CN117594475A - 通过快速更换在半导体工程中产生的反应物产物的捕获装置而减少工程停止损失的系统 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 239000000376 reactant Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 188
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000000047 product Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 36
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/02—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography
- B01D53/04—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography with stationary adsorbents
- B01D53/0407—Constructional details of adsorbing systems
- B01D53/0438—Cooling or heating systems
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/02—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography
- B01D53/04—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography with stationary adsorbents
- B01D53/0407—Constructional details of adsorbing systems
- B01D53/0446—Means for feeding or distributing gases
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/02—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography
- B01D53/04—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography with stationary adsorbents
- B01D53/0454—Controlling adsorption
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/20—Halogens or halogen compounds
- B01D2257/204—Inorganic halogen compounds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/40—Nitrogen compounds
- B01D2257/406—Ammonia
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/55—Compounds of silicon, phosphorus, germanium or arsenic
- B01D2257/553—Compounds comprising hydrogen, e.g. silanes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/60—Heavy metals or heavy metal compounds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2258/00—Sources of waste gases
- B01D2258/02—Other waste gases
- B01D2258/0216—Other waste gases from CVD treatment or semi-conductor manufacturing
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种通过快速更换在半导体工程中产生的反应物产物的捕获装置而减少工程停止损失的系统，尤其涉及一种在因为反应副产物在用于对从半导体工程的制程腔体排出的排出气体中所包含的反应副产物进行捕获的捕获装置长时间执行捕获运行的过程中发生堆积而造成如空间堵塞等现象并因此导致捕获装置的压力以及制程腔体的压力上升时，在不停止半导体制造用制程腔体设备的运行的情况下以空运转状态接收惰性气体的供应并通过旁通管道向真空泵一侧连续供应，从而可以在仅对停止排出气体供应的捕获装置进行快速更换之后重新接收排出气体的减少工程停止损失的系统。
Description
技术领域
本发明涉及一种通过快速更换在半导体工程中产生的反应物产物的捕获装置而减少工程停止损失的系统，尤其涉及一种在因为反应副产物在用于对从半导体工程的制程腔体排出的排出气体中所包含的反应副产物进行捕获的捕获装置中发生堆积而造成如空间堵塞等现象并因此导致捕获装置的压力以及制程腔体的压力上升时，可以不导致如捕获装置的更换准备和更换以及维护保养时间等因为工程停止而导致的损失，即可以在不停止半导体制造用制程腔体的运行的情况下快速地对捕获装置进行更换，从而可以继续执行半导体生产的减少工程停止损失的系统。
背景技术
通常，半导体制造工程大体上包括前工程(制造(Fabrication)工程)以及后工程(装配(Assembly)工程)。
前工程是指通过在各种制程腔体(Chamber)的内部重复执行在晶圆(Wafer)上沉积形成薄膜并对沉积形成的薄膜进行选择性蚀刻的过程而加工出特定图案的半导体芯片(Chip)制造工程。
此外，后工程是指通过对在所述前工程中在晶圆上制造出的芯片进行单独切割分离之后与引线框架进行结合而组装出成品的封装(package)工程。
所述前工程是指在晶圆上沉积薄膜或对沉积在晶圆上的薄膜进行蚀刻的工程，为此，根据所需要的半导体制造工程，通过向制程腔体内注入从包括如TiCl4(四氯化钛)、NH3(氨)、SiH4(单硅烷)、SiCl2H2(二氯硅烷)、WF6(六氟化钨)以及Hf(铪)等的各种工程气体中选择的气体，并在高温下执行半导体制造工程。此时，在制程腔体内部将产生大量的含有在反应过程中生成的各种易燃气体、腐蚀性异物以及有毒成分的有害气体等。
为了可以在对如上所述的有害气体进行净化之后排出，在半导体制造装置中配备有用于将连续运行的制程腔体转换成真空状态的真空泵，以及用于在真空泵的后端对从制程腔体排出的排出气体进行净化之后再排出到大气中的洗涤器(Scrubber)。
但是，因为洗涤器只会对气体状态的反应副产物进行净化处理，因此在反应副产物排出到制程腔体的外部之后发生固化时，会导致如因为固定附着在排气管道中而导致排气压力上升、因为流入到真空泵而诱发泵的故障以及因为有害气体逆流到制程腔体而对晶圆造成污染等多种问题。
因此，在半导体制造装置的制程腔体与真空泵之间，通常来讲会安装有用于对从所述制程腔体排出的排出气体中的反应副产物进行捕获的反应副产物捕获装置。
如果捕获装置无法有效地对流入到制程腔体中的排出气体进行处理，则会因为其流入到真空泵以及洗涤器中而诱发泵的故障、因为有害气体逆流到制程腔体而对以高品质化以及高效率化进行生产的晶圆造成污染的问题，因此捕获装置在半导体生产工程中属于非常重要的装置。
因此，当正在运行的捕获装置在长时间捕获运行的过程中发生反应副产物的堆积以及如空间堵塞等并因此导致捕获装置压力以及制程腔体的压力上升时将无法继续执行半导体生产工程，因此需要由对制程腔体设备进行控制的控制部停止向制程腔体供应工程气体并对捕获装置进行更换。
因为在通过对制程腔体设备进行控制的控制部停止制程腔体的运行时内部的半导体的不良率会升高，因此需要对其进行移除之后再对捕获装置进行更换或清洁工程。
如上所述的移除晶圆的原因在于，为了对捕获装置进行更换或清洁，需要在停止制程腔体以及真空泵的运行的状态下移除捕获装置与前端的制程腔体以及后端的真空泵连接的排气管道(或真空管道)之后进行拆除，因此如果有正在执行半导体制造工程的晶圆，则会因为其受到污染而需要进行废弃。
接下来在对捕获装置进行更换的情况下，执行重新与前端的制程腔体以及后端的真空泵连接的再安装工程。
此外，为了进行清洁而移除的捕获装置需要在分离安装在内部的内部捕获塔之后对捕获或固定附着在内部捕获塔以及捕获装置外壳内部的反应副产物进行彻底清洁，然后执行将经过清洁的捕获装置重新与前端的制程腔体以及后端的真空泵连接的再安装工程。
此时，如果在讲捕获装置与制程腔体以及真空泵连接之后立即运行制程腔体，则真空条件或异物的残留与否或各种条件可能并不符合最佳的半导体生产条件，因此需要在执行各种检查过程之后再开始捕获工程。
在如上所述的停止制程腔体设备的运行并对捕获装置进行更换或洗涤之后重新调节至最佳的环境条件并重新运行的过程中所需要的时间通常会达到48小时左右。
如上所述的工程中断会导致生产工程中的大量时间的浪费，从而最终导致半导体的生产成本上升的结构性问题。
因此，目前已经公开了一种为了在不停止制程腔体设备的运行的情况下连续地执行半导体的生产而配备双重捕获装置系统，从而可以在一个捕获装置无法正常执行捕获工程时运行其他捕获装置并对停止运行的捕获装置进行更换或清洁的可连续运行的系统。
但是为了配备如上所述的双重捕获装置系统，需要两倍的设备以及安装空间，因此仍然难以降低半导体生产成本。
先行技术文献
专利文献
(专利文献1)韩国注册专利公报注册编号10-0544320(2006.01.11.)
(专利文献2)韩国注册专利公报注册编号10-0647725(2006.11.13.)
(专利文献3)韩国注册专利公报注册编号10-0930320(2009.11.30.)
(专利文献4)韩国公开专利公报公开编号第10-2022-008116号(2022.06.15)
发明内容
要解决的技术问题
本发明旨在解决如上所述的现有问题，其目的在于提供一种在因为反应副产物在用于对从半导体工程的制程腔体排出的排出气体中所包含的反应副产物进行捕获的捕获装置长时间执行捕获运行的过程中发生堆积而造成如空间堵塞等现象并因此导致捕获装置的压力以及制程腔体的压力上升时，在不停止(Shut down)半导体制造用制程腔体设备的运行的情况下以空运转(idle)状态接收惰性气体的供应并通过旁通管道向真空泵一侧连续供应，从而可以在仅对停止排出气体供应的捕获装置进行快速更换之后再接收排出气体的供应的减少工程停止损失的系统。
本发明的另一目的在于提供一种通过配备可以对反应副产物捕获装置进行快速更换的构成，从而在不停止(Shut down)用于制造半导体的制程腔体设备的运行的情况下以维持制程腔体内的半导体晶圆制造工程环境的空运转(idle)状态对惰性气体以及排出气体的供应流路进行控制，从而在快速地执行捕获装置的更换过程之后不执行半导体生产重新运行所需要的环境条件的重新设定和验证以及对与捕获装置连接的制程腔体与真空泵之间的连接管道进行移除和重新安装的工程，而是可以立即将工程气体重新投入到制程腔体的内部并借此继续执行半导体制造，从而可以在捕获装置中对所排出的排出气体中的反应副产物进行捕获的减少工程停止损失的系统。
解决问题的手段
为了达成如上所述的目的并解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种通过快速更换在半导体工程中产生的反应物产物的捕获装置而减少工程停止损失的系统，其特征在于：作为包含用于对从半导体工程的制程腔体排出的排出气体中的反应副产物进行捕获的捕获装置的减少工程停止损失的系统，包括：
方向转换阀，用于转换排出气体或惰性气体的流路；
捕获装置，配备有通过方向转换阀的流路转换接收排出气体并对反应副产物进行捕获的内部捕获装置；
旁通管道，通过方向转换阀的流路转换接收惰性气体并供应至排气管道；
加热闸阀，通过开闭动作从捕获装置接收排出气体或惰性气体中的某一个并供应至与后端的真空泵连接的排气管道或停止供应；以及，
捕获系统控制部，对所述方向转换阀的流路方向设定以及加热闸阀的开闭进行控制。
作为较佳的实施例，其特征在于：所述方向转换阀通过捕获系统控制部自动转换流路，从而将所供应过来的排出气体供应至捕获装置或将所供应过来的惰性气体供应至捕获装置或旁通管道。
作为较佳的实施例，其特征在于：所述捕获装置在更换之后根据方向转换阀的流路转换从制程腔体接收惰性气体的供应之后在接收排出气体的供应并对反应副产物进行捕获。
作为较佳的实施例，其特征在于：所述旁通管道与加热闸阀下部排气管道连接。
作为较佳的实施例，其特征在于：所述加热闸阀在平时通过提升温度而防止在阀上形成副产物并借此确保系统正常工作。
作为较佳的实施例，其特征在于：所述捕获系统控制部在平时通过控制方向转换阀以及加热闸阀而使得捕获装置与流路连通，而且在制程腔体设备控制部检测到捕获装置或制程腔体的压力变动之后利用惰性气体替代工程气体供应至制程腔体内时，与制程腔体设备控制部的信号联动的捕获系统控制部将方向转换阀的流路从捕获装置转换至旁通管道，并通过阻断加热闸阀的流路而使得惰性气体通过旁通管道供应至加热闸阀下部排气管道，从而对捕获装置进行更换。
作为较佳的实施例，其特征在于：所述捕获系统控制部在完成捕获装置的更换之后通过将原来被阻断的加热闸阀与捕获装置连接而使得流路流动开放，并通过将方向转换阀的流路从旁通管道转换至捕获装置一侧而将从制程腔体排出的惰性气体通过捕获装置排出至后端的真空泵一侧，接下来重新开始利用制程腔体生产半导体的工程，从而在捕获装置接收排出气体并对反应副产物进行捕获之后排出剩余的排出气体时使其排出至后端的真空泵一侧。
作为较佳的实施例，其特征在于：通过快速更换在半导体工程中产生的反应物产物的捕获装置而减少工程停止损失的系统，可以在不停止制程腔体设备的运行的情况下以维持正在制造的制程腔体内部的半导体晶圆制造工程环境的空运转(idle)状态对捕获装置进行更换。
发明效果
如上所述特征的通过快速更换在半导体工程中产生的反应物产物的捕获装置而减少工程停止损失的系统，在因为反应副产物在用于对从半导体工程的制程腔体排出的排出气体中所包含的反应副产物进行捕获的捕获装置长时间执行捕获运行的过程中发生堆积而造成如空间堵塞等现象并因此导致捕获装置的压力以及制程腔体的压力上升时，在不停止(Shut down)半导体制造用制程腔体设备的运行的情况下以空运转(idle)状态接收惰性气体的供应并通过旁通管道向真空泵一侧连续供应，从而可以在仅对停止排出气体供应的捕获装置进行快速更换之后再将工程气体重新供应至制程腔体，并在有排出气体排出时对反应副产物进行捕获。
此外，根据本发明的通过快速更换在半导体工程中产生的反应物产物的捕获装置而减少工程停止损失的系统，通过配备可以对反应副产物捕获装置进行快速更换的构成，从而在不停止(Shut down)用于制造半导体的制程腔体设备的运行的情况下以维持正在制造的制程腔体内的半导体晶圆制造工程环境空运转(idle)状态对惰性气体以及排出气体的供应流路进行控制，从而在快速地执行捕获装置的更换过程之后不执行半导体生产重新运行所需要的环境条件的重新设定和验证以及对与捕获装置连接的制程腔体与真空泵之间的连接管道进行移除和重新安装的工程，而是可以立即将工程气体重新投入到制程腔体的内部并借此继续执行半导体制造，从而可以在捕获装置中对所排出的排出气体中的反应副产物进行捕获。
此外，本发明可以在不停止(Shut down)制程腔体设备的运行的情况下在三个小时左右的短时间内重新开始半导体的生产，从而通过减少半导体工程的停止损失时间而提升工程运行时间并借此提升生产性。
本发明是具有如上所述的效果的有用的发明，具有良好的产业应用前景。
附图说明
图1是根据本发明之一实施例的减少工程停止损失的系统的整体构成图。
图2是对构成根据本发明之一实施例的减少工程停止损失的系统的方向转换阀、捕获装置、旁通管道以及加热闸阀的构成进行图示的斜视图。
图3是对构成根据本发明之一实施例的减少工程停止损失的系统的方向转换阀、捕获装置、旁通管道以及加热闸阀的构成进行图示的正面图。
图4是对构成根据本发明之一实施例的减少工程停止损失的系统的方向转换阀、捕获装置、旁通管道以及加热闸阀的构成进行图示的侧面图。
图5是对利用根据本发明之一实施例的减少工程停止损失的系统的捕获方法进行图示的顺序图。
(附图标记说明)
1：方向转换阀 2：捕获装置
3：旁通管道 4：加热闸阀
5：捕获系统控制部 6：制程腔体
7：制程腔体设备控制部 8：真空泵
9：洗涤器 10：工程气体
11：惰性气体 12：排出气体
21：排气管道
具体实施方式
接下来，将结合附图对本发明的实施例的构成及其作用进行详细的说明如下。此外，在对本发明进行说明的过程中，当判定对相关的公知功能或构成的具体说明可能会导致本发明的要旨变得不清晰时，将省略与其相关的详细说明。
图1是根据本发明之一实施例的减少工程停止损失的系统的整体构成图，图2是对构成根据本发明之一实施例的减少工程停止损失的系统的方向转换阀、捕获装置、旁通管道以及加热闸阀的构成进行图示的斜视图，图3是对构成根据本发明之一实施例的减少工程停止损失的系统的方向转换阀、捕获装置、旁通管道以及加热闸阀的构成进行图示的正面图，图4是对构成根据本发明之一实施例的减少工程停止损失的系统的方向转换阀、捕获装置、旁通管道以及加热闸阀的构成进行图示的侧面图。
参阅附图，根据本发明的通过快速更换在半导体工程中产生的反应物产物的捕获装置而减少工程停止损失的系统，包括：方向转换阀1，用于转换排出气体12或惰性气体11的流路；捕获装置2，配备有通过方向转换阀的流路转换接收排出气体12并对反应副产物进行捕获的内部捕获装置；旁通管道3，通过方向转换阀的流路转换接收惰性气体并供应至加热闸阀下部排气管道；加热闸阀4，通过开闭动作从捕获装置接收排出气体12或惰性气体中的某一个并供应至与后端的真空泵连接的排气管道或停止供应；以及，捕获系统控制部5，对所述方向转换阀的流路方向设定以及加热闸阀的开闭进行控制。
所述排气管道12可以根据在制程腔体中制造的半导体包含多种工程气体成分。例如可以包含如TiCl4、NH3、SiH4、SiCl2H2、WF6以及Hf等。但是，本发明的排出气体12的成分并不限定于所例示的气体。
在本发明中使用的惰性气体是为了进行清洁或换气而使用的气体，使用不会轻易地与其他物质发生化学反应的气体。例如可以使用如N2以及Ar等。但是，本发明的惰性气体并不限定于所例示的气体。
方向转换阀1通过排气管道以及旁通管道与用于半导体制造的制程腔体6连接，可以由捕获系统控制部5自动转换流路，从而将通过检测到捕获装置的压力变动的制程腔体设备控制部7选择性地供应的排出气体12或惰性气体11供应至捕获装置或旁通管道中的某一个。即，将从制程腔体6供应过来的排出气体供应至捕获装置2，或者将从制程腔体6供应过来的惰性气体供应至捕获装置2或旁通管道3。
在方向转换阀1中配备有可以在由3个流路构成的阀的内部自动转换至供应一侧流路的方向并借此在封闭排出口一侧的一个流路的同时开放另一个流路的结构，由可以将通过排气管道供应的气体供应至所选择的方向的流路中的3向阀构成。此时，流路转换功能由自动转换而非手动控制的自动阀实现。为此，可以以电机方式或气缸方式构成，从而在捕获控制部的控制下驱动电机或气缸工作并借此快速地完成流路变更。
之所以采用自动方式，是因为制程腔体设备控制部7需要在捕获装置发生压力变动的同时快速地完成流路变更才可以有效地防止正在制程腔体内制造的半导体晶圆因为异物流入而受到污染的问题以及设定为最佳状态的半导体生产工程条件发生变动的问题，但是在需要时也可以采用手动控制方式。
即，通过方向转换阀1与捕获装置2连接的制程腔体6是一种通过反复执行利用所流入的反应气体在晶圆(Wafer)上沉积薄膜并对所沉积的薄膜进行选择性蚀刻的工程而加工出特定的图案并借此制造出半导体芯片(Chip)的装置，为了使得制程腔体6可以稳定地执行工程，制程腔体设备控制部7将对捕获装置的压力或制程腔体的压力进行检测并将排出气体12或惰性气体供应至制程腔体6。
之所以利用制程腔体设备控制部7对捕获装置2内部的压力变动进行检测，是因为当在长时间执行捕获运行的过程中反应副产物发生堆积而造成如空间堵塞等现象并因此导致无法顺利地完成排出气体12的排出以及捕获时，会因为捕获装置2无法正常完成捕获动作而形成负载且内部压力将增加，同时通过排气管道21预期连接的制程腔体的压力也将上升，从而对最佳的半导体生产条件造成影响，进而可能会因为有害气体逆流至制程腔体而导致正在以高品质化以及高效率化工程进行生产的晶圆受到污染的问题。
为了利用所述制程腔体设备控制部7对压力变动进行检测，可以通过将未图示的压力检测传感器安装在排气管道、制程腔体以及捕获装置中的某一处以上而进行检测。
捕获装置2安装在方向转换阀1的后端，其流路在平时与方向转换阀1连接，从而在接收从制程腔体6排出的排出气体12并对反应副产物进行捕获之后仅将剩余的排出气体12排出至与后端的排气管道21连接的真空泵一侧。接下来，在洗涤器中对排出气体12进行净化之后通过排气管道21进行排出。
此外，在对捕获装置2进行更换时，将封闭与方向转换阀1连接的流路并借此阻断排出气体12的供应。
此外，在完成捕获装置2的更换之后通过重新开放后端的加热闸阀4而使其流路与真空泵的排气管道21连通，而且通过前端的方向转换阀1的流路转换对流路进行连接而在接收到排出气体12的供应之前接收从制程腔体6排出的惰性气体并排出至后端的真空泵一侧，接下来在制程腔体6重新开始生产半导体的工程时接收所排出的排出气体12并对反应副产物进行捕获。
在本发明中所使用的的捕获装置的结构以及形状并不受到特殊的限定，可以安装连接各种不同的捕获装置。
例如，通过在构成捕获装置的外壳内部配备某一种包括由多种捕获板的组合构成的结构中的某一种的内部捕获塔而可以对排出气体12中所包含的反应副产物进行捕获即可，同时还可以使用或不使用通过维持排出气体的温度而起到防止捕获装置(Trap)引入部发生堵塞以及设定用于捕获反应副产物的适当温度的加热器。此外，还可以在外壳或内部捕获装置中选择性地配备可以对内部温度进行调节的冷却组件。
旁通管道3在捕获装置正常进行捕获时维持通过方向转换阀阻断流路的状态，而且在制程腔体设备控制部7检测到捕获装置或制程腔体的压力变动之后利用惰性气体替代工程气体将惰性气体供应至制程腔体的同时由与制程腔体设备控制部7电性连接的捕获系统控制部5转换方向转换阀1的流路，从而通过与位于捕获装置后端的加热闸阀4下部的排气管道21连通的管道使得惰性气体通过排气管道21向真空泵一侧流动。
通过旁通管道3供应的惰性气体可以在捕获装置的更换期间内向真空泵以及洗涤器一侧流动，从而维持真空泵以及洗涤器的运行。
本发明在通过旁通管道3供应惰性气体的期间内，即在更换捕获装置的期间内借助于制程腔体设备控制部7从惰性气体储藏罐(未图示)将惰性气体供应至制程腔体的内部，从而不需要移除正在制造的半导体，而是可以在完成捕获装置的更换之前将工程维持在暂时中断(空运转)的状态。即，因为所有工程条件并没有发生变更，因此只要重新供应工程气体就可以继续执行半导体制造工程。因为通常来讲捕获装置(Trap)的更换时间是在3小时以内，因此通过适用本发明的系统，只需要3小时左右的空运转时间。
所述旁通管道3可以利用金属材质管道构成并进行固定，或者利用柔性管道构成并自由配置。
加热闸阀4是一种在制程腔体设备控制部7检测到捕获装置或制程腔体的压力变动之后利用惰性气体替代工程气体将惰性气体供应至支撑腔体时通过捕获系统控制部5阻断与捕获装置连接的流路流动的构成。
此外，加热闸阀4可以在完成捕获装置的更换之后开放原来处于关闭状态的阀，并在借助于捕获系统控制部5将与方向转换阀1连接的旁通管道3的流路转换至捕获装置一侧的同时开放原来处于关闭状态的捕获装置一侧的流路并借此与捕获装置连接，从而接收从制程腔体6排出的惰性气体并排出至后端真空泵一侧，接下来在制程腔体6重新开始生产半导体的工程而由捕获装置接收排出气体12并对反应副产物进行捕获之后排出剩余的排出气体12时，将其供应至后端的与真空泵以及洗涤器一侧连接的排气管道21。
此外，所述加热闸阀4可以在除如上所述的捕获装置更换过程之外的平时通过提升温度而防止在阀上形成副产物，从而确保系统正常工作。即，通过与捕获装置连通开放，在经过捕获装置的过程中对反应副产物进行捕获之后的排出气体12通过捕获装置排出口排出时，通过对其进行再加热而防止温度得到提升的排出气体12被附着固定在排气管道21以及阀的内部，并通过后端的真空泵供应至洗涤器中。
捕获系统控制部5在平时通过控制方向转换阀1以及加热闸阀4而使其与捕获装置的流路连通，并在制程腔体设备控制部7检测到捕获装置或制程腔体的压力变动之后利用惰性气体替代工程气体将惰性气体供应至制程腔体时，与制程腔体设备控制部的信号连动的捕获系统控制部将方向转换阀1的流路从捕获装置转换至旁通管道并阻断加热闸阀4的流路，从而使得惰性气体通过旁通管道3供应至加热闸阀下部排气管道21。
通过如上所述的对捕获系统控制部5的流路控制，可以快速地对捕获装置2进行更换。
此外，捕获系统控制部5在完成捕获装置的更换之后将方向转换阀1的流路从旁通管道转换至捕获装置一侧，同时开放原来被阻断的加热闸阀4，从而使其流路流动与捕获装置连接。
借此，在方向转换阀1以及加热闸阀4与捕获装置2连通时，将从制程腔体6排出的惰性气体通过捕获装置2排出至后端的真空泵一侧，接下来在制程腔体6重新开始生产半导体的工程时，捕获装置在接收排出气体12并对反应副产物进行捕获之后将剩余的排出气体12供应至后端的与真空泵以及洗涤器一侧连接的排气管道21。
图5是对利用根据本发明之一实施例的减少工程停止损失的系统的捕获方法进行图示的顺序图，将在配备如上所述的如图1至图4所示的减少工程停止损失的系统之后执行下述步骤：
(A)在制程腔体中执行半导体制造工程的步骤；
(B)检测制程腔体压力的步骤；
(C)在将半导体制造工程转换至空运转状态之后将惰性气体供应至制程腔体的步骤；
(D)捕获控制部通过转换方向转换阀以及阻断加热闸阀而将惰性气体供应至旁通管道的步骤；
(E)捕获装置更换步骤；
(F)捕获控制部通过转换方向转换阀以及开放加热闸阀而将惰性气体供应至捕获装置的步骤；
(G)通过将工程气体投入到制程腔体而执行半导体制造工程的步骤；以及，
(H)捕获装置继续对从制程腔体排出的排出气体中的反应副产物进行捕获的步骤。
通过如上所述的步骤，本发明可以在因为反应副产物在用于对从半导体工程的制程腔体排出的排出气体中所包含的反应副产物进行捕获的捕获装置中发生堆积而造成如空间堵塞等现象并因此导致捕获装置的压力以及制程腔体的压力上升时，可以不导致如捕获装置的更换准备和更换以及维护保养时间等因为工程停止而导致的损失，即可以在不停止半导体制造用制程腔体的运行的情况下快速地对捕获装置进行更换，从而可以继续执行半导体生产。
本发明并不限定于如上所述的特定较佳实施例，在不脱离权利要求书中所要求的本发明之要旨的范围内，具有本发明所属技术领域之一般知识的人员可以进行各种变形实施，且所述变更包含在权利要求书中所记载的范围之内。
Claims (8)
1.一种通过快速更换在半导体工程中产生的反应物产物的捕获装置而减少工程停止损失的系统，其特征在于：
作为包含用于对从半导体工程的制程腔体排出的排出气体中的反应副产物进行捕获的捕获装置的减少工程停止损失的系统，包括：
方向转换阀(1)，用于转换排出气体或惰性气体的流路；
捕获装置(2)，配备有通过方向转换阀的流路转换接收排出气体并对反应副产物进行捕获的内部捕获装置；
旁通管道(3)，通过方向转换阀的流路转换接收惰性气体并供应至排气管道；
加热闸阀(4)，通过开闭动作从捕获装置接收排出气体或惰性气体中的某一个并供应至与后端的真空泵连接的排气管道或停止供应；以及，
捕获系统控制部(5)，对所述方向转换阀的流路方向设定以及加热闸阀的开闭进行控制。
2.根据权利要求1所述的通过快速更换在半导体工程中产生的反应物产物的捕获装置而减少工程停止损失的系统，其特征在于：
所述方向转换阀(1)通过捕获系统控制部(5)自动转换流路，从而将所供应过来的排出气体供应至捕获装置(2)或将所供应过来的惰性气体供应至捕获装置(2)或旁通管道(3)。
3.根据权利要求1所述的通过快速更换在半导体工程中产生的反应物产物的捕获装置而减少工程停止损失的系统，其特征在于：
所述捕获装置(2)在更换之后根据方向转换阀的流路转换从制程腔体(6)接收惰性气体的供应之后在接收排出气体的供应并对反应副产物进行捕获。
4.根据权利要求1所述的通过快速更换在半导体工程中产生的反应物产物的捕获装置而减少工程停止损失的系统，其特征在于：
所述旁通管道(3)与加热闸阀下部排气管道连接。
5.根据权利要求1所述的通过快速更换在半导体工程中产生的反应物产物的捕获装置而减少工程停止损失的系统，其特征在于：
所述加热闸阀(4)在平时通过提升温度而防止在阀上形成副产物并借此确保系统正常工作。
6.根据权利要求1所述的通过快速更换在半导体工程中产生的反应物产物的捕获装置而减少工程停止损失的系统，其特征在于：
所述捕获系统控制部(5)在平时通过控制方向转换阀(1)以及加热闸阀(4)而使其与捕获装置的流路连通，并在制程腔体设备控制部(7)检测到捕获装置或制程腔体的压力变动之后利用惰性气体替代工程气体将惰性气体供应至制程腔体时，与制程腔体设备控制部的信号连动的捕获系统控制部将方向转换阀(1)的流路从捕获装置转换至旁通管道(3)并阻断加热闸阀(4)的流路，从而使得惰性气体通过旁通管道(3)供应至加热闸阀下部排气管道(21)并借此对捕获装置进行更换。
7.根据权利要求1所述的通过快速更换在半导体工程中产生的反应物产物的捕获装置而减少工程停止损失的系统，其特征在于：
所述捕获系统控制部(5)在完成捕获装置的更换之后通过将原来被阻断的加热闸阀与捕获装置连接而使得流路流动开放，并通过将方向转换阀的流路从旁通管道转换至捕获装置一侧而将从制程腔体(6)排出的惰性气体通过捕获装置(2)排出至后端的真空泵一侧，接下来重新开始利用制程腔体(6)生产半导体的工程，从而在捕获装置接收排出气体并对反应副产物进行捕获之后排出剩余的排出气体时使其排出至后端的真空泵一侧。
8.根据权利要求1所述的通过快速更换在半导体工程中产生的反应物产物的捕获装置而减少工程停止损失的系统，其特征在于：
所述通过快速更换在半导体工程中产生的反应物产物的捕获装置而减少工程停止损失的系统，可在不停止制程腔体设备的运行的情况下以维持正在制造的制程腔体内部的半导体晶圆制造工程环境的空运转(idle)状态对捕获装置进行更换。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2022-0103093 | 2022-08-18 | ||
| KR1020220103093A KR102490651B1 (ko) | 2022-08-18 | 2022-08-18 | 반도체 공정 시 발생하는 반응부산물 포집 장치의 신속 교체를 통한 공정 정지 로스 감축 시스템 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117594475A true CN117594475A (zh) | 2024-02-23 |
Family
ID=85108379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310269192.5A Pending CN117594475A (zh) | 2022-08-18 | 2023-03-17 | 通过快速更换在半导体工程中产生的反应物产物的捕获装置而减少工程停止损失的系统 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240063031A1 (zh) |
| JP (1) | JP7479087B2 (zh) |
| KR (1) | KR102490651B1 (zh) |
| CN (1) | CN117594475A (zh) |
| TW (1) | TWI822624B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102634912B1 (ko) | 2023-08-04 | 2024-02-08 | 주식회사 엠엠티 | 반도체 공정시 발생하는 부산물 포집장치 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3539446B2 (ja) * | 1994-12-16 | 2004-07-07 | 株式会社荏原製作所 | 副生成物トラップ装置及びその洗浄方法 |
| JPH10284474A (ja) * | 1997-04-02 | 1998-10-23 | Sony Corp | 半導体製造装置 |
| US6770145B2 (en) | 2000-12-11 | 2004-08-03 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Low-pressure CVD apparatus and method of manufacturing a thin film |
| CN1788106B (zh) * | 2003-05-13 | 2011-06-08 | 东京毅力科创株式会社 | 使用原料气体和反应性气体的处理装置 |
| JP2007522649A (ja) | 2003-12-23 | 2007-08-09 | ジョン シー． シューマカー、 | 半導体反応器用の排気調整システム |
| KR100544320B1 (ko) | 2004-06-02 | 2006-01-23 | 나명수 | 반도체 부산물 처리장치 및 그 처리방법 |
| KR100647725B1 (ko) | 2006-05-09 | 2006-11-23 | 주식회사 미래보 | 반도체 장치의 부산물 포집장치 |
| KR100930320B1 (ko) | 2007-11-27 | 2009-12-08 | 주식회사 미래보 | 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치 |
| KR20100011823A (ko) * | 2008-07-25 | 2010-02-03 | 주식회사 아이피에스 | 반도체 제조 장치 및 이 장치의 배기 가스 처리방법 |
| KR101229324B1 (ko) * | 2010-02-25 | 2013-02-05 | 주식회사 라온테크 | 게이트 밸브 |
| JP6007715B2 (ja) | 2012-03-29 | 2016-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | トラップ機構、排気系及び成膜装置 |
| US9314824B2 (en) * | 2013-11-08 | 2016-04-19 | Mks Instruments, Inc. | Powder and deposition control in throttle valves |
| JP2017510453A (ja) | 2014-03-06 | 2017-04-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | プラズマ・フォアライン・サーマル・リアクタ・システム |
| KR101894744B1 (ko) * | 2016-11-21 | 2018-09-05 | (주)티티에스 | 트랩 장치 |
| DE102018128739A1 (de) * | 2018-11-15 | 2020-05-20 | Dürr Systems Ag | Abgasreinigungsanlage sowie Verfahren und Datenverarbeitungssystem zur Überwachung zumindest einer Abgasreinigungsanlage |
| JP2020138191A (ja) | 2019-02-27 | 2020-09-03 | 潘彦儒 | 湿式スクラバー |
| KR20200120135A (ko) * | 2019-04-11 | 2020-10-21 | (주) 엔피홀딩스 | 기판 처리 시스템 |
| KR20220008116A (ko) | 2020-07-13 | 2022-01-20 | 삼성전기주식회사 | 카메라 조리개의 제어회로 및 구동 장치 |
-
2022
- 2022-08-18 KR KR1020220103093A patent/KR102490651B1/ko active IP Right Grant
-
2023
- 2023-03-15 JP JP2023041038A patent/JP7479087B2/ja active Active
- 2023-03-17 CN CN202310269192.5A patent/CN117594475A/zh active Pending
- 2023-04-05 US US18/296,204 patent/US20240063031A1/en active Pending
- 2023-04-10 TW TW112113357A patent/TWI822624B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2024028096A (ja) | 2024-03-01 |
| TWI822624B (zh) | 2023-11-11 |
| JP7479087B2 (ja) | 2024-05-08 |
| TW202410246A (zh) | 2024-03-01 |
| US20240063031A1 (en) | 2024-02-22 |
| KR102490651B1 (ko) | 2023-01-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |