JP2003224120A - 二重作用冷却トラップ - Google Patents

二重作用冷却トラップ

Info

Publication number
JP2003224120A
JP2003224120A JP2003010948A JP2003010948A JP2003224120A JP 2003224120 A JP2003224120 A JP 2003224120A JP 2003010948 A JP2003010948 A JP 2003010948A JP 2003010948 A JP2003010948 A JP 2003010948A JP 2003224120 A JP2003224120 A JP 2003224120A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
condensation
plates
exhaust gas
fins
condensing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003010948A
Other languages
English (en)
Inventor
Wei Hua Tong
ウェイ・ファ・トン
Chen Yu Yang
チェン・ユ・ヤン
Jian Zhang
チャン・ジャン
Qian Wu Quan
チアン・ウー・クァン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
GlobalFoundries Singapore Pte Ltd
Original Assignee
Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd filed Critical Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd
Publication of JP2003224120A publication Critical patent/JP2003224120A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/46—Removing components of defined structure
    • B01D53/48—Sulfur compounds
    • B01D53/50—Sulfur oxides
    • B01D53/507—Sulfur oxides by treating the gases with other liquids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 望ましくない粒子を更に効率的に収集させる
と共に、洗浄間の時間を増加させてシステムの休止時間
を減少させる、半導体材料蒸着システムで使用すること
のできる冷却トラップを提供する。 【解決手段】 本発明の二重作用冷却トラップは、ガス
入口ポート２２及び出口ポート２４が９０°の角度をな
すように配列された柱状ハウジング２０を組み込む。柱
状ハウジングの内部には、１組の凝結フィン３４と、１
組の凝結プレート３６とが存在する。排気ガスをこれら
の凝結表面に亘って直列態様で差し向ける偏向プレート
２６が、凝結フィン３４と、凝結プレート３６との間に
組み込まれる。冷却流体用の入口及び出口の備品がステ
ンレス鋼製ハウジングに組み込まれ、流体ループが、閉
循環ループ内の凝結フィン及び凝結プレートに流体を提
供するように配列される。これは、望ましくない粒子の
収集の効率を増大させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、概して、低圧化学
蒸着フィルム製造プロセスの排気ガス内の望ましくない
副産物を効果的に収集するための半導体製造プロセスで
使用される装置に関する。
【０００２】
【従来技術】次の４つの米国特許は、反応チャンバーか
らの源材料を減少させるための冷却トラップに関する。
【０００３】２００１年６月５日に発行された、ジュイ
−フィング・リーらによる米国特許番号６，２４，７９
３ｂ１は、曲線状冷却プレートを備えた冷却トラップを
開示している。
【０００４】２０００年８月２２日に発行された、ウェ
イ−ファーン・リンらによる米国特許番号６，１０７，
１９８号は、冷却トラップの排気回路を使用し、構成部
品を加熱及び冷却することによりプロセス固化成長（pr
ocess solid buildup）を減少させるための装置及び方
法を開示している。
【０００５】２０００年１２月２６日に発行された、ウ
ェイ−ジェン・リンらによる米国特許番号６，１６５，
２７２号は、真空ポンプに接続されたバルブ付きの排出
開口を使用することによりＬＰＣＶＤチャンバーへの汚
染を防止するための装置を開示している。
【０００６】２０００年１０月３１日に発行された、ジ
ェッセ・Ｃ・ラモスらによる米国特許番号６，１３９，
６４０号は、反応チャンバーから真空ポンプまで流れる
ガスのための流量率コントローラを利用したＬＰＣＶＤ
システムを記載している。
【０００７】ＬＰＣＶＤ法は、半導体基板上に薄いフィ
ルムを蒸着させるため使用される方法である。窒化シリ
コンは、拡散、不動態化のためのマスクとして、又は、
記憶素子における誘電性ゲート（gate dielectric）と
して広範囲に使用されている。窒化シリコンは、通常、
図１に示されたものに類似した蒸着備品（従来技術）で
ＬＰＣＶＤ法により形成される。
【０００８】ＬＰＣＶＤ法は、典型的には、数百ｍトー
ルのチャンバー圧力で７００℃から８００℃まの温度で
高壁ＬＰＣＶＤ垂直炉ユニット１０内においてアンモニ
アとの反応ガスとしてジクロロシラン（dichlorosilan
e）を使用する。上述された方法を使用した窒化シリコ
ン蒸着の間に、反応の副産物が形成される。この副産物
は、通常、細粒粉末の形態にある塩化アンモニウムであ
る。この粉末は、ＬＰＣＶＤシステムの導管内の冷たい
表面上に沈着されるか、又は、フィルム蒸着プロセスの
間に反応チャンバーに戻るように吸引され得る。上記の
結果は、システムの配管系統は、残存物を洗浄するため
頻繁なメンテナンスを必要とするということである。よ
り重要なことは、それは生産物の欠陥密度を増大させ、
プロセスの生産物産出能力を減少させるということであ
る。
【０００９】塩化アンモニウム粉末の効果を減少させる
ための方法は、ＬＰＣＶＤシステムにおいて、塩化アン
モニウム粉末を凝結させるため内側に冷たい表面領域を
提供する冷却トラップを備えるということである。図１
は、典型的なＬＰＣＶＤシステムの概略図である。典型
的なシステムは、排出出口１４、メイン圧力バルブ２
３、冷却トラップ１１、及び、メイン真空ポンプ２１を
有するＬＰＣＶＤ反応器１０を備える。炉１０内に配置
された半導体ウェーハ上の窒化シリコンフィルムの蒸着
の間、未反応ガス及び反応副産物の塩化アンモニウム粉
末を含んだ炉排気ガス２０Ａが、冷却トラップ１１を通
して送られ、次に工場排出システム２２Ａに解放され
る。冷却トラップ１１の能力及び効率は、それが、プロ
セスの欠陥密度に影響を及ぼし、これにより生産物産出
能力及びメンテナンスの頻度に影響を及ぼすため、シス
テムの重要な特徴となっている。
【００１０】従来の冷却トラップの断面図が、図２に示
されている（従来技術）。冷却トラップは、通常、ガス
入口ポート及び出口ポート２２、２４が図２に示される
ように配列された柱状ハウジング２０から構成される。
ハウジングは、冷却プレート３４も支持する。冷却プレ
ートは、フィンを通って循環する冷却流体を含む中空フ
ィンから構成される。冷却流体ラインは、冷却トラップ
ハウジングによって、提供され、支持される。冷却フィ
ンは、塩化アンモニウム粉末の沈着及び収集のため大き
な冷たい表面を提供する。この作用は、塩化アンモニウ
ム粉末が反応チャンバー内に逆流して生産物ウェーハー
上に欠陥を作ることを防止する。図２に示された冷却ト
ラップの現在の構成では、冷却トラップは、作業の２０
〜２５時間毎に、内側表面から塩化アンモニウム粉末を
洗浄することを必要とする。この洗浄の要求は、システ
ムの休止時間を必要とする。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、現在
の冷却トラップが実行することができるよりも更に効率
的に望ましくない粒子を収集するように半導体製造プロ
セスで使用することができる冷却トラップを提供するこ
とである。
【００１２】本発明の更なる目的は、その使用により、
洗浄間の時間を増加させ、従ってシステムの休止時間を
減少させる、半導体材料蒸着システムで使用することの
できる冷却トラップを提供することである。
【００１３】本発明の別の目的は、望ましくない粒子の
沈着のための冷却された表面積が増大された、冷却トラ
ップを提供することである。本発明の追加の目的は、望
ましくない粒子の沈着のためより大きい面積を可能とす
るため、第２の組の冷却フィンに亘ってガスを差し向け
るガス偏向プレートを提供することである。
【００１４】本発明の更なる目的は、望ましくない粒子
の沈着のため追加の冷たい表面積を提供するように形成
された、第２の組の冷却フィンを提供することである。
また、本発明の目的は、ガスの流れに対するインピーダ
ンスを最小にするように形成された冷却フィンを提供す
ることである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明にお
いて、ガス入口ポート及び出口ポートが９０°の角度を
なすように配列された柱状ハウジングを組み込んだ二重
作用冷却トラップを設けることにより達成される。柱状
ハウジングの内部には、１組の凝結フィンと、１組の凝
結プレートとが存在する。排気ガスをこれらの凝結表面
に亘って直列態様で差し向ける偏向プレートが、凝結フ
ィンと、凝結プレートとの間に組み込まれる。冷却流体
のための入口及び出口の備品がステンレス鋼製ハウジン
グに組み込まれ、流体ループが、閉循環ループ内の凝結
フィン及び凝結プレートに流体を提供するように配列さ
れる。
【００１６】
【発明の実施の形態】窒化シリコンフィルムは、半導体
ウェーハプロセス工程で幅広く使用されている。ＬＰＣ
ＶＤシステムは、窒化シリコンフィルムを蒸着させるた
めの好ましい方法である。当該プロセスの化学反応の
間、例えば塩化アンモニウム粉末等の望ましくない粒子
が、反応チャンバー内で形成される。これらの汚染物質
の有害な効果、即ち、生産物で増加した欠陥密度、ＬＰ
ＣＶＤシステムの増加した洗浄頻度を最小にするため、
図１のユニット１１のように、冷却トラップが、システ
ム内に組み込まれる。
【００１７】本発明は、上述したように、例えば塩化ア
ンモニウムの望ましくない粒子を収集するための二重作
用冷却トラップを開示する。本発明の二重作用冷却トラ
ップでは、柱状ハウジングが、偏向プレート及び２つの
組の冷却フィンを支持するため使用される。このハウジ
ングは、ハウジングの柱状表面にあるガス入口ポート
と、ガス入口ポートに垂直なガス出口ポートと、を更に
含んでいる。このハウジングは、冷却フィンを通って流
れる冷却水のための入口及び出口接続部を提供する、ガ
ス出口ポートの反対側端部に形成された密封プレートを
組み込んでいる。
【００１８】図３ａは、本発明の二重作用冷却トラップ
の断面図である。二重作用冷却トラップは、柱状ハウジ
ング２０を使用して構成される。ハウジング２０は、ガ
ス入口ポート２２、該ガス入口ポート２２に垂直なガス
出口ポート２４と、が備え付けられている。
【００１９】柱状ハウジング２０の内部には、後段の冷
たい凝結プレートに亘って排気ガスを差し向けるガス偏
向プレート２６が取り付けられている。ガス出口の反対
側端部に取り付けられているものは、冷却水入口３０及
び冷却水出口３２を支持するプレート２８である。冷却
水パイプの入口及び出口は、冷却水を支持し排気ガスの
流れに平行な複数の第１の冷却フィン３４に該冷却水を
提供すると共に、冷却水を支持し該排気ガスの流れに垂
直な複数の冷却プレート３６に該冷却水を提供するよう
に設計されている。
【００２０】図３ｂは、２つの組の凝結冷却プレート３
８、４０の構成を示す二重作用冷却トラップの底面図で
ある。図３ｂのアイテム３８は、望ましくない粒子の凝
結及び収集のため大きな面積を提供する１組の冷却フィ
ン３４を組み込んでいる、第１の排気ガス凝結冷却プレ
ートである。図３ｂのアイテム４０は、ガスの流れを可
能にするため孔を備えた一連の冷却プレートを組み込ん
だ第２の排気ガス凝結冷却プレートである。これらの冷
却プレートは、望ましくない粒子の凝結及び収集のため
の追加の面積を提供する。図３ｃは、ハウジングが第１
の組の冷却フィンアイテム３８から取り外された状態の
平面図である。
【００２１】図３ａに示されたような本発明の構成で
は、排気ガスにさらされた複数の凝結冷却プレートフィ
ン及びプレート３４、３８は、生産物の欠陥密度の低下
並びに必要となる主要な予防メンテナンスの間のより長
い期間を結果として生じさせるため示された。
【００２２】本発明は、その特定の実施形態を参照して
説明され、図示されたが、本発明は、これら図示の実施
形態に限定されるものではない。当業者は、本発明の精
神から逸脱することなく、様々な変形及び変更をなすこ
とができることを認めるであろう。従って、請求の範囲
及びその均等物内に属する全ての変形及び変更が、本発
明内に網羅されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、従来技術のＬＰＣＶＤシステムの概略
図である。
【図２】図２は、従来技術の冷却トラップの断面図であ
る。
【図３】図３ａ、図３ｂ、図３ｃは、本発明で説明され
るような二重作用冷却トラップの断面図である。
【符号の説明】
１０ ＬＰＣＶＤ反応器（炉） １１ 冷却トラップ １４ 排出出口 ２０ 柱状ハウジング ２０Ａ 炉排気ガス ２１ メイン真空ポンプ ２２ ガス入口ポート ２２Ａ 工場排出システム ２３ メイン圧力バルブ ２４ ガス出口ポート ２６ ガス偏向プレート ２８ 支持プレート ３０ 冷却水入口 ３２ 冷却水出口 ３４ 第１の冷却フィン ３６ 冷却プレート ３８ 第１の排気ガス凝結冷却プレート ４０ 第２の排気ガス凝結冷却プレート
フロントページの続き (72)発明者 チェン・ユ・ヤン シンガポール国シンガポール 648362 ザ・フローラヴェール，ウエストウッド・ アベニュー 236，ナンバー 13−39 (72)発明者 チャン・ジャン シンガポール国シンガポール 760277 イ シュン・ストリート 22，ビーエルケイ 277，ナンバー 10−298 (72)発明者 チアン・ウー・クァン シンガポール国シンガポール 670220 ペ ティア・ロード，ビーエルケイ 220，ナ ンバー 12−333 Ｆターム(参考） 4K030 BA40 CA04 EA12 FA10 LA15 5F045 AA06 AB33 BB08 EG08

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 低圧化学蒸着システムの排気ガスにおい
    て望ましくない副産物、反応物及び粒子を収集するため
    の二重作用冷却トラップであって、 柱状ステンレス鋼のハウジングと、 前記柱状ステンレス鋼のハウジングの側部に形成された
    ガス入口ポートと、 前記ハウジングの底部に形成されたガス出口ポートと、 冷却液体用の入口及び出口の備品、ガスの流れに平行な
    凝結フィン、並びに、該ガスの流れに垂直な凝結プレー
    トを備えたガス凝結装置と、 を含む、二重作用冷却トラップ。
  2. 【請求項２】 前記凝結フィン及び凝結プレートは、排
    気ガスが、最初に該凝結フィンを通り、次に該凝結プレ
    ートを通過することを可能にするように配列されてい
    る、請求項１に記載の二重作用冷却トラップ。
  3. 【請求項３】 前記凝結フィン及び凝結プレートは、排
    気ガスに与えられる凝結表面積を最大にするように配列
    されている、請求項１に記載の二重作用冷却トラップ。
  4. 【請求項４】 前記凝結フィン及び凝結プレートは、同
    じ冷却液体用の入口及び出口の備品を利用するように配
    列されている、請求項１に記載の二重作用冷却トラッ
    プ。
  5. 【請求項５】 直列態様で、排気ガスの流れを前記凝結
    フィンに亘って差し向け、次に前記凝結プレートに亘っ
    て差し向ける、偏向プレートを更に含む、請求項１に記
    載の二重作用冷却トラップ。
  6. 【請求項６】 前記プレートは、排気ガスの自由な流れ
    を可能にするように配列された孔が形成されている、請
    求項１に記載の二重作用冷却トラップ。
  7. 【請求項７】 前記プレートは、排気ガスと接触する前
    記凝結プレートの表面積を最大にするように、プレート
    間でジグザグに配置された孔を備える、請求項６に記載
    の二重作用冷却トラップ。
  8. 【請求項８】 前記ガス入口ポート及び出口ポートは、
    二重組の凝結フィン及びプレートが排気ガス経路内で配
    列されることを可能にするように、９０°の角度をなす
    ように配列されている、請求項１に記載の二重作用冷却
    トラップ。
  9. 【請求項９】 前記排気ガスの入口ポート及び出口ポー
    トは、ＬＰＣＶＤシステム全体に統合を提供するように
    ９０°の角度をなして配列されている、請求項１に記載
    の二重作用冷却トラップ。
  10. 【請求項１０】 前記中空凝結フィン及びプレートは、
    前記冷却流体のための閉じた回路経路を提供する、請求
    項６に記載の二重作用冷却トラップ。
  11. 【請求項１１】 低圧ＣＶＤシステムの排気ガス内の望
    ましくない副産物、反応物及び粒子を収集する方法であ
    って、 柱状鋼鉄製ハウジングを用意し、 前記柱状鋼鉄製ハウジングの側部にガス入口ポートを設
    け、 前記柱状鋼鉄製ハウジングの底部にガス出口ポートを設
    け、 冷却液体用の入口及び出口の備品、ガスの流れに平行な
    凝結フィン、並びに、該ガスの流れに垂直なプレートを
    備えたガス凝結装置を設け、 前記排気ガスを前記フィン及びプレートに亘って流し込
    む、各工程を含む方法。
  12. 【請求項１２】 前記凝結フィン及びプレートは、排気
    ガスが最初に該凝結フィンプレートを通過し、次に、該
    凝結プレートを通過することを可能にする、該凝結フィ
    ン及び凝結プレートを利用した二重作用冷却トラップを
    使用することによる、請求項１１に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記二重作用冷却トラップは、排気ガ
    スに与えられた凝結表面積を最大にするように配列され
    た、前記凝結フィン及び凝結プレートを利用する、請求
    項１２に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記凝結フィン及び凝結プレートは、
    共通の液体入口及び出口の備品の利用を可能とするよう
    に接続され、配列されている、請求項１２に記載の方
    法。
  15. 【請求項１５】 前記排気ガスを前記凝結フィンに亘っ
    て差し向け、次に、ＬＰＣＶＤ冷却トラップの凝結プレ
    ートに亘って差し向ける、偏向プレートが利用される、
    請求項１１に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 前記排気ガスの流れに対する抵抗を最
    小にすると共に、該排気ガスと接触する凝結プレートの
    表面積を最大にするように該凝結プレート内に孔を配列
    する工程を更に含む、請求項１１に記載の方法。
JP2003010948A 2002-01-18 2003-01-20 二重作用冷却トラップ Pending JP2003224120A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/053332 2002-01-18
US10/053,332 US6528420B1 (en) 2002-01-18 2002-01-18 Double acting cold trap

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003224120A true JP2003224120A (ja) 2003-08-08

Family

ID=21983470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003010948A Pending JP2003224120A (ja) 2002-01-18 2003-01-20 二重作用冷却トラップ

Country Status (3)

Country Link
US (2) US6528420B1 (ja)
JP (1) JP2003224120A (ja)
SG (2) SG98079A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100621660B1 (ko) 2005-07-01 2006-09-11 주식회사 뉴프로텍 반도체 부산물 트랩장치
US8172946B2 (en) 2005-03-02 2012-05-08 Hitachi Kokusai Electric Inc. Semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6528420B1 (en) * 2002-01-18 2003-03-04 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Double acting cold trap
US6908499B2 (en) * 2002-10-11 2005-06-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Cold trap for CVD furnace
US7034304B2 (en) * 2003-07-25 2006-04-25 Honeywell International, Inc. Chamber for gas detector
US6964270B2 (en) * 2003-08-08 2005-11-15 Cummins, Inc. Dual mode EGR valve
US7044997B2 (en) * 2003-09-24 2006-05-16 Micron Technology, Inc. Process byproduct trap, methods of use, and system including same
US7089781B2 (en) * 2003-11-04 2006-08-15 Honeywell International, Inc. Detector with condenser
KR100631924B1 (ko) * 2005-01-24 2006-10-04 삼성전자주식회사 반도체 설비의 잔류부산물 포집장치
US20060211248A1 (en) * 2005-02-25 2006-09-21 Brabant Paul D Purifier for chemical reactor
JP5133013B2 (ja) * 2007-09-10 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 成膜装置の排気系構造、成膜装置、および排ガスの処理方法
KR101010196B1 (ko) * 2010-01-27 2011-01-21 에스엔유 프리시젼 주식회사 진공 증착 장비
US8728240B2 (en) * 2012-05-02 2014-05-20 Msp Corporation Apparatus for vapor condensation and recovery
CN108701583B (zh) * 2016-04-13 2023-12-01 应用材料公司 用于排气冷却的设备
JP6918146B2 (ja) 2017-05-19 2021-08-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 液体および固体の排出物を収集して後に反応させて気体の排出物にする装置
KR102036273B1 (ko) * 2017-12-27 2019-10-24 주식회사 미래보 반도체 공정 부산물 포집장치
CN115193207A (zh) * 2021-04-09 2022-10-18 中芯南方集成电路制造有限公司 水汽分离装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6258170B1 (en) * 1997-09-11 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Vaporization and deposition apparatus
US6107198A (en) 1998-03-26 2000-08-22 Vanguard International Semiconductor Corporation Ammonium chloride vaporizer cold trap
US6139640A (en) 1998-08-12 2000-10-31 Advanced Micro Devices, Inc. Chemical vapor deposition system and method employing a mass flow controller
US6165272A (en) 1998-09-18 2000-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Closed-loop controlled apparatus for preventing chamber contamination
US6106626A (en) 1998-12-03 2000-08-22 Taiwan Semincondutor Manufacturing Company, Ltd Apparatus and method for preventing chamber contamination
US6206971B1 (en) * 1999-03-29 2001-03-27 Applied Materials, Inc. Integrated temperature controlled exhaust and cold trap assembly
US6241793B1 (en) 1999-08-02 2001-06-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Cold trap equipped with curvilinear cooling plate
US6528420B1 (en) * 2002-01-18 2003-03-04 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Double acting cold trap

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8172946B2 (en) 2005-03-02 2012-05-08 Hitachi Kokusai Electric Inc. Semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
KR100621660B1 (ko) 2005-07-01 2006-09-11 주식회사 뉴프로텍 반도체 부산물 트랩장치

Also Published As

Publication number Publication date
SG131812A1 (en) 2007-05-28
US6528420B1 (en) 2003-03-04
SG98079A1 (en) 2003-08-20
US20030226366A1 (en) 2003-12-11
US6814812B2 (en) 2004-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003224120A (ja) 二重作用冷却トラップ
US20080210273A1 (en) Batch photoresist dry strip and ash system and process
EP0956142B1 (en) Liquid cooled trap
US7988755B2 (en) Byproduct collecting apparatus of semiconductor apparatus
TWI230629B (en) Trap apparatus and method for condensable by-products of deposition reactions
JP4236882B2 (ja) ガス処理装置およびガス処理方法
KR101684755B1 (ko) 트랩 기구, 배기계 및 성막 장치
JPH11195648A (ja) 熱処理装置
TWI567220B (zh) Capture device and film forming device
JP2001520321A (ja) 非対称の流動形状を用いるプロセスチャンバ用リッドアセンブリ
TW201734353A (zh) 用於原子層沉積及化學氣相沉積反應器之使用點閥箱
US6277235B1 (en) In situ plasma clean gas injection
WO1997028886A9 (en) Liquid cooled trap patent application
US20220178617A1 (en) Heat exchanger with multistaged cooling
KR101865337B1 (ko) 반도체 공정 부산물 포집장치
JP2001131748A (ja) トラップ装置及びトラップ方法
JP2000055543A (ja) 蒸気処理装置及び蒸気処理方法
CN112546799A (zh) 配备冷却流路的半导体工程反应副产物收集装置
KR100605389B1 (ko) 반도체장비의 부산물 급속 포집장치
JP4733856B2 (ja) 高密度プラズマｃｖｄ装置のリモートプラズマクリーニング方法
US10808310B2 (en) Effective and novel design for lower particle count and better wafer quality by diffusing the flow inside the chamber
JPH0824503A (ja) コールドトラップ及び半導体装置の製造装置
TW202115277A (zh) 配備冷卻流路的半導體工程反應副產物收集裝置
JPH08298234A (ja) 真空処理装置及びその運転方法
JP2000334235A (ja) トラップ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071019

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080118

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080123

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080617