JP2000334235A

JP2000334235A - トラップ装置

Info

Publication number: JP2000334235A
Application number: JP11153706A
Authority: JP
Inventors: Masaharu Miki; 正晴三木; Hirotsugu Tanaka; 裕嗣田中; Kenji Yamaguchi; 謙二山口
Original assignee: NIPPON EDOWARDS KK
Current assignee: NIPPON EDOWARDS KK
Priority date: 1999-06-01
Filing date: 1999-06-01
Publication date: 2000-12-05
Anticipated expiration: 2019-06-01
Also published as: JP4495271B2

Abstract

(57)【要約】【課題】必要な流量コンダクタンスを確保しつつ長期間
にわたってトラップ効果を維持するトラップ装置【解決手段】ガス流入口１８およびガス流出口２８を開
口させた外筒部材１２と、この外筒部材内に配置され、
外筒部材との間に環状のガスチャンネルを形成する内筒
部材２４と、外筒部材１２の内周側からガスチャンネル
内に突出し、ガス流入口１８からガス流出口２８にガス
流を案内する複数の外側フィン４８と、内筒部材２４の
外周側からガスチャンネル内に突出し、ガス流を攪拌す
る複数の内側フィン４６とを備え、これらの外側フィン
４８は、それぞれ内側フィン４６と交差する面に沿いか
つ内側フィンの半径方向外側に配置されるトラップ装
置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体製造
あるいは液晶素子製造に用いるトラップ装置に関し、特
に、反応性ガス中での成膜処理と反応性ガス中での食刻
処理とイオン性ガス中でのイオン注入処理との少なくと
もひとつの処理を被処理部材に施す気密チャンバからの
排気系に介挿され、内部を流通する排気ガス中の粉体と
ミストと凝縮性ガスとの少なくともひとつを捕捉するト
ラップ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体あるいは金属を処理する半
導体製造におけるウェーハ処理工程やガラス等の絶縁基
板に液晶素子を形成する液晶素子製造における液晶素子
製造工程には、次のような処理工程が含まれる。

【０００３】１）２酸化シリコン（Ｓi Ｏ₂）を成膜す
る方法のひとつとして、ＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オ
キサイド・シリコン）と酸素を用いる工程がある。この
成膜処理を行う成膜処理装置の排気ガス中には、２酸化
シリコンの微粉末が含まれる。この微粉末は、ＴＥＯＳ
が酸化したときに発生する水蒸気が液体に凝縮するとそ
れが結合原因物質となり、２酸化シリコンはより大きな
粉体粒の粉末に成長しする。その結果、このような排気
ガスが冷えることにより、ガス中に含まれる２酸化シリ
コンは粒径の大きな粉体として排気配管の中に停留しや
すくなる。また、ときとしてＴＥＯＳ（液体）自身がミ
ストとして排気ガスに含まれることがある。このミスト
は冷却されると、排気配管の管壁に付着し最終的には２
酸化シリコンとして固着する。

【０００４】２）窒化シリコンを成膜する方法のひとつ
として、ジクロールシランとアンモニアガスを用いる工
程がある。また、窒化チタンを成膜する方法のひとつと
して塩化チタンとアンモニアガスを用いる工程がある。
このような成膜処理を行う成膜処理装置の排気ガス中に
は塩化アンモニウムが含まれる。塩化アンモニウムは約
１４０℃程度になると、急速に凝縮して気体から固体に
なる。このため、塩化アンモニウムが真空ポンプの内部
や排気配管の管壁に固体の層として固着する。

【０００５】３）アルミニウムを食刻する方法のひとつ
として、塩化水素ガスを用いる処理工程がある。この反
応性ガス中で食刻処理する食刻処理装置の排気ガス中に
は塩化アルミニウムが含まれる。また、酸化アルミニウ
ムを成膜する方法のひとつとして、塩化アルミニウムと
水蒸気を用いる工程があり、このような成膜処理を行う
成膜処理装置の排気ガス中には塩化アルミニウムが含ま
れる。塩化アルミニウムは約１００℃程度になると、凝
縮して気体から粉末状の固体になる。このため、塩化ア
ルミニウムは真空ポンプの内部や排気配管の中に停留し
やすくなる。

【０００６】４）高濃度のホスフィンや固体のリンをイ
オン源として利用するイオン注入工程がある。このイオ
ン注入装置の排気ガス中にはイオン化したリンが含まれ
る。このイオン性のガスは、冷却すると凝縮され、リン
が微粉末となって析出する。このリンの微粉末は真空ポ
ンプ等の可動機構の隙間に付着し、可動機構の摩擦を増
大し、最終的には真空ポンプを停止させてしまう。

【０００７】５）金属タングステンを成膜する方法とし
て六フッカタングステンと水素ガスとを用いる方法があ
る。この場合、これらのガスを１２０℃以上にすること
により、金属タングステンが析出し、成膜が行われる。
しかし、ポンプ内で金属タングステンが析出すると、タ
ングステンの硬度はポンプの主材料である鋳鉄よりも高
いため、ポンプはすぐに摩耗破損する。

【０００８】このような各種の処理工程中で生成された
粉末がそのまま放置されると、大量の粉末により、真空
ポンプを過負荷停止させる。あるいは、排気配管に固着
した固体層が次第に成長すると、最終的には排気配管を
閉塞させる原因となる。更に、イオン性ガスは、真空ポ
ンプを停止させてしまい、タングステン成膜ガスは真空
ポンプを摩耗破損させてしまう。このような、真空ポン
プ内や排気系統における固形物の付着を防止するため、
ガス処理装置として冷却媒体や加熱媒体を用いたトラッ
プを用いることが広く行われている。

【０００９】図５は、このようなガス処理装置として用
いられる従来技術のトラップを示す。このようなトラッ
プは冷却媒体と加熱媒体とのいずれをも用いることが可
能なものであるが、以下の説明では、主に冷却媒体とし
て水を用いた水冷トラップとして説明する。

【００１０】この水冷トラップは、一端を底壁で閉じら
れた円筒状ケーシング２内に冷却管４を配置し、この円
筒状ケーシング２の他端を密閉板６で閉じた密閉構造を
有する。排気ガスは円筒状ケーシング２に設けられた吸
気口２ａから流入し、密閉板６に設けられた排気口２ｂ
から排出される。また、冷却管４内には、給水口４ａか
ら冷却水が供給され、この内部通路を流通した後、排水
口４ｂから排出される。この冷却管４の外周部には、フ
ィン８が螺旋状に取付けられている。

【００１１】円筒状ケーシング２内を流通する排気ガス
は、冷却管４およびフィン８の表面に接触して効率的に
冷却され、この冷却管４およびフィン８の表面上に排気
ガス中の粉末を付着させ、あるいは、固着原因物質を凝
縮付着させることにより、排気ガス中から粉体、凝縮性
ガスあるいはミスト等を除去することができる。

【００１２】したがって、このような水冷トラップを用
いることにより、そのトラップ内において排気ガス中の
粉末を強制的に除去し、あるいは、ガス中の凝縮性ガス
を強制的にトラップ内に固着させてガス中の固着原因物
質を除去することができる。このような粉末あるいは固
着原因物質を排気ガス中から除去する効果は、スクラビ
ング効果と称されている。このスクラビング効果によ
り、粉末、あるいは凝縮性ガスを強制的に除去された排
気ガスは、排気配管や真空ポンプ内部に固形物を付着あ
るいは生成させることがほとんどなく、したがって、配
管閉塞による排気停止あるいは真空ポンプ停止を伴なう
排気停止トラブルを未然に防ぐことができる。このよう
な排気停止トラブルは、長期間にわたって防止できるこ
とが望ましい。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、冷却管および
フィンの表面に粉末ないし固着原因物質等の固形物があ
る程度付着すると、この冷却管およびフィンの冷却能力
が低下することにより、水冷トラップにおけるスクラビ
ング効果も低下し、最終的には粉末あるいは凝縮性ガス
を所定以上のトラップ効率で除去できなくなってしま
う。また、例えトラップ効率が十分であっても、固形物
の付着により、ガス流に対するコンダクタンスが低下
し、ポンプの排気速度を減少させる結果となる。このよ
うな状態になると、排気系統は前述の問題を生じ、排気
停止を起し、あるいは、排気能力が不足することにな
る。言い換えると、このように粉末あるいは凝縮性ガス
を所定以上のトラップ効率で除去できなくなったり、所
定以下のコンダクタンスとなったときに、水冷トラップ
の使用寿命となる。もちろん、トラップ効率とコンダク
タンスの維持とは長期にわたって持続することが望まし
いことであるが、しかし、従来の水冷トラップの効率と
使用寿命とを延長させるためにはトラップ内表面積を大
きくし、ガス分子と冷却面との衝突回数を増大させる必
要があり、そのためケーシングおよび冷却管を軸方向に
延長させて多数の冷却フィンを挿入していた。この場合
には、水冷トラップが極めて大型化すると共に、排気ガ
スの流れが妨げられ、ガス流に対するコンダクタンスが
減少すると言う問題をかかえていた。また、フィンとケ
ーシングとの間に粉末ないし固着原因物質等の固形物が
堆積すると、ケーシングに対向するフィンの全長が長い
ために強固な結合力が形成され、冷却管をケーシングか
ら分離することが困難となる。

【００１４】本発明は上述に鑑みてなされたもので、必
要な流量コンダクタンスを確保しつつ長期間にわたって
トラップ効果を維持することができると共に、固形物が
大量に内部に堆積した状態でも容易に分解することがで
きるトラップ装置を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明によると、反応性
ガス中での成膜処理と反応性ガス中での食刻処理とイオ
ン性ガス中でのイオン注入処理との少なくともひとつの
処理を被処理部材に施す気密チャンバからの排気系に介
挿され、内部を流通する排気ガス中の粉体とミストと凝
縮性ガスとの少なくともひとつを捕捉するトラップ装置
であって、ガス流入口およびガス流出口を開口させた外
筒部材と、この外筒部材内に配置され、外筒部材との間
に環状のガスチャンネルを形成する内筒部材と、前記外
筒部材の内周側からガスチャンネル内に突出し、ガス流
入口からガス流出口にガス流を案内する複数の外側フィ
ンと、内筒部材の外周側からガスチャンネル内に突出
し、ガス流を攪拌する複数の内側フィンとを備え、前記
外側フィンは、それぞれ内側フィンと交差する面に沿い
かつ内側フィンの半径方向外側に配置されるトラップ装
置が提供される。

【００１６】このトラップ装置では、ガス流入口から流
入した排気ガスは、外側フィンで案内されつつガスチャ
ンネル内を流れ、ガス流出口から排気系に戻される。こ
のガスチャンネル内を流れる間に、ガス流は内側フィン
で攪乱され、好適なトラップ効果が得られる。また、外
側フィンの配置される面と内側フィンが配置される面と
が互いに交差するため、外側フィンの内周側縁部と、内
側フィンの外周側縁部とは、面積の小さな点状の領域で
重なり合う。このため、この間に堆積した固形物で形成
される結合力は、強固なものとはならない。

【００１７】前記外筒部材と内筒部材とは、冷却用又は
加熱用の媒体を循環させる環状スペースを有するのが好
ましい。また、前記内側フィンは、それぞれ内側管部材
の軸線に対して垂直な面に沿って配置される環状の板状
に形成され、前記外側フィンはこの軸線に対して螺旋状
に配置される帯板状に形成されるのが好ましい。

【００１８】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の好ましい実施の
形態によるトラップ装置の全体を示し、図２から図４は
その内部構造を概略的に示す。このトラップ装置は、半
導体製造装置や液晶素子製造装置に好適に用いられ、例
えば上述のようなＴＥＯＳと酸素とを用いた２酸化シリ
コン成膜処理装置、ジクロールシランとアンモニアガス
とを用いた窒化シリコンの成膜処理装置、塩化チタンと
アンモニアガスとを用いた窒化チタンの成膜装置、塩化
アルミニウムと水蒸気を用いた酸化アルミニウムの成膜
装置、塩化水素ガスを用いたアルミニウムの食刻処理装
置、あるいは、高濃度のホスフィンや固体のリンをイオ
ン源として利用するイオン注入処理装置等の処理装置か
ら、直接、又は真空ポンプあるいはガス除外装置を介し
て排気される排気系に介挿され、排気ガス中の粉体、ミ
ストあるいは凝縮性ガスを捕捉するものである。なお、
以下では、これらの捕捉された粉体、ミストあるいは凝
縮性ガスを単に固形物と総称する。

【００１９】図１に示すように、このトラップ装置１０
は、円筒状の外筒部材１２を備える。この外筒部材１２
は、両端が開口した第１円筒部材１２ａと、一端が湾曲
構造の底壁で１４閉じられた第２円筒部材１２ｂとをシ
ールリング１２ｃを介して同軸状に連結して形成してあ
る。この外筒部材１２の開口した他端には支持プレート
１６が設けられ、この支持プレート１６が外筒部材１２
の内部を密閉すると共に、後述する内筒部材、および、
冷却あるいは加熱媒体用の管路を支えている。また、第
１円筒部材１２ａには、ガス流入口１８が形成され、上
述のような成膜処理装置、食刻処理装置あるいはイオン
注入処理装置等の処理装置の気密チャンバから排気され
た反応性ガスあるいはイオン性ガス等を、このガス流入
口１８からトラップ装置１０内に導く。更に、第２円筒
部材１２ｂの外周部には、ジャケット２０が配置され、
第２円筒部材１２ｂの周部に環状スペース２２を形成す
る。

【００２０】外筒部材１２の内部には、内筒部材２４が
同軸状に配置されている。この内筒部材２４は両端が開
口しており、支持プレート１６に形成された開口２６
に、ガス流出口２８を形成する一方の端部が結合され、
したがって、外筒部材１２は内筒部材２４の一端に形成
したガス流出口２８を、外部に開口させている。また、
内筒部材２４の反対側の端部は、外筒部材１２の内部で
底壁１４と対向配置され、この外筒部材１２との連通口
３０を形成する。これにより、ガス流入口１８から、外
筒部材１２と内筒部材２４との間、および、内筒部材２
４の内孔を介してガス流出口２８に至るガスチャンネル
が形成される。

【００２１】この内筒部材２４の連通口３０に近接した
部分、すなわち第２円筒部材１２ｂの半径方向内方に配
置される部分の外周部にはジャケット３２が配置され、
内筒部材２４の外周部に環状スペース３４を形成する。
この内筒部材２４に形成した環状スペース３４は、連絡
管路３６を介して外筒部材１２の環状スペース２２と連
通し、更に、媒体供給管路３８を介して例えば冷却水等
の冷却媒体が供給される。本実施形態では、内筒部材２
４のガス流出口２８に近接した側で、この媒体供給管路
３８が環状スペース３４内に開口しており、反対側の連
通口３０に近接した側で、連絡管路３６が環状スペース
３４内に開口する。この連絡管路３６は、ガス流入口１
８に近接する側でジャケット２０に設けられた接続部４
０を介して外筒部材１２の環状スペース２２に連通す
る。底壁１４に近接する側でジャケット２０に設けられ
た接続部４２は、図示しない媒体排出管路に接続され、
環状スペース２２から冷却媒体を排出することができ
る。

【００２２】したがって、媒体供給管路３８から供給さ
れた冷却水等の媒体は、環状スペース３４のガス流出口
２８に近接した側から、反対側の連通口３０に向けて流
れ、この連通口３０に近接した側から連絡管路３６を介
してジャケット２０の接続部４０に供給される。そし
て、外筒部材１２の環状スペース２２内をガス流入口１
８に近接する側から底壁１４に近接する側に向けて流れ
た後、接続部３２から外部に排出される。

【００２３】これらの内筒部材２４および外筒部材１２
の環状スペース３４，２２内には、排気ガスを冷却する
場合には冷却媒体として水等を循環することができ、更
に、０℃以下に冷却させる場合には水に代えてグリセリ
ン等の冷却媒体を循環させるのが好ましい。一方、例え
ぱ、フッ化タングステン（ＷＦ６）を用いてタングステ
ン膜を形成する成膜処理装置に用いる場合には、フッ化
タングステンが大気圧下では１２０℃以上で分解してタ
ングステンを析出させるため、冷却水等の冷却媒体に代
え、加熱された液体等の加熱媒体を循環させる。なお、
このように加熱する場合には、環状スペース２２，３４
の一方あるいは双方にヒータを配置することも可能であ
る。

【００２４】本実施形態のトラップ装置１０では、ガス
流入口１８とガス流出口２８との間のガスチャンネルが
３つのトラップステージから形成されている。第１ステ
ージＡは第１円筒部材１２ａと内筒部材２４との間に形
成される環状のガスチャンネルであり、第２ステージＢ
は第２円筒部材１２ｂと内筒部材２４との間に形成され
る環状のガスチャンネルであり、第３ステージＣは、内
筒部材２４の内孔部に形成される円筒状のガスチャンネ
ルである。

【００２５】第１ステージＡは、従来のものと同様に、
ガス流入口１８から流入した排気ガスをこの環状のガス
チャンネル内で外筒部材１２および内筒部材２４の壁面
に衝突させ、生成された固形物を捕捉する。また、最終
の第３ステージＣでは、最後に残った固形物を捕捉する
もので、この第３ステージＣを形成する円筒状のガスチ
ャンネル中に本実施形態では２つのバッフル４４ａ，４
４ｂが突出し、ガス流出口２８から排気系に流出するの
を防止している。そして、第１ステージＡと第３ステー
ジＣとの間に配置される第２ステージＢでは、複数の内
側フィン４６が内筒部材２４の外周面側すなわちジャケ
ット３２の外周面からガスチャンネル内に突出し、複数
の外側フィン４８が外筒部材１２の内周面側からガスチ
ャンネル内に突出する。

【００２６】図２から図４に概略を示すように、各内側
フィン４６は、内筒部材２４の軸線とほぼ直交する面内
に配置された環状の板状に形成されており、軸方向に沿
って互いに隣接する２つの内側フィン４６間に環状凹部
５０が形成される。また、外側フィン４８は、内側フィ
ン４６と交差する面に沿いかつ内側フィン４６の半径方
向外側に配置されており、細長い帯板状に形成されてい
る。各外側フィン４８は、その長手方向軸線に沿って約
９０°ねじられると共に、一端が内筒部材２４の周方向
に約９０°移動されている。したがって、この外側フィ
ン４８は、内筒部材２４の軸線に対して螺旋状に配置さ
れ、互いに隣接する２つの外側フィン４８間には螺旋状
のガス流路５２が形成される。また、このように外側フ
ィン４８の配置される面と内側フィン４６が配置される
面とが互いに交差するため、外側フィン４８の内周側縁
部と、内側フィン４６の外周側縁部とは、図４から明ら
かなように、面積の小さな点状の領域で重なり合う。

【００２７】なお、図２および図３には、４枚の外側フ
ィン４８を等間隔に配置した状態で示してあるが、必要
に応じて例えば８枚等の適宜数とし、そのねじれ角等も
適宜なものとすることができる。また、これらの外側フ
ィン４８の幅寸法は、螺旋状のガス流路５２の有効ガス
通過断面積の合計が、第３ステージＣを形成する内筒部
材２４のガス通過断面積とほぼ等しくなるように設定す
るのが好ましい。更に、各外側フィン４８の長手方向の
各端部は、ねじることなく、それぞれ内筒部材２４の軸
方向に沿う平板状に形成し、第１ステージＡおよび第３
ステージＣとの間で滑らかにガスを案内できるようにす
るのが好ましい。一方、内側フィン４６は、第２ステー
ジＢのガスチャンネルを流れるガス流を攪乱できるもの
であればよく、例えば内筒部材２４の軸線に対して傾斜
させ、あるいは、外側フィン４８のねじれ角と異なる角
度の螺旋状に配置することも可能である。各内側フィン
４６は、隣接する内側フィン４６間の環状凹部５０が、
第１ステージＡ側すなわちガス流入口１８に近接する側
から連絡口３０に近接する第３ステージＣ側に向けて次
第に狭くなるように形成するのが好ましい。

【００２８】次に、図１から図４を参照しつつ上記トラ
ップ装置１０の作用について説明する。図１に示すよう
に、上述のような各種の処理装置から排出された排気ガ
スは、ガス流入口１８から第１ステージＡに流入する。
この第１ステージＡでは、半径方向外方から流入した排
気ガスは、内筒部材２４の外面に衝突して攪乱され、内
筒部材２４および外筒部材１２に接触して、この環状の
ガスチャンネル内で大部分の固形物がトラップされる。

【００２９】第２ステージＢでは、環状スペース２２，
３４内に水等の冷却媒体が循環されている場合には、外
筒部材１２の内周面と、内筒部材２４のジャケット３２
と、内側フィン４６および外側フィン４８の表面とで冷
却される。この際、図４に示すように、外筒部材１２の
軸線方向に沿う高速成分を持つ排気ガスＨは、外側フィ
ン４８間のそれぞれの螺旋状のガス流路５２に沿う複数
のメインガス流を形成する。一方、内側フィン４６で攪
拌されることにより、軸線方向に沿う速度成分が小さい
排気ガスＬは、メインガス流から分離されて半径方向内
方に移動する。このような排気ガスＬは、内側フィン４
６間の環状凹部５０内に滞留し、また、メインガス流で
付勢されて再度ガス流路５２の方向に移動し、したがっ
て、内側フィン４６との接触を繰返す。これにより、排
気ガス中の微粉末は大きな粉体に成長し、凝縮性ガスは
固体となって内筒部材２４したがってジャケット３２と
内側フィン４６との表面に付着する。また、排気ガス中
のミストもこれらのジャケット３２と内側フィン４６と
の表面に付着する。

【００３０】このように、第２ステージＢでは、環状ス
ペース２２，３４内を流れる冷却媒体と排気ガスとの温
度差、および、内側フィン４６によるガス流の攪拌作用
により、スクラビング効果が向上する。また、ほとんど
の固形物は内側フィン４６間の環状凹部５０内に捕捉さ
れるため、螺旋状のガス流路５２が閉塞されることはほ
とんどなく、トラップ容量を増大させてもガス流に対す
る所要のコンダクタンスを維持することができる。

【００３１】第３ステージＣでは、更に内筒部材２４の
内周面で冷却され、排気ガス中に含有される粉体、ミス
ト、あるいは凝縮性ガスが、この内筒部材２４内に捕捉
され、除去された後に、排気ガスがガス流出口２８から
送出される。バッフル４４ａ，４４ｂは、内部に捕捉し
た固形物がガス流で搬出されるのを防止する。

【００３２】なお、排気ガスを冷却する場合の他、上述
のように、例えばフッ化タングステン（ＷＦ６）を用い
てタングステン膜を形成する成膜処理装置に用いる際
に、冷却水等の冷却媒体に代え、加熱された液体等の加
熱媒体を循環させる場合でも、冷却媒体を循環させる場
合と同様に、排気ガスと、外筒部材１２および内筒部材
２４の表面との温度差とガス流の攪拌とを有効に利用
し、固形物を捕捉できことは明らかである。この場合
も、外筒部材１２と内筒部材２４と内側および外側フィ
ン４６，４８との表面に付着する。

【００３３】固形物の堆積量が限度に達した場合は、ト
ラップ装置１０を分解し、捕捉した固形物を除去するこ
とにより、再度使用することができる。この場合、内側
フィン４６と外側フィン４８との最接近部分が面積の小
さな点状であるため、大量の固形物を捕捉した後であっ
ても、これらの固形物により大きな結合力が形成される
ことはない。したがって、外筒部材１２あるいは内筒部
材２４に例えばハンマーで衝撃を加えることにより、こ
れらの外筒部材１２と内筒部材２４とを簡単に分離する
ことができる。

【００３４】したがって、本実施の形態におけるトラッ
プ装置１０は、軸線方向および径方向において極めてコ
ンパクトな構造でありながらも、長期間にわたって好適
なトラップ効率と所要の流量コンダクタンスとの双方を
維持することができる。また、内部に堆積した固形物に
よる結合力も小さいため、保守が容易である。

【００３５】なお、このトラップ装置は上述のように半
導体製造装置あるいは液晶素子製造装置に用いるのに特
に有益なものであるが、これに限らず、ガスに含まれる
粉体、ミストあるいは凝縮性ガスを捕捉する必要のある
種々のガス流通系統に用いることが可能なことは明らか
である。

【００３６】

【発明の効果】本発明のトラップ装置は、ガス流入口お
よびガス流出口を開口させた外筒部材と、この外筒部材
内に配置され、外筒部材との間に環状のガスチャンネル
を形成する内筒部材と、外筒部材の内周側からガスチャ
ンネル内に突出し、ガス流入口からガス流出口にガス流
を案内する複数の外側フィンと、内筒部材の外周側から
ガスチャンネル内に突出し、ガス流を攪拌する複数の内
側フィンとを備え、外側フィンを、それぞれ内側フィン
と交差する面に沿いかつ内側フィンの半径方向外側に配
置することにより、必要な流量コンダクタンスを確保し
つつ長期間にわたってトラップ効果を維持することがで
きると共に、固形物が大量に内部に堆積した状態でも容
易に分解することができる。

【００３７】また、外筒部材と内筒部材とが、冷却用又
は加熱用の媒体を循環させる環状スペースを有する場合
には、外側フィンおよび内側フィンによる案内および攪
拌作用に加え、媒体の熱を利用することにより、トラッ
プ効果を増大することができる。

【００３８】更に、内側フィンが、それぞれ内側管部材
の軸線に対して垂直な面に沿って配置される環状の板状
に形成され、外側フィンがこの軸線に対して螺旋状に配
置される帯板状に形成される場合には、固形物を捕捉す
る環状凹部と、所要の流量コンダクタンスを維持する螺
旋状のガス流路とを極めて簡単に形成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の好ましい実施の形態によるトラップ装
置の内部構造を概略的に示す説明図。

【図２】図１に示すトラップ装置内の外側フィンと内側
フィンとの配置関係を概略的に示す斜視図。

【図３】図１のIII−III線の方向から見た状態のトラッ
プ装置内部の説明図。

【図４】図２のIV−IV線の方向から見たガスの流れを説
明する概略図。

【図５】従来の水冷トラップを示す図。

【符号の説明】

１０…トラップ装置、１２…外筒部材、１２ａ，１２ｂ
…円筒部材、１２ｃ…シールリング、１４…底壁、１６
…支持プレート、１８…ガス流入口、２０，３２…ジャ
ケット、２２，３４…環状スペース、２４…内筒部材、
２６…開口、２８…ガス流出口、３０…連通口、３２…
媒体供給管、３６…連絡管路、３８…媒体供給管路、４
０，４２…接続部、４４ａ，４４ｂ…バッフル、４６…
内側フィン、４８…外側フィン、５０…環状凹部、５２
…ガス流路。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山口謙二東京都港区芝公園２丁目４番１号日本エドワーズ株式会社内Ｆターム(参考） 4D031 AB01 BA10 BB04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反応性ガス中での成膜処理と反応性ガス
中での食刻処理とイオン性ガス中でのイオン注入処理と
の少なくともひとつの処理を被処理部材に施す気密チャ
ンバからの排気系に介挿され、内部を流通する排気ガス
中の粉体とミストと凝縮性ガスとの少なくともひとつを
捕捉するトラップ装置であって、ガス流入口およびガス流出口を開口させた外筒部材と、
この外筒部材内に配置され、外筒部材との間に環状のガ
スチャンネルを形成する内筒部材と、前記外筒部材の内
周側からガスチャンネル内に突出し、ガス流入口からガ
ス流出口にガス流を案内する複数の外側フィンと、内筒
部材の外周側からガスチャンネル内に突出し、ガス流を
攪拌する複数の内側フィンとを備え、前記外側フィン
は、それぞれ内側フィンと交差する面に沿いかつ内側フ
ィンの半径方向外側に配置されるトラップ装置。
【請求項２】前記外筒部材と内筒部材とは、冷却用又
は加熱用の媒体を循環させる環状スペースを有する請求
項１に記載のトラップ装置。
【請求項３】前記内側フィンは、それぞれ内側管部材
の軸線に対して垂直な面に沿って配置される環状の板状
に形成され、前記外側フィンはこの軸線に対して螺旋状
に配置される帯板状に形成される請求項１又は２に記載
のトラップ装置。