KR100768882B1 - 반도체 반응부산물 트랩장치 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E06—DOORS, WINDOWS, SHUTTERS, OR ROLLER BLINDS IN GENERAL; LADDERS
- E06B—FIXED OR MOVABLE CLOSURES FOR OPENINGS IN BUILDINGS, VEHICLES, FENCES OR LIKE ENCLOSURES IN GENERAL, e.g. DOORS, WINDOWS, BLINDS, GATES
- E06B9/00—Screening or protective devices for wall or similar openings, with or without operating or securing mechanisms; Closures of similar construction
- E06B9/02—Shutters, movable grilles, or other safety closing devices, e.g. against burglary
- E06B9/08—Roll-type closures
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- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E05—LOCKS; KEYS; WINDOW OR DOOR FITTINGS; SAFES
- E05Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES E05D AND E05F, RELATING TO CONSTRUCTION ELEMENTS, ELECTRIC CONTROL, POWER SUPPLY, POWER SIGNAL OR TRANSMISSION, USER INTERFACES, MOUNTING OR COUPLING, DETAILS, ACCESSORIES, AUXILIARY OPERATIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, APPLICATION THEREOF
- E05Y2800/00—Details, accessories and auxiliary operations not otherwise provided for
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Abstract
반응 부산물이 실제로 포집될 수 있는 유효면적을 최대한 확보하여 반응부산물의 포집 효과 및 포집 용량을 증대시키며 포집된 반응부산물에 대해서는 용이하게 제거할 수 있는 개량된 반도체 반응부산물 트랩장치가 개시된다. 트랩장치는 중공의 하우징, 하우징의 일측에 제공되는 제1 연결구, 제1 연결구에 대하여 대향된 부위에 제공되는 제2 연결구, 및 하우징의 개방된 양단에 각각 결합되는 제1 측판과 제2 측판을 포함하는 하우징부재를 포함한다. 완충구획부재는 하우징의 제1 연결구 방향으로는 제1 챔버, 하우징의 제2 연결구 방향으로는 제2 챔버가 각각 형성되도록 하우징의 내부에 수평하게 배치되되, 제1 챔버와 제2 챔버에는 다수의 유통공을 갖는 다수의 안내 플레이트가 수직으로 배치된다. 히팅부재는 제1 챔버의 길이 방향으로 배치되도록 하우징의 내부에 제공되어 열을 방생시킨다. 냉각수부재는 제2 챔버의 길이 방향으로 배치되도록 하우징에 제공되어 냉각수를 순환시킨다.
반도체, 반응 부산물 트랩장치
Description
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 반응부산물 트랩장치의 내부를 보여주기 위한 요부절개 사시도;
도 2는 도 1의 정면도;
도 3은 도 1의 좌측면도;
도 4는 도 1의 우측면도;
도 5는 도 1의 종단면도; 및
도 6은 종래 기술에 따른 반도체 반응부산물 트랩장치의 내부를 보여주기 위한 요부절개 사시도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
200: 트랩장치 210: 하우징
216: 제1 챔버 217: 히팅 플레이트
218: 제2 챔버 220: 제1 수평판
224: 제2 수평판 240: 냉각수 입구
242: 하부관 244: 상부관
246: 연결관 248: 제1 연결포트
250: 제2 연결포트 250a: 제3 연결포트
250b: 제4 연결포트 252: 제1 공급관
252a: 제2 공급관 254: 제1 보조관
254a: 제2 보조관 256: 냉각수 출구
본 고안은 반도체 반응부산물 트랩장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 박막의 증착 및 식각시 프로세스 챔버에서 발생하는 반응부산물이 진공펌프로 흡입되는 것을 적극적으로 차단하며, 반응 부산물이 실제로 포집될 수 있는 유효면적을 최대한 확보하여 반응부산물의 포집 효과 및 포집 용량을 증대시키며 포집된 반응부산물에 대해서는 용이하게 제거할 수 있는 개량된 반도체 반응부산물 트랩장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 구별되며, 전 공정이라 함은 각종 프로세스 챔버(Chamber) 내에서 웨이퍼(Wafer) 상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하는 것에 의해 이른바, 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정을 말하고, 후공정이라 함은 상기 전 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드 프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정을 말한다.
상기한 웨이퍼 상에 박막을 증착하거나, 웨이퍼 상에 증착된 박막을 식각하는 공정은 프로세스 챔버 내에서 실란(Silane), 아르신(Arsine) 및 염화 붕소 등의 유해 가스와 수소 등의 프로세스 가스를 사용하여 고온에서 수행되며, 상기 공정이 진행되는 동안 프로세스 챔버 내부에는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스 등이 다량 발생하게 된다.
한편 반도체 제조장비에는 프로세스 챔버를 진공상태로 만들어 주는 진공펌프의 후단에 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스를 정화한 후 대기로 방출하는 스크러버(Scrubber)를 설치한다. 이때, 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스는 대기와 접촉하거나 주변의 온도가 낮으면 고형화되어 파우더로 변
하게 되는바, 상기한 파우더는 배기 라인에 고착되어 배기압력을 상승시킴과 동시에 진공펌프로 유입될 경우 진공펌프의 고장을 유발하고, 배기가스의 역류를 초래하여 프로세스 챔버 내에 있는 웨이퍼를 오염시키는 문제점이 있었다.
상기한 프로세스 챔버내에서 박막의 증착 또는 식각시 발생하는 반응부산물을 포집하기 위한 종래 기술한 반도체 반응부산물 트랩장치는, 출원인 주식회사 뉴프로텍과 이승룡에 의해 특허출원번호 제2005-0045158호(발명의 명칭; 반도체 반응부산물 트랩장치)로 선출원 된 바 있으며, 이는 도 6에 도시되어 있다.
이에 도시된 바와 같이, 내벽면을 따라 쿨링라인(110)이 설치된 중공의 쿨링챔버(도시안됨)와; 쿨링챔버의 중공부에 쿨링챔버의 내벽면과 이격되어 설치되고 프로세스 챔버(도시안됨)로부터 반응부산물이 유입되는 히팅챔버(도시안됨)를 포함하여 구성되되, 쿨링챔버는, 프로세스 챔버와의 연결을 위한 제1 연결구(114) 및 진공펌프(도시안됨)와의 연결을 위한 제2 연결구(116)를 갖는 제1 하우징(112)과, 제1 하우징(112)의 내부에 복수 층으로 설치되되, 그 중심부는 히팅챔버가 끼워질 수 있을 정도의 통공(118a)을 갖는 제1 플레이트(118)들과, 제1 플레이트(118)들을 관통하여 설치되어 제1 플레이트(118)들을 지지하는 복수의 서포팅 바(119)를 포함하여 구성되었다.
히팅챔버는, 제1 플레이트(118)들에 형성된 통공(118a)에 끼워져 설치되는 중공의 제2 하우징(120)과, 제1 연결구(114)와 연통되어 제2 하우징(120)의 내부로 연장되는 반응부산물 유입관(122)과, 제2 하우징(120)의 내부에 복수 층으로 설치되되, 그 중심부에 상기 반응부산물 유입관(122)이 관통될 수 있도록 통공(도시안됨)이 형성된 제2 플레이트(124)들과, 반응부산물 유입관(122)의 주변에 설치되는 복수의 히터(126)를 포함하여 구성된다.
이와 같이 구성된 종래 기술에 따른 반도체 반응부산물 트랩장치는, 프로세스 챔버에서 유입되는 미반응 가스 등의 반응부산물의 상변화가 가능한 정도의 높은 온도를 유지하는 히팅챔버를 쿨링챔버의 내부에 설치하여 상기 반응부산물이 신속하게 파우더 상태로 변화된 상태로 쿨링챔버로 유입되기 때문에 쿨링챔버에서 보다 신속하게 파우더 상태의 반응부산물을 트랩 할 수 있는 등의 효과가 있었다.
상술한 파우더 트랩장치는, 프로세스 챔버에서 유입되는 미반응 가스 등의 반응 부산물의 상변화가 가능한 정도의 높은 온도를 유지하는 히팅챔버를 쿨링챔버의 내부에 설치하였다. 이에 따라 반응 부산물이 신속하게 파우더 상태로 변화된 상태로 쿨링챔버로 유입되기 때문에, 쿨링챔버에서 보다 신속하게 파우더 상태의 반응 부산물을 트랩할 수가 있는 효과가 있었다.
이러한 파우더 트랩장치는 히팅챔버 내에서 파우더 상태로 변환된 반응 부산물이 쿨링챔버 내에서 신속하게 트랩할 수 있는 효과가 있습니다. 그러나 히팅챔버의 제2 하우징이 쿨링챔버의 제1 하우징의 내부에 위치되어 있기 때문에, 반응 부산물이 히팅챔버 내에서 파우더로 변환되지 않을 우려가 예상됩니다. 또한 제1 연결구와 제2 연결구의 방향이 서로에 대하여 직각으로 꺾인 위치에 있기 때문에 반응 부산물의 흐름이 원활하지 못하는 등의 문제가 있다.
따라서, 파우더 트랩장치는 반응 부산물의 원활한 흐름은 물론, 히팅챔버와 쿨링챔버의 본래 기능을 제대로 수행하기 위한 공간이 요구되었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 반응부산물의 포집 효과 및 포집 용량을 증대시키며 포집된 반응부산물을 용이하게 제거할 수 있는 반도체 반응부산물 트랩장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적들을 달성하기 위해, 본 발명은 프로세스 챔버 내에서 박막의 증착 및 식각 과정에서 발생하는 반응 부산물을 포집하기 위한 반도체 반응부산물 트랩장치로서,
중공의 하우징, 상기 하우징의 일측에 제공되는 제1 연결구, 상기 제1 연결구에 대하여 대향된 부위에 제공되는 제2 연결구, 및 상기 하우징의 개방된 양단에 각각 결합되는 제1 측판과 제2 측판을 포함하는 하우징부재;
상기 하우징의 제1 연결구 방향으로는 제1 챔버, 상기 하우징의 제2 연결구 방향으로는 제2 챔버가 각각 형성되도록 상기 하우징의 내부에 수평하게 배치되되, 상기 제1 챔버와 제2 챔버에는 다수의 유통공을 갖는 다수의 안내 플레이트가 수직으로 배치되는 완충구획부재;
상기 제1 챔버의 길이 방향으로 배치되도록 상기 하우징의 내부에 제공되어 열을 방생시키기 위한 히팅부재; 및
상기 제2 챔버의 길이 방향으로 배치되도록 상기 하우징에 제공되어 냉각수를 순환시키기 위한 냉각수부재;를 포함하는 반도체 반응부산물 트랩장치를 제공함으로써 달성되는 것이다.
상기 완충구획부재는 상기 하우징의 내부에 수평 설치되는 제1 수평판, 및 상기 제1 수평판과의 사이에서 완충실이 형성되도록 서로 이격된 상태에서 수평으로 배치되는 제2 수평판으로 이루어지되, 상기 제1 수평판에는 제1 통공, 상기 제2 수평판에는 제2 통공이 다수개 형성되는 것이 바람직하다.
상기 냉각수부재는 상기 하우징의 제2 챔버의 내부로 배치되어 냉각수가 순환되는 제1 냉각수라인; 및 상기 제1 냉각수 라인과 연결되어 상기 하우징의 외부로 배치되는 제2 냉각수라인;을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 제1 냉각수라인은 상기 제1 측판의 소정 위치에 배치되어 외부의 냉각수가 유입되는 냉각수 입구; 상기 하우징의 내부에서 상기 냉각수 입구와 연결되어 상기 하우징의 길이 방향을 따라 배치되는 하부관; 상기 하부관에 대하여 서로 평행하도록 상기 하우징의 길이 방향을 따라 내부에 배치되는 상부관; 상기 하부관 및 하부관의 자유단에 연결되는 연결관; 및 상기 연결관에 연결되도록 상기 제1 측판의 소정 위치에 제공되는 제1 연결포트;를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 제2 냉각수라인은
상기 제1 측판에서 서로에 대하여 소정 간격 이격된 상태로 배치되는 제4 연결포트 및 냉각수 출구, 및 상기 제2 측판에서 서로에 대하여 소정 간격 이격된 상태로 배치되는 제2 연결포트 및 제3 연결포트로 이루어진 연결포트부재;
상기 제1 연결포트에 일단이 연결되고 상기 하우징의 바깥면을 따라 타단이 상기 제2 연결포트에 연결되는 제1 공급관;
상기 제2 연결포트와 제3 연결포트를 서로 연결하도록 상기 제2 측판의 표면에 제공되는 제1 보조관;
상기 제3 연결포트와 제4 연결포트를 서로 연결하도록 상기 하우징의 바깥면을 따라 제공되는 제2 공급관;
상기 제4 연결포트와 냉각수 출구 사이를 서로 연결하도록 상기 제1 측판의 표면에 제공되는 제2 보조관; 및
상기 제2 보조관의 자유단이 연결되도록 상기 제1 측판에 제공되는 냉각수 출구;를 포함하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 목적 및 장점은 첨부된 도면을 참조로 한 하기의 바람직한 실시 예의 상세한 설명에 의해 더욱 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 반응부산물 트랩장치의 내부를 보여주기 위한 요부절개 사시도이다. 도 2는 도 1의 정면도이고, 도 3은 도 1 의 우측면도이고, 도 4는 도 1의 좌측면도이고, 도 5는 도 1의 종단면도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 반도체 반응부산물 트랩장치(200)는 프로세스 챔버(미도시 됨) 내에서 박막의 증착 및 식각 과정에서 발생하는 반응 부산물을 포집하기 위한 장치이다.
본 발명에 따른 반도체 반응부산물 트랩장치(200)는 하우징부재에 완충구획부재, 히팅부재 및 냉각수부재를 설치하여 구성된다.
하우징부재는 제1 연결구(212)와 제2 연결구(214)가 제공되는 중공의 하우징(210)이 포함된다. 제1 연결구(212)는 하우징(210)의 일측에 제공되어 프로세스 챔버(미도시됨)와 연결된다. 제2 연결구(214)는 제1 연결구(212)에 대하여 대향된 부위의 하우징(210)의 타측에 제공되어 진공펌프(미도시됨)에 연결된다. 하우징(210)의 개방된 좌,우측 단부에는 각각 제1 측판(210a)과 제2 측판(210b)이 분리 가능하게 제공될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
완충구획부재는 하우징(210)의 제1 연결구(212) 방향으로는 제1 챔버(216), 하우징(210)의 제2 연결구(212) 방향으로는 제2 챔버(218)가 각각 형성되도록 하우징(210)의 내부에 수평하게 배치된다. 완충구획부재는 제1 수평판(220)과 제2 수평판(224)으로 이루어진다. 제1 수평판(220)은 하우징(210)의 내부에 수평 설치된다. 제2 수평판(224)은 제1 수평판(220)과의 사이에서 완충 공간이 형성되도록 서로 이격된 상태에서 수평으로 배치된다. 제1 수평판(220)에는 제1 통공(222)이 형성되고, 제2 수평판(224)에는 제2 통공(226)이 다수개 형성된다. 다수의 히팅 플레이트(217)는 제1 챔버(216)의 내벽과 제1 수평판(220)의 상면에 사이에 수직으로 세워 져 배치되며, 다수의 쿨링 플레이트(219)는 제2 챔버(218)의 내벽과 제1 수평판(220)의 저면 사이에 수직으로 세워져 배치된다. 히팅 플레이트(217)에는 제1 유통공(217a), 쿨링 플레이트(219)에는 제2 유통공(219a)이 각각 형성된다.
히팅부재는 히터(230)로 이루어지고, 히터(230)는 제1 챔버(216)의 길이 방향으로 배치되도록 하우징(210)의 내부에 제공되어 열을 방생시킨다.
냉각수부재는 제2 챔버(218)의 길이 방향으로 배치되도록 하우징(210)에 제공되어 냉각수가 순환되는 통로가 된다. 냉각수부재는 제1 냉각수 라인과 제2 냉각수 라인이 포함된다. 제1 냉각수 라인은 하우징(210)의 제2 챔버(218)의 내부로 배치된다. 제2 냉각수 라인은 제1 냉각수 라인과 연결되어 하우징(210)의 외부로 배치된다.
제1 냉각수라인은 제1 측판(210a)의 소정 위치에 배치되어 외부의 냉각수가 유입되는 냉각수 입구(240)를 포함한다. 하부관(242)은 하우징(210)의 내부에서 냉각수 입구(240)와 연결되어 하우징(210)의 길이 방향을 따라 배치된다. 상부관(244)은 하부관(242)에 대하여 서로 평행하도록 하우징(210)의 길이 방향을 따라 내부에 배치된다. 연결관(246)은 하부관(242) 및 하부관(242)의 자유단에 연결된다. 제1 연결포트(248)는 연결관(246)에 연결되도록 제1 측판(210a)의 소정 위치에 제공된다.
제2 냉각수라인은 제1 측판(210a)에서 서로에 대하여 소정 간격 이격된 상태로 배치되는 제4 연결포트(250b) 및 냉각수 출구(256), 및 제2 측판(210b)에서 서로에 대하여 소정 간격 이격된 상태로 배치되는 제2 연결포트(250) 및 제3 연결포 트(250a)로 이루어진 연결포트부재를 포함한다. 제1 공급관(252)은 제1 연결포트(248)에 일단이 연결되고 하우징(210)의 바깥면을 따라 타단이 제2 연결포트(250)에 연결된다. 제1 보조관(254)은 제2 연결포트(250)와 제3 연결포트(250a)를 서로 연결하도록 제2 측판(210b)의 표면에 제공된다. 제2 공급관(252a)은 제3 연결포트(250a)와 제4 연결포트(250b)를 서로 연결하도록 하우징(210)의 바깥면을 따라 제공된다. 제2 보조관(254a)은 제4 연결포트(250b)와 냉각수 출구(256) 사이를 서로 연결하도록 제1 측판(210a)의 표면에 제공된다. 제2 보조관(254a)은 제1 측판(210a)의 표면에 매설되나 그 밖의 방법도 가능하다.
상기와 같은 구조를 가지는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 반응부산물 트랩장치의 작용을 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다(참고로, 냉각수의 이동 방향은 도 1 내지 도 5에서 화살표로 표시되어 있다).
먼저, 프로세스 챔버(도시안됨) 내에서 박막의 증착 및 식각 과정에서 발생하는 반응 부산물은 제1 연결구(212)를 통해 하우징(210)의 내부, 즉 제1 챔버(216)로 유입된다. 제1 챔버(216) 내에서는 적어도 하나 이상의 히터(230)가 동작하고, 이러한 히터(230)의 열은 히팅 플레이트(217)로 전달된다. 이 상태에서, 상기한 반응 부산물은 히팅 플레이트(217)의 제1 유통공(217a)을 따라 제1 챔버(216) 내에서 전체적으로 순환된다. 이 과정에서, 각각의 히팅 플레이트(217)의 표면에는 반응 부산물의 파우더가 부착하게 되는 것이다.
이어, 나머지 반응 부산물은 제1 수평판(220)의 제1 통공(222)으로 각각 통과한 후, 제2 수평판(224)의 제2 통공(226)을 통과하여 제2 챔버(218) 내로 유입되 는 것이다. 여기서, 제1 수평판(220)과 제2 수평판(224)은 서로에 대하여 수평으로 소정 간격 이격된 상태이다. 이는, 핫트랩(hot trap) 역할을 수행하는 제1 챔버(216)와 쿨링트랩(cooling trap) 역할을 수행하는 제2 챔버(218)가 직접 접촉되지 않도록 완충 지대 기능을 수행한다. 다시 말해, 제1 챔버(216)와 제2 챔버(218)는 각각 가열 기능과 냉각 기능을 수행하는 반대 기능을 갖기 때문이다.
이때, 제2 챔버(218) 내에서 외부의 냉각수 공급원(도시안됨)으로부터 냉각수 입구(240)를 통해 냉각수가 유입되면, 그 냉각수는 냉각수 입구(240)와 연결된 하부관(242), 연결관(246) 및 상부관(244)을 따라 차례로 통과하여 제1 연결포트(248)로 배출된다.
이렇게 제1 연결포트(248)로 배출된 냉각수는 다시 제1 공급관(252)을 따라 이동되다가, 제2 연결포트(250)에서 제1 보조관(254)으로 유입된다. 이와 같이 제1 보조관(254)을 따라 이동되는 냉각수는 제3 연결포트(250a)를 통해 제2 공급관(252a)으로 유입된다. 제2 공급관(252a)을 따라 이동된 냉각수는 제4 연결포트(250b)를 통해 제2 보조관(254a) 내로 유입된다. 이어, 제2 보조관(254a)을 따라 이동된 냉각수는 냉각수 출구(256)를 통해 외부로 배출되는 것이다. 이와 같은 과정으로, 제1 챔버(216) 내에서 파우더 상태로 변환된 반응 부산물이 제2 챔버(218) 내에서 신속하게 트랩되는 것입니다.
이상에서는, 본 발명을 상기한 실시 예를 들어 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 이에 제한되는 것이 아니고, 해당기술 분야의 숙련된 당업자는 통상의 지식의 범위 내에서 그 변형이나 개량이 가능하다.
이상에서 언급한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 반응부산물 트랩장치에 따르면, 프로세스 챔버에서 유입되는 미반응 가스 등의 반응 부산물의 상변화가 가능한 정도의 높은 온도를 유지하는 제1 챔버가 하우징의 상부에 위치되고, 그 제1 챔버의 바로 하부에 제2 챔버가 위치됨으로써, 일차적으로 제1 챔버 내에서 반응 부산물이 신속하게 파우더 상태로 변화된 상태로 제2 챔버 내로 유입되기 때문에, 제2 챔버에서 보다 신속하게 파우더 상태의 반응 부산물을 트랩할 수가 있는 효과가 있다.
게다가, 제1 챔버와 제2 챔버와의 사이에는 완충구획부재가 배치됨으로써, 서로 반대의 기능을 수행하는 제1 챔버와 제2 챔버가 서로에 대하여 직접 접촉되지 않기 때문에 제1 챔버와 제2 챔버 본래의 기능을 제대로 수행할 수 있는 등의 효과가 있다.
Claims (5)
- 프로세스 챔버 내에서 박막의 증착 및 식각 과정에서 발생하는 반응 부산물을 포집하기 위한 반도체 반응부산물 트랩장치로서,중공의 하우징, 상기 하우징의 일측에 제공되는 제1 연결구, 상기 제1 연결구에 대하여 대향된 부위에 제공되는 제2 연결구, 및 상기 하우징의 개방된 양단에 각각 결합되는 제1 측판과 제2 측판을 포함하는 하우징부재;상기 하우징의 제1 연결구 방향으로는 제1 챔버, 상기 하우징의 제2 연결구 방향으로는 제2 챔버가 각각 형성되도록 상기 하우징의 내부에 수평하게 배치되되, 상기 제1 챔버와 제2 챔버에는 다수의 유통공을 갖는 다수의 안내 플레이트가 수직으로 배치되는 완충구획부재;상기 제1 챔버의 길이 방향으로 배치되도록 상기 하우징의 내부에 제공되어 열을 방생시키기 위한 히팅부재; 및상기 제2 챔버의 길이 방향으로 배치되도록 상기 하우징에 제공되어 냉각수를 순환시키기 위한 냉각수부재;를 포함하고,상기 완충구획부재는 상기 하우징의 내부에 수평 설치되는 제1 수평판, 및 상기 제1 수평판과의 사이에서 완충실이 형성되도록 서로 이격된 상태에서 수평으로 배치되는 제2 수평판으로 이루어지되, 상기 제1 수평판에는 제1 통공, 상기 제2 수평판에는 제2 통공이 다수개 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 반응부산물 트랩장치.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서, 상기 냉각수부재는상기 하우징의 제2 챔버의 내부로 배치되어 냉각수가 순환되는 제1 냉각수라인; 및상기 제1 냉각수 라인과 연결되어 상기 하우징의 외부로 배치되는 제2 냉각수라인;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 반응부산물 트랩장치.
- 청구항 3에 있어서, 제1 냉각수라인은상기 제1 측판의 소정 위치에 배치되어 외부의 냉각수가 유입되는 냉각수 입구;상기 하우징의 내부에서 상기 냉각수 입구와 연결되어 상기 하우징의 길이 방향을 따라 배치되는 하부관;상기 하부관에 대하여 서로 평행하도록 상기 하우징의 길이 방향을 따라 내부에 배치되는 상부관;상기 하부관 및 하부관의 자유단에 연결되는 연결관; 및상기 연결관에 연결되도록 상기 제1 측판의 소정 위치에 제공되는 제1 연결포트;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 반응부산물 트랩장치.
- 청구항 4에 있어서, 상기 제2 냉각수라인은상기 제1 측판에서 서로에 대하여 소정 간격 이격된 상태로 배치되는 제4 연결포트 및 냉각수 출구, 및 상기 제2 측판에서 서로에 대하여 소정 간격 이격된 상태로 배치되는 제2 연결포트 및 제3 연결포트로 이루어진 연결포트부재;상기 제1 연결포트에 일단이 연결되고 상기 하우징의 바깥면을 따라 타단이 상기 제2 연결포트에 연결되는 제1 공급관;상기 제2 연결포트와 제3 연결포트를 서로 연결하도록 상기 제2 측판의 표면에 제공되는 제1 보조관;상기 제3 연결포트와 제4 연결포트를 서로 연결하도록 상기 하우징의 바깥면을 따라 제공되는 제2 공급관;상기 제4 연결포트와 냉각수 출구 사이를 서로 연결하도록 상기 제1 측판의 표면에 제공되는 제2 보조관; 및상기 제2 보조관의 자유단이 연결되도록 상기 제1 측판에 제공되는 냉각수 출구;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 반응부산물 트랩장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070014495A KR100768882B1 (ko) | 2007-02-12 | 2007-02-12 | 반도체 반응부산물 트랩장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070014495A KR100768882B1 (ko) | 2007-02-12 | 2007-02-12 | 반도체 반응부산물 트랩장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100768882B1 true KR100768882B1 (ko) | 2007-10-22 |
Family
ID=38815375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070014495A KR100768882B1 (ko) | 2007-02-12 | 2007-02-12 | 반도체 반응부산물 트랩장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100768882B1 (ko) |
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| A302 | Request for accelerated examination | ||
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| FPAY | Annual fee payment |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160902 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
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| FPAY | Annual fee payment |
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