JP3827869B2

JP3827869B2 - 半導体製造装置およびそのクリーニング方法

Info

Publication number: JP3827869B2
Application number: JP34404698A
Authority: JP
Inventors: 勝野末; 健二田中; 嘉彦草壁
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1998-12-03
Filing date: 1998-12-03
Publication date: 2006-09-27
Anticipated expiration: 2018-12-03
Also published as: JP2000167383A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体製造装置およびそのクリーニング方法に関し、特に有機系材料ガスを用いた酸化膜形成装置およびそのクリーニング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置を製造するために用いられる半導体製造装置の一つにＣＶＤ装置がある。このＣＶＤ装置は例えば、有機系材料ガスであるＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）ガス等を用いたシリコン酸化膜の形成などに用いるものである。シリコン酸化膜の形成時には、ＣＶＤ装置内に余剰生成物が発生し、装置内壁、配管、治具、部品等に付着することによって、パーティクルが発生したり、配管のつまりを生じさせたりする。従って、この余剰生成物を定期的に装置内から除去する必要がある。
【０００３】
余剰生成物を装置内から除去する方法としては、例えば、特開平５−２１４３３９号公報に開示されているＨＦガスによる装置内のクリーニング方法がある。この方法は一般に知られており、実用化されているものであるが、余剰生成物のうちカーボン（Ｃ）を主体とした固体は除去されずに残ってしまう。また、装置内の精密な温度制御およびＨＦガス濃度制御をしないと、余剰生成物が多量に付着している場合や室温付近の温度でのクリーニング温度では、反応生成物であるＨ_２ＯにＨＦが溶解することによってフッ化水素酸を生じてしまう。このフッ化水素酸は装置内の金属部品などを腐食する可能性があり、各部品の寿命を短くするおそれがある。このとき、クリーニング温度とは余剰生成物のクリーニング時における温度である。
【０００４】
これを解決するものとして、例えば特開平９−１２９５８６号公報には事前に酸素、フッ素、またはフッ素系インタハロゲンガスで暴露した後、ＨＦガスを流してクリーニングする方法が開示されている。酸素、フッ素、またはフッ素系インタハロゲンガスはフッ化水素酸を作る官能基を除去し、インタハロゲンガスはＣ系固体残留物を除去する性質を持つのであるが、酸素、フッ素、またはフッ素系インタハロゲンガスによる暴露は余剰生成物の表面近傍にしか作用せず、完全な余剰生成物の除去はできなかった。
【０００５】
さらに、例えば特開平６−３３０３２３号公報には減圧ＣＶＤ装置でＴＥＯＳガスによりシリコン酸化膜を形成した後、石英管内温度を７００℃，ＣｌＦ_３ガスはＨＦガスに対して５％以下の割合でＨＦガスとＣｌＦ_３ガスとを混合して流すことによってクリーニングする装置および方法が開示されている。石英管内温度を７００℃に保ったとき、真空排気配管内は７００℃とはならずに３００℃〜室温程度となる。従って、このクリーニング条件では、石英管内は良好なクリーニングを行えるが、真空排気配管内ではフッ化水素酸が残留し、部品の腐食が生じてしまう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来の装置内のクリーニング方法は以上のようであり、余剰生成物はシリコン酸化膜の主成分であるＳｉＯ_２に限らず、ＯＨ基やＣを含む微小固体なども含まれている。さらに、余剰生成物が付着する箇所は温度コントロールのできる反応チャンバ内に限らず、室温に近い低温である排気部分にも付着する。従って、従来のクリーニング温度およびＨＦガスとＣｌＦ_３ガスとの混合比では充分に装置内をクリーニングすることができないという問題点があった。
【０００７】
従って、ＴＥＯＳガスを用いてシリコン酸化膜を形成する装置では、シリコン酸化膜の形成時に装置内に発生する余剰生成物を完全にクリーニングすることができないために、パーティクルが発生したり、配管のつまりを生じさせたりするという問題点があった。さらに、パーティクルは製造中のシリコンウエハ上に付着し、半導体装置の信頼性を低下させるという問題点もあった。
【０００８】
この発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、シリコン酸化膜形成時に発生する余剰生成物を完全に除去できる良好なクリーニング方法およびこのクリーニング機能を備えた酸化膜形成装置を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明の請求項１に係る半導体製造装置のクリーニング方法は、成膜装置内の部所の成膜時における温度に応じて、当該部所に供給するＨＦガスとＣｌＦ_３ガスとの混合比およびクリーニング温度を変化させるようにし、有機系材料ガスを用いる成膜装置内の、成膜時に高温となる部所にはＨＦガスの比率を高めるとともにクリーニング温度を１００℃〜２００℃とし、成膜時に低温となる部所にはＣｌＦ _３ガスの比率を高めるとともにクリーニング温度を０℃〜５０℃とするようにしたものである。
【００１０】
この発明の請求項２に係る半導体製造装置は、クリーニングガス供給手段とは別に、局部へのＨＦガス供給手段および上記局部へのＨＦガス導入口部の加熱手段を備えるようにしたものである。
【００１１】
この発明の請求項３に係る半導体製造装置は、クリーニングガス供給手段とは別に、局部へのＣｌＦ_３ガス供給手段および上記局部へのＣｌＦ_３ガス導入口部の冷却手段を備えるようにしたものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１の酸化膜形成装置を示す概略断面図である。酸化膜形成装置は例えば、減圧ＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、プラズマＣＶＤなどである。図１において、１は反応チャンバ、２は排気ポート、３は真空排気装置であり、さらに、４は有機系材料ガス供給装置、５はＨＦガス供給源、６はＣｌＦ_３ガス供給源、７，８はマスフローコントローラー、９，１０，１１はバルブであり、図示はしていないが、真空排気装置３にはロータリーポンプ、有害ガス回収装置、バルブ等が含まれており、有機系材料ガス供給装置４はＴＥＯＳなどの有機系ガス供給源、マスフローコントローラー、バルブ、窒素ガス供給源などで構成されている。
【００１３】
まず、図１の装置が、例えば減圧ＣＶＤ装置の場合のシリコンウエハ上への酸化膜形成方法について説明する。反応チャンバ１内にシリコンウエハを配置した後、バルブ９，１０は閉じた状態でバルブ１１を開け、有機系材料ガス供給装置４から窒素ガスを例えば８０ｃｃ／分，ＴＥＯＳガスを例えば１００ｃｃ／分で混合し、反応チャンバ１内に導入する。反応チャンバ１内は、真空排気装置３により０．８Ｔｏｒｒ程度の圧力に制御され、ヒーター（図示せず）により７００℃程度の温度に維持された状態で、シリコンウエハ上にＴＥＯＳの熱分解によりシリコン酸化膜を形成する。
【００１４】
このシリコンウエハ上へのシリコン酸化膜の形成と同時に、反応チャンバ１内の内壁や部品、排気ポート２にも有機系の余剰生成物が堆積する。上述したように、これらの箇所に余剰生成物が堆積すると、発塵源となるためウエハプロセス上不都合であり、この余剰生成物を定期的にクリーニングする必要がある。
【００１５】
次に、余剰生成物のクリーニング法を説明する。図２は余剰生成物のクリーニング条件を示した図である。ここでは、余剰生成物は常圧ＣＶＤ装置でＴＥＯＳガスを用いてシリコン酸化膜を形成した場合に付着したものを使用して、クリーニング時の温度、およびＨＦガスとＣｌＦ_３ガスとの流量比を変化させたものである。
【００１６】
完全なクリーニングが行われなかった場合、クリーニング後に液体(フッ化水素酸)，カーボン(Ｃ)系の微小固形物，白色固体(ＳｉＯ_２)が残留物となる。
まず、残留物のうちの液体は、図２に示すように、温度が低いほど、またＨＦガスに比べてＣｌＦ_３ガスの比率が小さいほど残留した。これは余剰生成物とＨＦの反応に対し余剰のＯＨ基によりＨ_２Ｏができ、このＨ_２ＯがＣｌＦ_３ガスによるＯＨ基の除去効果が小さいため充分に気化されないか、あるいはクリーニング温度が低いために蒸発しきれずに残り、そのためにＨＦが溶解してフッ化水素酸ができるものと考えられる。
【００１７】
また、Ｃ系の微小固形物については図２に示すように、ＨＦガスだけでは除去できなかった。したがって、ＣｌＦ_３ガスに除去効果があることがわかる。
さらに、白色固体が残る場合は余剰生成物が殆どエッチングされていない場合であった。これは除去、つまり余剰生成物の気化（クリーニング）に必要なＨ_２Ｏが反応には十分には存在しなかったためと考えられる。その原因としては温度が高すぎるか、あるいはＣｌＦ_３ガスの反応によって余剰生成物の気化に必要なＯＨ基やＨ_２Ｏが除去されてしまうことが考えられる。
【００１８】
つまり、余剰生成物を完全に除去するためにはクリーニング温度およびＨＦガスとＣｌＦ_３ガスとの流量比を適切な範囲に設定することにより、クリーニング中に生成されるＨ_２Ｏあるいは余剰生成物中のＯＨ基を過不足なく制御することが重要である。つまり、Ｈ_２Ｏが多いと液体が残留し、少ないと余剰生成物を除去することができない。さらに、ＣｌＦ_３ガスがないとＣ系の微小固形物を除去することができない。
【００１９】
従って、図２から判るように、室温〜２５０℃、ＨＦガス／ＣｌＦ_３ガス＝２／１〜２０／１の範囲内の適当な組み合わせにより余剰生成物を完全に除去することができる。さらに、室温〜１５０℃、ＨＦガス／ＣｌＦ_３ガス＝５／１〜１０／１であれば確実に余剰生成物を完全に除去することができる。
【００２０】
このことから、図１の酸化膜形成装置においてシリコン酸化膜を形成後、反応チャンバ１内の内壁や部品、排気ポート２の有機系の余剰生成物をクリーニングするためには、真空排気装置３により反応チャンバ１内をいったん真空引きにした後、有機系材料ガス供給装置４から窒素ガスのみを流し反応チャンバ１内の圧力を１０〜７６０Ｔｏｒｒ、除去速度を考慮して望ましくは４００〜７６０Ｔｏｒｒとし、反応チャンバ１内の温度は室温〜１５０℃に設定する。
【００２１】
さらに、クリーニングガスは、ＨＦガス供給源５とＣｌＦ_３ガス供給源６とからのＨＦガスおよびＣｌＦ_３ガスの供給量をマスフローコントローラー７，８により制御し、ＨＦガス／ＣｌＦ_３ガス＝５／１〜１０／１の範囲で混合して反応チャンバ１内に一定時間、例えば２時間流すことにより、余剰生成物の完全なクリーニングを行うことができる。
このとき、ＨＦガスの流量制御を行うマスフローコントローラー７とＣｌＦ_３ガスの流量制御を行うマスフローコントローラー８との制御可能な流量はＨＦガス／ＣｌＦ_３ガス＝５／１〜１０／１の範囲に設定されている。
【００２２】
実施の形態２．
上記実施の形態１ではバッチ式の酸化膜形成装置について説明したが、ここでは枚葉式の酸化膜形成装置について説明する。図３はこの発明の実施の形態２の枚葉式常圧ＣＶＤ装置を示す概略断面図である。図３において、実施の形態１と同様のものには同じ番号を付す。１２はシリコンウエハ、１３はシリコンウエハ１２を支持するステージ、１４はステージ１３およびシリコンウエハ１２を加熱するステージヒータである。
【００２３】
さらに、１５は反応チャンバ１内にＴＥＯＳなどの有機系材料ガスを供給する有機系材料ガス供給ポート、１６はオゾンガス供給ポート、１７は有機系材料ガス供給ポート１５とオゾンガス供給ポート１６とから導入されるガスを混合するミキサである。１８は表面に多数のノズル穴が形成されたガスヘッドであり、ミキサ１７で混合された反応ガスをシリコンウエハ１２の全面に均一に吹き付けるものである。
【００２４】
また、１９は後述の排気ヒータカバー２０に付着する余剰生成物を膜状にしてパーティクルを抑制する目的で排気を加熱する排気ヒータ、２０は排気ヒータ１９への余剰生成物の付着を防ぐための排気ヒータカバー、２１はＨＦガスとＣｌＦ_３ガスとの混合ガスを導入するためのクリーニングガス供給ポートであり、図１に示したマスフローコントローラー７，８のついたＨＦガス供給源５とＣｌＦ_３ガス供給源６とを接続している。図示はないが、図１と同様に、排気ポート２には真空排気装置３が、有機系材料ガス供給ポート１５およびオゾンガス供給ポート１６にはそれぞれのガス供給源が接続されている。
【００２５】
まず、図３の装置を用いてシリコンウエハ１２上への酸化膜形成方法について説明する。シリコンウエハ１２を成膜表面を下向きにステージ１３に固定し、ステージヒータ１４を用いて、例えば４００℃に加熱する。また、圧力は常圧（７６０Ｔｏｒｒ）である。有機系材料ガス供給ポート１５より例えばＴＥＯＳガスを、オゾンガス供給ポート１６よりオゾンを所定の流量で反応チャンバ１内に導入し、ミキサ１７によって混合し、ガスヘッド１８からシリコンウエハ１２表面に吹き付け、シリコン酸化膜を形成する。
【００２６】
図３の装置においても実施の形態１と同様に、シリコンウエハ１２上へのシリコン酸化膜の形成と同時に、反応チャンバ１内壁、ガスヘッド１８、ミキサ１７、排気ヒータカバー２０、排気ポート２に有機系の余剰生成物が堆積する。このため、定期的にこれらを除去する必要がある。
【００２７】
この余剰生成物の堆積はＴＥＯＳガスとオゾンガスとが混合するミキサ１７においてすでに始まっている。従って、有機系材料ガス供給ポート１５に接続されているクリーニングガス供給ポート２１からクリーニングガスを導入することによって、ミキサ１７，反応チャンバ１内部，排気ポート２の順にクリーニングガスが流れ、それぞれの部位に堆積した余剰生成物を効率良く除去することができる。
【００２８】
クリーニングガス供給ポート２１からのクリーニングガスはＨＦガス／ＣｌＦ_３ガス＝５／１〜１０／１の比率で混合したものを用い、例えば、窒素ガスの流量を４リットル／分、ＨＦガスを１リットル／分、ＣｌＦ_３ガスを０．２リットル／分とする。さらに、真空排気装置により反応チャンバ１内をいったん真空引きにした後、窒素ガスのみを流し反応チャンバ１内の圧力を１０〜７６０Ｔｏｒｒ、望ましくは４００〜７６０Ｔｏｒｒとし、反応チャンバ１内の温度は室温〜１５０℃に設定する。このクリーニング条件で、一定時間、例えば２時間流すことにより、余剰生成物の完全なクリーニングを行うことができる。
【００２９】
ここで、シリコン酸化膜の形成温度が実施の形態１では７００℃であるのに対してこの場合は４００℃と低い。従って、実施の形態１に比べて余剰生成物にＯＨ基が含まれている割合が大きく、ＯＨ基を除去するためにＨＦガスに対するＣｌＦ_３ガスの比率を実施の形態１よりも大きくする方が、より完全に余剰生成物を除去することができる。
【００３０】
実施の形態３．
上記実施の形態２では図３に示す枚葉式の酸化膜形成装置内の反応チャンバ１内壁、ガスヘッド１８、ミキサ１７、排気ヒータカバー２０、排気ポート２すべてを同じクリーニングガスで除去する方法について説明したが、ここでは図３の装置のうち排気ヒータカバー２０の部分に付着した余剰生成物を重点的にクリーニングする場合について説明する。
【００３１】
図４はこの発明の実施の形態３の排気ヒーターカバーを含む部分の概略断面図である。図４において、ＨＦガスとＣｌＦ_３ガスとを混合して流すクリーニングガス供給ポート２１とは別にＨＦガス供給ポート２２がガスヘッド１８近傍の数箇所に、例えば４か所程度に付加されている。ＨＦガス供給ポート２２にはバンドヒータ等の加熱機構２３が備えられており、ＨＦガス供給ポート２２の温度コントロールを行う。また、図示はしていないが、ＨＦガス供給ポート２２はＨＦガス供給源にバルブ，マスフローコントローラーを介して接続されている。
【００３２】
排気ヒータカバー２０はシリコン酸化膜形成時には、４００℃近くになるためこの部分にはＯＨ基が比較的少ない余剰生成物が付着する。ＯＨ基の少ない余剰生成物はＨＦガスと反応してフッ化水素酸を発生しにくい。従って、ＯＨ基を除去するＣｌＦ_３ガスの比率を少なくし、ＨＦガスの比率を大きくしたほうが、さらに短時間で効率良く排気ヒータカバー２０部分のクリーニングを行うことができる。このため、ＨＦガス供給ポート２２からＨＦガスだけを導入し、排気ヒータカバー２０部分近傍のＨＦガスの比率を大きくしてクリーニングを行う。
【００３３】
ただし、ＨＦガスの比率を大きくすると、クリーニング温度が１００℃以下ではやはりフッ化水素酸を発生することになる。従って、この場合、ガス圧力に応じてフッ化水素酸が発生しない程度の１００℃〜２００℃の温度でクリーニングする必要がある。さらに、ＨＦガス供給ポート２２のガス導入口附近ではＨＦガスの比率が特に大きくなるためにより高温でクリーニングする必要がある。このために、加熱機構２３によりＨＦガス供給ポート２２を所望の温度に加熱してクリーニングを行う。
【００３４】
この様に、排気ヒータカバー２０の部分に付着した余剰生成物をを重点的にクリーニングすれば、実施の形態２の場合よりも短時間で効率良く余剰生成物を完全に除去することができる。
【００３５】
実施の形態４．
上記実施の形態３では排気ヒータカバー２０部分に付着した余剰生成物を重点的にクリーニングする場合に着いて説明したが、ここでは排気ポート２に付着した余剰生成物を重点的にクリーニングする場合について説明する。図５はこの発明の実施の形態４の排気ポートを含む部分の概略断面図である。
【００３６】
図５において、ＨＦガスとＣｌＦ_３ガスとを混合して流すクリーニングガス供給ポート２１とは別にＣｌＦ_３ガス供給ポート２４が反応チャンバ１内の排気ポート２近傍に設けられている。ＣｌＦ_３供給ポート２４には冷却機構２５が備えられており、ＣｌＦ_３供給ポート２４の温度コントロールを行う。また、図示はしていないが、ＣｌＦ_３ガス供給ポート２４はＣｌＦ_３ガス供給源にバルブ，マスフローコントローラーを介して接続されている。
【００３７】
排気ポート２は反応チャンバ１の外部に設けられているので、シリコン酸化膜形成時においても排気ポート２部の温度は１００℃程度にしかならない。従ってこの排気ポート２部分にはＯＨ基の多い余剰生成物が付着する。ＯＨ基の多い余剰生成物はＨＦガスと反応してフッ化水素酸を発生しやすい。このフッ化水素酸は金属部品などを腐食してしまう。従って、ＯＨ基を除去する性質を持つＣｌＦ_３ガスの比率を多くしたほうが、さらに短時間で効率良く排気ポート２部分のクリーニングを行うことができる。このため、ＣｌＦ_３ガス供給ポート２４からＣｌＦ_３ガスだけを導入し、排気ポート２部分近傍のＣｌＦ_３ガスの比率を大きくしてクリーニングを行う。
【００３８】
ただし、ＣｌＦ_３ガス供給ポート２４のＣｌＦ_３ガス導入口ではＣｌＦ_３ガスの比率が特に大きくなり、クリーニング温度が５０℃以上では余剰生成物中のＯＨ基が蒸発してなくなるため、余剰生成物がＨＦガスと反応して気化することができない。つまり、余剰生成物の除去が行えない。従って、この場合、ＯＨ基が蒸発してなくならない程度の温度で、ガス圧力に応じて０℃〜５０℃の温度でクリーニングする必要がある。さらに、ＣｌＦ_３ガス供給ポート２４のＣｌＦ_３ガス導入口ではＣｌＦ_３ガスの比率が特に大きくなるためにより低温でクリーニングをする必要がある。このために、冷却機構２５によりＣｌＦ_３ガス供給ポート２４を所望の温度に冷却することによりＣｌＦ_３ガス導入口部所を冷却してクリーニングを行う。
【００３９】
この様に、排気ポート２の部分に付着した余剰生成物を重点的にクリーニングすれば、実施の形態２の場合よりも短時間で効率良く余剰生成物を完全に除去することができる。
【００４０】
【発明の効果】
以上のようにこの発明によれば、室温〜１５０℃のクリーニング温度で、ＨＦガスとＣｌＦ_３ガスとをＨＦガス流量／ＣｌＦ_３ガス流量＝５／１〜１０／１の範囲で混合したガスを用いるようにしたので、フッ化水素酸を発生させることなく、かつカーボン系の微小固体も除去することができ、装置内の余剰生成物を完全に除去することができるので、装置内の金属部品が腐食されることなく、パーティクルの発生を抑えることができる。
【００４１】
また、成膜装置内の部所の成膜時における温度に応じて、当該部所に供給するＨＦガスとＣｌＦ_３ガスとの混合比およびクリーニング温度を変化させるようにしたので、短時間に効率良く、装置内の余剰生成物を完全に除去することができる。
【００４２】
また、有機系材料ガスを用いる成膜装置内の、成膜時に高温となる部所にはＨＦガスの比率を高めるとともにクリーニング温度を１００℃〜２００℃とし、成膜時に低温となる部所にはＣｌＦ_３ガスの比率を高めるとともにクリーニング温度を０℃〜５０℃とするようにしたので、余剰生成物内のＯＨ基を制御でき、短時間に効率良く、装置内の余剰生成物を完全に除去することができる。
【００４３】
また、クリーニングガス供給手段の制御可能なガス流量がＨＦガス流量／ＣｌＦ_３流量＝５／１〜１０／１であるようにしたので、装置内の余剰生成物を完全に除去することができる半導体製造装置を得ることができる。
【００４４】
また、クリーニングガス供給手段とは別に、局部へのＨＦガス供給手段および上記局部へのＨＦガス導入口部の加熱手段を備えるようにしたので、ＯＨ基の含有率の低い余剰生成物をフッ化水素酸を発生させることなく短時間に効率良く除去することができる。
【００４５】
また、クリーニングガス供給手段とは別に、局部へのＣｌＦ_３ガス供給手段および上記局部へのＣｌＦ_３ガス導入口部の冷却手段を備えるようにしたので、ＯＨ基の含有率の高い余剰生成物を短時間に完全に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１の酸化膜形成装置を示す概略断面図である。
【図２】余剰生成物のクリーニング条件を示した図である。
【図３】この発明の実施の形態２の枚葉式常圧ＣＶＤ装置を示す概略断面図である。
【図４】この発明の実施の形態３の排気ヒーターカバーを含む部分の概略断面図である。
【図５】この発明の実施の形態４の排気ポートを含む部分の概略断面図である。
【符号の説明】
１反応チャンバ、２排気ポート、３真空排気装置、
４有機系材料ガス供給装置、５ＨＦガス供給源、６ＣｌＦ_３ガス供給源、
７，８マスフローコントローラー、９，１０，１１バルブ、１２シリコンウエハ、
１３ステージ、１４ステージヒータ、１５有機系材料ガス供給ポート、
１６オゾンガス供給ポート、１７ミキサ、１８ガスヘッド、１９排気ヒータ、
２０排気ヒータカバー、２１クリーニングガス供給ポート、
２２ＨＦガス供給ポート、２３加熱機構、２４ＣｌＦ₃ガス供給ポート、
２５冷却機構。

Claims

成膜装置内に有機系材料ガスを導入してシリコンウエハ上に成膜した後、ＨＦガスおよびＣｌＦ_３ガスを用いて、上記成膜装置内に堆積した余剰生成物を除去する半導体製造装置のクリーニング方法において、
上記成膜装置内の部所の成膜時における温度に応じて、当該部所に供給するＨＦガスとＣｌＦ_３ガスとの混合比およびクリーニング温度を変化させるようにし、
上記成膜装置内の、成膜時に高温となる部所にはＨＦガスの比率を高めるとともにクリーニング温度を１００℃〜２００℃とし、成膜時に低温となる部所にはＣｌＦ _３ガスの比率を高めるとともにクリーニング温度を０℃〜５０℃とするようにしたことを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。
有機系材料ガスを用いる成膜装置およびＨＦガス供給手段とＣｌＦ _３ガス供給手段とからなるクリーニングガス供給手段を備えた半導体製造装置において、
クリーニングガス供給手段とは別に、局部へのＨＦガス供給手段および上記局部へのＨＦガス導入口部の加熱手段を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
有機系材料ガスを用いる成膜装置およびＨＦガス供給手段とＣｌＦ _３ガス供給手段とからなるクリーニングガス供給手段を備えた半導体製造装置において、
クリーニングガス供給手段とは別に、局部へのＣｌＦ _３ガス供給手段および上記局部へのＣｌＦ _３ガス導入口部の冷却手段を備えたことを特徴とする半導体製造装置。