JP2006004985A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】石英部品を起因とする汚染を防止する。
【解決手段】CVD装置10に使用される石英部品としてのボート21、アウタチューブ13、インナチューブ12、シールキャップ20上のベース20aおよび断熱キャップ部26等の表層部分を1μm以上、濃度が1〜50%のHF水溶液で予め除去する。石英部品の表面から1μm以上の部分をエッチングする。石英部品の不純物の濃い部分を除去することができるので、石英部品を起因とする汚染を防止することができ、CVD装置ひいてはICの製造方法の製造歩留りを向上させることができる。
【選択図】図6
【解決手段】CVD装置10に使用される石英部品としてのボート21、アウタチューブ13、インナチューブ12、シールキャップ20上のベース20aおよび断熱キャップ部26等の表層部分を1μm以上、濃度が1〜50%のHF水溶液で予め除去する。石英部品の表面から1μm以上の部分をエッチングする。石英部品の不純物の濃い部分を除去することができるので、石英部品を起因とする汚染を防止することができ、CVD装置ひいてはICの製造方法の製造歩留りを向上させることができる。
【選択図】図6
Description
本発明は、基板処理装置に関し、特に、石英(SiO2 )によって形成された部品(以下、石英部品という。)を起因とする汚染の防止技術に係り、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、半導体素子を含む半導体集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に絶縁膜や金属膜等のCVD膜を形成したり不純物を拡散したりするのに利用して有効なものに関する。
ICの製造方法においてウエハに絶縁膜や金属膜等のCVD膜を形成したり不純物を拡散したりする工程には、バッチ式縦形拡散・CVD装置(以下、CVD装置という。)が広く使用されている。
従来のこの種のCVD装置においては、プロセスチューブやボート等の石英部品が多用されている。これらの石英部品は所謂石英メーカによって製造され、CVD装置の製造メーカ(所謂半導体製造装置メーカ)に納品される。
これらの石英部品はCVD装置においてウエハ処理雰囲気に直接的に晒される状態になるために、これらの石英部品に異物が付着したり吸着したり入り込んだりしていると、CVD装置の製造歩留りを低下させる原因になる。そのため、石英部品は石英メーカの出荷段階において入念に洗浄される。また、CVD装置の製造メーカの受け入れ後において、弗化水素(HF)水溶液や純水等による洗浄が実施される場合もある。
従来のこの種のCVD装置においては、プロセスチューブやボート等の石英部品が多用されている。これらの石英部品は所謂石英メーカによって製造され、CVD装置の製造メーカ(所謂半導体製造装置メーカ)に納品される。
これらの石英部品はCVD装置においてウエハ処理雰囲気に直接的に晒される状態になるために、これらの石英部品に異物が付着したり吸着したり入り込んだりしていると、CVD装置の製造歩留りを低下させる原因になる。そのため、石英部品は石英メーカの出荷段階において入念に洗浄される。また、CVD装置の製造メーカの受け入れ後において、弗化水素(HF)水溶液や純水等による洗浄が実施される場合もある。
なお、CVD装置の金属汚染や有機物汚染対策を述べている文献としては、次の非特許文献1がある。
「電子材料1998年11月号別冊」,株式会社工業調査会,1998年11月25日,p.58−63
「電子材料1998年11月号別冊」,株式会社工業調査会,1998年11月25日,p.58−63
しかしながら、石英メーカにおいて入念に洗浄され、CVD装置の製造メーカの受け入れ後において洗浄された場合においても、石英部品を起因とする金属汚染や有機物汚染が発生する場合があることが、本発明者によって明らかにされた。
これは次のような理由によると、考察される。
1) 石英メーカにおいて石英部品が加工される際に、表面層に金属汚染物質の濃い層が形成される。
2) 洗浄後に石英部品をクリーンルームに置いておくと、クリーンルームの空気中に含まれたナトリウム(Na)等の金属汚染物質や有機物汚染物質が石英部品の表面に付着ないしは吸着する場合がある。
3) これら石英部品の表層の汚染物質がCVD装置のインシチュークリーニングによる石英部品のエッチングによって削り出される。
これは次のような理由によると、考察される。
1) 石英メーカにおいて石英部品が加工される際に、表面層に金属汚染物質の濃い層が形成される。
2) 洗浄後に石英部品をクリーンルームに置いておくと、クリーンルームの空気中に含まれたナトリウム(Na)等の金属汚染物質や有機物汚染物質が石英部品の表面に付着ないしは吸着する場合がある。
3) これら石英部品の表層の汚染物質がCVD装置のインシチュークリーニングによる石英部品のエッチングによって削り出される。
本発明の目的は、石英部品を起因とする汚染を防止することができる基板処理装置を提供することにある。
本願が開示する発明のうち代表的なものは、次の通りである。
(1)基板を処理する基板処理装置において、
前記基板を処理する空間には、表面から1μm以上の部分をHF水溶液によってエッチングした石英部品が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
(2)前記(1)において、前記石英部品は前記基板を支持する支持具であることを特徴とする基板処理装置。
(3)前記(1)において、前記石英部品は処理室を形成するプロセスチューブであることを特徴とする基板処理装置。
(4)前記(1)において、前記石英部品は前記基板にガスを供給するノズルであることを特徴とする基板処理装置。
(5)前記(1)において、前記HF水溶液のHF濃度は1〜50%であることを特徴とする基板処理装置。
(6)表面から1μm以上の部分をHF水溶液によってエッチングしたことを特徴とする石英部品。
(7)前記(6)において、前記HF水溶液のHF濃度は1〜50%であることを特徴とする石英部品。
(8)石英部品をHF水溶液に晒し、表面から1μm以上の部分をエッチングすることを特徴とする洗浄方法。
(9)前記(8)において、前記HF水溶液のHF濃度は1〜50%であることを特徴とする洗浄方法。
(10)表面から1μm以上の部分をHF水溶液によってエッチングした石英部品を含む処理室内に基板を搬入するステップと、
前記処理室内で前記基板を処理するステップと、
処理後の前記基板を前記処理室から搬出するステップと、
を有することを特徴とする基板処理方法。
(11)前記(10)において、前記HF水溶液のHF濃度は1〜50%であることを特徴とする基板処理方法。
(12)表面から1μm以上の部分をHF水溶液によってエッチングした石英部品を含む処理室内に基板を搬入するステップと、
前記処理室内で前記基板を処理するステップと、
処理後の前記基板を前記処理室から搬出するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(13)前記(12)において、前記HF水溶液のHF濃度は1〜50%であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
(14)表面から1μmないし10μmをエッチングすることを特徴とする前記(1)に記載の基板処理装置。
(15)前記石英部品は溶融石英からなり、表面から1.0μm〜3.0μmをエッチングすることを特徴とする前記(1)に記載の基板処理装置。
(16)前記石英部品は合成石英からなり、表面から6.0μm〜10μmをエッチングすることを特徴とする前記(1)に記載の基板処理装置。
(1)基板を処理する基板処理装置において、
前記基板を処理する空間には、表面から1μm以上の部分をHF水溶液によってエッチングした石英部品が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
(2)前記(1)において、前記石英部品は前記基板を支持する支持具であることを特徴とする基板処理装置。
(3)前記(1)において、前記石英部品は処理室を形成するプロセスチューブであることを特徴とする基板処理装置。
(4)前記(1)において、前記石英部品は前記基板にガスを供給するノズルであることを特徴とする基板処理装置。
(5)前記(1)において、前記HF水溶液のHF濃度は1〜50%であることを特徴とする基板処理装置。
(6)表面から1μm以上の部分をHF水溶液によってエッチングしたことを特徴とする石英部品。
(7)前記(6)において、前記HF水溶液のHF濃度は1〜50%であることを特徴とする石英部品。
(8)石英部品をHF水溶液に晒し、表面から1μm以上の部分をエッチングすることを特徴とする洗浄方法。
(9)前記(8)において、前記HF水溶液のHF濃度は1〜50%であることを特徴とする洗浄方法。
(10)表面から1μm以上の部分をHF水溶液によってエッチングした石英部品を含む処理室内に基板を搬入するステップと、
前記処理室内で前記基板を処理するステップと、
処理後の前記基板を前記処理室から搬出するステップと、
を有することを特徴とする基板処理方法。
(11)前記(10)において、前記HF水溶液のHF濃度は1〜50%であることを特徴とする基板処理方法。
(12)表面から1μm以上の部分をHF水溶液によってエッチングした石英部品を含む処理室内に基板を搬入するステップと、
前記処理室内で前記基板を処理するステップと、
処理後の前記基板を前記処理室から搬出するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(13)前記(12)において、前記HF水溶液のHF濃度は1〜50%であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
(14)表面から1μmないし10μmをエッチングすることを特徴とする前記(1)に記載の基板処理装置。
(15)前記石英部品は溶融石英からなり、表面から1.0μm〜3.0μmをエッチングすることを特徴とする前記(1)に記載の基板処理装置。
(16)前記石英部品は合成石英からなり、表面から6.0μm〜10μmをエッチングすることを特徴とする前記(1)に記載の基板処理装置。
本発明によれば、石英部品の表面から1μm以上の部分をエッチングすることにより、石英部品の表層の汚染物質を除去することができるので、石英部品を起因とする汚染を防止することができる。
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
本発明者は前記した課題を解決するための手段を究明するために、次のような実験を行った結果、図1〜図5に示されている各グラフを得た。
なお、図1〜図5のデータ取得の際に用いたサンプルA〜Eの体積や表面積は、全て同一とした。
図1はサンプルAについての実験結果を示している。サンプルAは石英メーカA社の溶融石英から成る石英部品であり、円柱形状の無垢材である。溶融石英から成る石英部品は、天然の水晶(石英)の粉末を溶融して固化して製作された石英部品であり、金属不純物の含有量が比較的多い。
サンプルAを5%HFと3%過酸化水素(H2 O2 )との混合溶液に、1分,3分,5分ずつ浸漬してエッチングし、エッチング後の溶液中の各種金属の濃度をICP−MS(inductitively coupled plasma mass spectrometry。誘導結合型プラズマ質量分析装置)によって測定した。
図2はサンプルBについての実験結果を示している。サンプルBは石英メーカB社の溶融石英から成る石英部品であり、円柱形状の無垢材である。
サンプルBを5%HFと3%過酸化水素(H2 O2 )との混合溶液に、1分,3分,5分ずつ浸漬してエッチングし、エッチング後の溶液中の各種金属の濃度をICP−MSによって測定した。
図3はサンプルCについての実験結果を示している。サンプルCは石英メーカC社の溶融石英から成る石英部品であり、円柱形状の無垢材である。
サンプルCを5%HFと3%過酸化水素(H2 O2 )との混合溶液に、1分,3分,5分ずつ浸漬してエッチングし、エッチング後の溶液中の各種金属の濃度をICP−MSによって測定した。
図4はサンプルDについての実験結果を示している。サンプルDは石英メーカD社の合成石英から成る石英部品であり、正方形の小片(チップ)形状の無垢材である。合成石英から成る石英部品は、化学的に合成された石英の粉末を溶融して固化して製作された石英部品であり、金属不純物の含有量が溶融石英部品に比べて1桁小さいと言われている。
サンプルDを16%HFと10%過酸化水素(H2 O2 )との混合溶液に、1分,5分,10分ずつ浸漬してエッチングし、エッチング後の溶液中の各種金属の濃度をICP−MSによって測定した。
図5はサンプルEについての実験結果を示している。サンプルEは石英メーカE社の合成石英から成る石英部品であり、正方形の小片(チップ)形状の無垢材である。
サンプルEを16%HFと10%過酸化水素(H2 O2 )との混合溶液に、1分,5分,10分ずつ浸漬してエッチングし、エッチング後の溶液中の各種金属の濃度をICP−MSによって測定した。
本発明者は前記した課題を解決するための手段を究明するために、次のような実験を行った結果、図1〜図5に示されている各グラフを得た。
なお、図1〜図5のデータ取得の際に用いたサンプルA〜Eの体積や表面積は、全て同一とした。
図1はサンプルAについての実験結果を示している。サンプルAは石英メーカA社の溶融石英から成る石英部品であり、円柱形状の無垢材である。溶融石英から成る石英部品は、天然の水晶(石英)の粉末を溶融して固化して製作された石英部品であり、金属不純物の含有量が比較的多い。
サンプルAを5%HFと3%過酸化水素(H2 O2 )との混合溶液に、1分,3分,5分ずつ浸漬してエッチングし、エッチング後の溶液中の各種金属の濃度をICP−MS(inductitively coupled plasma mass spectrometry。誘導結合型プラズマ質量分析装置)によって測定した。
図2はサンプルBについての実験結果を示している。サンプルBは石英メーカB社の溶融石英から成る石英部品であり、円柱形状の無垢材である。
サンプルBを5%HFと3%過酸化水素(H2 O2 )との混合溶液に、1分,3分,5分ずつ浸漬してエッチングし、エッチング後の溶液中の各種金属の濃度をICP−MSによって測定した。
図3はサンプルCについての実験結果を示している。サンプルCは石英メーカC社の溶融石英から成る石英部品であり、円柱形状の無垢材である。
サンプルCを5%HFと3%過酸化水素(H2 O2 )との混合溶液に、1分,3分,5分ずつ浸漬してエッチングし、エッチング後の溶液中の各種金属の濃度をICP−MSによって測定した。
図4はサンプルDについての実験結果を示している。サンプルDは石英メーカD社の合成石英から成る石英部品であり、正方形の小片(チップ)形状の無垢材である。合成石英から成る石英部品は、化学的に合成された石英の粉末を溶融して固化して製作された石英部品であり、金属不純物の含有量が溶融石英部品に比べて1桁小さいと言われている。
サンプルDを16%HFと10%過酸化水素(H2 O2 )との混合溶液に、1分,5分,10分ずつ浸漬してエッチングし、エッチング後の溶液中の各種金属の濃度をICP−MSによって測定した。
図5はサンプルEについての実験結果を示している。サンプルEは石英メーカE社の合成石英から成る石英部品であり、正方形の小片(チップ)形状の無垢材である。
サンプルEを16%HFと10%過酸化水素(H2 O2 )との混合溶液に、1分,5分,10分ずつ浸漬してエッチングし、エッチング後の溶液中の各種金属の濃度をICP−MSによって測定した。
図1〜図5によれば、次の事実が判る。
溶融石英から成るサンプルA,B,Cの場合においては、金属のエッチング液への析出量(以下、析出量という。)はサンプルの極表層部分(表面から0.3μmの深さ)のエッチング時において最も多く、その析出量の増加は表面から1.2μmの深さからは殆ど無くなる。なお、別の実験では表面から1.0μmの深さにおいても析出量の増加が殆ど無くなることが確認されている。
合成石英から成るサンプルD,Eの場合においては、析出量はサンプルの極表層部分(表面から1.0μmの深さ)のエッチング時において最も多く、その析出量の増加は表面から6.0μmの深さからは殆ど無くなる。
本発明者はこの究明に基づいて、溶融石英の場合は石英部品の表面から少なくとも1μm迄に、合成石英の場合は石英部品の表面から6μm迄に不純物の濃い層があると、考察した。
本発明者はこの考察に基づいて、石英部品の表面から少なくとも1μm以上の部分をエッチングすることにより、石英部品を起因とする汚染を防止することを着想した。
そして、本発明者はこの着想に基づいて本発明を創作した。
溶融石英から成るサンプルA,B,Cの場合においては、金属のエッチング液への析出量(以下、析出量という。)はサンプルの極表層部分(表面から0.3μmの深さ)のエッチング時において最も多く、その析出量の増加は表面から1.2μmの深さからは殆ど無くなる。なお、別の実験では表面から1.0μmの深さにおいても析出量の増加が殆ど無くなることが確認されている。
合成石英から成るサンプルD,Eの場合においては、析出量はサンプルの極表層部分(表面から1.0μmの深さ)のエッチング時において最も多く、その析出量の増加は表面から6.0μmの深さからは殆ど無くなる。
本発明者はこの究明に基づいて、溶融石英の場合は石英部品の表面から少なくとも1μm迄に、合成石英の場合は石英部品の表面から6μm迄に不純物の濃い層があると、考察した。
本発明者はこの考察に基づいて、石英部品の表面から少なくとも1μm以上の部分をエッチングすることにより、石英部品を起因とする汚染を防止することを着想した。
そして、本発明者はこの着想に基づいて本発明を創作した。
図6は本発明の一実施の形態であるCVD装置(バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置)を示している。
本実施の形態に係るCVD装置10においては、各種の石英部品は表面から1μm以上の深さの表層部分が、HF濃度が1〜50%のHF水溶液によって予めエッチングされている。
ここで、溶融石英から成る石英部品(以下、溶融石英部品という。)においては、表面から少なくとも1.0μmの深さの表層部分は除去する必要がある。溶融石英部品の場合には極表層部分(表面から0.3μmの深さ)のエッチング時の析出量が多いために、この深さの表層部分を除去しないと、溶融石英部品を起因とする汚染の発生を防止することができないからである。
溶融石英部品においては、表面から1.0μm以上10μm以下、好ましくは1.0μm以上3.0μm以下の深さの表層部分を除去することが望ましい。溶融石英部品の場合には、エッチング時の析出量の増加が1.0μmの深さから殆ど無くなるために、少なくともこの深さまで除去すると、溶融石英部品を起因とする汚染の発生を充分に防止することができるからである。
溶融石英部品においては、表面から2.7μmの深さにおいても不純物が極々微量存在するために、それをも除去することを考慮すると、3μm程度の深さの表層部分を除去する必要がある。
逆に、3μm超の深さの表層部分を除去しても、溶融石英部品を起因とする汚染の防止効果の増加は望めない。なお、10μm超の深さを除去すると、かえって、過剰な除去による弊害を誘発してしまう。過剰な除去による弊害としては、ボートの保持溝の変形等が考えられる。
溶融石英部品は、濃度5%HFと濃度3%H2 O2 との混合溶液で4分間エッチングすることにより、表層部分を深さ1.0〜1.2μm以上除去することができる。
また、合成石英から成る石英部品(以下、合成石英部品という。)においては、表面から少なくとも1.0〜2.0μmの深さの表層部分は除去する必要がある。合成石英部品の場合には表面から1.0μm迄のエッチング時の析出量が多いために、少なくとも1.0〜2.0μm程度をエッチングしないと、合成石英部品を起因とする汚染の発生を防止することができないからである。
合成石英部品においては、表面から6.0μm以上10μm以下の深さの表層部分を除去することが好ましい。合成石英部品の場合には、エッチング時の析出量の増加が6.0μmの深さから殆ど無くなるために、合成石英部品を起因とする汚染の発生を充分に防止することができるからである。
逆に、6.0μm超の深さの表層部分を除去しても、合成石英部品を起因とする汚染の防止効果の増加は望めない。なお、10μm以上の深さの表層部分を除去すると、過剰な除去による弊害を誘発してしまう。
合成石英部品は、濃度16%HFと濃度10%H2 O2 との混合溶液で1分間エッチングすることにより、表層部分を深さ1.0μm以上除去することができる。
本実施の形態に係るCVD装置10においては、各種の石英部品は表面から1μm以上の深さの表層部分が、HF濃度が1〜50%のHF水溶液によって予めエッチングされている。
ここで、溶融石英から成る石英部品(以下、溶融石英部品という。)においては、表面から少なくとも1.0μmの深さの表層部分は除去する必要がある。溶融石英部品の場合には極表層部分(表面から0.3μmの深さ)のエッチング時の析出量が多いために、この深さの表層部分を除去しないと、溶融石英部品を起因とする汚染の発生を防止することができないからである。
溶融石英部品においては、表面から1.0μm以上10μm以下、好ましくは1.0μm以上3.0μm以下の深さの表層部分を除去することが望ましい。溶融石英部品の場合には、エッチング時の析出量の増加が1.0μmの深さから殆ど無くなるために、少なくともこの深さまで除去すると、溶融石英部品を起因とする汚染の発生を充分に防止することができるからである。
溶融石英部品においては、表面から2.7μmの深さにおいても不純物が極々微量存在するために、それをも除去することを考慮すると、3μm程度の深さの表層部分を除去する必要がある。
逆に、3μm超の深さの表層部分を除去しても、溶融石英部品を起因とする汚染の防止効果の増加は望めない。なお、10μm超の深さを除去すると、かえって、過剰な除去による弊害を誘発してしまう。過剰な除去による弊害としては、ボートの保持溝の変形等が考えられる。
溶融石英部品は、濃度5%HFと濃度3%H2 O2 との混合溶液で4分間エッチングすることにより、表層部分を深さ1.0〜1.2μm以上除去することができる。
また、合成石英から成る石英部品(以下、合成石英部品という。)においては、表面から少なくとも1.0〜2.0μmの深さの表層部分は除去する必要がある。合成石英部品の場合には表面から1.0μm迄のエッチング時の析出量が多いために、少なくとも1.0〜2.0μm程度をエッチングしないと、合成石英部品を起因とする汚染の発生を防止することができないからである。
合成石英部品においては、表面から6.0μm以上10μm以下の深さの表層部分を除去することが好ましい。合成石英部品の場合には、エッチング時の析出量の増加が6.0μmの深さから殆ど無くなるために、合成石英部品を起因とする汚染の発生を充分に防止することができるからである。
逆に、6.0μm超の深さの表層部分を除去しても、合成石英部品を起因とする汚染の防止効果の増加は望めない。なお、10μm以上の深さの表層部分を除去すると、過剰な除去による弊害を誘発してしまう。
合成石英部品は、濃度16%HFと濃度10%H2 O2 との混合溶液で1分間エッチングすることにより、表層部分を深さ1.0μm以上除去することができる。
図6に示されたCVD装置10は、中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ11を備えており、プロセスチューブ11は石英部品であるインナチューブ12とアウタチューブ13とから構成されている。インナチューブ12は円筒形状に一体成形され、アウタチューブ13は円筒形状に一体成形されている。インナチューブ12は上下両端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ12の筒中空部はボートによって垂直方向に整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室14を形成している。インナチューブ12の下端開口は被処理基板としてのウエハを出し入れするための炉口15を構成している。したがって、インナチューブ12の内径は取り扱うウエハの最大外径よりも大きくなるように設定されている。アウタチューブ13は内径がインナチューブ12の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ12にその外側を取り囲むように同心円に被せられている。
インナチューブ12の下端とアウタチューブ13の下端との間は、マニホールド16によって気密封止されており、マニホールド16は円形リング形状に形成されている。マニホールド16はCVD装置の筐体31によって支持されることにより、プロセスチューブ11は垂直に据え付けられている。マニホールド16の下端開口は炉口ゲートバルブ29によって開閉されるようになっている。
マニホールド16の側壁の上部には排気管17の一端が接続されており、排気管17の他端は真空ポンプ等からなる排気装置41に排気ライン42を介して接続されている。排気ライン42には流量制御弁43および圧力計44が設備されている。流量制御弁43は制御装置40によって制御されるように構成されており、圧力計44は計測結果を制御装置40に送信するように構成されている。排気管17はインナチューブ12とアウタチューブ13との間に形成された隙間からなる排気路18に連通した状態になっている。排気路18はインナチューブ12とアウタチューブ13との隙間によって横断面形状が一定幅の円形リング形状に構成されており、排気管17はマニホールド16に接続されているため、排気路18の最下端部に配置された状態になっている。
マニホールド16の側壁の下部には石英部品であるガス供給管19が、インナチューブ12の炉口15に連通するように接続されており、ガス供給管19には成膜ガス供給源50と窒素ガス供給源60とが、成膜ガス供給ライン51と窒素ガス供給ライン61とを介してそれぞれ接続されている。成膜ガス供給ライン51と窒素ガス供給ライン61とには、制御装置40によってそれぞれ制御される成膜ガス流量制御弁52と窒素ガス流量制御弁62とがそれぞれ設けられている。ガス供給管19によって炉口15に供給されたガスは、インナチューブ12の処理室14を流通して排気路18を通って排気管17によって排気される。
マニホールド16の下端面にはステンレス製のシールキャップ20が下側から当接されるようになっている。シールキャップ20はマニホールド16の外径と略等しい円盤形状に形成されており、処理室14を閉塞するように構成されている。シールキャップ20はボートエレベータ(図示せず)によって垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ20の上には石英部品であるベース20aがステンレス製のシールキャップ20を被覆するように配置されている。
シールキャップ20の中心線上には石英部品であるボート21が垂直に立脚されて支持されるようになっており、ボート21はウエハ1を保持するように構成されている。ボート21は上下で一対の端板22、23と、上側端板22と下側端板23との間に架設されて垂直に配設された複数本(図示例では三本)の保持部材24とを備えている。各保持部材24には多数条の保持溝25が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。ウエハ1の周縁部が同一平面内の保持溝25のそれぞれに挿入されることにより、ウエハ1は保持溝25に水平に保持される。
シールキャップ20とボート21との間にはいずれも石英部品によって構成された断熱キャップ部26が設置されている。断熱キャップ部26は上下で一対の端板26a、26aと、両端板26a、26a間に架設された複数本の保持部材26bと、それら保持部材26b間に水平に保持された複数枚の断熱板26cによって構成されている。
シールキャップ20とボート21との間にはいずれも石英部品によって構成された断熱キャップ部26が設置されている。断熱キャップ部26は上下で一対の端板26a、26aと、両端板26a、26a間に架設された複数本の保持部材26bと、それら保持部材26b間に水平に保持された複数枚の断熱板26cによって構成されている。
アウタチューブ13の外部にはプロセスチューブ11内を加熱するヒータユニット30が、アウタチューブ13の周囲を包囲するように同心円に設備されており、ヒータユニット30はプロセスチューブ11内を全体にわたって均一または予め設定された温度分布に加熱するように構成されている。ヒータユニット30はCVD装置の筐体31に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっている。
図6に示されているように、筐体31はヒータユニット設置室32とボート21が処理室14に対しての搬入搬出に待機する待機室33とを備えており、待機室33はロードロック方式(ゲートバルブ等の隔離バルブを用いて処理室と搬入搬出室とを隔離し、処理室への空気の流入を防止したり、温度や圧力等の外乱を小さくして処理を安定化させる方式)に構築されている。筐体31の待機室33の側壁には待機室33を排気する排気管34と、待機室33にパージガスとしての窒素ガスを供給する窒素ガス供給管35とがそれぞれ接続されている。排気管34は流量制御弁46および圧力計47が設備された排気ライン45を介して排気装置41に接続されている。流量制御弁46は制御装置40によって制御されるように構成されており、圧力計47は計測結果を制御装置40に送信するように構成されている。窒素ガス供給管35は窒素ガス流量制御弁64が設備された窒素ガス供給ライン63を介して窒素ガス供給源60に接続されており、窒素ガス流量制御弁64は制御装置40によって制御されるように構成されている。
なお、待機室33の他の側壁にはゲートバルブによって開閉されるウエハ搬入搬出口が開設されている。待機室33の内部にはシールキャップ20を昇降させるボートエレベータ(図示せず)が設置されている。
次に、前記構成に係るCVD装置を使用したICの製造方法の成膜工程を、ウエハにドープドポリシリコン膜を形成する場合について説明する。
複数枚のウエハ1がボート21に装填されるウエハチャージングステップにおいては、図6に示されているように、ボート21が待機室33に待機された状態で、複数枚のウエハ1がボート21にウエハ移載装置(wafer transfer equipment )によって装填されて行く。この際、待機室33は窒素ガス供給管35によって供給された窒素ガスによってパージされる。すなわち、制御装置40は窒素ガス流量制御弁64を制御することによって窒素ガス供給源60の窒素ガスを窒素ガス供給ライン63を通じて窒素ガス供給管35から待機室33に供給させ、待機室33の圧力を大気圧(約1013hPa)に維持する。この待機室33の窒素ガスパージによって、ウエハ1における自然酸化膜の生成を防止しつつ、大気圧下でのウエハチャージング作業を実施することができる。この際、炉口ゲートバルブ29は閉じられている。
所定の枚数のウエハ1が装填されたボート21が処理室14にボートローディングされるボートローディングステップにおいては、炉口ゲートバルブ29が開けられ炉口15が開口された後に、ボート21はボートエレベータによって差し上げられてインナチューブ12の炉口15から処理室14にボートローディングされて行き、炉口15を気密シールしたシールキャップ20に支持されたままの状態で、処理室14に存置される。このボートローディングに際して、待機室33および処理室14はそれぞれ200Paとなるように窒素ガス供給管35およびガス供給管19から窒素ガスを供給しつつ、排気管34および排気管17によってそれぞれ排気される。すなわち、制御装置40は窒素ガス流量制御弁64を制御することによって窒素ガス供給管35から待機室33への窒素ガス流量を制御し、流量制御弁46を制御することによって待機室33を排気し、待機室33を200Paまで減圧して維持する。また、制御装置40は窒素ガス流量制御弁62を制御することによってガス供給管19から処理室14への窒素ガス流量を制御し、流量制御弁43を制御することによって処理室14を排気し、処理室14の圧力を200Paに維持する。この際、炉口ゲートバルブ29は閉じられており、炉口15が気密にシールされている。また、処理室14の温度は熱処理温度(例えば、530℃)を維持するように制御されている。この状態すなわち待機室33と処理室14との圧力が略等しくなった状態で、炉口ゲートバルブ29が開けられることによって、処理室14と待機室33が連通し、200Paの圧力のもとボートローディングが行われる。
処理室14においてボート21によって保持されたウエハ1を処理する処理ステップにおいては、処理室14の内部が所定の真空度(110Pa)となるようにガス供給管19から窒素ガスを流しつつ排気管17によって排気される。すなわち、制御装置40は窒素ガス流量制御弁62を制御することによってガス供給管19から処理室14への窒素ガス流量を制御し、流量制御弁43を制御することによって処理室14を排気し、処理室14の圧力を110Paに減圧する。次いで、処理ガスが処理室14にガス供給管19によって供給され、ウエハ1の表面に所望の成膜としてのドープドポリシリコン膜が熱CVD法により堆積(デポジション)される。すなわち、制御装置40は成膜ガス流量制御弁52を制御することによって処理ガスとしてのモノシラン(SiH4 )ガスおよびホスフィン(PH3 )ガスを処理室14へガス供給管19によって供給する。供給された処理ガスはインナチューブ12の処理室14を上昇し、上端開口からインナチューブ12とアウタチューブ13との隙間によって形成された排気路18に流出して排気管17から排気される。
予め設定された処理時間が経過すると、シールキャップ20が下降されて処理室14の炉口15が開口されるとともに、ボート21に保持された状態でウエハ1群が炉口15からプロセスチューブ11の外部に搬出(ボートアンローディング)される。このボートアンローディングステップにおいては、処理室14の圧力は200Paに増圧され、200Paに維持されている待機室33の圧力と略同一となる。すなわち、制御装置40は窒素ガス流量制御弁62を制御することによってガス供給管19から処理室14への窒素ガス流量を制御し、流量制御弁43を制御することによって、処理室14の圧力を200Paに増圧し維持する。このようにして、ボートアンローディングステップが200Paのような低圧下において実施されると、処理済のウエハ1の自然酸化膜の生成をきわめて効果的に防止することができる。
待機室33にボートアンローディングされたボート21から処理済のウエハ1が脱装されるウエハディスチャージングステップにおいては、待機室33は窒素ガス供給管35によって供給された窒素ガスによってパージされる。すなわち、制御装置40は窒素ガス流量制御弁64を制御することによって窒素ガス供給源60の窒素ガスを窒素ガス供給ライン63を通じて窒素ガス供給管35から待機室33に供給させ、待機室33の圧力を大気圧まで増圧して維持する。この待機室33の窒素ガスパージによって、高温になった処理済のウエハ1を強制的に冷却することができる。処理済のウエハ1の温度がウエハ移載装置の取扱可能温度まで低下すると、処理済のウエハ1群がボート21からウエハ移載装置によって脱装される。この際、待機室33は窒素ガスパージされているので、処理済のウエハ1における自然酸化膜の生成を防止しつつ、大気圧下でのウエハディスチャージング作業を実施することができる。
以降、前述した各ステップが反復されることにより、成膜工程が繰り返し実施されて行く。
以上の成膜処理において、原料ガスは流れて行く間にウエハ1だけでなく、処理室14を構成するプロセスチューブ11(インナチューブ12およびアウタチューブ13)やボート21断熱キャップ部26およびシールキャップ20のベース20a等の石英部品の表面に接触するために、これらの表面にも成膜や反応副生成物が堆積することになる。これらの堆積物(以下、堆積膜という。)は成膜工程が繰り返されることにより累積して行くので、当該累積した堆積膜の厚さは成膜のバッチ処理の回数が増えるに従って増加して行くことになる。そして、この累積した堆積膜は厚さがある値に達すると、剥離し易くなるために、パーティクルの発生が急激に増加する。
そこで、ICの製造方法における成膜工程においては、累積した堆積膜の厚さがある値に達すると、プロセスチューブ11やボート21等の石英部品のクリーニング作業が実施される。一般に、このプロセスチューブ11やボート21等の石英部品のクリーニング作業はエッチングによって実施されるために、プロセスチューブ11やボート21の石英部品は消耗して行き、更新が必要になる。
そこで、ICの製造方法における成膜工程においては、累積した堆積膜の厚さがある値に達すると、プロセスチューブ11やボート21等の石英部品のクリーニング作業が実施される。一般に、このプロセスチューブ11やボート21等の石英部品のクリーニング作業はエッチングによって実施されるために、プロセスチューブ11やボート21の石英部品は消耗して行き、更新が必要になる。
このような更新に際してのプロセスチューブ11やボート21等の石英部品の交換によって、従来は金属汚染物質が発生していた。
しかし、本実施の形態においては、金属汚染が発生しないようにするため、石英部品は前述したように表層部分が1μm以上エッチングによって予め除去される。
しかし、本実施の形態においては、金属汚染が発生しないようにするため、石英部品は前述したように表層部分が1μm以上エッチングによって予め除去される。
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
1) 石英部品の表面から1μm以上の表層部分をHF水溶液によってエッチングすることにより、石英部品を起因とする金属汚染や有機物汚染を防止することができるので、CVD装置ひいてはICの製造方法の製造歩留りを向上させることができる。
2) 濃度が1〜50%のHF水溶液によって石英部品をエッチングすることにより、石英部品の表層部分を1μm以上の深さまで短時間で除去することができるので、汚染防止のために消費される時間を短縮することができる。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
アウタチューブとインナチューブとからなるプロセスチューブを備えたバッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置に限らず、本発明はアウタチューブだけのプロセスチューブを備えたものや枚葉式CVD装置等の他のCVD装置、さらには、各種の熱処理工程を実施する熱処理装置(furnace )等の基板処理装置全般に適用することができる。
CVD装置に使用される石英部品としては、基板であるウエハを保持する支持具としてのボート、アウタチューブ、インナチューブ、シールキャップとボートとの間に介在される断熱キャップ部、断熱キャップ部に挿入される断熱板、シールキャップの上に乗せるプレートであるベース、処理室にガスを供給するガス供給管およびノズル、に限らない。
熱処理装置の一例であるウェット酸化(パイロジェニック酸化)装置に使用される石英部品としては、水素と酸素を導入して燃焼させることで水分を発生させる外部燃焼ユニットの燃焼管、外部燃焼ユニットから処理室に水分を導入するための接続管等、がある。これらの石英部品に対しても、本発明を適用することができる。
前記実施の形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
1…ウエハ(基板)、10…CVD装置(基板処理装置)、11…プロセスチューブ、12…インナチューブ(石英部品)、13…アウタチューブ(石英部品)、14…処理室、15…炉口、16…マニホールド、17…排気管、18…排気路、19…ガス供給管(石英部品)、20…シールキャップ、20a…ベース(石英部品)、21…ボート(石英部品)、22、23…端板、24…保持部材、25…保持溝、26…断熱キャップ部(石英部品)、26a…端板(石英部品)、26b…保持部材(石英部品)、26c…断熱板(石英部品)、29…炉口ゲートバルブ、30…ヒータユニット、31…筐体、32…ヒータユニット設置室、33…待機室、34…排気管、35…窒素ガス供給管、40…制御装置、41…排気装置、42…排気ライン、43…流量制御弁、44…圧力計、45…排気ライン、46…流量制御弁、47…圧力計、50…成膜ガス供給源、51…成膜ガス供給ライン、52…成膜ガス流量制御弁、60…窒素ガス供給源、61、63…窒素ガス供給ライン、62、64…窒素ガス流量制御弁。
Claims (1)
- 基板を処理する基板処理装置において、
前記基板を処理する空間には、表面から1μm以上の部分をHF水溶液によってエッチングした石英部品が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004176802A JP2006004985A (ja) | 2004-06-15 | 2004-06-15 | 基板処理装置 |
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Family
ID=35773132
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JP2004176802A Pending JP2006004985A (ja) | 2004-06-15 | 2004-06-15 | 基板処理装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009094340A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置のメタル汚染低減方法 |
JP2016157871A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
-
2004
- 2004-06-15 JP JP2004176802A patent/JP2006004985A/ja active Pending
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US10066294B2 (en) | 2015-02-25 | 2018-09-04 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
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