CN112337226B - 半导体工程的反应副产物收集装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了适用于半导体工程的反应副产物收集装置，在反应副产物收集装置中，包括：外壳，采用圆筒管形态，配备有形成气体流入口的上板以及形成向内部延长凸出的气体排出口的下板，用于在对所流入的排出气体进行收容之后再进行排出；以及，流路变更式垂直型内部收集塔，以悬挂的形态安装于上述外壳内部，由用于对所流入的排出气体中的反应副产物进行收集的盘型收集部、扩散板、圆筒形收集部以及圆筒形过滤器收集部构成。

Description

半导体工程的反应副产物收集装置
技术领域
本发明涉及一种半导体工程的反应副产物收集装置，尤其涉及一种安装在用于对从制造半导体的制程腔体排出的排出气体中所包含的反应副产物进行收集的反应物收集装置的后端，对第1次去除反应副产物之后的排出气体中所残留的微量的未被收集的反应副产物进行去除的第2次反应副产物收集装置。
背景技术
通常，半导体制造工程大体上包括前工程(制造(Fabrication)工程)以及后工程(装配(Assembly)工程)。
上述前工程是指通过在各种制程腔体(Chamber)的内部重复执行在晶圆(Wafer)上沉积形成薄膜并对沉积形成的薄膜进行选择性蚀刻的过程而加工出特定图案的半导体芯片(Chip)制造工程。
此外，上述后工程是指通过对在上述前工程中在晶圆上制造出的芯片进行单独切割分离之后与引线框架进行结合而组装出成品的封装(package)工程。
具体来讲，上述前工程是指在晶圆上沉积形成薄膜或对在晶圆上沉积形成的薄膜进行蚀刻的工程，为此，将在根据不同的工程选择性地向制程腔体的内部注入如SiH4(硅烷，Silane)、砷化氢(Arsine)、氯化硼、氢气、WF6(六氟化钨，Tungsten hexafluoride)、TiCl4(四氯化钛，Titanium tetrachloride)、NH3(氨，Ammonia)等反应气体中的一种以上之后在高温下执行薄膜沉积工程。此时，在制程腔体的内部将产生大量的含有各种易燃气体、腐蚀性异物以及有毒成分的有害气体等。
为了能够在对如上所述的有害气体进行净化之后排出，在半导体制造装置中配备有用于将制程腔体转换成真空状态的真空泵以及用于在真空泵的后端对从制程腔体排出的排出气体进行净化之后再排出到大气的洗涤器(Scrubber)。
但是，因为洗涤器只能对气体形态的反应副产物进行净化和处理，因此当反应副产物在被排出到制程腔体的外部之后发生固化时，会造成如因为附着在排气管中而导致排出气体压力的上升、因为流入到真空泵而诱发泵的故障或因为有害气体逆流到制程腔体而导致晶圆受到污染等多种问题。
为此，半导体制造装置通过在制程腔体与真空泵之间安装反应副产物收集装置而对从制程腔体排出的排出气体进行凝聚。
如上所述的反应副产物收集装置通过泵管与制程腔体以及真空泵连接，从而对在制程腔体内进行反应之后排出的排出气体中所包含的粒子状反应副产物进行凝聚和收集。
但是，因为客户公司的工程发生变化且反应气体量呈现出增加的趋势，仅利用如上所述的反应副产物收集装置并不能完全地去除反应副产物，从而导致所排出的排出气体中有未被收集的粒子状反应副产物残留并因此进一步导致真空泵受损的问题。
在先技术文献
专利文献
(专利文献1)韩国注册专利公报注册编号10-0717837(2007.05.07.)
(专利文献2)韩国注册专利公报注册编号10-0862684(2008.10.02.)
(专利文献3)韩国注册专利公报注册编号10-1447629(2014.09.29.)
(专利文献4)韩国注册专利公报注册编号10-1806480(2017.12.01.)
发明内容
本发明的目的在于解决如上所述的现有问题而提供一种为了在半导体制造工程中安装在第1次反应副产物收集装置以及真空泵之间而对从上一个工程的第1次反应物收集装置排出的排出气体中所包含的未被收集的反应副产物进行再次去除，利用位于中央部的扩散板构成位于上部的盘型收集部和位于下部的圆筒型收集部以及圆筒型过滤器收集部，从而通过对排出气体的移动流路进行变更而使得排出气体能够在经过较长的移动路径的过程中实现足够的反应副产物收集时间以及多段收集过程的反应副产物收集装置。
为了达成如上所述的目的并解决现有问题，本发明提供一种半导体工程用流路方向转换式反应副产物收集装置，其特征在于：在将经过用于对从半导体工程的制程腔体排出的排出气体中的反应副产物进行收集的第1次反应副产物收集装置之后的排出气体中所包含的未被收集的反应副产物进行再次收集并供应到真空泵的反应副产物收集装置中，包括：
外壳，采用圆筒管形态，配备有形成气体流入口的上板以及形成向内部延长凸出的气体排出口的下板，用于在对所流入的排出气体进行收容之后再进行排出；以及，流路变更式垂直型内部收集塔，以悬挂的形态安装于上述外壳内部，用于对所流入的排出气体中的反应副产物进行收集；
其中，上述流路变更式垂直型内部收集塔，其特征在于，包括：盘型收集部，以与外壳的上板间隔一定距离的方式安装，由上下多段构成的多个圆板构成，用于在向下方供应排出气体的同时对反应副产物进行收集；扩散板，用于在将通过盘型收集部向下方供应的排出气体供应到侧方向的同时对反应副产物进行收集；圆筒形收集部，用于在将向侧方向供应的排出气体供应到下方的同时对反应副产物进行收集之后再使排出气体通过下部开口流入；以及，圆筒形过滤器收集部，以围绕气体排出口的上部周围周边的方式安装，用于对反应副产物进行最终收集。
作为较佳的实施例，上述盘型收集部能够由借助于间隔支撑杆上下间隔一定距离的多个圆板多段焊接构成并在各个圆板中排列形成多个相同大小的气孔。
作为较佳的实施例，在上述各个圆板中，在位于上部的圆板上形成的气孔能够大于在位于下部的圆板上形成的气孔。
作为较佳的实施例，在上述各个圆板上形成的气孔与在上下相邻的圆板上形成的气孔能够以位置不一致的交错方式形成。
作为较佳的实施例，上述扩散板，能够包括：密封盘，用于对排出气体的下向流动进行阻隔；以及，多个导向板，在上述密封盘的上部面以放射形排列安装，用于将排出气体的流动分配到侧方向。
作为较佳的实施例，上述密封盘的上侧面能够通过与盘型收集部的间隔支撑杆焊接而一体化，而底面能够通过与圆筒形收集部的圆筒管上部以及圆筒形过滤器收集部的上侧面焊接而一体化。
作为较佳的实施例，上述导向板的长度能够小于密封板盘的半径且能够被加工成下端扁平而上端具有从密封盘的中心点向周围一侧逐渐变大的倾斜角的形态，安装起始点能够被配置在与密封盘的中心间隔一定距离的位置，而结束点能够被排列配置在与密封盘的周围间隔一定距离的内侧位置。
作为较佳的实施例，上述圆筒形收集部，能够包括：圆筒管，对排出气体的侧方向流入进行阻隔并仅向下部开口下向供应流入；
多个环形板，在上述圆筒管的周围沿着上下方向以一定的间隔多段排列焊接。
作为较佳的实施例，上述环形板能够沿着圆周方向形成多个气孔。
作为较佳的实施例，上述圆筒形过滤器收集部能够以被焊接到扩散板的底面的状态位于圆筒形收集部的内部并以下部的一部分区间区域围绕气体排出口的上部周围周边空间的方式安装，在周围能够排列形成用于对排出气体的流入进行诱导并对反应副产物进行收集的多个气孔。
作为较佳的实施例，上述圆筒形过滤器收集部的内径能够大于气体排出口的外径而其外径能够小于圆筒形收集部的圆筒管内径，从而形成可供排出气体移动的空间部。
如上所述特征的适用本发明的反应副产物收集装置，通过在半导体制造工程中安装在第1次反应副产物收集装置以及真空泵之间，利用位于中央部的扩散板将从上一个工程的第1次反应物收集装置排出的排出气体在位于上部的盘型收集部和位于下部的圆筒形收集部以及圆筒形过滤器收集部之间流动时的排出气体的移动流路进行变更，使得通过气体流入口流入的排出气体在经过较长的移动路径的过程中实现足够的反应副产物收集时间以及多段收集过程并借此再次地对排出气体中所包含的未被收集的反应副产物进行去除，从而能够防止因为反应副产物而导致的真空泵损伤，是一种有望实现大规模产业应用的非常有用的发明。
附图说明
图1是适用本发明之一实施例的反应副产物收集装置的斜视图。
图2是适用本发明之一实施例的反应副产物收集装置的分解斜视图。
图3是适用本发明之一实施例的反应副产物收集装置的截面图。
图4是适用本发明之一实施例的流路变更式垂直型内部收集塔的整体构成图。
图5是适用本发明之一实施例的盘型收集部的构成图。
图6是适用本发明之一实施例的扩散板的构成图。
图7是适用本发明之一实施例的圆筒形收集部的构成图。
图8是适用本发明之一实施例的圆筒形过滤器收集部的构成图。
图9是适用本发明之一实施例的反应副产物收集装置的排出气体流向图。
(附图标记说明)
1：外壳
2：流路变更式垂直型内部收集塔
11：气体流入口
12：上板
13：气体排出口
14：下板
15：结合口
21：盘型收集部
22：扩散板
23：圆筒型收集部
24：圆筒型过滤器收集部
25：荷重支撑杆
211：圆板
212：气孔
213：结合孔
214：间隔支撑杆
221：密封盘
222：导向板
223：结合孔
231：圆筒管
232：环形板
233：气孔
234：结合孔
241：气孔
251：结合用螺母
具体实施方式
接下来，将结合附图对适用本发明的实施例的构成及其作用进行详细的说明如下。此外，在对本发明进行说明的过程中，当判定对相关的公知功能或构成的具体说明可能会导致本发明的要旨变得不清晰时，将省略与其相关的详细说明。
图1是适用本发明之一实施例的反应副产物收集装置的斜视图，图2是适用本发明之一实施例的反应副产物收集装置的分解斜视图，图3是适用本发明之一实施例的反应副产物收集装置的正向截面图，图4是适用本发明之一实施例的流路变更式垂直型内部收集塔的整体构成图，图5是适用本发明之一实施例的盘型收集部的构成图，图6是适用本发明之一实施例的扩散板的构成图，图7是适用本发明之一实施例的圆筒形收集部的构成图，图8是适用本发明之一实施例的圆筒形过滤器收集部的构成图。
如图所示，适用本发明的反应副产物收集装置是一种在半导体工程中安装在半导体制造工程中的第1反应副产物收集装置与真空泵之间的第2次反应副产物收集装置，尤其是一种采用可以被安装到真空泵上端的紧凑型结构，从而能够为了防止真空泵发生故障而再次对从第1次反应物收集装置排出的排出气体中所包含的未被收集的反应副产物进行去除的装置。尤其是，在用于执行氮化钛原子层沉积(TiN-ALD)以及化学气相淀积(CVD)工程的制程腔体中，能够在利用TiCl4(四氯化钛，Titanium tetrachloride)、NH3(氨，Ammonia)等气体执行薄膜沉积工程之后通过第1次反应物收集装置对所排出的排出气体成分中包含的有毒气体中的粒子状物质作为反应副产物进行凝聚和收集，然后再次对所排出的排出气体中包含的未反应或未被收集的反应副产物进行收集并最终供应到真空泵。
适用本发明的反应副产物收集装置的构成大体上包括：外壳1，构成主体；以及，流路变更式垂直型内部收集塔2，以悬挂的形态安装于上述外壳1内部，用于对所流入的排出气体中的反应副产物进行收集。
外壳1由圆筒管形态构成，在上部配备有形成气体流入口11的上板12，在下部配备有形成向外壳1内部延长凸出的气体排出口13且用于对去除反应副产物之后的排出气体进行排出的下板14，用于在对所流入的排出气体进行收容之后再进行排出。
形成于上述上板12上的气体流入口采用向上部凸出的形状，但不会向外壳1内部的下部方向延长凸出，以便于将流入到内部的排出气体均匀地供应到后续说明的盘型收集部以及侧方向的外壳1内壁方向。
此外，在上板12的底面沿着圆周方向凸出形成多个结合口15，用于对流路变更式垂直型内部收集塔2的荷重进行支撑的荷重支撑杆25的上端以螺纹结合的方式结合到形成于上述结合口15内部凹槽中的螺纹上。通过如上所述的结合方式，能够将流路变更式垂直型内部收集塔2以悬挂的状态进行安装。
形成于上述下板14上的气体排出口13采用在向外侧凸出的同时还向外壳1内部凸出并以一定的高度延长的形状。之所以采用如上所述的构成，是为了在外壳1的下部下板14以及以一定的高度延长的气体排出口13周边形成涡流并借此增加后续说明的圆筒形收集部23以及圆筒形过滤器收集部24中的反应收集物的收集量，同时防止或减少所收集到的反应收集物直接流出到真空泵的现象。
流路变更式垂直型内部收集塔2，大体上包括：盘型收集部21；扩散板22；圆筒形收集部23；圆筒形过滤器收集部24；以及，荷重支撑杆25。
盘型收集部21由上下间隔一定距离的多段构成的多个圆板211构成，位于外壳1内部中与上板12间隔一定距离的上侧位置，用于将流入到气体流入口的排出气体多段下向供应到下部垂直方向并在经过表面形成有气孔212的圆板211的过程中多阶段地对反应副产物进行收集。
为了使各个圆板211在上下方向上间隔一定距离，盘型收集部21在各个圆板211的表面形成气孔212的同时还在外廓一侧沿着圆周方向排列形成多个结合孔213，且配备有用于对在上述各个圆板211上形成的结合孔进行上下贯通的多个间隔支撑杆214。
上述间隔支撑杆214在贯通各个圆板211的结合孔213的状态下被焊接，从而以上下相邻的圆板211之间维持一定距离的状态对相应的圆板211的高度进行固定。
在上述各个圆板211上排列形成多个相同大小的气孔212，以便于将所流入的排出气体供应到位于其下部的相邻的圆板211上。此外，气孔212还能够起到帮助在边缘(edge)部分的反应副产物收集的作用。
在多个上下间隔一定距离的各个圆板211中，在位于上部的圆板211上形成的气孔212能够大于在位于下部的圆板211上形成的气孔212。即，能够按照比例以上部较大下部较小的方式形成。此时，气孔212的大小能够根据圆板211的数量发生变化，本发明并不对气孔212的大小或数量进行特殊的限定。
之所以采用如上所述的构成，是因为当上下的气孔212大小相同或上部的气孔212大小较小时，可能会因为排出气体的流动发生迟滞而造成在位于上部的圆板211上捕获较多的反应副产物并因此导致气孔212的堵塞，而为了防止如上所述的情况，通过在上部形成较大的气孔212并在下部形成较小的气孔212，能够确保向下部方向供应的排出气体能够流畅地流动而不会发生迟滞，从而在各个圆板211上均匀地对反应副产物进行收集。
此外，在多个上下间隔一定距离的各个圆板211上形成的气孔212与在上下相邻的圆板上形成的气孔以位置不一致的交错方式形成。之所以采用如上所述的气孔212的位置交错形成的方式，是因为当在垂直相邻的一致的位置上形成上下相邻的气孔212时，排出气体的流路将不会与圆板211的整体表面发生接触，而是直接通过最短的距离即气孔212进行移动，从而导致反应副产物的收集效率的下降，而通过采用如本发明所述的将上下相邻的气孔212配置在相互交错的位置上的方式，能够加大排出气体与圆板211之间的接触面积并借此提升反应副产物的收集效率。
扩散板22，包括：密封盘221，用于对排出气体的下向流动进行阻隔；以及，多个导向板222，在上述密封盘221的上部面以放射形排列安装，用于将排出气体的流动分配到侧方向。
扩散板22以与盘型收集部21的最下端圆板211相隔一定距离的方式安装，能够起到阻隔向下部供应的排出气体向下部流动并将排出气体的流路向侧方向即外壳1的内壁方向以放射状的一定角度分配导向的作用。
此外，扩散板22还能够起到与排出气体的表面接触并对反应副产物进行收集的作用。
此外，通过与构成上述盘型收集部21的多段圆板211焊接而进行一体化构成的间隔支撑杆214的下部与构成扩散板22的密封盘221的上侧面将通过焊接而进一步进行一体化。为此，在密封盘221的外廓一侧沿着圆周方向排列形成结合孔223。
此外，构成扩散板22的密封盘221的底面与后续说明的圆筒形收集部23的圆筒管上部焊接，从而在对流入到圆筒形收集部23的排出气体的流路进行阻隔的同时进行一体化。
此外，构成扩散板22的密封盘221通过与后续说明的圆筒形过滤器收集部24的上侧面焊接而进行一体化。
上述导向板222采用将长度小于密封盘221的半径的各个板体以直立的形态进行焊接的方式，其具体形状被加工成下端扁平而上端具有从密封盘的中心点向周围一侧逐渐变大的倾斜角的形态。通过将如上所述形状的导向板222以放射状焊接到密封盘221的上侧面，当从盘型收集部21向下部供应的排出气体首先与密封盘221的中央部发生碰撞之后再通过侧方向流动到外壳1的内壁一侧时，能够将排出气体均匀地导向到更远的位置。
此外，当将上述多个导向板222以放射状进行安装时，在将安装起始点配置在与密封盘221的中心间隔一定距离的位置并将结束点排列配置在与密封盘221的周围间隔一定距离的内侧位置之后进行焊接。此时，为了在将导向板222焊接到密封盘221时以准确的角度快速地焊接成放射状，还能够采用在密封盘221上预先形成放射状的凹槽部并在导向板222的下端形成与其对应的棱之后进行嵌入焊接的加工方式。
圆筒形收集部23，包括：圆筒管231，对排出气体的侧方向流入进行阻隔并仅向下部开口下向供应流入；以及，环形板232，在上述圆筒管231的周围沿着上下方向以一定的间隔多段排列。环形板232被焊接固定到圆筒管231的周围。
如上所述构成的圆筒形收集部23对圆筒管231的上部进行密封，从而将借助于对排出气体的垂直方向流入进行阻隔的扩散板22放射到外壳1的内壁一侧即侧方向进行流动的排出气体通过外壳1的内壁以及圆筒管231所形成的空间部向下部进行诱导，并通过环形板232对反应副产物进行收集。
上述圆筒管231以上部和下部开放且外径小于外壳1内径的形态形成，上部通过与扩散板22的密封盘221焊接而形成堵塞的结构，只有下部处于开放的状态。
上述环形板232是一种内径与圆筒管231外径相当而外径小于外壳1内径的环形结构板。环形板232采用通过在圆周方向排列形成多个气孔233而可供排出气体通过的结构。
因为反应副产物在边缘(edge)部分更容易被收集，因此通过形成于上述环形板232上的气孔233，能够相对优先地在上述气孔233的边缘部分对下降的排出气体中所包含的粒子状反应副产物进行收集之后再整体地对反应副产物进行收集。
此外，在环形板232中除气孔233之外还以一定的间隔排列形成多个结合孔234，在将荷重支撑杆25沿着上下方向贯通到在分别位于上下位置上的各个环形板232中形成的结合孔234之后，在位于最下端的环形板232的下部对结合用螺母进行结合，从而对荷重进行支撑。
通过采用如上所述的圆筒形收集部23的构成，在通过形成于外壳1的上板12上的气体流入口11、盘型收集部21以及扩散板22下降的过程中，排出气体的流路将向侧方向发生变更并通过形成于环形板232上的气孔233以及环形板232的外径部与外壳1的内壁构成的空间部向下部方向进行流动，从而对排出气体中所包含的未反应的反应收集物进行收集。
圆筒形过滤器收集部24以被焊接到上述扩散板22的底面的状态位于圆筒形收集部23的内部并以下部的一部分区间区域围绕气体排出口的上部周围周边空间的方式安装，在周围排列形成用于对排出气体的流入进行诱导的多个气孔241。因为反应副产物在边缘(edge)部分更容易被收集，因此气孔能够起到通过对排出气体的流动进行诱导而在排出气体被排出到排出口13之前最终对未反应的反应副产物进行收集以及过滤的作用。
圆筒形过滤器收集部24的内径大于气体排出口13的外径，从而在相互之间形成可供排出气体移动的空间部，而外径小于圆筒形收集部23的圆筒管231的内径，从而在相互之间形成可供排出气体移动的空间部。
荷重支撑杆25是在上端以及下端的一部分区间的周围分别形成螺纹的杆状体，在适用本发明的一实施例中通过配备4个荷重支撑杆25而稳定地对圆筒形收集部23的荷重进行支撑。通过以如上所述的方式对圆筒形收集部进行支撑，还能够对通过焊接而其连接成一体的盘型收集部21、扩散板22以及圆筒形过滤器收集部24的荷重进行支撑，从而以悬挂在外壳的上板上的状态进行安装。
荷重支撑杆25的上端通过螺丝结合的方式与在上述上板12上沿着圆周方向形成的各个结合口15结合，而下端在贯通多段构成的环形板232之后在位于最下端的环形板232的下部与结合用螺母251进行结合，从而对荷重进行支撑。作为上述结合用螺母的一实施例，能够通过利用下部为“V”字形状的螺母构成而实现可以防止脱离的结构，上述结合用螺母能够选择性地利用与荷重支撑杆的下端部一体化的结构构成或利用可以单独地进行分离以及结合的结构构成。
此外，作为上述荷重支撑杆25的一实施例，能够利用在一个杆状体的周围整体上形成螺纹的全螺纹螺栓构成。作为另一实施例，能够利用在外部配备能够充分耐受排出气体的金属外壳并在其内部的杆状体周围整体形成螺纹的全螺纹螺栓构成，从而在保护全螺纹螺栓的外部的同时提升其耐久性。
图9是适用本发明之一实施例的反应副产物收集装置的排出气体流向图。
如图所示，流入到反应副产物收集装置中的排出气体的流动如下。即，当从上一个工程中第1次对反应副产物进行收集的反应副产物收集装置排出的排出气体通过形成于外壳1的上板12上的气体流入口11流入到外壳1内部之后，一部分将通过盘型收集部21向下部下降并多阶段地通过在表面形成有气孔的圆板211，从而对包含有未被收集的反应副产物的排出气体中的反应副产物进行再次收集，而另一部分将在流动到外壳1的内壁一侧方向之后下降。
接下来，排出气体将与扩散板22的密封盘221发生碰撞，从而无法继续向下部方向流动，而是通过导向板222以放射形分配流路，从而将流路变更到外壳的内壁一侧方向。
接下来，流路发生变更之后的排出气体将通过在圆筒形收集部23的圆筒管231周围上下多段形成的环形板232中所形成的气孔以及环形板232的外径部与外壳1的内壁构成的空间部向下部方向流动，从而对排出气体中的未反应的反应收集物进行收集。
接下来，排出气体将通过圆筒形收集部23的圆筒管231的下部流入并沿着向外壳1内部凸出的气体排出口上升。此时，因为气体排出口13采用从下板14以一定的高度延长的形状，因此排出气体将在气体排出口13的周边形成涡流并上升，而上升的排出气体将被诱导至形成于圆筒形过滤器收集部24的周围的其空中，从而对反应副产物进行收集并经过最终的过滤过程。
接下来，排出气体将通过气体排出口13下降并排出到连接在其下部的真空泵中。
本发明并不限定于如上所述的特定较佳实施例，在不脱离权利要求书中所要求的本发明之要旨的范围内，具有本发明所属技术领域之一般知识的人员能够进行各种变形实施，且上述变更包含在权利要求书中所记载的范围之内。

Claims (8)

1.一种半导体工程的反应副产物收集装置，其特征在于：
在将经过用于对从半导体工程的制程腔体排出的排出气体中的反应副产物进行收集的第1次反应副产物收集装置之后的排出气体中所包含的未被收集的反应副产物进行再次收集并供应到真空泵的反应副产物收集装置中，包括：
外壳，采用圆筒管形态，配备有形成气体流入口的上板以及形成向内部延长凸出的气体排出口的下板，用于在对所流入的排出气体进行收容之后再进行排出；以及，流路变更式垂直型内部收集塔，以悬挂的形态安装于上述外壳内部，用于对所流入的排出气体中的反应副产物进行收集；
其中，上述流路变更式垂直型内部收集塔，其特征在于，包括：盘型收集部，以与外壳的上板间隔一定距离的方式安装，由上下多段构成的多个圆板构成，用于在向下方供应排出气体的同时对反应副产物进行收集；扩散板，用于在将通过盘型收集部向下方供应的排出气体供应到侧方向的同时对反应副产物进行收集；圆筒形收集部，用于在将向侧方向供应的排出气体供应到下方的同时对反应副产物进行收集之后再使排出气体通过下部开口流入；以及，圆筒形过滤器收集部，以围绕气体排出口的上部周围周边的方式安装，用于对反应副产物进行最终收集，
上述圆筒形收集部，包括：
圆筒管，对排出气体的侧方向流入进行阻隔并仅向下部开口下向供应流入；及
多个环形板，在上述圆筒管的周围沿着上下方向以一定的间隔多段排列焊接，
上述盘型收集部由借助于间隔支撑杆上下间隔一定距离的多个圆板多段焊接构成并在各个圆板中排列形成多个相同大小的气孔，
上述扩散板包括：密封盘，用于对排出气体的下向流动进行阻隔，
上述密封盘的上侧面通过与盘型收集部的间隔支撑杆焊接而一体化，而底面通过与圆筒形收集部的圆筒管上部以及圆筒形过滤器收集部的上侧面焊接而一体化，
上述圆筒形过滤器收集部以被焊接到扩散板的底面的状态位于圆筒形收集部的内部，在周围排列形成用于对排出气体的流入进行诱导并对反应副产物进行收集的多个气孔。
2.根据权利要求1所述的半导体工程的反应副产物收集装置，其特征在于：
在上述各个圆板中，在位于上部的圆板上形成的气孔大于在位于下部的圆板上形成的气孔。
3.根据权利要求1所述的半导体工程的反应副产物收集装置，其特征在于：
在上述各个圆板上形成的气孔与在上下相邻的圆板上形成的气孔以位置不一致的交错方式形成。
4.根据权利要求1所述的半导体工程的反应副产物收集装置，其特征在于：
上述扩散板，还包括多个导向板，在上述密封盘的上部面以放射形排列安装，用于将排出气体的流动分配到侧方向。
5.根据权利要求4所述的半导体工程的反应副产物收集装置，其特征在于：
上述导向板的长度小于密封板盘的半径且被加工成下端扁平而上端具有从密封盘的中心点向周围一侧逐渐变大的倾斜角的形态，安装起始点被配置在与密封盘的中心间隔一定距离的位置，而结束点被排列配置在与密封盘的周围间隔一定距离的内侧位置。
6.根据权利要求1所述的半导体工程的反应副产物收集装置，其特征在于：
上述环形板沿着圆周方向形成多个气孔。
7.根据权利要求1所述的半导体工程的反应副产物收集装置，其特征在于：
上述圆筒形过滤器收集部以下部的一部分区间区域围绕气体排出口的上部周围周边空间的方式安装。
8.根据权利要求7所述的半导体工程的反应副产物收集装置，其特征在于：
上述圆筒形过滤器收集部的内径大于气体排出口的外径而其外径小于圆筒形收集部的圆筒管内径，从而形成可供排出气体移动的空间部。
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