레이트(PLATE)의 로터와 하우징사이의 파우더 누적을 막아 줌으로써 펌프의 성능을 향상시킨다. 드라이펌프 배출라인의 파우더 배출 흐름속도를 높여주며, 온도의 중화용 N2 가스를 퍼지시켜 줌으로써 배출라인의 배관에 누적되는 파우더의 생성을 막아준다.
또한, 본 발명은 높은 온도의 배출 가스가 클린가스와 프로세스 가스의 분리 배출 밸브로 유입됨으로써 밸브내부의 파우더 누적을 막아주어 밸브의 성능이 향상된다. 각각의 장치에 필요한 파워 및 N2 등의 유틸리티 설치가 하나로 통합됨으로써 설치비용을 절감시키고, 각각의 장치가 차지하는 면적을 하나로 통합하여 최소화시킬 수 있어 공간활용이 용이하도록 되어 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 배기덕트와 기타 유틸리티 배관에 파우더 적체현상으로 배관의 부식 및 막힘현상이 발생하여 펌프가 다운되는 경우가 발생한 점들을 최대한 방지하기 위해 펌프파워상승시스템을 적용시켜 배관의 온도유지효과, 파우더포집효과, 원활한 가스분리, 배기덕트와 기타 유틸리티 배관의 부식방지 및 예방보전 주기를 연장시켜주고 메인터런스의 편리성과 설비절감 및 생산성의 효과를 얻을 수 있다.
본 발명은 드라이펌프 파워상승시스템에 대한 기술사상을 예시도면에 의거하여 설명했지만, 이는 본 발명의 가장 양호한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명의 특허청구범위를 한정하는 것은 아니다. 본 발명은 이 기술분야의 통상 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 기술사상의 범주를 이탈하지 않는 범위내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.

Claims (7)

  1. 드라이펌프(11)의 배기라인측으로 핫질소트랜스퍼(13)가, 스크러버(20)의 배기라인측으로 핫질소트랜스퍼(13')가 각기 설치되고;
    상기 핫질소트랜스퍼(13)는 4 웨이밸브(14)를 통해 트랩A(19), 트랩B(19') 및 덕트(16)가 각각 설치되고, 상기 핫질소트랜스퍼(13')는 3 웨이밸브(17)를 통해 게이트밸브(18, 18')가 각각 설치되며, 상기 게이트밸브(18, 18')가 트랩A(19)와 트랩B(19')에 상호 연결되며;
    그리고 이들을 제어 및 통제하는 콘트롤러(15)가 설치된 것을 특징으로 하는 드라이펌프 파워상승시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 콘트롤러(15)는 메인챔버(10), 드라이펌프(11), 핫건(12), 핫질소 트랜스퍼(13, 13'), 4 웨이밸브(14), 3 웨이밸브(17), 트랩A(19) 및 트랩B(19')를 제어하는 것을 특징으로 하는 드라이펌프 파워상승시스템
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 콘트롤러(15)에는 메인챔버(10)와 드라이펌프(11)로부터 각 신호가, 핫건(12)으로부터 상호신호가, 핫질소 트랜스퍼(13, 13')로부터 상호신호가, 상기 4 웨이밸브(14), 3 웨이밸브(17), 트랩A(19) 및 트랩B(19')로부터 상호신호가 각기 연결된 것을 특징으로 하는 드라이펌프 파워상승시스템.
  4. 제 1 항에 있어서, 예방보전시 상기 트랩(19, 19')에 연결되어 있는 게이트밸브(18, 18')로 어느 한쪽을 닫고 해당 트랩을 교체한 것을 특징으로 하는 드라이펌프 파워상승시스템.
  5. 입출력드라이버(30)에는 메인챔버(10), 핫건(12), 핫질소 트랜스퍼(13, 13') 및 솔레노이드 밸브(37)를 통한 클린밸브(33)와 프로세스밸브(32)가 각기 연결되고, LCD(31), 런(run) 및 경보부(35), CPU(34)를 통한 타이머(36), 그리고 솔레노이드 밸브(37')가 각각 연결되게 구성되어;
    상기 핫건(12)에는 히터(12a)와 온도센서(12b)가, 핫질소 트랜스퍼(13, 13')에는 히터(13a)와 온도센서(13b)가 각기 이루어지고, 질소가 입력되는 솔레노이드 밸브(37)에는 클린밸브(33)의 밸브와 프로세스밸브(32)의 솔레노이드밸브(37')를 통한 트랩A(19)의 밸브, 트랩B(19')의 밸브가 각기 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 드라이펌프 파워상승시스템.
  6. 제 5 항에 있어서, 프로세스가스에 사용되는 트랩A(19) 또는 트랩B(19')중 하나의 트랩을 상시 구동시키는 중 비상시 질소가 차단되는 경우, 입출력드라이버(30)로부터 신호를 받아 솔레노이드밸브(37, 37')를 통해 트랩A(19) 또는 트랩B(19')중 하나의 트랩과 밸브가 닫히고, 다른 하나의 트랩과 밸브는 열리게 자동 전환된 것을 특징으로 하는 드라이펌프 파워상승시스템.
  7. 제 5 항에 있어서, 예방보전시 질소가 차단될 경우에는 수동으로 게이트밸브(18, 18')로 트랩A(19) 또는 트랩B(19')중 하나의 트랩을 닫고 해당 트랩을 교체한 것을 특징으로 하는 드라이펌프 파워상승시스템.
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