JP2000353668A

JP2000353668A - 気相成分除去装置

Info

Publication number: JP2000353668A
Application number: JP11166934A
Authority: JP
Inventors: Toshimitsu Moritake; 利充森竹
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1999-06-14
Filing date: 1999-06-14
Publication date: 2000-12-19

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体ウェハの表面に成膜をなすＣＶＤ装置
の後段に装着され、当該ＣＶＤ装置から排気される処理
ガスの気相成分を効率よく補集することのできる気相成
分除去装置を提供する。【解決手段】縦型ＣＶＤ装置から排出された混合ガス
を導入させる取込容器を有し、この取込容器に混合ガス
への冷却作用にてその表面に混合ガスの気相成分の付着
をなす捕集用円盤４０Ａ、４０Ｂを設置した気相成分除
去装置である。捕集用円盤４０Ａ、４０Ｂを積層方向に
隙間５２を有して複数枚重ね合わせ、混合ガスが隙間５
２を通過するよう捕集用円盤４０Ａ、４０Ｂを配置する
とともに、捕集用円盤４０Ａ、４０Ｂにおけるガス導入
側端部を隣り合う捕集用円盤でずらして配置した。これ
によりガス導入側端部に成長する捕集物５６同士が干渉
するのを防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハの表
面に成膜をなすＣＶＤ装置の後段に装着される気相成分
除去装置に係り、特に前記ＣＶＤ装置から排気される混
合ガスの気相成分を効率よく補集することのできる気相
成分除去装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置は、円盤状のシリコン基板
（以下半導体ウェハと称す）の表面に不純物を打ち込
み、その表面にトランジスタや抵抗および容量などを形
成した後、さらにその表面に絶縁膜や配線を形成してい
くことで製造される。

【０００３】ところで半導体ウェハの表面に絶縁膜を形
成したり、あるいは配線の基となるポリシリコンを堆積
したりするのにはＣＶＤ法（Chemical Vapor Depositio
n 法）が使用されている。

【０００４】図７は、縦型のＣＶＤ装置の構成を示す説
明図である。同図に示すようにＣＶＤ装置１では、チャ
ンバ２を有しており、当該チャンバ２は垂直方向に１０
０枚程、積層させた半導体ウェハ３を収容できる程の大
きさに形成されている。

【０００５】そしてチャンバ２の前段には図示しない複
数のガス供給手段が設けられ、これに接続する給気管４
を介して反応用ガスをチャンバ２内に給気可能としてい
る。一方、チャンバ２の後段には気相成分除去装置５と
吸引ポンプ６とが連続して接続され、チャンバ２内の混
合ガス（複数の反応ガスが混じったもの）の副生成物と
残留ガスの除去とを可能にしている。

【０００６】ところで図８は、従来の気相成分除去装置
の構造と当該装置を通過する混合ガスの経路を示した説
明図である。同図に示すように気相成分除去装置５で
は、ガス取込室となる取込容器７を有しており、この取
込容器７の側部には、チャンバ２から排出された混合ガ
スを取込可能とする導入口８が設けられるとともに、取
込容器７の天井面には、後段の吸引ポンプ６へと接続を
なすための排気口９が設けられている。そして取込容器
７の内部には、ドーナツ状のディスク板となる捕集用円
盤１０が隙間を有して重ねられ、導入口８より導入され
た混合ガスが捕集用円盤１０の外側から隙間を通過して
内側へと入り込み、捕集用円盤１０の内側に入り込んだ
混合ガスを排気口９より排出し、混合ガス中の気相成分
を取込容器７内で除去することで、吸引ポンプ６内に気
相成分が付着するのを防止するようにしている（混合ガ
スの流れは図中、矢印１１を参照）。なお混合ガス中に
おける気相成分の除去は、チャンバ２より導入された高
温の混合ガス（６６０〜６８０℃程度）を捕集用円盤１
０間の隙間に通過させることで、人が接触できる程度の
温度（４０℃程度）まで冷却し、混合ガス中の気相成分
の結晶を捕集用円盤１０の表面に付着させることで行わ
れる。

【０００７】このように構成されたＣＶＤ装置１では、
あらかじめ垂直方向に積層された半導体ウェハ３をチャ
ンバ２内に投入した後、複数のガス供給手段より給気管
４を介してチャンバ２内に反応ガスを導入させる。そし
て半導体ウェハ３をチャンバ２内で（反応ガスが混ざっ
た）混合ガスに触れさせることで、当該半導体ウェハ３
の表面に化学反応を起こさせ、所定の薄膜（絶縁層や配
線の基）を形成するようにしている。

【０００８】そしてチャンバ２内で反応を終えた混合ガ
スは、チャンバ２の後段に設けられた気相成分除去装置
５に導入され、ガス中に残留する余剰の気相成分と副生
成物を除去された後、吸引ポンプ６を介して外部へと排
気される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし上述したＣＶＤ
装置を用いた製造過程においては以下の問題点が存在し
ていた。

【００１０】図９は、気相成分除去装置５における捕集
用円盤１０の部分断面図を示す。同図に示すように、気
相成分除去装置５においては、混合ガス中の気相成分の
除去を捕集用円盤１０にて行っている。そして同図
（１）は、気相成分の除去を開始した初期の状態を示し
ているが、同図（１）の状態においては重ねられる捕集
用円盤１０間の隙間１２は十分に確保され、捕集用円盤
１０の外側から内側への通風は十分に行われている。し
かし同図（２）に示すように気相成分の除去が進んだ状
態では、捕集用円盤１０の外周側から徐々に捕集物１３
が付着していくので、当該捕集用円盤１０の外周側の隙
間１２の間隔が狭まったり、あるいは隙間１２自体が塞
がれてしまい、捕集用円盤１０の外側から内側への通風
が十分に行われなくなり、混合ガスの排気効率が低下す
る。このように排気効率が低下すると成膜条件を維持で
きなくなる。このため気相成分除去装置５（あるいは捕
集用円盤１０）を頻繁に交換する必要があり、装置管理
や交換作業といったメンテナンスの負荷が増大してしま
う問題点があった。なお発明者の経験においては、半導
体ウェハに対しＴＥＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicat
e）での熱分解反応により約４μm程度ＳｉＯ₂の成膜を
行うと、捕集物１３により気相成分除去装置５（あるい
は捕集用円盤１０）に目詰まりが発生してしまうことが
確認されている。

【００１１】また捕集用円盤１０の表面全体で捕集物１
３の捕集が行えるようになっているものの、実際には外
周側で捕集物１３が成長してしまい隙間１２が狭まって
しまうことから、捕集用円盤１０の捕集面積を有効に利
用することができないという問題点があった。

【００１２】本発明は上記従来の問題点に着目し、隙間
が捕集物によって狭まるのを抑え、捕集用円盤の捕集面
積を有効に活用することで、捕集物の付着による交換間
隔を延ばすことができる気相成分除去装置を提供するこ
とを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る気相成分
除去装置は、ＣＶＤ装置から排出された混合ガスを導入
させるガス取込室を有し、このガス取込室に前記混合ガ
スへの冷却作用にてその表面に前記混合ガスの気相成分
副生成物の付着をなすディスク板を設置した気相成分除
去装置であって、前記ディスク板を軸方向に隙間を有し
て複数枚重ね合わせ、前記混合ガスが前記隙間を通過す
るよう前記ディスク板を配置するとともに、前記ディス
ク板におけるガス導入側端部を隣り合う前記ディスク間
でずらして配置するよう構成した。請求項１に係る気相
成分除去装置によれば、ディスク板におけるガス導入側
端部では捕集物の成長度合いが一番速いことから、この
端部同士がずれるようにディスク板を配置すれば、隣り
合うディスク板のガス導入側端部に成長する捕集物同士
が干渉することがない。このため隣り合うディスク板間
の隙間が確保され、短時間で目詰まりすることがなく、
もって装置自体の交換間隔を延ばすことができる。なお
隣り合うディスク板のガス導入側端部に成長する捕集物
同士が干渉しないことから、捕集物をディスク板に大量
に捕集することができ、ディスク板の捕集面積を有効に
用いることができる。

【００１４】請求項２に記載の気相成分除去装置は、前
記ディスク板におけるガス導入側端部の形状は、隣り合
う前記ディスク板と相似の関係であることを特徴として
いる。請求項２に記載の気相成分除去装置によれば、デ
ィスク板全周にわたって隣り合うディスク板をずらして
配置させることが可能になり、効率のよい捕集が可能に
なる。

【００１５】また請求項３に記載の気相成分除去装置
は、隣り合う前記ディスク板の表面積を等しいことを特
徴としている。請求項３に記載の気相成分除去装置によ
れば、混合ガスの冷却をなす領域を等しくしたことか
ら、ディスク板の捕集能力を落とすことなく装置自体を
形成することができる。

【００１６】そして請求項４に記載の気相成分除去装置
は、前記ディスク板におけるガス導入側端部は、前記デ
ィスク板の外縁であることを特徴としている。請求項４
に記載の気相成分除去装置によれば、ディスク板の外周
側は捕集領域を広くとることができるので、この領域を
最も捕集物を付着させることのできる領域に一致させれ
ば、効率のよい捕集を行うことが可能になる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に本発明に係る気相成分除去
装置の具体的実施の形態を図面を参照して詳細に説明す
る。

【００１８】図２は、本実施の形態に係る気相成分除去
装置が用いられる縦型ＣＶＤ装置の構成を示す説明図で
ある。尚、本実施の形態においては縦型ＣＶＤ装置を例
にとって説明しているが、横型ＣＶＤ装置についても適
用できることは言うまでも無い。同図に示すように本実
施の形態に係る気相成分除去装置２０は、半導体ウェハ
２２の表面に薄膜（絶縁層または配線の基）を形成する
ための縦型ＣＶＤ装置２４の後段に接続されており、気
相成分除去装置２０の後段には縦型ＣＶＤ装置２４より
反応が終了した混合ガスを気相成分除去装置２０を介し
て排気させるための吸引ポンプ２６が接続されている。
また縦型ＣＶＤ装置２４の前段側には図示しない複数の
ガス供給手段が設けられ、これらに接続する給気管２８
を介して反応用ガスをチャンバ２内に給気可能としてい
る。なお気相成分除去装置２０の直前および直後には図
示しない圧力計が備えられており、気相成分除去装置２
０を介した圧力の変化を検出できるようにしている。

【００１９】縦型ＣＶＤ装置２４ではチャンバ３０を有
しており、このチャンバ３０は、その内部に軸方向に隙
間をもって１００枚重ねた半導体ウェハ２２を取込可能
にできるだけの大きさに設定されている。このため縦型
ＣＶＤ装置２４では、１００枚からなる半導体ウェハ２
２を一度に投入し、処理できるだけの能力を有してい
る。

【００２０】チャンバ３０の壁面における給気管２８が
取り付けられた反対側には、気相成分除去装置２０へと
続く管路３２が形成されており、チャンバ３０内で混ざ
った複数の反応ガスからなり、半導体ウェハ２２の表面
で化学反応を起こさせた混合ガスを気相成分除去装置２
０へと排気可能にしている。

【００２１】なお半導体ウェハの表面に形成される薄膜
の具体例としては、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）や窒化シ
リコン（Ｓｉ₃Ｎ₄）等が挙げられ、これら薄膜は下記の
反応ガスの混合によって形成される。

【００２２】

【化１】（酸化シリコン（ＳｉＯ₂）場合）Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄＋１２Ｏ₂→ＳｉＯ₂＋８ＣＯ₂＋１０
Ｈ₂Ｏ

【００２３】

【化２】（窒化シリコン（Ｓｉ₃Ｎ₄）の場合）３ＳｉＨ₂Ｃｌ₂＋４ＮＨ₃→Ｓｉ₃Ｎ₄＋６Ｈ₂＋６ＨＣｌ図３は、本実施の形態に係る気相成分除去装置２０の構
造を示す断面説明図である。同図に示すように気相成分
除去装置２０では、ガス取込室となる取込容器３４を有
しており、この取込容器３４における側壁には導入口３
６が設けられるとともに、取込容器３４の天井面には排
気口３８が設けられている。ここで導入口３６には管路
３２が接続されており、チャンバ３０で生じた混合ガス
を管路３２と導入口３６を介して取込容器３４内に混合
ガスを導入可能にしている。一方排気口３８からは吸引
ポンプ２６へと配管が引き出され、気相成分除去装置２
０を通過した混合ガスを後段の吸引ポンプ２６側へと送
り込み可能にしている。

【００２４】ところでこうした取込容器３４の内部で
は、気相成分の捕集をなすためのディスク板となる捕集
用円盤４０が軸方向に隙間をもって積み重ねられてお
り、チャンバ３０より取り込まれた混合ガス中の気相成
分除去を行うようにしている。

【００２５】図４は、気相成分除去装置２０に用いられ
る捕集用円盤の形状を示す正面図である。同図に示すよ
うに材質をステンレスとする捕集用円盤４０は、２種類
の形態を有しており同図（１）側を捕集用円盤４０Ａと
し、同図（２）側を捕集用円盤４０Ｂとする。

【００２６】捕集用円盤４０Ａはドーナツ状の形態とな
っており、その外径（Ｄ1）は取込容器３４の内側寸法
に干渉しないだけの寸法に設定されており、一方内径
（Ｄ2）は取込容器３４における排気口３８の開口寸法
にほぼ一致するよう設定されている。また捕集用円盤４
０Ａの穴部４２Ａにおける縁辺には内径（Ｄ2）上に１
２０度の間隔で配置される丸溝４４が形成されており、
捕集用円盤４０を積み重ねる際の位置決め用に用いられ
る。

【００２７】一方捕集用円盤４０Ｂも捕集用円盤４０Ａ
と同様にドーナツ状の形態となっているが、その外径
（Ｄ3）およびその内径（Ｄ4）は以下の関係で設定され
る。

【００２８】

【数１】Ｄ1＞Ｄ3＞Ｄ2＞Ｄ４なお捕集用円盤４０Ｂにおける穴部４２Ｂの外側、すな
わち内径（Ｄ２）寸法に相当するピッチ円４８上には１
２０度の間隔で位置決め穴４６が設けられており、捕集
用円盤４０Ａと捕集用円盤４０Ｂとを重ね合わせた際、
両者を単一の方法で位置決め可能にしている。

【００２９】ところでこれら捕集用円盤４０Ａと捕集用
円盤４０Ｂでは、その外周側が相似形となっており、こ
れら円盤を交互に積み重ねた場合、その外周側に均一に
ずれが生じるようになっている。さらにこれら捕集用円
盤４０Ａと捕集用円盤４０Ｂでは、その内周側において
捕集用円盤４０Ｂ側の内径（Ｄ4）のほうが小径となっ
ており、また捕集用円盤４０Ａと捕集用円盤４０Ｂの面
積とが同一になっている。このため円盤の外周側で段差
が生じるようにしても隣り合う円盤の面積が同一になる
よう内径側寸法が設定されているので、円盤における気
相成分の除去能力が低下するのを防止することができ
る。

【００３０】上述した捕集用円盤４０Ａと捕集用円盤４
０Ｂとは取込容器３４の内部にて交互に軸方向に積み重
ねられている。なおこの積み重ねは、捕集用円盤４０Ａ
に設けた丸溝４４と、捕集用円盤４０Ｂに設けた位置決
め穴４６とをピッチ円４８上に位置するよう設けられた
３箇所の位置決めピン５０（図中では一箇所のみ図示）
に挿通させることにより行われるとともに、捕集用円盤
４０Ａと捕集用円盤４０Ｂとの間には図示しないスペー
サを差し込んで両円盤の間に隙間５２（図１を参照）を
形成するようにしている。

【００３１】このように構成された気相成分除去装置２
０では、導入口３６から取込容器３４の内部に進入した
混合ガスは、捕集用円盤４０Ａ、４０Ｂの外周側に広が
るとともに、排気口３８側からの吸引力（吸引ポンプ２
６の働き）にて、隙間５２を経由して穴部４２側へと移
動する。そして当該穴部４２側へと移動した混合ガス
は、排気口３８より吸引ポンプ２６側に移動する（混合
ガスの流れは矢印５４を参照）。

【００３２】このように構成された気相成分除去装置２
０を縦型ＣＶＤ装置２４の後段に組み込み混合ガス中に
おける気相成分の除去をなす手順を説明する。

【００３３】まず縦型ＣＶＤ装置２４を構成するチャン
バ３０内にあらかじめ１００枚程積み重ねられた半導体
ウェハ２２を収める。そして半導体ウェハ２２をチャン
バ３０内に収めた後は、膜形成処理の前段階として窒素
ガスを給気管２８を介してチャンバ３０内へと導入させ
るとともに、次いで吸引ポンプ２６の稼働にて気相成分
除去装置２０側に窒素ガスを排気させる。ところで気相
成分除去装置２０の直前および直後には図示しない圧力
計が設けられていることから、この圧力計の検出値をも
とに気相成分除去装置２０の圧力損失値、すなわち捕集
物の目詰まり状態を求め、圧力損失が大きければ新規の
気相成分除去装置２０への交換を行い、圧力損失が小さ
ければ気相成分除去装置２０の交換をせずに膜形成処理
を続行する。

【００３４】チャンバ３０への窒素ガスの給気を停止し
た後は、前記チャンバ３０内に収められた半導体ウェハ
２２への膜形成（本実施例では窒化シリコン（Ｓｉ
₃Ｎ₄）を形成する）を行うために、給気管２８を介して
ガス供給手段からジクロールシア（ＳｉＨ₂Ｃｌ₂）とア
ンモニア（ＮＨ₃）とをチャンバ３０に供給する。そし
てこれら複数の反応ガスをチャンバ３０内で交わらせ、
この気体に対し加熱をしたり、あるいはプラズマ放電に
さらしたりすることで、半導体ウェハ２２の表面で化学
反応がスムーズに発生するようにする。

【００３５】そしてこうした反応処理を行うとともに、
反応処理の終了した混合ガスは、吸引ポンプ２６からの
吸引力によって、管路３２を介して気相成分除去装置２
０へと移動されていく。前記管路３２を介して導入口３
６より取込容器３４内へと入り込んだ混合ガスは矢印５
４に示されるように、捕集用円盤４０Ａ、４０Ｂの外周
側から隙間５２を介して内側へと入り込み、穴部４２
Ａ、４２Ｂを通過して排気口３８から吸引ポンプ２６側
へと排気される。

【００３６】ところで気相成分除去装置２０では、チャ
ンバ３０内で高温（６６０〜６８０℃程度）になった混
合ガスを捕集用円盤の間の隙間５２に通過させること
で、人が接触できる程度の温度（４０℃程度）に冷却
し、混合ガス中の気相成分副生成物を捕集用円盤４０
Ａ、４０Ｂの表面に結晶化させることにより付着させ、
混合ガス中の気相成分の除去を行っている。

【００３７】図１は、本実施の形態に係る気相成分除去
装置における捕集用円盤の部分断面図である。同図
（１）に示すように、捕集用円盤４０Ａ、４０Ｂが新規
の状態、すなわち捕集用円盤４０Ａ、４０Ｂに気相成分
となる捕集物が付着していない状態では、隙間５２の寸
法が確保され、混合ガスから捕集物が除去されていくと
ともに、混合ガスの通気も確実に行われる。しかし捕集
用円盤４０Ａ、４０Ｂにて気相成分の捕集を進めていく
と、当該捕集用円盤４０Ａ、４０Ｂの外側に付着した捕
集物が成長し、隣り合う捕集用円盤との隙間５２を狭め
ていくことが考えられるが、本実施の形態においては、
同図（２）に示すように捕集用円盤４０Ａと捕集用円盤
４０Ｂとを交互に重ね、その外周縁部をずらして配置し
ていることから、外周縁部に成長する捕集物５６が互い
に干渉することがない。このため隙間５２の寸法が確保
され、気相成分除去装置２０の交換時期を遅らせること
ができる。なお外周縁部に成長する捕集物５６同士の干
渉が防止されることから、円盤の内周側に続く領域での
気相成分の捕集も効率よく行われ捕集用円盤の有効活用
がなされることはいうまでもない。

【００３８】そして気相成分除去装置２０より排出され
た混合ガスは、その殆どの気相成分を気相成分除去装置
２０により除去されているので、前記混合ガスが吸引ポ
ンプ２６内に入り込んでも、当該吸引ポンプ内に気相成
分が成長することがなく、ポンプ自体に不具合が発生す
るおそれがない。このように捕集用円盤の捕集処理能力
を高め、気相成分除去装置２０の交換時期を延長させた
ことから、装置管理や交換作業といったメンテナンスの
負荷が増大してしまう問題点を解消することができる。

【００３９】図５は、捕集用円盤の形状を異ならせた第
１応用例の側面図を示す。同図に示すように外周径の異
なる捕集用円盤５８Ａ〜５８Ｎを積み重ね、その外周先
端部がずれるようにしても、隣り合う円盤の外周先端に
成長する捕集物の干渉を防止することができる。

【００４０】また図６は、捕集用円盤の形状を異ならせ
た第２応用例の上面図を示す。本実施の形態では捕集用
円盤を用いるようにしたが同図に示すように、四角ある
いは他の形状の捕集用板としてもよい。

【００４１】なおこれらの実施の形態においては、周長
が大きくとれる外周側をガス導入側端部として、捕集物
の成長を図り捕集効率を向上させるようにしたが、この
形態に限定されることもなく、捕集用円盤の内径側から
混合ガスを導入させ外周側に排気させるようにしてもよ
い。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｃ
ＶＤ装置から排出された混合ガスを導入させるガス取込
室を有し、このガス取込室に前記混合ガスへの冷却作用
にてその表面に前記混合ガスの気相成分の付着をなすデ
ィスク板を設置した気相成分除去装置であって、前記デ
ィスク板を積層方向に隙間を有して複数枚重ね合わせ、
前記混合ガスが前記隙間を通過するよう前記ディスク板
を配置するとともに、前記ディスク板におけるガス導入
側端部を隣り合う前記ディスク間でずらして配置したこ
とから、捕集用円盤の捕集面積が有効に活用され、捕集
物の付着による交換間隔を延ばすことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態に係る気相成分除去装置における
捕集用円盤の部分断面図である。

【図２】本発明に係る気相成分除去装置が用いられる縦
型ＣＶＤ装置の構成を示す説明図である。

【図３】本実施の形態に係る気相成分除去装置２０の構
造を示す断面説明図である。

【図４】気相成分除去装置２０に用いられる捕集用円盤
の形状を示す正面図である。

【図５】捕集用円盤の形状を異ならせた第１応用例の側
面図を示す。

【図６】捕集用円盤の形状を異ならせた第２応用例の上
面図を示す。

【図７】縦型のＣＶＤ装置の構成を示す説明図である。

【図８】従来の気相成分除去装置の構造と当該装置を通
過する混合ガスの経路を示した説明図を示す。

【図９】気相成分除去装置５における捕集用円盤１０の
部分断面図を示す。

【符号の説明】１ＣＶＤ装置２チャンバ３半導体ウェハ４給気管５気相成分除去装置６吸引ポンプ７取込容器８導入口９排気口１０捕集用円盤１１矢印１２隙間１３捕集物２０気相成分除去装置２２半導体ウェハ２４縦型ＣＶＤ装置２６吸引ポンプ２８給気管３０チャンバ３２管路３４取込容器３６導入口３８排気口４０Ａ、４０Ｂ捕集用円盤４２Ａ、４２Ｂ穴部４４丸溝４６位置決め穴４８ピッチ円５０位置決めピン５２隙間５４矢印５６捕集物５８Ａ〜５８Ｎ捕集用円盤６０捕集用板

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＣＶＤ装置から排出された混合ガスを導
入させるガス取込室を有し、このガス取込室に前記混合
ガスへの冷却作用にてその表面に前記混合ガスの気相成
分副生成物の付着をなすディスク板を設置した気相成分
除去装置であって、前記ディスク板を積層方向に隙間を
有して複数枚重ね合わせ、前記混合ガスが前記隙間を通
過するよう前記ディスク板を配置するとともに、前記デ
ィスク板におけるガス導入側端部を隣り合う前記ディス
ク間でずらして配置したことを特徴とする気相成分除去
装置。
【請求項２】前記ディスク板におけるガス導入側端部
の形状は、隣り合う前記ディスク板と相似の関係である
ことを特徴とする請求項１に記載の気相成分除去装置。
【請求項３】隣り合う前記ディスク板の表面積が等し
いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の気
相成分除去装置。
【請求項４】前記ディスク板におけるガス導入側端部
は、前記ディスク板の外縁であることを特徴とする請求
項１乃至請求項３のいずれかに記載の気相成分除去装
置。