KR20110054675A - 반도체 등의 소자 제조 공정용 배기라인의 수소가스 희석용 질소가스 공급 시스템 - Google Patents

반도체 등의 소자 제조 공정용 배기라인의 수소가스 희석용 질소가스 공급 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 및 LCD, LED 소자의 제조 공정에 사용된 반응가스들이 가스처리장치로 이송되는 과정에서 폭발하는 것이 방지되도록 함과 더불어 이송배관 내부에 응축성 부산물이 발생하는 것을 방지하기 위한 질소가스 공급 시스템을 제공함에 있어서, 폭발성 가스량에 따라 질소가스 및 설정된 온도를 변환 가능하도록 하여 희석용 질소가스의 공급량 및 온도가 적절히 유지될 수 있도록 하는 한편, 진공펌프 또는 N2트랜스퍼의 이상 발생시 반응챔버에 대한 설비 간 연동제어가 이루어질 수 있도록 한 것으로, 본 발명은 반응챔버와; 상기 반응챔버에서 나온 반응가스를 배출하는 진공펌프와; 상기 진공펌프에 연결되는 가스처리장치인 스크러버와; 상기 진공펌프와 스크러버를 연결하는 진공배관 상에 구비되는 N2트랜스퍼와; 상기 N2트랜스퍼로 질소가스를 공급하는 질소가스 공급라인과; 상기 질소가스 공급라인 상에 질소가스 공급량의 단계별 조절이 가능하도록 설치되는 유량조절장치와; 상기 반응챔버로부터의 반응가스 유량 및 온도 정보를 받아 상기 유량조절장치의 가스공급량 및 N2트랜스퍼의 히터 발열량을 제어하는 한편, 진공펌프 및 N2트랜스퍼의 신호를 받아 반응챔버의 가동을 정지시키도록 연동제어하는 핫 디루션 컨트롤러를 포함하여 구성된다.
Figure P1020090111419
반도체, LCD, LED 소자, 제조, 배기라인, 수소가스, 희석, 질소가스, 공급

Description

반도체 등의 소자 제조 공정용 배기라인의 수소가스 희석용 질소가스 공급 시스템{nitrogen gas supplying system for diluting hydrogen gas in process gas exhaust line for semiconductor fabricating process}
본 발명은 반도체· LCD·LED 등의 소자 제조용 배기라인의 폭발성가스 희석용 질소가스 공급 시스템에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 및 LCD, LED 소자의 제조 공정에 사용되어진 가스들이 진공펌프 및 진공배관을 통해 가스처리장치로 이송되는 과정에서 폭발하는 것을 방지하도록 희석함과 더불어 이송배관 내부에 응축성 부산물이 발생하는 것을 방지하기 위한 질소가스 공급 시스템에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 및 LCD, LED 소자의 제조에 사용되어지는 가스들이 챔버에서 반응된 후 진공펌프 및 진공배관을 통해 가스처리장치인 스크러버로 이송되면서 이송배관 내부에는 다량의 고체 및 액체 상태의 응축성 부산물이 발생된다. 따라서, 이것을 해결하기 위해 이송배관 내부를 주기적으로 세정을 해야 한다.
그리고 웨이퍼 등의 생산을 위한 반응챔버에서는 다양한 반응가스가 사용되는데 제조 공정상 폭발성 가스가 많이 사용되고, 이 중에서도 생산 효율 향상을 위 해 수소 가스 사용량이 점차 많아지고 있으며, 이러한 수소 가스의 사용량 증가와 비례해서 폭발 위험성도 증가하므로, 폭발 위험성에 대한 대책이 필요하다.
한편, 기존에는 응축성 부산물의 발생 방지 및 수소 가스의 폭발성을 낮추기 위해 뜨거운 질소가스를 배관으로 주입하여 수소가스를 희석시키는 한편 응축성 부산물 발생을 방지하면서 배출된 가스들이 빠르게 폐기가스처리장치로 이송되도록 하고 있다.
도 1을 참조하면, 종래의 수소가스 희석용 질소가스 공급 시스템은, 반도체소자등의 제조 공정이 진행되는 반응챔버(1)와, 상기 반응챔버(1)에서 나온 반응가스를 배출하는 진공펌프(2)와, 상기 진공펌프(2)에 연결되는 가스처리장치인 스크러버(4)와, 상기 진공펌프(2)와 스크러버(4)를 연결하는 진공배관(5) 상에 구비되는 질소가스 이송기(3)(이하, N2트랜스퍼라 한다)와, 상기 N2트랜스퍼(3)로 질소가스를 공급하는 질소가스 공급라인(6)과, 상기 질소가스 공급라인(6) 상에 질소가스 공급 및 차단을 위해 설치되는 개폐밸브(17)와, 상기 개폐밸브(17)를 통해 N2트랜스퍼(3)로 공급되는 질소가스의 유량을 표시하는 아날로그 방식의 플로우미터(13)와, 상기 진공펌프(2)의 이상 여부를 검출하는 센서로부터 신호를 수신받아 질소가스 공급라인(6) 상의 개폐밸브(17) 제어를 수행하는 마이콤(20)을 구비한다.
한편, 마이콤(20)으로부터 신호를 받아 N2트랜스퍼(3)의 이상 여부를 표시하는 LCD표시부(11)와, 설비의 가동시 이상 여부를 작업자에게 표시하는 알람부(12)가 더 구비된다.
이와 같이 구성된 기존의 수소가스 희석용 질소가스 공급 시스템은 반도체소 자 혹은 LCD, LED 소자 제조 공정 설비의 가동시, 상기 마이콤(20)에서 질소가스 공급을 위해 개폐밸브(17)를 온(ON)시키게 되고, 공정 설비의 가동이 중단되면 질소가스의 공급을 중단시키도록 개폐밸브(17)를 오프(OFF)시키게 된다.
이때, 질소가스는 설정된 하나의 온도 및 유량에 맞추어 N2트랜스퍼(3) 측으로 공급된다.
한편, 진공펌프(2) 혹은 N2트랜스퍼(3)로부터 마이콤(20) 측으로 이상신호가 입력되면 질소가스 공급라인(6) 상의 개폐밸브(17)를 닫아 질소가스의 공급을 차단하게 된다. 즉, 진공펌프(2) 혹은 N2트랜스퍼(3)의 히터에 이상이 생기면 더 이상 질소가스를 공급할 필요가 없으므로 질소가스의 공급이 이루어지지 않도록 개폐밸브(17)를 제어하게 되는 것이다.
그러나, 이와 같은 종래의 반도체, LCD, LED 등의 소자 제조공정용 반응가스 배기라인의 수소가스 희석용 질소가스 공급 시스템은 다음과 같은 문제점을 안고 있다.
먼저, 종래 시스템은 질소가스의 공급에 있어서 온도 및 유량을 설정된 기본 값만으로 제공함에 따라 위험성 가스의 폭발에 대한 방지 효과가 낮으며, 진공배관(5) 내부에 고체 및 액체성 부산물들을 기체상태로 그대로 유지시키면서 배출시키는데에 있어서도 그 효과가 떨어지는 단점이 있었다.
즉, 공급되는 질소량이 고정되어 반응챔버(1)에서 배출되는 수소가스의 양에 따라 공급량이 조절되어야 하나 그 조절이 불가능함에 따라 폭발 위험성 방지 효과가 낮은 것이다.
특히, 반도체소자 등의 제조를 위한 FAB의 구조가 초창기에는 반응챔버(1)와 진공펌프(2), 스크러버(4) 등이 한층에 모두 배치되는 구조였으나, 반응을 위해 사용되는 가스들의 위험성에 대한 인식이 높아진 오늘날에는 FAB의 구조가 달라져 서로 다른 층에 배치됨에 따라, 질소가스 공급량을 자동 제어하면서 질소가스 공급에 있어 이상 발생시 설비 간 연동제어(interlock)가 이루어질 수 있도록 할 필요성이 있다.
예컨대, 최근에는 반응챔버(1)를 3층에 배치하고, 1층에는 진공펌프(2)와 스크러버(4)등을 두는 대신, 3층의 반응챔버(1)와 진공펌프(2)를 배관으로 연결하고 있으며, 이에 따라 질소가스 공급량을 자동 제어하면서 N2트랜스퍼(3)에 이상 발생시 반응챔버(1)에서의 공정을 중단시키도록 설비 간 연동제어(interlock)가 이루어질 필요성이 있는 것이다.
하지만, 종래의 질소가스 공급 시스템에서는 N2트랜스퍼(3)의 이상 발생시에 단순히 질소가스 공급만 차단할 뿐, 반응챔버(1) 등의 설비에 대해 연동제어를 하지 못하므로 효과적인 공정 제어가 수행되지 못하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체 및 LCD, LED 소자의 제조 공정에 사용된 반응가스들이 가스처리장치로 이송되는 과정에서 폭발하는 것이 방지되도록 함과 더불어 이송배관 내부에 응축성 부산물이 발생하는 것을 방지하기 위한 질소가스 공급 시스템을 제공함에 있어서, 폭발성 가스량에 따라 질소가스 및 설정된 온도를 변환 가능하도록 하여 희석용 질소가스의 공급량 및 온도가 적절히 유지될 수 있도록 하는 한편, 진공펌프 또는 N2트랜스퍼의 이상 발생시 반응챔버에 대한 설비 간 연동제어가 이루어질 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 반응챔버와; 상기 반응챔버에서 나온 반응가스를 배출하는 진공펌프와; 상기 진공펌프에 연결되는 가스처리장치인 스크러버와; 상기 진공펌프와 스크러버를 연결하는 진공배관 상에 구비되는 N2트랜스퍼와; 상기 N2트랜스퍼로 질소가스를 공급하는 질소가스 공급라인과; 상기 질소가스 공급라인 상에 질소가스 공급량의 단계별 조절이 가능하도록 설치되는 유량조절장치와; 상기 반응챔버로부터의 반응가스 유량 및 온도 정보를 받아 상기 유량조절장치의 가스공급량 및 N2트랜스퍼의 히터 발열량을 제어하는 한편, 진공펌프 및 N2트랜스퍼의 신호를 받아 반응챔버의 가동을 정지시키도록 연동제어하는 핫 디루션 컨트롤러(HOT DILUTION CONTROLLER)를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체 등의 소자 제조공정용 배기라인의 수소가스 희석용 질소가스 공급 시스템이 제공된다.
한편, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 형태에 따르면, 질소가스 공급신호 입력여부 판단 단계와, 질소가스 공급신호 입력시 입력 신호의 신호값에 따라 질소공급량 및 히터 온도를 각기 다른 단계 값으로 설정하는 단계와, 각 단계별 설정값에 따른 공정 진행 중에 에러 발생시 기본적인 단계의 질소가스 공급유량으로 제어하는 한편 히팅을 중단하는 단계와; 에러 발생시 반응챔버 등의 설비를 연동제어함과 아울러 에러 발생을 알리는 알람 신호를 제공하는 단계;를 포함하여서 됨을 특징으로 하는 반도체 등의 소자 제조공정용 배기라인의 수소가스 희석용 질소가스 공급 제어방법이 제공된다.
본 발명의 효과는 다음과 같다.
본 발명은 반도체 및 LED, LCD공정에 생산 효율을 높이기 위해 사용되는 수소 가스의 폭발 위험성을 낮추기 위해 질소가스를 공급하여 희석을 함에 있어, 질소량을 단계별로 조절하여 위험성을 보다 효과적으로 낮출 수 있다. 즉, 종래 기술은 온도 및 유량의 설정된 기본 값만을 제공하였으나 본 발명에서는 설비의 신호에 따라 온도 및 유량을 여러 단계로 변경 가능하도록 설계되므로 가스 폭발에 대한 방지 효과가 높아진다.
또한, 진공배관 내부에 발생할 수 있는 고체 및 액체성 부산물들을 질소를 가열하여 기체 상태로 유지하도록 하고 배관 후단으로 가스가 이송될 수 있도록 하 여 응축성 부산물의 발생을 낮출 수 있다.
또한, 본 발명은 메인 설비의 신호에 따른 질소 유량 및 온도 제어가 가능하며, 이를 통해 진공펌프의 배기능력을 향상시킬 수 있으며, 정밀한 온도 제어 및 유량 조절의 상한, 하한 연동제어(INTERLOCK)가 가능해진다.
이하, 본 발명의 구체적인 내용에 대해 첨부도면 도 3 내지 도 5를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 수소가스 희석용 질소가스 공급 시스템 구성도이고, 도 4는 본 발명에 따른 질소가스 공급 시스템 제어 과정의 흐름도이며, 도 5는 종래의 FAB 시스템 구성도와 최근의 FAB 시스템 구성도를 비교한 참고도이다.
이들 도면을 참조하면, 반도체, LCD, LED 등의 소자 제조공정용 배기라인의 수소가스 희석용 질소가스 공급 시스템은, 공정이 이루어지는 메인 설비인 반응챔버(1)와; 상기 반응챔버(1)에서 나온 반응가스를 배출하는 진공펌프(2)와; 상기 진공펌프(2)에 연결되는 가스처리장치인 스크러버(4)와; 상기 진공펌프(2)와 스크러버(4)를 연결하는 진공배관(5) 상에 구비되는 N2트랜스퍼(3)와; 상기 N2트랜스퍼(3)로 질소가스를 공급하는 질소가스 공급라인(6)과; 상기 질소가스 공급라인(6) 상에 질소가스 공급량의 단계별 조절이 가능하도록 설치되는 유량조절장치(7)와; 상기 반응챔버(1)로부터의 반응가스 유량 및 온도 정보를 받아 상기 유량조절장치(7)의 가스공급량 및 N2트랜스퍼(3)의 히터(9) 발열량을 제어하는 한편, 진공펌프(2) 및 N2트랜스퍼(3)의 신호를 받아 반응챔버(1)의 가동을 정지시키도록 연동제 어하는 핫 디루션 컨트롤러(10)(HOT DILUTION CONTROLLER)를 포함하여 구성된다.
상기한 구성의 핫 디루션 컨트롤러(10)는 진공펌프(2) 또는 N2트랜스퍼(3)의 신호를 받아 반응챔버(1)의 가동을 정지시킬 수 있을 뿐만 아니라, 유량조절장치(7)를 통한 가스 흐름을 중지시키도록 구성된다.
한편, 상기 핫 디루션 컨트롤러(10)와 질소가스 공급라인(6) 사이에는 유량조절장치(7)를 통과한 질소가스 유량을 표시하는 한편, 표시된 질소가스 유량 정보를 핫 디루션 컨트롤러(10)로 보내어 표시된 질소가스 유량이 핫 디루션 컨트롤러(10)의 제어신호에 따른 설정 유량에 부합되는지를 상기 핫 디루션 컨트롤러(10)에서 비교하여 상기 유량조절장치(7)의 제어 여부를 판단하게 하는 디지털 방식의 유량표시기(8)가 구비된다.
그리고, 상기 유량조절장치(7)는 단계별로 개폐되어 질소가스 유량이 조절되도록 복수개의 유량제어밸브(7a,7b,7c)가 병렬 설치된 구조를 이루게 된다.
그리고, 상기 핫 디루션 컨트롤러(10)에는 기존과 마찬가지로 N2트랜스퍼(3)의 이상 여부를 표시하는 LCD표시부(11)와, 설비의 가동시 이상 여부를 작업자에게 표시하는 알람부(12)가 더 구비된다.
이와 같이 구성된 본 발명의 작용은 다음과 같다.
먼저, 핫 디루션 컨트롤러(10)에 전원이 공급되면, 설비 시그널의 질소가스 공급신호의 입력여부를 판단한 다음, 질소가스 공급 신호의 입력이 없는 오프(OFF) 상태이면 질소가스를 차단하고 히터(9)도 오프(OFF)한다.
반면, 질소가스 공급 신호의 입력이 이루어진 온(ON) 상태이면, 입력 신호의 신호 값에 따라 질소공급량 및 히터(9) 온도를 각기 다른 단계 값으로 설정하게 된다.
즉, 제1신호가 입력되면 제1단계의 질소가스 공급 유량 및 그에 상응하는 온도 설정이 이루어지게 되고, 제2신호가 입력되면 제2단계의 질소가스 공급 유량 및 그에 상응하는 온도 설정이 이루어지게 되고, 제3신호가 입력되면 제3단계의 질소가스 공급 유량 및 그에 상응하는 온도 설정이 이루어지게 된다.
이에 따라 상기 신호에 따른 단계별 유량 및 온도에 맞게 질소가스 공급라인(6) 상에 병렬 설치된 유량제어밸브(7a,7b,7c)중 해당 단계의 유량제어밸브가 열리게 되고, N2트랜스퍼(3)의 히터(9)가 가동되어 N2트랜스퍼(3) 측으로 질소가스가 공급된다.
한편, 상기한 각 단계별 설정값에 따른 소자 제조 공정 진행 도중에 핫 디루션 컨트롤러(10)는 반응챔버(1)로부터 제공되는 반응가스 유량 및 온도 정보에 따라 질소가스 공급량을 제어하게 된다. 즉, 반응가스 유량이 증가할 경우에는 가스공급량을 늘리도록 제어하게 된다.
그리고, 상기한 각 단계별 설정값에 따른 소자 제조 공정 진행 도중에 에러가 발생하게 되면, 핫 디루션 컨트롤러(10)에서는 유량조절장치(7)의 제어를 통해 기본적인 단계의 유량으로만 질소가스가 공급되도록 하는 한편 히터(9)의 제어를 통해 히팅을 중단시키게 된다. 상기 히터(9)를 오프시키는 것은 과열로 인한 문제 발생을 방지하기 위함이다.
한편, 에러 발생시 상기 핫 디루션 컨트롤러(10)는 반응챔버(1) 등의 설비를 연동 제어하게 되며, 이를 알리는 알람 신호를 제공하게 된다.
상기에서 공정 진행 도중에 발생하는 에러로는, 히터(9)의 에러, 온도센서의 에러, 질소가스의 설정값을 벗어난 온도로의 과열로 인한 에러, 질소가스 공급에 있어서의 에러 중 하나를 의미한다.
참고로, 히터 에러 및 온도센서 에러는 히터(9) 또는 온도센서 자체의 작동 여부와 관련된 에러를 말하는 것이고, 과열로 인한 에러는 히터(9) 또는 온도센서 자체는 정상이면서 과열이 일어난 경우를 말하며, 질소가스 공급 에러는 공급되는 질소가스의 각 단계별 유량(LPM; Litter Per Minute)의 상한 및 하한을 벗어난 공급이 이루어지는 경우를 말한다.
이와 같이 작용하는 본 발명에 따르면, 종래 기술은 온도 및 유량의 설정된 기본 값만을 제공하였으나 본 발명에서는 설비의 신호에 따라 온도 및 유량을 2~3단계로 변경 가능하도록 설계되어 있어 위험성 가스에 대한 폭발 방지 작용이 보다 실효성 있게 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명은 상기한 실시예로 한정되지 아니하며, 본 발명의 기술사상의 범주를 벗어나지 않는 한 여러 가지 형태로의 변경 및 수정이 가능하다.
따라서, 본 발명의 권리는 위에서 설명된 실시예들로 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다.
본 발명은 반도체 및 LED, LCD공정에 생산 효율을 높이기 위해 사용되는 수소 가스의 폭발 위험성을 낮추기 위해 질소가스를 공급하여 희석을 함에 있어, 질소가스 공급량을 조절하여 위험성을 효과적으로 낮출 수 있고, 가열된 질소가스 공급을 통해 진공 배관 내부에 발생할 수 있는 고체 및 액체성 부산물들을 기체 상태로 유지하여 배관 후단까지 이송될 수 있도록 하여 진공배관 내부의 응축성 부산물의 발생을 효과적으로 낮출 수 있으므로 산업상 이용가능성이 매우 높은 발명이다.
도 1은 종래 기술의 수소가스 희석용 질소가스 공급 시스템 구성도
도 2는 종래 기술에 따른 질소가스 공급 시스템 제어 과정의 흐름도
도 3은 본 발명의 수소가스 희석용 질소가스 공급 시스템 구성도
도 4는 본 발명에 따른 질소가스 공급 시스템 제어 과정의 흐름도
도 5의 (a),(b)는 종래의 FAB 시스템 구성도와 최근의 FAB 시스템 구성도를 비교한 참고도
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1: 반응챔버 2: 진공펌프
3: N2트랜스퍼 4: 스크러버
5: 진공배관 6: 질소가스 공급라인
7: 유량조절장치 7a,7b,7c: 유량제어밸브
8: 디지털 유량표시기 9: 히터
10: 핫 디루션 컨트롤러(HOT DILUTION CONTROLLER)

Claims (7)

  1. 반응챔버와;
    상기 반응챔버에서 나온 반응가스를 배출하는 진공펌프와;
    상기 진공펌프에 연결되는 가스처리장치인 스크러버와;
    상기 진공펌프와 스크러버를 연결하는 진공배관 상에 구비되는 N2트랜스퍼와;
    상기 N2트랜스퍼로 질소가스를 공급하는 질소가스 공급라인과;
    상기 질소가스 공급라인 상에 질소가스 공급량의 단계별 조절이 가능하도록 설치되는 유량조절장치와;
    상기 반응챔버로부터의 반응가스 유량 및 온도 정보를 받아 상기 유량조절장치의 가스공급량 및 N2트랜스퍼의 히터 발열량을 제어하는 한편, 진공펌프 및 N2트랜스퍼의 신호를 받아 반응챔버의 가동을 정지시키도록 연동제어하는 핫 디루션 컨트롤러(HOT DILUTION CONTROLLER)를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체 등의 소자 제조 공정용 배기라인의 수소가스 희석용 질소가스 공급 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 핫 디루션 컨트롤러는 진공펌프 또는 N2트랜스퍼의 신호를 받아 반응챔버의 가동을 정지시킴과 아울러 유량조절장치를 통한 가스 흐름을 중지시키게 됨을 특징으로 하는 반도체 등의 소자 제조 공정용 배기라인의 수소가스 희석용 질소가 스 공급 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 핫 디루션 컨트롤러와 질소가스 공급라인 사이에는 유량조절장치를 통과한 질소가스 유량을 표시하는 한편, 표시된 질소가스 유량 정보를 핫 디루션 컨트롤러로 보내어 표시된 질소가스 유량이 핫 디루션 컨트롤러의 제어신호에 따른 설정 유량에 부합되는지를 상기 핫 디루션 컨트롤러에서 비교하여 상기 유량조절장치의 제어 여부를 판단하게 하는 디지털 방식의 유량표시기가 더 구비됨을 특징으로 하는 반도체 등의 소자 제조 공정용 배기라인의 수소가스 희석용 질소가스 공급 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 유량조절장치는 단계별로 개폐되어 질소가스 유량이 조절되도록 복수개의 유량제어밸브가 병렬 설치된 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 등의 소자 제조 공정용 배기라인의 수소가스 희석용 질소가스 공급 시스템.
  5. 질소가스 공급신호 입력여부를 판단하는 단계와;
    질소가스 공급신호 입력시, 입력 신호의 신호값에 따라 질소공급량 및 히팅 온도를 각기 다른 단계 값으로 설정하는 단계와;
    설정된 값에 따라 질소공급 및 히팅이 이루어져지는 단계와;
    각 단계별 설정값에 따른 공정 진행 중에 에러 발생시 기본적인 단계의 질소가스 공급유량으로 제어하는 한편 히팅을 중단하는 단계와;
    에러 발생시 반응챔버 등의 설비를 연동제어함과 아울러 에러 발생을 알리는 알람 신호를 제공하는 단계;를 포함하여서 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 등의 소자 제조공정용 배기라인의 수소가스 희석용 질소가스 공급 제어방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 에러는 히터의 에러, 온도 센서의 에러, 질소가스의 설정값을 벗어난 온도로의 과열로 인한 에러, 질소가스 공급량에 있어서의 에러 중 적어도 하나 임을 특징으로 하는 반도체 등의 소자 제조공정용 배기라인의 수소가스 희석용 질소가스 공급 제어방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    질소가스 공급량은 반응가스의 유량 및 온도 정보에 따라 가변 제어됨을 특징으로 하는 반도체 등의 소자 제조공정용 배기라인의 수소가스 희석용 질소가스 공급 제어방법.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160011345A (ko) * 2014-07-22 2016-02-01 (주)제이씨이노텍 질소가스 분사장치
KR20220089718A (ko) * 2020-12-01 2022-06-29 이종성 반도체공정용 배기부 폭발방지장치
KR20220167584A (ko) * 2021-06-14 2022-12-21 김연수 반도체 제조라인의 폐기가스 처리를 위한 열 질소 주입장치
KR102601305B1 (ko) 2022-12-27 2023-11-14 크라이오에이치앤아이(주) 공정가스 제거 장치

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