KR100564272B1 - 반도체 부산물 트랩장치 - Google Patents

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KR100564272B1 KR1020050045158A KR20050045158A KR100564272B1 KR 100564272 B1 KR100564272 B1 KR 100564272B1 KR 1020050045158 A KR1020050045158 A KR 1020050045158A KR 20050045158 A KR20050045158 A KR 20050045158A KR 100564272 B1 KR100564272 B1 KR 100564272B1
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Abstract

본 발명은 박막의 증착 및 식각시 프로세스 챔버에 발생되는 반응부산물을 효율적으로 트랩핑하여 진공펌프의 고장을 방지하는데 적당한 반도체 부산물 트랩장치를 제공하기 위한 것으로서, 본 발명의 반도체 부산물 트랩장치는 프로세스 챔버내에서 박막의 증착 또는 식각시 발생하는 반응부산물을 포집하기 위한 반도체 부산물 트랩장치에 있어서, 내벽면을 따라 쿨링라인이 설치된 중공의 쿨링챔버와, 상기 쿨링챔버의 중공부에 상기 쿨링챔버의 내벽면과 이격되어 설치되고 상기 프로세스 챔버로부터 반응부산물이 유입되는 히팅챔버를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
반응부산물, 쿨링챔버, 히팅챔버, 플레이트,

Description

반도체 부산물 트랩장치{APPARATUS FOR TRAPPING SEMICONDUCTOR RESIDUAL PRODUCT}
도 1은 종래 기술에 따른 파우더 트랩장치의 개념도
도 2는 본 발명의 반도체 부산물 트랩장치의 외관 사시도
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 절개 사시도
도 4는 본 발명의 반도체 부산물 트랩장치에 따른 쿨링챔버를 설명하기 위한 요부 절개 사시도
도 5는 본 발명의 반도체 부산물 트랩장치에 따른 히팅챔버를 설명하기 위한 요부 절개 사시도
도 6은 본 발명의 반도체 부산물 트랩장치에 따른 쿨링챔버 내부에 설치되는 제 1플레이트의 설치 상태를 설명하기 위한 요부 절개 사시도
도 7은 본 발명의 반도체 부산물 트랩장치에 따른 히팅챔버 내부에 설치되는 제 2플레이트의 설치 상태를 설명하기 위한 요부 사시도
도 8은 본 발명의 반도체 부산물 트랩장치에 따른 히팅챔버의 요부 사시도
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
100 : 제 1하우징 200 : 제 2하우징
110, 112 : 제 1, 제 2연결구 114 : 쿨링라인
116 : 통공 118 : 제 1플레이트
120 : 서포팅 바 122, 224, 226: 타공
212 : 반응부산물 유입관 216 : 제 2플레이트
218 : 히터 220 : 고정편
228 : 제 3플레이트
본 발명은 반도체장치에 관한 것으로서, 특히 반도체소자 제조시 프로세스 챔버 내부에 발생되는 미반응 가스 및 유독성 가스와 같은 반응부산물을 보다 효율적으로 포집(捕集)하는데 적당한 반도체 부산물 트랩장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 이루어지며, 전 공정이라 함은 각종 프로세스 챔버(Chamber)내에서 웨이퍼(Wafer)상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하는 것에 의해 이른바, 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정을 말하고, 후 공정이라 함은 상기 전 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정을 말한다.
이때, 상기 웨이퍼 상에 박막을 증착하거나, 웨이퍼 상에 증착된 박막을 식각하는 공정은 프로세스 챔버 내에서 실란(Silane), 아르신(Arsine) 및 염화 붕소 등의 유해 가스와 수소 등의 프로세스 가스를 사용하여 고온에서 수행되며, 상기 공정이 진행되는 동안 프로세스 챔버 내부에는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스 등이 다량 발생하게 된다.
따라서 반도체 제조장비에는 프로세스 챔버를 진공상태로 만들어 주는 진공펌프의 후단에 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스를 정화시킨 후 대기로 방출하는 스크루버(Scrubber)를 설치한다.
하지만, 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스는 대기와 접촉하거나 주변의 온도가 낮으면 고형화되어 파우더로 변하게 되는데, 상기 파우더는 배기라인에 고착되어 배기압력을 상승시킴과 동시에 진공펌프로 유입될 경우 진공펌프의 고장을 유발하고, 배기가스의 역류를 초래하여 프로세스 챔버 내에 있는 웨이퍼를 오염시키는 문제점이 있었다.
이에, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서 도 1에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버와 진공펌프 사이에 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스를 파우더 상태로 응착시키는 파우더 트랩 장치를 설치하고 있다.
즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(1)와 진공펌프(3)는 펌핑라인(5)으로 연결되고, 상기 펌핑라인(5)에는 상기 프로세스 챔버(1)에서 발생된 반응부산물을 파우더 형태로 트랩하여 적체하기 위한 트랩관(7)이 상기 펌핑라인(5)으로부터 분기되어 설치된다.
이와 같은 종래의 파우더 트랩 장치는 상기 프로세스 챔버(1) 내부에서 박막의 증착이나 식각시 발생된 미반응 가스는 상기 프로세스 챔버(1)에 비해 상대적으로 낮은 온도 분위기를 갖는 펌핑라인(5)쪽으로 유입되면서 분말 상태의 파우더로 고형화된 후, 상기 펌핑라인(5)으로부터 분기되어 설치된 트랩관(7)에 쌓이게 된다.
이때, 상기 트랩관(7)을 펌핑라인(5)으로부터 분기시켜 설치하는 이유는 앞에서 잠시 언급한 바와 같이, 상기 파우더가 진공펌프(3)쪽으로 유입되지 않도록 하기 위함이다. 참고로, 도 1의 미설명 부호 "9"는 파우더를 지시한다.
그러나 상기와 같은 종래 기술의 파우더 트랩 장치는 다음과 같은 문제점이 있었다.
첫째, 프로세스 챔버 내부에서 발생된 반응부산물이 파우더 상태로 전환되어 트랩관에 적체되기까지의 시간이 오래 걸리므로 그 만큼 전체 공정시간이 길어지는 문제점이 있었다.
둘째, 파우더가 적체되는 트랩관의 공간이 매우 협소한 관계로 상기 트랩관에 적체된 파우더를 자주 제거해 주어야 하는 불편함이 있었다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 반도체 부산물을 효율적으로 트랩핑하는데 적당한 반도체 부산물 트랩장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 부산물 트랩장치는 프로세스 챔버내에서 박막의 증착 또는 식각시 발생하는 반응부산물을 포집하기 위한 반도체 부산물 트랩장치에 있어서, 내벽면을 따라 쿨링라인이 설치된 중공의 쿨링챔버와, 상기 쿨링챔버의 중공부에 상기 쿨링챔버의 내벽면과 이격되어 설치되고 상기 프로세스 챔버로부터 반응부산물이 유입되는 히팅챔버를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 쿨링챔버는 상기 프로세스 챔버와의 연결을 위한 제 1연결구 및 진공펌프와의 연결을 위한 제 2연결구를 갖는 제 1하우징과, 상기 제 1하우징의 내부에 복수 층으로 설치되되, 그 중심부는 상기 히팅챔버가 끼워질 수 있을 정도의 통공을 갖는 제 1플레이트들과, 상기 제 1플레이트들을 관통하여 설치되어 상기 제 1플레이트들을 지지하는 복수의 서포팅 바를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 히팅챔버는 상기 제 1플레이트들에 형성된 통공에 끼워져 설치되는 중공의 제 2하우징과, 상기 제 1연결구와 연통되어 상기 제 2하우징의 내부로 연장되는 반응부산물 유입관과, 상기 제 2하우징의 내부에 복수 층으로 설치되되, 그 중심부에 상기 반응부산물 유입관이 관통될 수 있도록 통공이 형성된 제 2플레이트들과, 상기 반응부산물 유입관의 주변에 설치되는 복수의 히터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 2하우징은 두 겹으로 설치되는 것을 특징으로 하며, 상기 제 2하우징의 하단에는 복수 층의 제 3플레이트가 설치되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 복수 층의 제 1, 제 2플레이트들 및 제 3플레이트들에는 각각 복수의 타공들이 형성되며, 상기 타공들은 비대칭적으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 1플레이트들에 형성된 타공의 직경은 최상층에서 아래층으로 갈수록 점차적으로 작아지고, 상기 제 2플레이트들에 형성된 타공의 직경은 최상층에서 아래층으로 갈수록 점차적으로 커지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 히터는 바(Bar) 형상을 가지며 상기 쿨링챔버의 상단을 관통하여 상기 히팅챔버의 내부로 연장되는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 반도체 부산물 트랩장치를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 반도체 부산물 트랩장치의 외관사시도이고, 도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 절개 사시도이다. 그리고 도 4는 본 발명의 반도체 부산물 트랩장치에 따른 쿨링챔버를 설명하기 위한 절개 사시도이고, 도 5는 본 발명의 반도체 부산물 트랩장치에 따른 히팅챔버를 설명하기 위한 절개 사시도이다.
먼저, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 반도체 부산물 트랩장치는 크게 쿨링챔버(Cooling chamber) 내부에 히팅챔버(Heating chamber)가 설치된 구조를 가지며, 보다 구체적으로는 상기 쿨링챔버를 구성하는 제 1하우징(100)의 내부에 히팅챔버를 구성하는 제 2하우징(200)이 설치되는 구조이다.
상기 쿨링챔버는 프로세스 챔버(미도시)와의 연결을 위한 제 1연결구(110) 및 진공펌프(미도시)와의 연결을 위한 제 2연결구(112)를 갖는 원통형의 제 1하우징(100)과, 상기 제 1하우징(100)의 내벽면을 따라 설치되는 쿨링라인(114)과, 상기 제 1하우징(100)의 내부에 복수 층으로 설치되되, 그 중심부는 상기 히팅챔버가 끼워질 수 있을 정도의 통공(116)을 갖는 원판형의 제 1플레이트(118)들과, 상기 제 1플레이트(118)들을 관통하면서 설치되어 상기 제 1플레이트(118)들을 지지하는 복수의 서포팅 바(Supporting bar)(120)를 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 제 1하우징(100)은 덮개 역할을 하는 상판(100a)을 포함하며, 프로세스 챔버와의 연결을 위한 제 1연결구(110)는 상기 상판(100a)에 형성됨이 바람직하고, 상기 진공펌프와의 연결을 위한 제 2연결구(112)는 제 1하우징(100)의 하단에 형성됨이 바람직하다.
상기 쿨링라인(114)은 히팅챔버에서 유출된 미반응 가스 등의 반응부산물을 트랩핑(Trapping)하기 위해 쿨링챔버의 내부를 저온의 분위기로 만들기 위한 것으로서, 도면에 도시된 바와 같이, 제 1하우징(100)의 내벽면을 따라 형성되며, 상기 쿨링라인(114)에 의해 차가워진 쿨링챔버의 내부의 온도에 의해 상기 미반응 가스는 파우더 상태로 변환되고, 이 상태에서 상기 파우더가 제 1플레이트(118)의 표면에 접촉하게 되면 고형화되면서 쌓이게 된다.
상기 제 1플레이트(118)들은 도 4 및 도 6에 도시된 바와 같이, 원판형으로 구성되며, 그 중심부에는 상기 히팅챔버가 끼워질 수 있도록 통공(116)이 형성된다. 참고로, 도 6은 제 1하우징(100)의 내부에 설치되는 제 1플레이트(118)의 설치 상태를 설명하기 위한 요부 사시도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 제 1플레이트(118)들은 중공의 제 1하우징(100)의 내부에 복수의 층으로 설치되며, 저마다 복수의 타공(122)이 형성된다. 이때, 상기 타공(122)의 직경은 최상층의 제 1플레이트(118)에 형성된 것이 가장 크고, 최하층의 제 1플레이트(118)로 갈수록 점차적으로 작아지도록 형성됨이 바람직하다.
또한, 상기 제 1플레이트(118)들에 형성된 타공(122)들은 바람직하게는 비대칭적으로 형성되어 파우더가 타공(122)을 통해 아래층으로 내려가면서 일부는 해당층의 제 1플레이트(118)에 쌓이고, 일부는 해당층에 형성된 타공(122)을 통해 재차 아래층으로 내려갈 수 있도록 한다.
이와 같이, 제 1플레이트(118)들에 형성된 타공(122)들의 직경을 다르게 하고, 또한 각 층의 제 1플레이트(118)에 형성된 타공(122)을 비대칭적으로 형성하는 이유는 복수 층으로 이루어진 제 1플레이트(118)에 균일한 양으로 파우더가 적층될 수 있도록 하기 위함이다.
다시 말해서, 상기 히팅챔버의 위쪽으로 유출되는 미반응 가스 등의 반응부산물은 쿨링챔버 내부의 차가운 온도 분위기에 의해 파우더 형태로 변화되는데, 만일 최상층의 제 1플레이트(118)에 형성된 타공(122)의 직경이 작다면 소량의 파우더만이 그 아래층으로 흘러내리게 될 것이고, 대부분의 파우더는 최상층에 있는 제 1플레이트(118)의 표면에 적층될 것이다. 이렇게 되면 최상층에 있는 제 1플레이트(118)의 표면에만 많은 양의 파우더가 적층되고, 서서히 고형화되면서 상기 타공(122)을 막아버려 더 이상 파우더가 아래층으로 떨어질 수가 없게 되는 결과를 초래할 수가 있다.
따라서, 최상층에 있는 제 1플레이트(118)에는 직경이 큰 타공(122)을 형성하고(많은 양의 파우더가 큰 직경의 타공을 통해 아래층으로 내려갈 수 있도록), 아래층으로 갈수록 점차적으로 직경이 작은 타공(122)을 형성함으로써, 많은 양의 파우더가 최상층의 제 1플레이트(118)에서부터 최하층의 제 1플레이트(118)에 걸쳐 균일하게 적층될 수 있도록 한다.
또한, 상기 복수 층의 제 1플레이트(118)들은 도 6에 잘 나타난 바와 같이, 그들을 관통하는 서포팅 바(120)에 의해 각각 소정의 간격을 유지하면서 제 1하우징(100)의 내부에 고정 지지되며, 상기 서포팅 바(120)의 일단은 제 1하우징(100)의 내측 바닥면에 고정되고, 타단은 상기 상판(100a)의 밑면에 고정된다. 이때, 상기 서포팅 바(120)의 타단은 상기 상판(100a)의 밑면에 용접 등에 의해 고정될 수 있으며, 상기 서포팅 바(120)와 제 1플레이트(118)들 역시 용접이나 강력한 접착제 등을 이용하여 흔들림이 없이 고정되도록 함이 바람직하다.
한편, 상기 히팅챔버는 도 3에 나타낸 바와 같이, 제 1하우징(100)의 내부에 설치되어 상기 프로세스 챔버에서 유입된 반응부산물의 화학적 변화를 유도한다.
이와 같은 히팅챔버는 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상단은 개방된 채로, 상기 제 1플레이트(118)에 형성된 통공(116)에 삽입 설치되는 원통형의 제 2하우징(200)과, 상기 제 1연결구(110)와 연통되어 상기 제 2하우징(200)의 내부로 연장되는 반응부산물 유입관(212)과, 상기 제 2하우징(200)의 내부에 복수 층으로 설치되되, 그 중심부를 통해 상기 반응부산물 유입관(212)이 관통되는 원판형의 제 2플레이트(216)들과, 상기 복수 층으로 설치된 상기 제 2플레이트(216)들을 차례로 관통하면서 상기 반응부산물 유입관(212)을 따라 그 주변에 설치되는 복수의 히터(218)를 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 제 2하우징(200)은 일단이 상기 상판(100a)의 밑면에 나사 혹은 용접 등에 의해 고정되는 고정편(220)에 의해 제 1하우징(100)의 내부에서 안정되게 고정 및 지지된다.
상기 반응부산물 유입관(212)은 상기 상판(100a)에 형성된 제 1연결구(110)와 연통되어 제 2하우징(200)의 내측 바닥면 부근까지 연장 설치되며, 상기 제 2하우징(200)의 내부에는 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 반응부산물 유입관(212)이 끼워질 수 있도록 그 중심부에 통공(222)이 형성된 원판형의 제 2플레이트(216)가 복수 층으로 설치된다. 참고로, 도 7은 본 발명의 반도체 부산물 트랩장치에 따른 제 2플레이트(216)의 설치 상태를 보여주는 도면이다.
또한, 상기 제 2플레이트(216)들 역시 제 1플레이트(118)와 마찬가지로 저마다 복수의 타공(224)들이 형성되며, 상기 타공(224)들을 통해서 상기 반응부산물 유입관(212)의 단부에서 유출되는 미반응 가스 등의 반응 부산물이 위쪽으로 올라가게 된다.
이때, 상기 반응부산물 유입관(212)의 단부가 제 2하우징(200)의 내측 바닥면 부근까지 연장되어 있는 관계로 상기 반응부산물 유입관(212)의 단부에서 유출되는 미반응 가스 등의 반응부산물은 위쪽으로 올라가게 되는데(진공펌프가 작동하고 있기 때문에), 많은 양의 반응부산물 제 2플레이트(216)에 의해 방해받지 않고 위쪽으로 올라갈 수 있도록 하기 위해서는 상기 제 2플레이트(216)들 중에서 최하 층에 있는 제 2플레이트(216)에 큰 직경을 갖는 타공(224)을 형성하고, 위층으로 올라갈수록 점차적으로 작아지는 직경을 갖는 타공을 형성하는 것이 바람직하다.
추가하여, 상기 제 2플레이트(216)에는 타공(224) 대신에 원주 방향을 따라 광폭(廣幅)의 홀(Hole)을 형성하여도 무방하다. 이렇게 원주방향을 따라 광폭의 홀을 형성할 경우 반응부산물 유입관(212)의 단부에서 유출되는 반응부산물의 대부분은 상기 홀을 통해 위쪽으로 올라가게 될 것이다.
한편, 상기 제 2하우징(200)의 내부에 설치되는 히터(218)는 상기 제 2하우징(200)의 내부를 고온의 분위기로 유지시켜 반응부산물 유입관(212)을 통해 유입된 반응부산물의 화학적인 변화를 유도하기 위한 것으로서, 상기 반응부산물 유입관(212)을 따라 그 주변에 바(Bar) 형태로 복수 개 형성되며, 그 일단은 상기 상판(100a)을 통해 외부와 연결되며, 타단은 제 2하우징(200)의 내측 바닥면 부근까지 연장되되, 상기 제 2플레이트(216)들을 관통하면서 설치된다.
또한, 상기 제 2하우징(200)은 도 8에 도시된 바와 같이, 두 겹으로 형성하여 히팅챔버와 쿨링챔버간의 온도차에 따른 영향을 최소화하는 것이 바람직하다. 또한 그 바닥면은 깔때기 모양으로 오목하게 형성하여 반응부산물 유입관(212)을 통해 유입된 미반응 가스가 오목하게 형성된 바닥면에 부딪혀 자연스럽게 위쪽으로 올라갈 수 있도록 하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 히터(218)와 제 2플레이트(216) 역시 용접이나 강력한 접착제 등을 이용하여 상호 고정하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 제 2하우징(200)과 제 1하우징(100)의 내측 바닥면과의 사이에는 상기 제 2연결구(112)와 연통되는 소정의 공간이 확보되며, 상기 공간에는 저마다 복수의 타공(226)이 형성된 복수 개의 제 3플레이트(228)가 설치된다. 이때, 상기 제 3플레이트(228)는 제 1, 제 2플레이트(118)(216)들과 마찬가지로 원판형으로 형성되나, 상기 제 1, 제 2플레이트(118)(216)와는 달리 그 중심부에 통공을 구비하지 않는다.
대체로, 고온 분위기의 히팅챔버에서 유출되는 반응부산물이 급격하게 온도차를 발생하는 쿨링챔버쪽으로 유입되면, 상기 반응부산물은 파우더 형태로 변환되어 일부는 최상층에 있는 제 1플레이트(118)의 표면에 접촉되면서 고형화되고, 대부분은 파우더는 상기 제 1플레이트(118)에 형성된 복수의 타공(122)들을 통해 그 아래층으로 흘러내리게 된다. 이런식으로 각 층의 제 1플레이트(118)마다 소정량의 파우더가 쌓이게 되며, 상기 제 3플레이트(228)는 상기의 과정에서 미처 제 1플레이트(118)에 쌓이지 못한 파우더를 트랩하게 되어 결과적으로, 상기 제 1플레이트(228)와 더불어 파우더가 진공펌프쪽으로 빨려 들어가지 못하도록 하는 필터 역할을 하게 된다. 참고로, 상기 제 3플레이트(228)는 제 1플레이트(118)와 함께 상기 서포팅 바(120)에 의해 고정 및 지지된다.
이하에서는 상기와 같이 구성된 본 발명의 반도체 부산물 트랩장치의 동작을 설명하기로 한다.
박막의 증착 또는 식각 공정이 완료되면 프로세스 챔버(미도시)의 내부에는 박막의 증착 및 식각 공정에서 발생된 미반응 가스 등 다량의 반응부산물이 생성된다.
상기의 반응부산물은 진공펌프(미도시)가 구동됨에 따라 히팅챔버를 구성하는 제 2하우징(200)의 내부로 반응부산물 유입관(212)을 통해 유입된다. 이때, 상기 히터(218)에 의해 제 2하우징(200)의 내부는 높은 온도 분위기를 유지하므로 상기 반응부산물 유입관(212)을 통해 유입된 미반응 가스는 이온화에 필요한 에너지를 공급받게 되며, 이로 인해 화학적 변화를 일으키게 되고, 이 상태에서 상기 제 2하우징(200) 내부에 설치된 제 2플레이트(216)를 경유하여 쿨링챔버쪽으로 유입된다.
이때, 상기 쿨링챔버를 구성하는 제 1하우징(100)의 내벽면에 설치된 쿨링라인(114)에 의해 상기 제 1하우징(100)의 내부는 저온 상태를 유지하므로 상기 유입된 반응부산물은 고형 성분의 물질 예컨대, 파우더 상태로 변화하게 되며, 이러한 파우더가 최상층에 있는 제 1플레이트(118)의 표면에 접촉되는 순간, 고형화가 진행되면서 제 1플레이트(118)의 표면에 쌓이게 되고, 상기 제 1플레이트(118)에 접촉되지 아니하고 타공(122)을 통해 아래층으로 빠져나간 파우더는 일부는 해당층의 제 1플레이트(118)의 표면에 접촉되면서 고형화되고 나머지는 다시 상기 해당층의 제 1플레이트(118)에 형성된 타공(122)을 통해 아래층으로 빠져나간다.
이와 같은 과정을 거치면서 최상층에 있는 제 1플레이트(118)에서부터 최하층에 있는 제 1플레이트(118)에 이르기까지 전체적으로 균일한 양의 파우더 고형체가 쌓이게 된다. 만일 상기 최하층의 제 1플레이트(118)에 형성된 타공(122)을 통해 빠져나가는 파우더가 있다면 이들은 제 3플레이트(228)에 쌓이게 된다.
결과적으로, 프로세스 챔버에서 발생된 반응부산물은 히팅챔버를 경유하여 쿨링챔버로 유입되며, 상기 쿨링챔버로 유입된 반응부산물은 내부의 차가운 온도 분위기에 의해 파우더와 같은 분말 상태로 변화하고, 이렇게 변화된 파우더는 복수 층으로 설치된 제 1플레이트(118)들의 표면에 균일하게 쌓이면서 고형화되고, 상기 제 1플레이트(118)에서 미처 트랩되지 못한 파우더는 재차 제 3플레이트(228)의 표면에 쌓이게 되어 상기 진공펌프쪽으로 파우더가 유입되는 것을 막는다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하였으나, 본 발명은 다양한 변화와 변경 및 균등물을 사용할 수가 있고, 상기 실시 예들을 적절히 변형하여 동일하게 응용할 수가 있음이 명확하다. 따라서 상기 기재 내용은 하기의 특허청구범위의 한계에 의해 정해지는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니다.
이상에서 상술한 바와 같이 본 발명의 반도체 부산물 트랩장치는 다음과 같은 효과가 있다.
프로세스 챔버에서 유입되는 미반응 가스 등의 반응부산물의 상변화가 가능한 정도의 높은 온도를 유지하는 히팅챔버를 쿨링챔버의 내부에 설치하여 상기 반응부산물이 신속하게 파우더 상태로 변화된 상태로 쿨링챔버로 유입되기 때문에 상기 쿨링챔버에서 보다 신속하게 파우더 상태의 반응부산물을 트랩할 수가 있다.
또한, 쿨링챔버 내부에 복수 층으로 설치되는 원판형의 플레이트에 비대칭적으로 복수의 타공을 형성하되, 높이 방향을 따라 타공의 직경을 다르게 형성함으로써 파우더가 상기 복수 층의 플레이트에 균일하게 쌓이도록 하여 보다 많은 파우더를 트랩할 수가 있으므로 파우더가 진공펌프쪽으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.

Claims (10)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 프로세스 챔버내에서 박막의 증착 또는 식각시 발생하는 반응부산물을 포집하기 위한 반도체 부산물 트랩장치에 있어서,
    내벽면을 따라 쿨링라인이 설치된 중공의 쿨링챔버와;
    상기 쿨링챔버의 중공부에 상기 쿨링챔버의 내벽면과 이격되어 설치되고 상기 프로세스 챔버로부터 반응부산물이 유입되는 히팅챔버를 포함하여 구성되되,
    상기 쿨링챔버는, 상기 프로세스 챔버와의 연결을 위한 제 1연결구 및 진공펌프와의 연결을 위한 제 2연결구를 갖는 제 1하우징과, 상기 제 1하우징의 내부에 복수 층으로 설치되되, 그 중심부는 상기 히팅챔버가 끼워질 수 있을 정도의 통공을 갖는 제 1플레이트들과, 상기 제 1플레이트들을 관통하여 설치되어 상기 제 1플레이트들을 지지하는 복수의 서포팅 바를 포함하여 구성되고,
    상기 히팅챔버는, 상기 제 1플레이트들에 형성된 통공에 끼워져 설치되는 중공의 제 2하우징과, 상기 제 1연결구와 연통되어 상기 제 2하우징의 내부로 연장되는 반응부산물 유입관과, 상기 제 2하우징의 내부에 복수 층으로 설치되되, 그 중심부에 상기 반응부산물 유입관이 관통될 수 있도록 통공이 형성된 제 2플레이트들과, 상기 반응부산물 유입관의 주변에 설치되는 복수의 히터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 부산물 트랩장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 히터는 바(Bar) 형상을 가지며 상기 쿨링챔버의 상단을 관통하여 상기 히팅챔버의 내부로 연장되는 것을 포함함을 특징으로 하는 반도체 부산물 트랩장치.
  5. 제 3항 또는 제 4항에 있어서,
    상기 제 2하우징은 두 겹으로 설치되는 것을 포함함을 특징으로 하는 반도체 부산물 트랩장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제 2하우징의 바닥면은 오목하게 경사진 것을 포함함을 특징으로 하는 반도체 부산물 트랩장치.
  7. 제 3항 또는 제 4항에 있어서,
    상기 제 2하우징의 하단에는 복수 층의 제 3플레이트가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 부산물 트랩장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 복수 층의 제 1, 제 2플레이트들 및 제 3플레이트들에는 각각 복수의 타공들이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 부산물 트랩장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 각 플레이트들에 형성된 타공들은 비대칭적으로 형성되는 것을 포함함을 특징으로 하는 반도체 부산물 트랩장치.
  10. 제 8항 또는 제 9항에 있어서,
    상기 제 1플레이트들에 형성된 타공의 직경은 최상층에서 아래층으로 갈수록 점차적으로 작아지고, 상기 제 2플레이트들에 형성된 타공의 직경은 최상층에서 아래층으로 갈수록 점차적으로 커지는 것을 포함함을 특징으로 하는 반도체 부산물 포집장치.
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