KR200483810Y1 - 반도체 공정 폐가스의 가열장치 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 title abstract description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 27
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 15
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
- H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
- H01L2021/60022—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
- H01L2021/60097—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process
- H01L2021/60172—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process using static pressure
- H01L2021/60187—Isostatic pressure, e.g. degassing using vacuum or pressurised liquid
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
반도체 공정 폐가스의 가열장치가 개시된다. 본 고안에 따른 반도체 공정 폐가스의 가열장치는, 공정가스를 가열시켜 이송되도록 하며, 반도체 공정 부산물의 처리장치에 적용되는 것이며, 상기 공정가스가 유입되는 유입구가 결합되는 결합공이 상판에 형성되고, 내부에 공간이 형성되며, 측면에 배출구가 형성된 함체; 상기 함체의 내부에 형성되되 상기 결합공에 대응되도록 형성되며, 코일 형상으로 형성된 가열튜브; 상기 배출구에 형성되며, 금속박판이 다수로 배치되고, 각 금속박판 사이에 공정가스가 통과될 수 있도록 슬릿이 형성된 방열부재;를 포함하여 이루어진다.
이에 따르면, 반도체 공정에서 발생되는 폐가스의 파우더를 수거 효율을 증가시키기 위하여 폐가스를 가열 및 균일한 분배를 도모할 수 있는 효과가 있다.
이에 따르면, 반도체 공정에서 발생되는 폐가스의 파우더를 수거 효율을 증가시키기 위하여 폐가스를 가열 및 균일한 분배를 도모할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 고안은 반도체 공정 폐가스의 가열장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 공정에서 발생되는 폐가스의 파우더를 수거 효율을 증가시키기 위하여 폐가스를 가열 및 균일한 분배를 도모할 수 있도록 한 반도체 공정 폐가스의 가열장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위한 제조공정은 특정 공정이 수행되는 공정챔버의 내부에서 다양한 공정가스를 이용하여 고온상태에서 수행되며 공정이 진행되는 동안 다양한 반응물질과 공정에 참여하지 않은 미반응 물질등이 제조 공정의 부산물로 생성된다.
공정 부산물들은 환경에 유해한 독성물질들을 다량으로 함유하는 경우가 많다. 화학기상 증착공정, 이온주입공정, 식각공정이나 확산 공정과 같은 반도체 제조공정의 단위공정들에 사용되는 실란(SiH4), 암모니아(NH3), 아산화질소(N2O), 일산화질소(NO), 인산(PH3), 아스뮴산(AsH) 등은 인체에 대한 독성, 금속에 대한 부식성, 가연성 등의 속성으로 인하여 다양한 환경오염을 유발한다.
이에 따라, 상기 반응 부산물들은 진공 펌프에 의해 공정챔버로부터 배출된 후 스크러버(scrubber)와 같은 정화시스템에 의해 여과되어 대기 중으로 방출된다.
상기 진공펌프를 통하여 배출된 반응 부산물은 배기라인을 통하여 상기 정화 시스템으로 연결된다.
이때, 상기 배기라인은 반도체 제조설비의 면적(foot print)나 요구되는 청정도(cleanliness)와 같은 설비 환경에 의해 다양한 형상으로 배치된다. 이때, 진공펌프와 정화 시스템이 물리적으로 이격되어 배치되고 다양한 공간적 제약을 충족해야 하는 경우 배기라인은 다수의 연결부에 의해 꺾이고 상기 반응 부산물의 유동경로는 변경된다.
구체적으로는, 진공상태의 챔버 내부에 웨이퍼를 고정시키고 챔버의 내부를 저압, 상압, 또는 플라즈마와 같은 적절한 작업환경으로 조성한 후 챔버의 내부에 소오스 가스를 투입하여 그 소오스 가스를 이루는 입자들이 웨이퍼에 증착되도록 하는 방법이다. 그리고 증착 후 발생된 부산물들은 진공배관에 연결된 진공펌프를 이용하여 배기라인을 통해 외부로 배출된다.
종래에는 챔버(100)에 연결된 진공배관(200)의 일측에 진공펌프(300)가 설치되어 일정한 진공압을 발생시키고, 1차 스크루버(400)와 2차 스크루버(500)가 설치되어 배기된 공정가스를 차례로 정화한 후 대기로 방출하는 방식이었다.
국내 출원 10-2012-0012023호에는 "반도체 공정 시스템용 가스 파우더처리 장치 및 방법"이 개시되어 있다.
상기 선행기술을 살펴보면, 반응가스 유입라인(113); 반응챔버(111) 내에 구비되어, 상기 반응챔버(111) 내 온도를 상승시키는 히팅블록(117); 반응챔버(111) 내에서 WF6와 상기 반응가스 반응에 따라 형성된 파우더가 포집되는 쿨링블록(119)을 포함하는 것이었다.
한편 종래의 기술은 파우더가 함입된 반도체 폐가스를 쿨링블럭에 투입하기전에 고온으로 가열시키기도록 히팅블록을 통과시키는데 가열된 폐가스가 균일하게 분포되어 쿨링블럭으로 공급되어야만 파우더의 제거효율이 향상될 수 있으므로 폐가스를 균일하게 분배 시킬 수 있는 구성요소가 필요하였다.
본 고안은 상기한 종래 기술의 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로, 반도체 공정에서 발생되는 폐가스의 파우더를 수거 효율을 증가시키기 위하여 폐가스를 가열 및 균일한 분배를 도모할 수 있도록 한 반도체 공정 폐가스의 가열장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 본 고안의 목적은, 공정가스를 가열시켜 이송되도록 하며, 반도체 공정 부산물의 처리장치에 적용되는 것이며, 상기 공정가스가 유입되는 유입구가 결합되는 결합공이 상판에 형성되고, 내부에 공간이 형성되며, 측면에 배출구가 형성된 함체; 상기 함체의 내부에 형성되되 상기 결합공에 대응되도록 형성되며, 코일 형상으로 형성된 가열튜브; 상기 배출구에 형성되며, 금속박판이 다수로 배치되고, 각 금속박판 사이에 공정가스가 통과될 수 있도록 슬릿이 형성된 방열부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 폐가스의 가열장치에 의해 달성될 수 있다.
상기 함체는 하판과, 상판이 이격 형성되어 내부에 공간이 형성되고, 측면에 복수의 기둥이 형성되며, 복수의 기둥 사이에 배출구가 형성된 것이며, 상기 기둥은 단면이 'ㄱ'자 형상으로 이루어지고, 한쌍의 기둥이 마주보게 배치되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 금속박판은 함체의 상판 또는 하판과 동일한 면적으로 형성되며 중앙에 통기공이 형성되어 사각형으로 형성되며, 모서리에는 기둥이 삽입되도록 홈이 형성된 것을 특징으로 한다.
본 고안에 따르면, 반도체 공정에서 발생되는 폐가스의 파우더를 수거 효율을 증가시키기 위하여 폐가스를 가열 및 균일한 분배를 도모할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 고안에 따른 반도체 공정 폐가스의 가열장치가 적용되는 반도체 공정 부산물의 처리장치를 나타낸 단면 사시도,
도 2는 본 고안에 따른 반도체 공정 폐가스의 가열장치를 나타낸 사시도,
도 3은 본 고안에 따른 반도체 공정 폐가스의 가열장치를 나타낸 분해사시도,
도 4는 본 고안에 따른 반도체 공정 폐가스의 가열장치의 작용을 보여주는 단면 사시도.
도 2는 본 고안에 따른 반도체 공정 폐가스의 가열장치를 나타낸 사시도,
도 3은 본 고안에 따른 반도체 공정 폐가스의 가열장치를 나타낸 분해사시도,
도 4는 본 고안에 따른 반도체 공정 폐가스의 가열장치의 작용을 보여주는 단면 사시도.
이하 본 고안의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 토대로 상세하게 설명하면 다음과 같다.
하기에서 설명될 실시예는 본 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 고안을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위한 것이며, 이로 인해 본 고안의 기술적인 사상 및 범주가 한정되는 것을 의미하지는 않는다.
또한, 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있으며, 본 고안의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있고, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 함을 밝혀둔다.
첨부된 도면 중에서, 도 1은 본 고안에 따른 반도체 공정 폐가스의 가열장치가 적용되는 반도체 공정 부산물의 처리장치를 나타낸 단면 사시도, 도 2는 본 고안에 따른 반도체 공정 폐가스의 가열장치를 나타낸 사시도, 도 3은 본 고안에 따른 반도체 공정 폐가스의 가열장치를 나타낸 분해사시도, 도 4는 본 고안에 따른 반도체 공정 폐가스의 가열장치의 작용을 보여주는 단면 사시도이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 고안에 따른 반도체 공정 폐가스의 가열장치가 적용되는 반도체 공정 부산물의 처리장치는, 공정가스가 유입되는 유입구(22)가 상부에 형성되고, 내부에 공간이 형성되며, 하부에는 유출구(24)가 형성된 본체(2); 상기 본체(2)의 내측 상부에 형성되며, 상기 유입구(22)에 통하도록 형성되어 유입된 공정가스를 가열시켜 이송되도록 하는 본 고안에 따른 반도체 공정 폐가스의 가열장치(A); 상기 본체(2)의 내부에 형성되며, 반도체 공정 폐가스의 가열장치(A)에서 토출된 공정가스를 냉각하고, 파우더가 고착되도록 포집판(42)과, 상기 포집판(42)을 둘러싼 냉각튜브(44)로 구성되는 냉각부(4); 상기 반도체 공정 폐가스의 가열장치에 열원을 공급하는 열원공급부(미도시); 상기 냉각부에 냉각수를 공급하는 냉각수공급부(미도시);를 포함하여 구성된다.
본체(2)는 복수개의 금속판을 볼트 체결 및 용접 등의 체결수단을 이용하여 박스 형상으로 조립하여 이루어지고, 내부에는 공간이 형성되며, 상판 및 하판에는 각기 유입구(22) 및 유출구(24)가 형성된다.
유입구(22) 및 유출구(24)는 원통형 관체이며, 단부에 플랜지가 형성된다. 상판의 일측에는 냉각튜브(44)와 연결되어 냉각수를 공급 및 회수하는 냉각수공급관(25) 및 냉각수회수관(26)이 형성되고, 냉각수공급관(25) 및 냉각수회수관(26)은 냉각수공급부(미도시)에 연결된다.
또한 본체(2)의 상판 타측에는 제1,2가열부(3)(5)에 각기 열원을 공급하는 공급관(28)이 형성되고, 공급관(28)은 열원공급부(미도시)에 연결된다.
상기 유입구(22)를 통해 유입된 공정가스는 300~500℃의 고온이며, 불순물 파우더가 함유된 상태이고, 이를 더욱 고온으로 가열시켜 기체가 활성화되도록 한 후 하부의 냉각부(4)로 이송시킨다.
냉각부(4)는 제1가열부(3)에서 토출된 공정가스를 냉각하는 것으로, 파우더가 고착되도록 포집판(42)과, 상기 포집판(42)을 둘러싼 냉각튜브(44)를 포함한다.
상기 포집판(42)은 다수의 통기공(422)이 형성되며, 평판형이되 일단에는 절곡되어 절곡부(424)가 형성된다.
이러한 포집판(42)을 다수개 조립하여 대략 사각형의 박스 형상이 되도록 형성한다.
한편 유입구(22)를 통해 유입된 공정가스는 본 고안에 따른 반도체 공정 폐가스의 가열장치(A)에 의해 가열된 후 분산되어 냉각부(4)로 공급될 수 있다.
도 2 내지 도 4에 나타낸 바와 같이, 본 고안에 따른 반도체 공정 폐가스의 가열장치(A)는,
공정가스를 가열시켜 이송되도록 하며, 반도체 공정 부산물의 처리장치에 적용되는 것이며,
상기 공정가스가 유입되는 유입구(22)가 결합되는 결합공(122)이 상판(120)에 형성되고, 내부에 공간이 형성되며, 측면에 배출구(102)가 형성된 함체(100);
상기 함체(100)의 내부에 형성되되 상기 결합공(122)에 대응되도록 형성되며, 코일 형상으로 형성된 가열튜브(200);
상기 배출구(102)에 형성되며, 금속박판(160)이 다수로 배치되고, 각 금속박판(160) 사이에 공정가스가 통과될 수 있도록 슬릿(150)이 형성된 방열부재(T);를 포함하여 구성된다.
상기 함체(100)는 사각형이며 동일 면적으로 된 상판(120)과 하판(140)을 상하 이격 배치하고, 측면 모서리에 4개의 기둥(130)을 형성함으로써 내부에 공간이 형성되도록 하였고, 4개의 기둥(130) 사이에 배출구(102)가 형성되도록 하였다.
상기 기둥(130)은 단면이 'ㄱ'자 형상으로 이루어지고, 한쌍의 기둥(130)이 마주보게 배치되어 형성된다.
상기 금속박판(160)은 열전도성이 높은 알루미늄 소재가 바람직하며, 함체(100)의 상판 또는 하판과 동일한 면적으로 형성되며 중앙에 통기공(162)이 형성되어 사각형으로 형성되며, 모서리에는 기둥(130)이 삽입되도록 홈(164)이 형성된다.
상기 통기공(162)은 비교적 면적이 넓은 사각형으로 형성되어 상판(120)의 결합공(122)을 통해 유입된 공정가스를 최대 용량으로 수용 및 이송시킬 수 있다.
도 3의 확대도에 나타낸 바와 같이, 다수의 금속박판(160)은 적층되되 그 사이에 공정가스가 통과될 수 있도록 슬릿(150)이 형성되고, 금속박판(160)의 일단은 함체(100)의 외측으로 돌출되도록 형성된다.
바람직하게는 적층되는 상기 다수의 금속박판(160) 각각은 수평으로 형성된다.
다른 실시예로서, 상기 다수의 금속박판(160) 각각은 상방 또는 하방으로 기울기를 갖도록 형성될 수도 있을 것이다.
이와 같이 구성된 본 고안의 작용을 설명하면 다음과 같다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 유입구(22) 및 결합공(122)을 통해 유입된 공정가스(GAS)는 가열튜브(200)를 통과하면서 고온으로 가열된다(진한 화살표로 표시함).
가열된 공정가스는 측방으로 이동하여 금속박판(160) 사이의 슬릿(150)을 통과하게 되고, 슬릿(150)을 통과하는 동안 더욱 가열될 수 있고, 각 배출구(102)를 통해 균등하게 분배되어 배출된다.
배출된 가열 공정가스는 냉각부(4)로 유입되고, 냉각부(4)에서 저온으로 냉각되면서 공정가스에 함유된 파우더가 포집판(42)에 고착되어 제거된다.
비록 본 고안이 상기 언급된 바람직한 실시예와 관련하여 설명되어졌지만, 고안의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정 및 변형이 가능한 것은 당업자라면 용이하게 인식할 수 있을 것이며, 이러한 변경 및 수정은 모두 첨부된 청구의 범위에 속함은 자명하다.
2 : 본체 4 : 냉각부
22 : 유입구 24 : 유출구
25 : 냉각수공급관 26 : 냉각수회수관
28 : 공급관 42 ; 포집판
44 : 냉각튜브 422 ; 통기공
424 : 절곡부
22 : 유입구 24 : 유출구
25 : 냉각수공급관 26 : 냉각수회수관
28 : 공급관 42 ; 포집판
44 : 냉각튜브 422 ; 통기공
424 : 절곡부
Claims (5)
- 공정가스를 가열시켜 이송되도록 하며, 반도체 공정 부산물의 처리장치에 적용되는 것이며,
상기 공정가스가 유입되는 유입구가 결합되는 결합공이 상판에 형성되고, 내부에 공간이 형성되며, 측면에 배출구가 형성된 함체;
상기 함체의 내부에 형성되되 상기 결합공에 대응되도록 형성되는 가열튜브;
상기 배출구에 형성되며, 금속박판이 다수로 배치되고, 각 금속박판 사이에 공정가스가 통과될 수 있도록 슬릿이 형성된 방열부재;를 포함하는 것으로,
상기 함체는
하판과, 상판이 이격 형성되어 내부에 공간이 형성되고, 측면에 복수의 기둥이 형성되며, 복수의 기둥 사이에 배출구가 형성되며,
상기 금속박판은
함체의 상판 또는 하판과 동일한 면적으로 형성되며 중앙에 통기공이 형성되며, 모서리에는 기둥이 삽입되도록 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정 폐가스의 가열장치. - 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 다수의 금속박판 각각은 수평으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 폐가스의 가열장치. - 제 1항에 있어서,
상기 다수의 금속박판 각각은 상방 또는 하방으로 기울기를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 폐가스의 가열장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2020150006998U KR200483810Y1 (ko) | 2015-10-28 | 2015-10-28 | 반도체 공정 폐가스의 가열장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2020150006998U KR200483810Y1 (ko) | 2015-10-28 | 2015-10-28 | 반도체 공정 폐가스의 가열장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170001594U KR20170001594U (ko) | 2017-05-10 |
| KR200483810Y1 true KR200483810Y1 (ko) | 2017-06-30 |
Family
ID=58716666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2020150006998U KR200483810Y1 (ko) | 2015-10-28 | 2015-10-28 | 반도체 공정 폐가스의 가열장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200483810Y1 (ko) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100717837B1 (ko) * | 2006-11-21 | 2007-05-14 | 주식회사 이노시스템 | 반도체 공정의 반응부산물 포집장치 |
| KR100768882B1 (ko) * | 2007-02-12 | 2007-10-22 | 주식회사 엠아이 | 반도체 반응부산물 트랩장치 |
-
2015
- 2015-10-28 KR KR2020150006998U patent/KR200483810Y1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| KR100717837B1 (ko) * | 2006-11-21 | 2007-05-14 | 주식회사 이노시스템 | 반도체 공정의 반응부산물 포집장치 |
| KR100768882B1 (ko) * | 2007-02-12 | 2007-10-22 | 주식회사 엠아이 | 반도체 반응부산물 트랩장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170001594U (ko) | 2017-05-10 |
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