KR20240009797A - 반도체 제조 부산물 포집 제거장치 - Google Patents

반도체 제조 부산물 포집 제거장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 제조 부산물 포집장치에 관한 것으로서, 상단에서 프로세스 챔버와 연결되는 유입구를 구비하고 하단에서 진공펌프와 연결되는 배출구를 구비하는 하우징; 상기 하우징 내 공간의 상단에 배치되어, 상기 유입구를 통해 유입되는 배기가스를 가열하는 히팅부; 상기 하우징 내 공간에서 상기 히팅부의 하부로 배치되며, 다수 개의 수직판이 격자형태로 배치되어 형성된 격자트랩을 다수 단 구비하는 포집 타워; 상기 하우징 내 공간에서 상기 포집 타워의 하부로 배치되어 상기 배출구를 둘러싸는 박스 형상으로 이루어지며, 벽면에 다수 개의 유입공을 구비하는 윈도우; 및 상기 하우징 내 공간으로 상기 배출구를 연장하는 연장부재;를 포함하며, 상기 포집 타워의 각 상기 격자트랩은 격자의 밀도가 서로 상이한 것을 특징으로 한다.
이러한 반도체 제조 부산물 포집장치는 프로세스 챔버에서 발생한 배기가스 내의 부산물을 보다 효과적으로 포집할 수 있다.

Description

반도체 제조 부산물 포집 제거장치{Semiconductor manufacturing by-products collection and removal device}
본 발명은 반도체 제조 부산물 포집 제거장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조 시 프로세스 챔버에서 배기되는 부산물을 보다 효과적으로 포집하는 것이 가능한 반도체 제조 부산물 포집 제거장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 크게 전 공정과 후 공정으로 이루어지며, 전 공정에서는 각종 프로세서 챔버 내에서 웨어퍼 상에 박막을 증착하고 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정 패턴을 형성한다.
구체적으로 상기의 전 공정은 웨이퍼 상에 박막을 증착하거나 웨이퍼 상에 증착된 박막을 식각하는 공정을 말하며, 이를 위해 프로세스 챔버 내로 공정에 따라 선택적으로 TiCl4(사염화티타늄, Titanium tetrachloride), NH3(암모니아, Ammonia) WF6(Tungsten hexafluoride),SiH4(실란, Silane), 아르신(Arsine), 염화붕소, 수소, 등의 반응가스 중 어느 하나 이상이 주입되어 고온에서 박막 증착 공정을 수행하게 된다. 이때 프로세스 챔버 내부에는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스 등이 다량 발생하게 된다.
예를 들어, 웨이퍼 상에 질화티타늄(TiN) 막의 증착을 위하여는 사염화티타늄(TiCl4)과 암모니아(NH3)를 사용하며, 이에 따라 반응 생성물로 질화티타늄(TiN), 질소(N2) 및 염화수소(HCl) 이외에 암모니아 염(NH4Cl, TiCl4-nNH3,)과 같은 기타 부산물이 형성된다.
따라서, 반도에 제조장비에서는 프로세스 챔버를 진공상태로 만들어주는 진공 펌프의 후단에 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스를 정화시킨 후 대기로 방출하는 스크러버를 설치한다.
그러나 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스는 대기와 접촉하거나 온도가 낮아지면 고형화되어 파우더로 변화게 되며, 이러한 파우더는 배기라인에 고착되어 배기압력을 상승시킴과 동시에 진공펌프로 유입될 경우 진공펌프의 고장을 유발할 뿐만 아니라 배기가스의 역류를 초래하여 프로세스 챔버 내에 있는 웨이퍼를 오염시킬 수 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해 프로세스 챔버와 진공펌프 사이에는 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스의 부산물을 포집하기 위한 장치를 설치할 수 있다. 부산물 포집장치는 배기가스의 부산물을 파우더 형태로 포집할 수 있다.
그런데 최근 반도체 공정의 집적화로 인해 프로세스 챔버에서 사용되는 전구체가 다양화되고 소스의 사용량이 증가하여, 미반응 부산물의 양 또한 많아지게 되었다.
따라서, 보다 우수한 포집 효율을 갖는 부산물 포집장치가 필요하다.
KR 10-2003009 B1
따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체 제조 시 프로세스 챔버에서 배기되는 부산물을 보다 효과적으로 포집하는 것이 가능한 반도체 제조 부산물 포집 제거장치를 제공함에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 위에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 목적은, 본 발명에 따라,
하우징;
상기 하우징의 상부 바닥을 형성하며, 외부의 프로세스 챔버와 연결되는 유입구를 구비하는 상판;
상기 하우징의 상판의 하부에 연결 배치되어, 상기 유입구를 통해 유입되는 배기가스를 가열하는 히팅부;
상기 하우징 내 공간에서 상기 히팅부의 하부로 배치되며, 다수 개의 수직판이 격자형태로 배치되어 형성된 격자트랩(T)을 n단(n은 2 내지 10임)으로 구비하는 포집 타워;
상기 하우징 내 공간에서 상기 포집 타워의 하부로 배치되어 하기 가스 포집 배출구를 둘러싸는 박스 형상으로 이루어지며, 벽면에 다수 개의 가스 통과공을 구비하는 윈도우; 및
상기 윈도우의 하부 바닥을 형성하며, 외부의 진공펌프와 연결되는 가스 포집 배출구를 포함하는 바닥판;를 포함하며,
상기 포집 타워의 n단의 각각의 격자트랩은 격자의 밀도가 서로 상이한 것을 특징으로 하는 반도체 제조 부산물 포집 제거장치에 의해 달성된다.
상기 히팅부는, 상기 하우징의 횡단면보다 작은 크기를 가지는 수평한 분산판, 상기 분산판을 가열하는 가열부재, 및 상기 분산판의 상면 중앙부에서 방사형으로 배치되는 분산 날개를 포함할 수 있다.
상기 포집 타워의 n단의 격자트랩에서, 최상단 격자트랩(T1) 하부에 위치하는 나머지 격자트랩들(T2, T3... Tn)은 하단으로 갈수록 격자 밀도가 높아질 수 있다.
상기 포집 타워의 최상단 격자트랩(T1)은, 나머지 격자트랩들(T2 내지 Tn) 중보다 높은 격자 밀도를 가질 수 있다.
상기 포집 타워의 최상단 격자트랩(T1)은, 중앙부에 메인 가스 통과공을 구비하고, 상기 메인 가스 통과공의 주변으로 상기 메인 가스 통과공보다 작은 다수 개의 제1 가스 통과공을 구비하는 제1 수평판; 및 상기 제1 수평판의 상면에서 상기 메인 가스 통과공의 주변으로 배치되는 것으로서, 다수 개의 수직판이 격자형태로 배치되어 형성된 제1 격자부;를 포함할 수 있다.
상기 포집 타워의 2번째 격자트랩(T2)은, 다수 개의 수직판이 격자형태로 배치되어 형성된 제2 격자부;를 포함할 수 있다.
상기 포집 타워의 3번째, ... n-1번째의 각각의 격자트랩은 상기 2번째 격자트랩(T2)과 같이 제3 격자부, ... 제n-1 격자부;를 포함할 수 있다.
상기 포집 타워의 최하단 격자트랩(Tn)은, 다수 개의 제n 가스 통과공을 구비하는 제n 수평판; 및 상기 제n 수평판의 상면에서 다수 개의 수직판이 격자형태로 배치되어 형성된 제n 격자부;를 포함할 수 있다.
상기 격자트랩들의 수직판에는 다수 개의 수평 가스 통과공이 형성될 수 있으며, 상기 수평 가스 통과공의 내주면을 따라서는 다수 개의 돌기가 형성될 수 있다.
또한, 상기 최상단 격자트랩(T1)의 제1 수평판 및 최하단 격자트랩(Tn)의 제n 수평판의 상기 가스 통과공은, 각각의 수직판인 제1 수직판 및 제n 수직판의 격자 위치 하부에 형성되며, 상기 가스 통과공의 내주면을 따라서는 다수 개의 돌기가 형성될 수 있다.
또한, 본 발명에 의한 반도체 제조 부산물 포집장치는, 상기 하우징의 내측면에서 돌출 형성되며 상기 하우징의 내측면을 따라 수평하게 연장되는 다수 개의 와류 발생판을 더 포함할 수 있다.
상기 와류발생판에는 각 와류발생판을 수직으로 연결되는 수직 포집대를 더 포함할 수 있다. 상기 수직 포집대에는 다수 개의 수평 가스 통과공이 형성될 수 있다.
또한, 본 발명에 의한 반도체 제조 부산물 포집장치는, 상기 포집 타워의 하부로 배치되며, 하기의 가스 포집 배출구를 둘러싸는 박스 형상의 하우징을 구비한다. 상기 하우징의 벽면에는 다수 개의 가스 통과공이 구비되고, 또한 상기 하우징의 측판 외측면에는 다수 개의 가스 통과공이 구비된 포집 증대판이 더 형성될 수 있다.
본 발명에 의한 반도체 제조 부산물 포집 제거장치는, 상기 바닥판에 포함된 가스 포집 배출구는 가스 포집 배출구의 상단에서 상부로 이격되어 배치되는 캡부재를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 반도체 제조 부산물 포집 제거장치는, 포집 타워가 다단의 격자트랩으로 구성되어 있으며, 또한 다단 각각의 격자트랩의 격자부분이 서로 다르게 위치하여 배기가스의 흐름이 많아져 부산물을 효과적으로 포집할 수 있다.
또한, 상기 격자트랩들에는 많은 가스 배출공이 형성되어 배기가스와의 접촉 면적을 넓게 가지므로 포집 타워의 표면에서 부산물을 효과적으로 포집할 수 있다.
더불어, 상기 포집 타워를 구성하는 격자트랩이 단마다 서로 상이한 격자 밀도를 가지기 때문에 부산물 포집 효과를 보다 향상시키는 것이 가능하다.
그리고 배기가스가 포집 타워를 통과한 후에도 포집되지 않은 부산물을 윈도우에서 추가적으로 포집할 수 있다.
또한, 상기 바닥판의 배기가스 배출구 캡부재는, 윈도우에 의해 배기가스 내의 파우더 형태 부산물이 배출구로 배출되는 것을 방지할 수 있다.
그리고 상기 와류 발생판은 배기가스에 와류를 발생시켜 배기가스를 분산 및 교란함으로써 부산물 포집 효과를 보다 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 반도체 제조 부산물 포집 제거장치의 전체적인 사시도이다.
도 2는 본 발명에 의한 반도체 제조 부산물 포집 제거장치를 일부 절단한 사시도이다.
도 3은 본 발명에 의한 반도체 제조 부산물 포집 제거장치를 구성하는 히팅부의 사시도이다.
도 4는 본 발명에 의한 반도체 제조 부산물 포집 제거장치를 구성하는 포집 타워의 사시도이다.
도 5는 본 발명에 의한 반도체 제조 부산물 포집 제거장치를 구성하는 포집 타워의 최상단 격자트랩(T1)의 사시도이다.
도 6은 본 발명에 의한 반도체 제조 부산물 포집 제거장치를 구성하는 포집 타워의 최하단 격자트랩(Tn)의 사시도이다.
도 7은 본 발명에 의한 반도체 제조 부산물 포집 제거장치를 구성하는 포집 타워에서 최상단과 최하단 사이에 위치하는 격자트랩의 사시도이다.
도 8은 본 발명에 의한 반도체 제조 부산물 포집 제거장치를 구성하는 윈도우의 사시도이다.
도 9는 본 발명에 의한 반도체 제조 부산물의 포집 제거장치 내에서 배기가스의 흐름에 관한 설명도이다.
도 10은 본 발명에 의한 반도체 제조 부산물 포집 제거장치의 대표적인 내부 구성을 나타낸 도면이다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예에 대하여 도면을 참고하여 자세하게 설명하도록 한다.
도 1에는 본 발명에 의한 반도체 제조 부산물 포집 제거장치(1)의 전체적인 사시도가 도시되어 있고, 도 2에는 본 발명에 의한 반도체 제조 부산물 포집 제거장치(1)를 일부 절단한 사시도가 도시되어 있다. 또한, 도 10에는 본 발명에 의한 반도체 제조 부산물 포집 제거장치의 대표적인 내부 구성을 나타낸 도면이 도시되어 있다.
본 발명에 의한 반도체 제조 부산물 포집 제거장치(1)는 프로세스 챔버와 진공펌프 사이에 배치되는 것으로서, 프로세스 챔버의 배기가스 내 부산물을 포집하는 역할을 한다.
본 발명에 의한 반도체 제조 부산물 포집장치(1)는, 상판(A); 하우징(10); 히팅부(20); 포집 타워(30); 윈도우(40); 와류 발생판(52); 가스 포집 배출구(60); 및 바닥판(B);를 포함하여 이루어진다.
하우징(10)은 내부에 공간을 구비하는 챔버 형상의 것으로서, 예를 들어 육면체 형상으로 이루어질 수 있다.
하우징(10)의 상판(A)에는 프로세스 챔버와 연결되는 유입구(11)가 구비되어 프로세스 챔버로부터 배출되는 배기가스를 공급받을 수 있고, 하우징(10)의 바닥판(B)에는 가스 포집 배출구(60)의 배출구(12)가 구비되어 본 발명의 반도체 제조 부산물 포집장치(1)를 거친 배기가스를 진공펌프로 배출할 수 있다.
상기 유입구(11)의 외부에는 냉각수 유입/유출구를 구비할 수 있으며, 상판(A)에는 또한, 히터전원 공급부, 써머커플, 냉각수 누수센서 등을 더 구비할 수 있다(도시 안함).
히팅부(20)는 하우징(10)의 상판(A)의 하부에 배치되며, 상판(A)으로부터 하부로 이격되어 위치한다. 히팅부(20)는 유입구(11)를 통해 유입되는 배기가스를 가열하여 배기가스 내 부산물을 반응하게 한다.
포집 타워(30)는 하우징(10) 내 공간에서 히팅부(20)의 하부로 배치된다. 포집 타워(30)는 다수 개의 수직판(P)이 격자 형태로 배치되어 형성된 격자트랩(300)을 다수 단(n단) 구비한다. 상기 다수 단(n단)의 격자트랩(300, T)은 서로 상하로 이격되어 위치한다.
히팅부(20)에 의해 가열된 배기가스는 포집 타워(30)를 통과하면서 냉각되어 격자트랩(300) 표면상에 부산물이 파우더 형태로 포집될 수 있다.
포집 타워(30)를 구성하는 각 단의 격자트랩(300)은 격자의 밀도가 서로 다르게 형성된다. 즉, 각 단의 격자트랩(300)에서 수직판(P)의 간격이 서로 상이하게 형성된다.
윈도우(40)는 하우징(10) 내 공간에서 포집 타워(30)의 하부로 배치되며, 가스 포집 배출구(60)를 둘러싸는 박스 형상으로 이루어진다. 윈도우(40)의 각 벽면에는 다수 개의 가스 통과공(41)이 분산 배치된다. 윈도우(40)는 하우징(10)의 가스 포집 배출구(60)를 둘러싸 파우더 형태의 부산물이 배출구(12)를 통해 배출되는 것을 방지하면서도, 가스 통과공(41)을 구비하여 배기가스가 가스 통과공(41)을 통해 배출될 수 있도록 한다. 윈도우(40)는 또한, 가스 통과공(41)을 통과하는 배기가스와 접촉하여 부산물을 포집할 수 있다.
가스 포집 배출구(60)는 윈도우(40) 내 공간에 위치하면서 윈도우(40)를 통과한 배기가스가 배출되는 곳으로서, 하우징(10) 내에서 배기가스 배출구(12) 및 배기가스 배출구(12)의 상부에 이격되어 설치된 캡부재(70)를 구비한다. 이러한 캡부재(70)에 의하여 하우징(10)의 바닥까지 도달한 배기가스, 및 윈도우(40)를 통과한 배기가스는 곧바로 배기가스 배출구(12)로 배출되지 않고, 캡부재(70)의 내부를 거쳐 배기가스 배출구(12)로 배출되게 된다.
도 2에는 예시적으로 포집 타워(30)가 5단의 격자트랩(300)을 구비하는 경우가 도시되어 있으나, 포집 타워(30)는 프로세스 챔버에서 발생하는 부산물의 종류나 양에 따라 n단, 예를 들어 2단 이상 4단 이하 또는 6단 이상 10단 이하의 격자트랩(300)을 구비하는 것도 가능하다.
이러한 본 발명의 반도체 제조 부산물 포집 제거장치(1)는, 포집 타워(30)가 다수 단(n단)의 격자트랩(300)을 구비하여 배기가스와의 접촉 면적을 넓혀 격자트랩(300)의 표면에서 부산물을 효과적으로 포집할 수 있다. 포집 타워(30)의 격자트랩(300)이 n단의 각 단마다 서로 상이한 격자 밀도를 가지기 때문에 상부 단의 격자트랩(300)을 통과한 배기가스가 하부로 바로 이동하는 것이 아니라 상하 상에서 위치가 서로 달라지는 수직판(P)에 맞추어 흐름이 꺾이게 되므로, 격자트랩(300) 표면에서의 부산물 포집 효과를 보다 향상시키는 것이 가능하다.
또한, 포집 타워(30)를 통과한 후에도 포집되지 않은 부산물은 윈도우(40)에서 추가적으로 포집할 수 있다.
그리고 가스 포집 배출구(60)의 캡부재(70)의 구성에 따라, 파우더 형태의 부산물은 그 무게에 의해 배기가스를 따라 가스 포집 배출구(60)의 캡부재(70)로 이동이 어려우므로, 파우더 형태의 부산물이 배기가스 배출구(12)로 배출되는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있게 된다.
이하에서는 본 발명에 의한 반도체 제조 부산물 포집 제거장치(1)의 각 구성에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
도 3에는 히팅부(20)의 사시도가 도시되어 있다. 도 3의 (A)는 히팅부(20)를 위에서 바라본 사시도이고, 도 3의 (B)는 히팅부(20)를 아래에서 바라본 사시도이다.
히팅부(20)는 구체적으로, 분산판(21), 가열부재(22) 및 분산 날개(23)를 포함하여 이루어진다.
분산판(21)은 하우징(10) 내 공간의 상단에서 유입구(11)로부터 하부로 이격된 위치에 배치되며, 하우징(10)의 횡단면보다 작은 크기를 갖는다. 분산판(21)은 하우징(10) 내에서 수평하게 배치된다. 분산판(21)은 유입구(11)를 통해 하우징(10) 내로 들어온 배기가스와 부딪혀 이동 속도가 큰 배기가스가 곧바로 포집 타워(30)로 빠르게 이동하게 되는 것을 방지하고, 배기가스를 분산시킬 수 있다. 분산판(21)은 하우징(10)의 횡단면보다 작은 크기를 가지므로 분산판(21)에 의해 분산된 배기가스는 분산판(21)의 둘레로 이동하여 하우징(10)의 하부로 이동하게 된다.
분산판(21)은 또한 아래에서 설명할 가열부재(22)에 의해 가열되어 분산판(21)에 의해 분산되는 배기가스를 가열한다. 가열된 배기가스는 화학적으로 변화하고 이러한 배기가스가 포집 타워(30)를 지나면서 냉각되어 파우더 형태로 포집될 수 있다. 한편, 가열부재(22)에서 발생하는 열이 분산판(21) 전체에 고르게 전달될 수 있도록 분산판(21)은 금속 재질로 이루어질 수 있다.
가열부재(22)는 상기했던 바와 같이 분산판(21)을 가열하는 역할을 한다. 가열부재(22)는 예를 들어 분산판(21)의 하면에 접하여 배치되는 열선을 구비하여 분산판(21)을 가열할 수 있다. 가열부재(22)에 전원을 공급하는 구성은 하우징(10)의 상판(A)에 위치할 수 있다.
가열부재(22)의 표면에서 부산물이 포집되는 것을 방지하기 위해 가열부재(22)는 보호 커버(24)에 의해 둘러싸일 수 있다.
분산 날개(23)는 판 형상의 부재로서, 분산판(21)의 상면 중앙부에 세워진 상태로 위치한다. 분산 날개(23)는 다수 개가 구비되어 분산판(21) 상에서 방사형으로 배치된다. 분산 날개(23)는 분산판(21)과 마찬가지로 금속 재질로 이루어져 분산판(21)으로부터 열을 전달받으며, 전달받은 열을 배기가스에 방사하여 배기가스를 보다 효과적으로 가열하게 된다. 분산 날개(23)는 또한 방사형으로 배치되므로, 유입구(11)로부터 분산판(21)의 중앙 부분으로 도달한 배기가스를 분산판(21)의 둘레부로 가이드 할 수 있다.
도 4에는 포집 타워(30)의 사시도가 도시되어 있다.
포집 타워(30)의 n단의 격자트랩 중 최상단 격자트랩(300A, T1)의 하부에 위치하는 T2 내지 Tn의 격자트랩(300)들은, 하단으로 갈수록 격자 밀도가 높아질 수 있다. 즉, 상부의 격자트랩(300)을 구성하는 수직판(P)의 간격보다 하부의 격자트랩(300)을 구성하는 수직판(P)의 간격을 작게 할 수 있다.
상부의 격자트랩(300)에서 부산물을 포집하고 나면 배기가스에 포함된 배기가스의 농도가 낮아질 수 있는데, 하부에 위치하는 격자트랩(300)의 격자 밀도를 높여 배기가스와 격자트랩(300)의 접촉 면적을 늘림으로써 낮은 농도의 배기가스에서도 부산물을 효과적으로 포집할 수 있다.
포집 타워(30)의 최상단 격자트랩(300A, T1)은 겹자트랩(300)들 중 가장 큰 격자 밀도를 가질 수 있다. 예를 들어, 포집 타워(30)가 5단의 격자트랩(300)으로 이루어지는 경우, 격자트랩(300)의 격자 밀도 크기 순서는 2단> 3단> 4단> 5단> 1단이 될 수 있다.
이렇게 최상단 격자트랩(300A, T1)은 격자 밀도 크기를 가장 작게 함으로써 최상단 격자트랩(300A, T1)를 통과하는 배기가스가 최대한 고르게 분산되도록 하여 최상단 격자트랩(300A, T1)의 아래에 위치하는 격자트랩(300, T2)에서의 배기가스 접촉 면적을 늘릴 수 있다.
T1 내지 Tn의 각 격자트랩(300)에서 수직판(P)이 교차하는 지점은 상하 방향에서 서로 겹치지 않는 것이 바람직하다.
이러한 구성으로 상부의 격자트랩(300)을 통과한 배기가스는, 하부의 격자트랩(300)을 바로 통과하지 않고 배기가스의 흐름이 꺾이어 하부의 격자트랩(300)을 통과하게 되므로, 부산물의 포집 효율을 높일 수 있다.
또한, 상기와 같이 T1 내지 Tn의 각 격자트랩(300)의 격자 밀도를 달리하면, 자연스럽게 수직판(P)이 교차하는 지점이 상하 방향에서 서로 겹치는 것을 방지할 수 있다.
구체적으로 포집 타워(30)의 최상단 격자트랩(300A, T1)은 도 5에 도시되어 있는 바와 같이, 제1 수평판(310) 및 제1 격자부(320)를 포함할 수 있다.
제1 수평판(310)은 전체적인 형상이 판형으로 이루어지며, 하우징(10) 내에서 수평하게 배치된다. 제1 수평판(310)의 중앙부에는 메인 가스 통과공(311)이 하나 구비된다. 메인 가스 통과공(311)은 히팅부(20)의 바로 하부 위치로 형성된다. 메인 가스 통과공(311)의 주변으로는 메인 가스 통과공(311)보다 작은 크기의 제1 가스 통과공(312)이 다수 개 구비된다.
제1 격자부(320)는 제1 수평판(310)의 상면에서 메인 가스 통과공(311)의 주변으로 배치되는 것으로서, 다수 개의 수직판(P)이 격자형태로 배치되어 형성된다.
제1 수평판(310)은 히팅부(20)를 거치면서 하우징(10)의 둘레부로 이동한 배기가스가 하우징(10)의 단면 전체로 고르게 분산될 수 있도록 한다. 즉, 제1 수평판(310)의 중앙에 큰 메인 가스 통과공(311)을 두어 하우징(10)의 둘레부에 위치하는 배기가스를 중앙부 측으로 유도하면서도, 메인 가스 통과공(311)의 둘레로 작은 제1 가스 통과공(312)을 두어 메인 가스 통과공(311)으로만 배기가스가 몰리는 것을 방지한다. 이에 따라, 최상단 격자트랩(300A, T1)을 통과한 후의 배기가스는 하우징(10)의 전체에 고르게 분산될 수 있다.
제1 격자부(320)는 또한, 최상단 격자트랩(300A, T1)을 따라 이동하는 배기가스에서 부산물을 포집한다.
수직판(P)들이 교차하는 격자 위치와 제1 가스 통과공(312)이 형성된 위치는 서로 상하로 겹치도록 형성된다. 즉, 수직판(P)들이 교차하는 격자 위치의 바로 아래에 제1 가스 통과공(312)이 위치한다. 이 경우, 최상단 격자트랩(300A, T1)을 통과하는 배기가스가 보다 고르게 분산될 수 있고, 부산물의 포집 효율을 높일 수 있다.
제1 수평판(310) 또한 배기가스와 접촉하면서 부산물을 포집할 수 있음은 당연하다.
도 6에는 포집 타워(30)의 최하단 격자트랩(300B, Tn)의 사시도가 도시되어 있다. 최하단 격자트랩(300B, Tn)은 제2 수평판(330)과 제2 격자부(340)를 포함하여 이루어진다.
제2 수평판(330)은 전체적인 형상이 판형으로 이루어지며, 하우징(10) 내에서 수평하게 배치된다. 제2 수평판(330)에는 다수 개의 제2 가스 통과공(331)이 분산 배치된다.
제2 격자부(340)는 제2 수평판(330)의 상면에 전체적으로 형성되는 것으로서, 다수 개의 수직판(P)이 격자형태로 배치되어 형성된다. 수직판(P)들이 교차하는 격자 위치와 제2 가스 통과공(331)이 형성된 위치는 상하로 서로 겹치도록 형성될 수 있다.
이러한 형태의 최하단 격자트랩(300B, Tn)은, 제2 수평판(330)의 제2 가스 통과공(331)과 격자 밀도가 가장 높은 제2 격자부(340)에 의해 배기가스의 접촉면적이 커져 부산물의 포집 효율을 증가시켜 배기가스 내의 부산물이 포집될 가능성을 높여주게 된다.
최상단 격자트랩(300A, T1)과 최하단 격자트랩(300B, Tn) 사이의 격자트랩(300)들은 도 7에 도시되어 있는 바와 같이 다수 개의 수직판(P)이 교차 배치되어 형성되며, 수평하게 배치되는 부재(수평판)는 포함하지 않을 수 있다.
T1 내지 Tn의 격자트랩(300)들은 지지기둥(31)에 상하로 서로 이격되어 고정됨으로써 서로 이격되어 위치할 수 있으며, 이러한 위치의 이격으로 배기가스의 원활한 흐름이 형성되어 각 격자트랩(300)에서 배기가스 내의 부산물 포집 효율이 높아지게 된다.
T1 내지 Tn의 각 격자트랩(300)을 구성하는 수직판(P)에 각각 다수 개의 수평 가스 통과공(h)을 구비할 수 있다. 상기 수평 가스 통과공(h)는 수직판(P)에 의하여 형성되는 격자를 구성하는 격자 각 면에 구비될 수 있다.
수평 가스 통과공(h)은 배기가스를 보다 효과적으로 분산시키는 동시에, 부산물이 포집될 수 있는 면적을 넓혀 부산물의 포집 효율을 높여준다.
수평 가스 통과공(h)의 내주면을 따라서는 다수 개의 돌기(b)가 이격되어 형성될 수 있다.
돌기(b)는 수평 가스 통과공(h)을 통과하는 배기가스에 와류를 발생시켜 배기가스를 더 분산시키고, 부산물의 포집 면적을 넓혀준다.
수평 가스 통과공(h)에 돌기(b)가 형성되는 것과 마찬가지로, 최상단 격자트랩(300A, T1)에 구비된 제1 가스 통과공(312)의 내주면 둘레와 최하단 격자트랩(300B, Tn)에 구비된 제2 가스 통과공(331)의 내주면 둘레에도 다수 개의 돌기(b)가 형성될 수 있다.
도 8에는 윈도우(40)의 사시도가 도시되어 있다. 상기에서 기재한 바와 같이, 윈도우(40)는 사각 박스 형상으로 이루어지며, 보다 구체적으로는 수평한 상판과 수직한 4개의 수직한 측판, 그리고 측판의 외측면에 형성되는 다수 개의 포집 증대판(42)을 구비할 수 있다.
포집 증대판(42)은 긴 판형상으로 이루어지며, 윈도우(40)의 측면에서 외측으로 상하로 길게 배치된다. 포집 증대판(42)에는 다수 개의 제3 가스 통과공(42a)이 이격되어 형성될 수 있다.
포집 증대판(42)은 배기가스와의 접촉면적을 넓혀 부산물의 포집 효율을 향상시키며, 제3 가스 통과공(42a)은 이러한 효과를 보다 증대시키게 된다.
제3 가스 통과공(42a)의 내주면 둘레를 따라서도 다수 개의 돌기(b)가 이격 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 제조 부산물 제조장치는 또한, 도 2에 도시된 바와 같이 하우징(10)의 내측면에 다수 개의 와류 발생판(52)이 형성될 수 있다.
와류 발생판(52)은 전체적인 형상이 긴 판형상으로 이루어지며, 하우징(10)의 내측면을 따라 수평하게 연장된다. 즉, 와류 발생판(52)의 면은 하우징(10)의 내측면으로부터 돌출된 형상으로 배치된다. 와류 발생판(52)들은 하우징(10)의 내측면에서 상하 방향으로 서로 이격되어 배치된다. 와류 발생판(52)과 포집 타워(30)는 하우징(10) 내에서 서로 이격되어 위치할 수 있다.
와류 발생판(52)은 히팅부(20)에서 분산되어 하우징(10)의 둘레부로 이동한 배기가스 및 포집 타워(30)에 의해 분산된 배기가스와 부딪혀 배기가스에 와류를 발생시킨다. 이에 따라, 배기가스가 보다 고르게 분산되고 천천히 이동하면서 부산물의 포집 효율이 높아질 수 있다. 와류 발생판(52)은 또한 배기가스와의 접촉 면적을 넓혀 부산물의 포집 효율을 높일 수 있다.
와류 발생판(52)에는 다수 개의 수직 포집대(50)가 더 형성될 수 있다.
수직 포집대(50)는 와류 발생판(52)에 직각 방향으로 길게 연장되어 위치하며, 즉, 와류 발생판(52)과 교차하여 격자 형상을 이룰 수 있다.
수직 포집대(50)는 배기가스와의 접촉 면적을 넓혀 부산물의 포집 효율을 높여줄 수 있다.
수직 포집대(50)에는 다수 개의 제4 가스 통과공(51)이 이격되어 형성될 수 있다.
제4 가스 통과공(51)의 내주면 둘레를 따라서도 다수 개의 돌기(b)가 이격 형성될 수 있다.
그리고 본 발명에 따른 반도체 제조 부산물 포집 제거장치(1)에서 구비하고 있는 가스 포집 배출구(60)는, 도 10에서 도시하고 있는 바와 같이 배기가스 배출구(12) 및 배기가스 배출구(12)의 상단에서 상부로 이격된 위치에 캡부재(70)를 배치할 수 있다.
캡부재(70)는, 배기가스 배출구(12)와 이격되어 위치하므로 배기가스 배출구(12) 상단으로 배기가스가 유입되는 것을 방해하지 않으면서도, 포집 타워(30)에서 파우더 형태로 변환된 부산물이 배기가스 배출구(12)로 떨어지는 것을 방지할 수 있다.
캡부재(70)는 차단판(71)과 유도벽(72)을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 차단판(71)은, 배기가스 배출구(12)의 상단에서 상부로 이격되어 배치되며 상기 배기가스 배출구(12)의 직경보다 큰 직경을 가진다. 차단판(71)은 연장부재(60) 상부 위치에서 파우더 형태로 변환된 부산물이 배기가스 배출구(12) 내로 떨어지는 것을 방지할 수 있다.
상기 유도벽(72)은 상기 차단판(71)의 둘레를 따라 형성되며 상기 하우징(1)의 바닥면(B)으로부터 이격되어 위치한다. 유도벽(72)은 배기가스가 하우징(10)의 바닥을 거친 후 배기가스 배출구(12) 상단으로 유입되도록 유도한다. 또한, 유도벽(72)은 파우더 형태의 부산물이 최대한 하우징(10)의 바닥으로 떨어지도록 한다.
한편, 히팅부(20), 포집 타워(30), 윈도우(40), 와류 발생판(52), 가스 포집 배출구(60)의 배기가스 배출구(12)와 캡부재(70)는 하우징(10)에 대해 착탈 가능하여, 하우징(10) 내에 부산물이 많이 포집되면 교체될 수 있다.
하우징(10)은 벽체 부분에 대해 상판(A)과 바닥판(B)이 분리 가능하게 형성되어 필요 시 하우징(10)을 개폐할 수 있다.
하우징(10)의 하부로는 다수 개의 다리가 설치되어, 하우징(10)을 소정 높이 상에 고정해줄 수 있다.
도 9에는 본 발명에 의한 반도체 제조 부산물의 포집 제거장치(1) 내에서 배기가스의 흐름에 관한 설명도가 도시되어 있다. 참고로, 도 9에서 배기가스의 국지적인 흐름은 생략되었다.
하우징(10)의 유입구(11)를 통해 하우징(10) 내로 유입된 배기가스는 유입구(11) 하부에 위치하는 히팅부(20)에 의해 하우징(10) 내부의 둘레부로 분산된다. 히팅부(20)를 거치면서 배기가스는 가열된다.
히팅부(20)를 거친 후의 배기가스 중 일부는, 포집 타워(30)의 최상단 격자트랩(300A, T1)에 도달하여 포집 타워(30)의 단면적 전체에 고르게 분산된다. 즉, 하우징(1) 내부의 둘레부의 배기가스는 최상단 격자트랩(300A, T1) 중앙의 큰 메인 가스 통과공(311)에 의해 중앙측으로 유도되고 메인 가스 통과공(311)의 둘레로 위치하는 다수 개의 작은 제1 가스 통과공(312)을 통해서도 최상단 격자트랩(300A, T1)의 하부로 이동하기 때문에, 최상단 격자트랩(300A, T1)을 거친 후의 배기가스는 포집 타워(30)의 단면적 전체로 고르게 분산되는 것이 가능하다.
최상단 격자트랩(300A, T1)의 하부로 이동한 배기가스는 다수 단(n단)의 격자트랩(300)을 거치면서 부산물이 포집된다. 최상단 격자트랩(300A, T1)의 하부에 위치한 격자트랩(300)들은 하부 쪽으로 위치하는 것일수록 격자의 밀도가 증가하여 부산물을 보다 효과적으로 포집할 수 있다. 격자트랩(300)을 구성하는 수직판(P)에는 다수 개의 수평 가스 통과공(h)이 구비되고 수평 가스 통과공(h)의 내주면에는 다수 개의 돌기(b)가 구비되어 부산물 포집 효과를 증대시킬 수 있다.
최하단 격자트랩(300B, Tn)에 도달한 배기가스는 최하단 격자트랩(300B)의 제2 수평판(330)에 의해 하우징(10)의 둘레부로 유도되어 하우징(40)으로 이동된다.
윈도우(40)는 배기가스와 접촉하면서 부산물을 더 포집하고, 부산물이 포집되어 제거된 배기가스를 하우징(10)의 하단부인 바닥면 상부로 도달시킨다.
한편, 히팅부(20)를 거친 후의 배기가스 중 다른 일부는, 하우징(10) 내 공간의 둘레부에 위치한 와류 발생판(52)에 수직으로 설치된 와류 발생판(52)으로 이동하여 통과한다. 또한, 와류 발생판(52)은 배기가스와 부딪히면서 와류를 발생시키고 부산물을 포집한다. 와류 발생판(52)에 접촉하면서 발생한 와류에 의해 배기가스의 일부는 포집 타워(30)로 이동하고 포집 타워(30)를 통과하는 배기가스 또한 각 격자트랩(300)을 통과하면서 분산 및 교란되어 일부가 와류 발생판(52) 측으로 이동함으로써, 배기가스가 와류 발생판(52), 수직 포집대(50), 및 포집 타워(30)와 효과적으로 접촉하면서 부산물이 포집될 수 있다. 와류 발생판(52)과 교차하도록 배치되는 수직 포집대(50)는 부산물 포집 효율을 보다 높여주게 된다.
상기와 같이 포집 타워(30)의 최상단 격자트랩(300A, T1)을 통과하여 윈도우(40)을 통과한 배기가스, 및 하우징(10) 내 공간의 둘레부의 와류 발생관(52)를 거친 배기가스는 모두 하우징(10)의 바닥면의 상부인 하단부에 도달한다.
상기 하우징(10)의 하단부에 도달한 배기가스는 배출구(12)로 바로 배출되지 않고 가스 포집 배출구(60)의 캡부재(70)를 거쳐 배출구(12)로 이동하여 배출된다. 이러한 방식으로 배기가스가 배출되기 때문에 배기가스 내의 파우더 형태 부산물이 배출구(12)로 배출되는 것을 최대한 방지할 수 있다.
가스 포집 배출구(60)는 구비된 캡부재(70)의 차단판(71) 및 유도벽(72)에 의하여 배기가스의 흐름이 길게 유도되고, 이에 따라 배기가스를 따라 이동하는 파우더 형태 부산물이 배기가스 배출구(12)로 이동하게 되는 것을 보다 효과적으로 방지한다.
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.
1 : 반도체 제조 부산물 포집 제거장치
10 : 하우징
11 : 유입구
12 : 배기가스 배출구
20 : 히팅부
21 : 분산판
22 : 가열부재
23 : 분산 날개
30 : 포집 타워
40 : 윈도우
41 : 제4 가스 통과공
42 : 포집 증대판
52 : 와류 발생판
60 : 가스 포집 배출구
70 : 캡부재
71 : 차단판
72 : 유도벽
300 : 격자트랩(T)
300A : 최상단 격자트랩(T1)
300B : 최하단 격자트랩(Tn)
310 : 제1 수평판
311 : 메인 가스 통과공
312 : 제1 가스 통과공
320 : 제1 격자부
330 : 제2 수평판
331 : 제2 가스 통과공
340 : 제2 격자부
b : 돌기
h : 수평 가스 통과공
P : 수직판
A : 상판
B : 바닥판

Claims (15)

  1. 하우징;
    상기 하우징의 상부 바닥을 형성하며, 외부의 프로세스 챔버와 연결되는 유입구를 구비하는 상판;
    상기 하우징의 상판의 하부에 연결 배치되어, 상기 유입구를 통해 유입되는 배기가스를 가열하는 히팅부;
    상기 하우징 내 공간에서 상기 히팅부의 하부로 배치되며, 다수 개의 수직판이 격자형태로 배치되어 형성된 격자트랩(T)을 n단으로 구비하는 포집 타워;
    상기 하우징 내 공간에서 상기 포집 타워의 하부로 배치되어 하기 가스 포집 배출구를 둘러싸는 박스 형상으로 이루어지며, 벽면에 다수 개의 가스 통과공을 구비하는 윈도우; 및
    상기 윈도우의 하부 바닥을 형성하며, 외부의 진공펌프와 연결되는 가스 포집 배출구를 포함하는 바닥판;를 포함하며,
    상기 포집 타워의 n단의 각각의 격자트랩은 격자의 밀도가 서로 상이한 것을 특징으로 하는, 반도체 제조 부산물 포집 제거장치
  2. 제1항에 있어서,
    상기 히팅부는,
    상기 하우징 내 공간의 상단에서 상기 유입구와 이격되어 배치되며, 상기 하우징의 횡단면보다 작은 크기를 가지는 수평한 분산판,
    상기 분산판을 가열하는 가열부재, 및
    상기 분산판의 상면 중앙부에서 방사형으로 배치되는 분산 날개를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 부산물 포집 제거장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 포집 타워의 최상단 격자트랩 하부로 위치하는 격자트랩은, 하단으로 갈수록 격자 밀도가 높아지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 부산물 포집 제거장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 포집 타워의 최상단 격자트랩은, 상기 격자트랩들 중 가장 높은 격자 밀도를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 부산물 포집 제거장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 포집 타워의 최상단 격자트랩은,
    중앙부에 메인 가스 통과공을 구비하고, 상기 메인 가스 통과공의 주변으로 상기 메인 가스 통과공보다 작은 다수 개의 제1 가스 통과공을 구비하는 제1 수평판, 및
    상기 제1 수평판의 상면에서 상기 메인 가스 통과공의 주변으로 배치되는 것으로서, 다수 개의 수직판이 격자형태로 배치되어 형성된 제1 격자부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 제조 부산물 포집 제거장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 포집 타워의 최하단 격자트랩은,
    다수 개의 제2 가스 통과공을 구비하는 제2 수평판, 및
    상기 제2 수평판의 상면에서 다수 개의 수직판이 격자형태로 배치되어 형성된 제2 격자부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 제조 부산물 포집 제거장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 수직판에는 다수 개의 수평 가스 통과공이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 부산물 포집 제거장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 수평 가스 통과공의 내주면을 따라서는 다수 개의 돌기가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 부산물 포집 제거장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 하우징의 내측면에서 돌출 형성되며 상기 하우징의 내측면을 따라 수평하게 연장되는 다수 개의 와류 발생판을 더 포함하고, 상기 외류 발생판에는 와류 발생판에 수직으로 다수 개의 제4 가스 통과공이 구비된 다수 개의 수직 포집대가 더 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 부산물 포집 제거장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제4 가스 통과공의 내주면을 따라서는 다수 개의 돌기가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 부산물 포집 제거장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 윈도우의 외측면에는 다수 개의 제3 가스 통과공을 구비한 다수 개의 포집 증대판이 돌출 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 부산물 포집 제거장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제3 가스 통과공의 내주면을 따라서는 다수 개의 돌기가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 부산물 포집 제거장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 가스 포집 배출구는 배기가스 배출구; 및 상기 배기가스 배출구의 상단에서 상부로 이격되어 배치되는 캡부재;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 부산물 포집 제거장치.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 캡부재는,
    상기 배기가스 배출구의 상단에서 상부로 이격되어 배치되며 상기 배기가스 배출구의 직경보다 큰 직경을 가지는 차단판, 및
    상기 차단판의 둘레를 따라 형성되며 상기 연장부재의 상단 아래 높이까지 연장되는 유도벽을 포함하며,
    상기 유도벽은 상기 하우징의 바닥면으로부터 이격되어 위치하는 것을 특징으로 하는, 반도체 제조 부산물 포집 제거장치.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항의 반도체 제조 부산물 포집 제거장치를 구비한 반도체 제조장치
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20030000009A (ko) 2001-06-22 2003-01-03 김기영 스크린 및 그 제조방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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