JPH09317645A - 真空排気システム - Google Patents
真空排気システムInfo
- Publication number
- JPH09317645A JPH09317645A JP15159096A JP15159096A JPH09317645A JP H09317645 A JPH09317645 A JP H09317645A JP 15159096 A JP15159096 A JP 15159096A JP 15159096 A JP15159096 A JP 15159096A JP H09317645 A JPH09317645 A JP H09317645A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- sacrificial material
- vacuum pump
- exhaust
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compressor (AREA)
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空ポンプの長寿命化、排ガス処理装置の省
容量化によって、運転の信頼性の向上、設備や運転コス
トの低減を図ることができる真空排気システムを提供す
る。 【解決手段】 プロセスチャンバ１０とチャンバを排
気するための真空ポンプ１２とを連通する排気配管１４
に、プロセスチャンバ１０からの排ガスの所定の活性成
分と反応してこれを不活性化する犠牲材料２６を配し
た。
容量化によって、運転の信頼性の向上、設備や運転コス
トの低減を図ることができる真空排気システムを提供す
る。 【解決手段】 プロセスチャンバ１０とチャンバを排
気するための真空ポンプ１２とを連通する排気配管１４
に、プロセスチャンバ１０からの排ガスの所定の活性成
分と反応してこれを不活性化する犠牲材料２６を配し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体製造
用の真空チャンバを真空にするために用いる真空排気シ
ステムに関する。
用の真空チャンバを真空にするために用いる真空排気シ
ステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の真空排気システムを図８を参照し
て説明する。真空チャンバ１０は、例えばエッチング装
置や化学気相成長装置（ＣＶＤ）等の半導体製造装置の
プロセスチャンバであり、この真空チャンバ１０は、配
管１４を通じて真空ポンプ１２に接続されている。真空
ポンプ１２は、真空チャンバ１０からのプロセスガスを
大気圧まで昇圧するためのもので、従来は油回転式ポン
プが、現在はドライポンプが主に使用されている。
て説明する。真空チャンバ１０は、例えばエッチング装
置や化学気相成長装置（ＣＶＤ）等の半導体製造装置の
プロセスチャンバであり、この真空チャンバ１０は、配
管１４を通じて真空ポンプ１２に接続されている。真空
ポンプ１２は、真空チャンバ１０からのプロセスガスを
大気圧まで昇圧するためのもので、従来は油回転式ポン
プが、現在はドライポンプが主に使用されている。
【０００３】真空チャンバ１０が必要とする真空度が、
ドライポンプ１２の到達真空度よりも高い場合には、ド
ライポンプの上流側にさらにターボ分子ポンプ等の超高
真空ポンプが配備されることもある。プロセスガスはプ
ロセスの種類により毒性や爆発性があるので、真空ポン
プ１２の下流には排ガス処理装置２２が配備されてい
る。大気圧まで昇圧されたプロセスガスのうち、上記の
ような大気に放出できないものは、ここで吸着、分解、
吸収等の処理を行い、無害なガスのみが放出される。な
お、配管１４には必要に応じて適所にバルブが設けられ
ている。
ドライポンプ１２の到達真空度よりも高い場合には、ド
ライポンプの上流側にさらにターボ分子ポンプ等の超高
真空ポンプが配備されることもある。プロセスガスはプ
ロセスの種類により毒性や爆発性があるので、真空ポン
プ１２の下流には排ガス処理装置２２が配備されてい
る。大気圧まで昇圧されたプロセスガスのうち、上記の
ような大気に放出できないものは、ここで吸着、分解、
吸収等の処理を行い、無害なガスのみが放出される。な
お、配管１４には必要に応じて適所にバルブが設けられ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上のような従来の真
空排気システムにおいては、以下のような欠点がある プロセスガス又は反応副生成物のガス中に腐食性が
ある場合には、そのガスによって真空ポンプが腐食し、
寿命が短縮されるという欠点がある。例えば、Ｓｉをエ
ッチングする場合に、代表的なプロセスガスであるＣＦ
4 とＯ2 を使用すると、プロセスチャンバからは、ＣＦ
4 とＯ2 の残ガスとともにＳｉＦ4 ，Ｆ2 ，ＣＯ，ＣＯ
2 の副生成物が真空ポンプにより排出される。このう
ち、特にＦ2 が強い腐食性があり（プロセス上の理由か
らＦラジカルが含まれている）、真空ポンプを腐食す
る。
空排気システムにおいては、以下のような欠点がある プロセスガス又は反応副生成物のガス中に腐食性が
ある場合には、そのガスによって真空ポンプが腐食し、
寿命が短縮されるという欠点がある。例えば、Ｓｉをエ
ッチングする場合に、代表的なプロセスガスであるＣＦ
4 とＯ2 を使用すると、プロセスチャンバからは、ＣＦ
4 とＯ2 の残ガスとともにＳｉＦ4 ，Ｆ2 ，ＣＯ，ＣＯ
2 の副生成物が真空ポンプにより排出される。このう
ち、特にＦ2 が強い腐食性があり（プロセス上の理由か
らＦラジカルが含まれている）、真空ポンプを腐食す
る。
【０００５】 また、反応副生成物の中に昇華温度の
高い物質がある場合、そのガスを真空ポンプが排気する
ので、昇圧途上でガスが固形化し、真空ポンプ内に析出
して故障の原因になる。例えば、アルミニウムのエッチ
ングを行うために、代表的なプロセスガスであるＢＣｌ
3 ，Ｃｌ2 を使用すると、プロセスチャバからは、ＢＣ
ｌ3 ，Ｃｌ2 のプロセスガスの残ガスとＡｌＣｌ3 の反
応副生成物が真空ポンプにより排気される。このＡｌＣ
ｌ3 は、吸気側では分圧が低いので析出しないが、加圧
排気する途中での分圧が上昇し、真空ポンプ内で析出し
て真空ポンプの故障の原因となる。これは、ＳｉＮの成
膜を行うＣＶＤ装置から生じる（ＮＨ4）2ＳｉＦ6やＮ
Ｈ4Ｃｌ等の反応副生成物の場合も同様である。
高い物質がある場合、そのガスを真空ポンプが排気する
ので、昇圧途上でガスが固形化し、真空ポンプ内に析出
して故障の原因になる。例えば、アルミニウムのエッチ
ングを行うために、代表的なプロセスガスであるＢＣｌ
3 ，Ｃｌ2 を使用すると、プロセスチャバからは、ＢＣ
ｌ3 ，Ｃｌ2 のプロセスガスの残ガスとＡｌＣｌ3 の反
応副生成物が真空ポンプにより排気される。このＡｌＣ
ｌ3 は、吸気側では分圧が低いので析出しないが、加圧
排気する途中での分圧が上昇し、真空ポンプ内で析出し
て真空ポンプの故障の原因となる。これは、ＳｉＮの成
膜を行うＣＶＤ装置から生じる（ＮＨ4）2ＳｉＦ6やＮ
Ｈ4Ｃｌ等の反応副生成物の場合も同様である。
【０００６】 さらに、反応副生成物の中に、高温で
反応性のあるガスが含まれている場合に、そのガスが真
空ポンプ内で反応して、真空ポンプの故障の原因にな
る。例えば、タングステンの成膜を行うプラズマＣＶＤ
装置において、代表的なプロセスガスであるＷＦ6 ，Ｓ
ｉＨ4 を用いると、プロセスチャンバからは、ＷＦ6 ，
ＳｉＨ4 の残ガスとＨＦ，Ｈ2 の生成副産物が排出され
る。真空ポンプの中において圧力と温度が上昇するに伴
い、ＷＦ6 とＳｉＨ4 が反応してＷが析出し、真空ポン
プの故障の原因となる。
反応性のあるガスが含まれている場合に、そのガスが真
空ポンプ内で反応して、真空ポンプの故障の原因にな
る。例えば、タングステンの成膜を行うプラズマＣＶＤ
装置において、代表的なプロセスガスであるＷＦ6 ，Ｓ
ｉＨ4 を用いると、プロセスチャンバからは、ＷＦ6 ，
ＳｉＨ4 の残ガスとＨＦ，Ｈ2 の生成副産物が排出され
る。真空ポンプの中において圧力と温度が上昇するに伴
い、ＷＦ6 とＳｉＨ4 が反応してＷが析出し、真空ポン
プの故障の原因となる。
【０００７】 トラップされたプロセスガスが、再利
用されずに捨てられるのでランニングコストが高い。特
に、ＳｉＨ4 のようなガスは高価であり、再利用するの
が望ましいが、前記従来の方法では、トラップ中に複数
種類のガスが混在するので、分離する作業に多くの手間
を要する。
用されずに捨てられるのでランニングコストが高い。特
に、ＳｉＨ4 のようなガスは高価であり、再利用するの
が望ましいが、前記従来の方法では、トラップ中に複数
種類のガスが混在するので、分離する作業に多くの手間
を要する。
【０００８】 すべてのガスを排ガス処理装置に導入
して処理を行なうので、処理装置の規模が大きくなり、
膨大な設備コストが必要となるとともに、処理工程も複
雑になり、ランニングコストも高くなる。
して処理を行なうので、処理装置の規模が大きくなり、
膨大な設備コストが必要となるとともに、処理工程も複
雑になり、ランニングコストも高くなる。
【０００９】これらのうち、については耐腐食性の真
空ポンプの開発、については、真空ポンプの温度を上
げる、或いはポンプ内に不活性気体を注入し分圧を下げ
て析出しないようにする等の対策が施されているが、こ
れらの改善策は、真空ポンプ側のみの改良であり、真空
排気システム全体として捉えていないので、充分な効果
を奏していない。また、については全く考慮すらさ
れていない。
空ポンプの開発、については、真空ポンプの温度を上
げる、或いはポンプ内に不活性気体を注入し分圧を下げ
て析出しないようにする等の対策が施されているが、こ
れらの改善策は、真空ポンプ側のみの改良であり、真空
排気システム全体として捉えていないので、充分な効果
を奏していない。また、については全く考慮すらさ
れていない。
【００１０】本発明は以上の欠点に鑑みてなされたもの
であり、真空ポンプの長寿命化、排ガス処理装置の小容
量化によって、運転の信頼性の向上、設備や運転コスト
の低減を図ることができる真空排気システムを提供する
ことを目的としている。
であり、真空ポンプの長寿命化、排ガス処理装置の小容
量化によって、運転の信頼性の向上、設備や運転コスト
の低減を図ることができる真空排気システムを提供する
ことを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、プロセスチャンバと該チャンバを排気するための真
空ポンプとを連通する排気配管に、該プロセスチャンバ
からの排ガスの所定の活性成分と反応してこれを不活性
化する犠牲材料を配した反応トラップが設けられている
ことを特徴とする真空排気システムである。これによ
り、排ガス中に存在する活性成分が真空ポンプに流入す
る前に犠牲材料と反応し、より不活性な物質に変換され
るので、この成分が真空ポンプを腐食させたり、真空ポ
ンプ中で他の成分と反応して詰まりを生じるなどの事態
が防止される。
は、プロセスチャンバと該チャンバを排気するための真
空ポンプとを連通する排気配管に、該プロセスチャンバ
からの排ガスの所定の活性成分と反応してこれを不活性
化する犠牲材料を配した反応トラップが設けられている
ことを特徴とする真空排気システムである。これによ
り、排ガス中に存在する活性成分が真空ポンプに流入す
る前に犠牲材料と反応し、より不活性な物質に変換され
るので、この成分が真空ポンプを腐食させたり、真空ポ
ンプ中で他の成分と反応して詰まりを生じるなどの事態
が防止される。
【００１２】請求項２に記載の発明は、前記犠牲材料が
通気性を有して形成され、該通気性を持つ犠牲材料が上
記排気配管の流路を塞ぐように配されていることを特徴
とする請求項１に記載の真空排気システムである。この
場合、犠牲材料は真空ポンプの上流側に配置されてお
り、気体の流速が大きいので、通気性をある程度大きく
する必要がある。
通気性を有して形成され、該通気性を持つ犠牲材料が上
記排気配管の流路を塞ぐように配されていることを特徴
とする請求項１に記載の真空排気システムである。この
場合、犠牲材料は真空ポンプの上流側に配置されてお
り、気体の流速が大きいので、通気性をある程度大きく
する必要がある。
【００１３】請求項３に記載の発明は、前記犠牲材料と
真空ポンプの間に、上記所定成分と犠牲材料の反応によ
る生成物を排ガス中から除去する除去機構を設けたこと
を特徴とする請求項１に記載の真空排気システムであ
る。これにより、犠牲材料との反応による生成物が真空
ポンプに到達する前に除去されるので、真空ポンプが清
浄な状態で維持される。請求項４に記載の発明は、前記
除去機構が低温トラップであることを特徴とする請求項
３に記載の真空排気システムである。これにより、凝固
点が比較的高い反応生成物が凝結してトラップされ、除
去される。
真空ポンプの間に、上記所定成分と犠牲材料の反応によ
る生成物を排ガス中から除去する除去機構を設けたこと
を特徴とする請求項１に記載の真空排気システムであ
る。これにより、犠牲材料との反応による生成物が真空
ポンプに到達する前に除去されるので、真空ポンプが清
浄な状態で維持される。請求項４に記載の発明は、前記
除去機構が低温トラップであることを特徴とする請求項
３に記載の真空排気システムである。これにより、凝固
点が比較的高い反応生成物が凝結してトラップされ、除
去される。
【００１４】請求項５に記載の発明は、前記真空ポンプ
は排気経路に潤滑油を用いないドライポンプであること
を特徴とする請求項１に記載の真空排気システムであ
る。このような真空ポンプは、構成部材が潤滑油で覆わ
れておらず、露出しているので、排ガスに含まれる腐食
性成分の影響を受けやすいので、本発明が特に有用であ
る。
は排気経路に潤滑油を用いないドライポンプであること
を特徴とする請求項１に記載の真空排気システムであ
る。このような真空ポンプは、構成部材が潤滑油で覆わ
れておらず、露出しているので、排ガスに含まれる腐食
性成分の影響を受けやすいので、本発明が特に有用であ
る。
【００１５】請求項６に記載の発明は、前記反応トラッ
プが前記排気配管中に着脱自在に取り付けられているこ
とを特徴とする請求項２に記載の真空排気システムであ
るので、反応トラップの交換が容易であり、また、犠牲
材料の補給作業を反応トラップを排気配管から外した状
態で行なうことができる。
プが前記排気配管中に着脱自在に取り付けられているこ
とを特徴とする請求項２に記載の真空排気システムであ
るので、反応トラップの交換が容易であり、また、犠牲
材料の補給作業を反応トラップを排気配管から外した状
態で行なうことができる。
【００１６】請求項７に記載の発明は、前記反応トラッ
プが前記排気配管中に２系統並列にかつ選択的に導通可
能に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の
真空排気システムであるので、これを切り換えて用いる
ことにより、犠牲材料の補給や交換の作業を排気ライン
を停止させることなく行なうことができる。
プが前記排気配管中に２系統並列にかつ選択的に導通可
能に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の
真空排気システムであるので、これを切り換えて用いる
ことにより、犠牲材料の補給や交換の作業を排気ライン
を停止させることなく行なうことができる。
【００１７】請求項９に記載の発明は、前記反応トラッ
プの前後の差圧を測定するセンサが設けられていること
を特徴とする請求項２に記載の真空排気システムであ
り、このセンサの指示によって、反応トラップ中の犠牲
材料の減少度合いや、あるいは詰まりの状態などを判断
することができる。
プの前後の差圧を測定するセンサが設けられていること
を特徴とする請求項２に記載の真空排気システムであ
り、このセンサの指示によって、反応トラップ中の犠牲
材料の減少度合いや、あるいは詰まりの状態などを判断
することができる。
【００１８】請求項１０に記載の発明は、前記犠牲材料
がＣ，Ｓｉ，Ｓからなるグループの少なくとも１つを含
むものであることを特徴とする請求項１に記載の真空排
気システムである。請求項１１に記載の発明は、前記犠
牲材料が金属であることを特徴とする請求項１に記載の
真空排気システムである。
がＣ，Ｓｉ，Ｓからなるグループの少なくとも１つを含
むものであることを特徴とする請求項１に記載の真空排
気システムである。請求項１１に記載の発明は、前記犠
牲材料が金属であることを特徴とする請求項１に記載の
真空排気システムである。
【００１９】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例について
説明する。図１は本発明の基本的な実施例であって、真
空チャンバ１０と真空ポンプ１２を繋ぐ排気配管１４に
反応トラップ２０がバルブ１８，２０を介して設けられ
ている。真空ポンプ１２の下流側には、排ガス処理装置
２２が設けられている。
説明する。図１は本発明の基本的な実施例であって、真
空チャンバ１０と真空ポンプ１２を繋ぐ排気配管１４に
反応トラップ２０がバルブ１８，２０を介して設けられ
ている。真空ポンプ１２の下流側には、排ガス処理装置
２２が設けられている。
【００２０】反応トラップ２０は、図２に示すように、
筒状構造のケーシング２４の内側に、犠牲材料２６を収
容する容器２８が設けられて構成されており、天板３０
に流入口３２が、ケーシング２４外面に流出口３４が設
けられている。この容器２８は、図３（ａ）に示すよう
に、通気性を有するようにメッシュ状素材から構成され
た２つの筒３６，３８と、これらの間の空間の上面を覆
う天板４０と、容器の下側全面を覆う底板４２からなっ
ている。
筒状構造のケーシング２４の内側に、犠牲材料２６を収
容する容器２８が設けられて構成されており、天板３０
に流入口３２が、ケーシング２４外面に流出口３４が設
けられている。この容器２８は、図３（ａ）に示すよう
に、通気性を有するようにメッシュ状素材から構成され
た２つの筒３６，３８と、これらの間の空間の上面を覆
う天板４０と、容器の下側全面を覆う底板４２からなっ
ている。
【００２１】犠牲材料２６は、やはり、通気性を有する
ように、粒状、粉体状、針状、不定形の塊状、繊維状、
あるいは焼結体として形成されている。犠牲材料の素材
は、排ガス中の処理したい成分と反応性が高く、しかも
安定で加工が容易であるような素材を選択する。半導体
製造工程において問題となるのは処理対象のガスがフッ
素を含む場合が多いが、この場合は、Ｃ，Ｓｉ，Ｓある
いはこれらの混合物が挙げられる。また、真空ポンプを
構成する素材と同一又は類似の金属は、犠牲材料として
有用である。
ように、粒状、粉体状、針状、不定形の塊状、繊維状、
あるいは焼結体として形成されている。犠牲材料の素材
は、排ガス中の処理したい成分と反応性が高く、しかも
安定で加工が容易であるような素材を選択する。半導体
製造工程において問題となるのは処理対象のガスがフッ
素を含む場合が多いが、この場合は、Ｃ，Ｓｉ，Ｓある
いはこれらの混合物が挙げられる。また、真空ポンプを
構成する素材と同一又は類似の金属は、犠牲材料として
有用である。
【００２２】流入口３２と流出口３４には、それぞれ排
気配管接続用のフランジ４４，４６が設けられており、
容器２８の内側空間には流入口３２が連通し、これはバ
ルブ１８を介して真空チャンバ１０に接続されている。
また、容器２８の外側空間、つまりケーシング２４の内
側空間は上記の流出口３４に連通しており、これはバル
ブ２０を介して真空ポンプ１２に接続されている。ま
た、ケーシング２４の天板３０は取り外し可能になって
おり、これにより犠牲材料２６の補給や交換、又はケー
シング２４内部の洗浄等が容易になっている。
気配管接続用のフランジ４４，４６が設けられており、
容器２８の内側空間には流入口３２が連通し、これはバ
ルブ１８を介して真空チャンバ１０に接続されている。
また、容器２８の外側空間、つまりケーシング２４の内
側空間は上記の流出口３４に連通しており、これはバル
ブ２０を介して真空ポンプ１２に接続されている。ま
た、ケーシング２４の天板３０は取り外し可能になって
おり、これにより犠牲材料２６の補給や交換、又はケー
シング２４内部の洗浄等が容易になっている。
【００２３】図３（ｂ）及び（ｃ）は、犠牲材料２６を
収容する容器の他の例を示すもので、（ｂ）は内側の筒
３８を短くして底部４８，５０もメッシュで構成してい
る。従って、容器２８を通気する面積が大きいの、反応
効率も高く、圧力損失も少ない。図３（ｃ）は、外側の
筒３６の上側部分を通気性の無い筒板５２で形成して、
下方側のみガスを流通させるようにしている。これによ
り、犠牲材料２６が排ガスとの反応によって容器から失
われてしまう場合に、容器２８の上部の犠牲材料が降下
して順次下部に供給され、反応が続行される。
収容する容器の他の例を示すもので、（ｂ）は内側の筒
３８を短くして底部４８，５０もメッシュで構成してい
る。従って、容器２８を通気する面積が大きいの、反応
効率も高く、圧力損失も少ない。図３（ｃ）は、外側の
筒３６の上側部分を通気性の無い筒板５２で形成して、
下方側のみガスを流通させるようにしている。これによ
り、犠牲材料２６が排ガスとの反応によって容器から失
われてしまう場合に、容器２８の上部の犠牲材料が降下
して順次下部に供給され、反応が続行される。
【００２４】図４は、本発明の他の実施例であって、ケ
ーシング２４の下部に下側が細いテーパ部５４が設けら
れている。これは、犠牲材料２６と排ガスとの反応で固
体の生成物ができる場合に、これをテーパ部５４に落と
して適宜下部の排出口５６より排出するものである。こ
の場合、生成物の補足率を向上させるためには、ガスの
下降流れを利用することが好ましく、従って、図３
（ｃ）の形式の犠牲材料容器２８と組み合わせることが
有利である。
ーシング２４の下部に下側が細いテーパ部５４が設けら
れている。これは、犠牲材料２６と排ガスとの反応で固
体の生成物ができる場合に、これをテーパ部５４に落と
して適宜下部の排出口５６より排出するものである。こ
の場合、生成物の補足率を向上させるためには、ガスの
下降流れを利用することが好ましく、従って、図３
（ｃ）の形式の犠牲材料容器２８と組み合わせることが
有利である。
【００２５】図５（ａ）は、この発明の他の実施例を示
すもので、筒状のケーシング６０の内部に、通気性を有
するように板状に成形した犠牲材料６２を取り付けたも
のである。この板状犠牲材料６２は、メッシュ状のもの
を一層あるいは複数層重ねたもの、粒状、粉体状、針又
は棒状の部材を焼結等させたもの、板状部材に穴を形成
したもの等が、状況に応じて適宜選択可能である。ま
た、図５（ｂ）は、板状の犠牲材料６２を間にガス流路
となる隙間６４を形成して層状に配置したものである。
これは、上記のような加工が難しい場合に好適に用いら
れる。
すもので、筒状のケーシング６０の内部に、通気性を有
するように板状に成形した犠牲材料６２を取り付けたも
のである。この板状犠牲材料６２は、メッシュ状のもの
を一層あるいは複数層重ねたもの、粒状、粉体状、針又
は棒状の部材を焼結等させたもの、板状部材に穴を形成
したもの等が、状況に応じて適宜選択可能である。ま
た、図５（ｂ）は、板状の犠牲材料６２を間にガス流路
となる隙間６４を形成して層状に配置したものである。
これは、上記のような加工が難しい場合に好適に用いら
れる。
【００２６】図６は、この発明の他の実施例であり、図
１の実施例の下流に温度トラップ７０，７２を設けたも
のである。これにより、排ガス中の成分が犠牲材料と反
応してできた生成物及び／又は犠牲材料と反応せずに残
存する成分を真空ポンプ１２の前に除去するものであ
る。この例では、温度の異なる２つのトラップ７０，７
２を設けているので、凝固点の異なる元素を分離してト
ラップすることができ、これを再生して用いる場合には
便利である。
１の実施例の下流に温度トラップ７０，７２を設けたも
のである。これにより、排ガス中の成分が犠牲材料と反
応してできた生成物及び／又は犠牲材料と反応せずに残
存する成分を真空ポンプ１２の前に除去するものであ
る。この例では、温度の異なる２つのトラップ７０，７
２を設けているので、凝固点の異なる元素を分離してト
ラップすることができ、これを再生して用いる場合には
便利である。
【００２７】図７は、この発明の他の実施例であり、そ
れぞれバルブ１８，２０を有する反応トラップ１６を２
系統設けることにより、反応トラップ１６の交換や犠牲
材料の補給を、排気ラインを止めることなく行なうこと
ができるようにしたものである。また、この例では反応
トラップ１６の前後に差圧センサ２４を設け、このセン
サ７４の指示によって、反応トラップ中の犠牲材料の減
少度合いや、あるいは詰まりの状態などを判断すること
ができるようになっている。
れぞれバルブ１８，２０を有する反応トラップ１６を２
系統設けることにより、反応トラップ１６の交換や犠牲
材料の補給を、排気ラインを止めることなく行なうこと
ができるようにしたものである。また、この例では反応
トラップ１６の前後に差圧センサ２４を設け、このセン
サ７４の指示によって、反応トラップ中の犠牲材料の減
少度合いや、あるいは詰まりの状態などを判断すること
ができるようになっている。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、排ガス中に存在する活性成分を、これが真空ポンプ
に流入する前に犠牲材料と反応させ、より不活性な物質
に変換するので、この成分が真空ポンプを腐食させた
り、真空ポンプ中で他の成分と反応して詰まりを生じる
などの事態が防止される。従って、真空ポンプの長寿命
化、排ガス処理装置の省容量化によって、運転の信頼性
の向上、設備や運転コストの低減を図ることができる。
ば、排ガス中に存在する活性成分を、これが真空ポンプ
に流入する前に犠牲材料と反応させ、より不活性な物質
に変換するので、この成分が真空ポンプを腐食させた
り、真空ポンプ中で他の成分と反応して詰まりを生じる
などの事態が防止される。従って、真空ポンプの長寿命
化、排ガス処理装置の省容量化によって、運転の信頼性
の向上、設備や運転コストの低減を図ることができる。
【図１】この発明の一実施例の真空排気システムの全体
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】この発明の要部である反応トラップの具体的構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図３】犠牲材料容器の構成例を示す図である。
【図４】反応トラップの他の実施例を示す図である。
【図５】反応トラップのさらに他の実施例を示す図であ
る。
る。
【図６】この発明の真空排気システムの他の実施例を示
す図である。
す図である。
【図７】この発明の真空排気システムのさらに他の実施
例を示す図である。
例を示す図である。
【図８】従来の真空排気システムの全体構成を示す図で
ある。
ある。
１０ プロセスチャンバ １２ 真空ポンプ １４ 排気配管 ２０ 反応トラップ ２６，６２，６４ 犠牲材料 ７４ 差圧センサ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年６月１７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図７】
フロントページの続き (72)発明者 服部 博 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内
Claims (11)
- 【請求項１】 プロセスチャンバと該チャンバを排気す
るための真空ポンプとを連通する排気配管に、該プロセ
スチャンバからの排ガスの所定の活性成分と反応してこ
れを不活性化する犠牲材料を配したことを特徴とする真
空排気システム。 - 【請求項２】 前記犠牲材料が通気性を有し、上記排気
配管の途中に配された反応トラップに収容されているこ
とを特徴とする請求項１に記載の真空排気システム。 - 【請求項３】 前記犠牲材料と真空ポンプの間に、上記
所定成分と犠牲材料の反応による生成物を排ガス中から
除去する除去機構を設けたことを特徴とする請求項１に
記載の真空排気システム。 - 【請求項４】 前記除去機構は低温トラップであること
を特徴とする請求項１に記載の真空排気システム。 - 【請求項５】 前記真空ポンプは排気経路に潤滑油を用
いないドライポンプであることを特徴とする請求項１に
記載の真空排気システム。 - 【請求項６】 前記反応トラップが前記排気配管中に着
脱自在に取り付けられていることを特徴とする請求項２
に記載の真空排気システム。 - 【請求項７】 前記反応トラップが前記排気配管中に２
系統並列にかつ選択的に導通可能に接続されていること
を特徴とする請求項２に記載の真空排気システム。 - 【請求項８】 前記反応トラップには、犠牲材料の残存
量を示すセンサが設けられていることを特徴とする請求
項２に記載の真空排気システム。 - 【請求項９】 前記反応トラップの前後の差圧を検出す
るセンサが設けられていることを特徴とする請求項２に
記載の真空排気システム。 - 【請求項１０】 前記犠牲材料は、Ｃ，Ｓｉ，Ｓからな
るグループの少なくとも１つを含むものであることを特
徴とする請求項１に記載の真空排気システム。 - 【請求項１１】 前記犠牲材料は、金属であることを特
徴とする請求項１に記載の真空排気システム。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15159096A JP3617575B2 (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 真空排気システム |
| US08/861,007 US6332925B1 (en) | 1996-05-23 | 1997-05-21 | Evacuation system |
| DE69737315T DE69737315T2 (de) | 1996-05-23 | 1997-05-22 | Auslasssystem |
| EP06015405A EP1719551A3 (en) | 1996-05-23 | 1997-05-22 | Evacuation system |
| EP97108313A EP0811413B1 (en) | 1996-05-23 | 1997-05-22 | Evacuation system |
| KR1019970020157A KR100504227B1 (ko) | 1996-05-23 | 1997-05-23 | 배출시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15159096A JP3617575B2 (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 真空排気システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09317645A true JPH09317645A (ja) | 1997-12-09 |
| JP3617575B2 JP3617575B2 (ja) | 2005-02-09 |
Family
ID=15521849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15159096A Expired - Fee Related JP3617575B2 (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 真空排気システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3617575B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001527158A (ja) * | 1997-12-23 | 2001-12-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｃｖｄ装置用ガストラップ |
| JP2009120965A (ja) * | 2009-03-12 | 2009-06-04 | Tokyo Electron Ltd | トラップ装置 |
| JP2021130874A (ja) * | 2017-03-23 | 2021-09-09 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置 |
-
1996
- 1996-05-23 JP JP15159096A patent/JP3617575B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001527158A (ja) * | 1997-12-23 | 2001-12-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｃｖｄ装置用ガストラップ |
| JP2009120965A (ja) * | 2009-03-12 | 2009-06-04 | Tokyo Electron Ltd | トラップ装置 |
| JP2021130874A (ja) * | 2017-03-23 | 2021-09-09 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3617575B2 (ja) | 2005-02-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0384803B1 (en) | Thermal decomposition trap | |
| US6099649A (en) | Chemical vapor deposition hot-trap for unreacted precursor conversion and effluent removal | |
| TWI388729B (zh) | 用於真空泵浦之前級預處理 | |
| US11802562B2 (en) | Device and method for evacuating a chamber and purifying the gas extracted from said chamber | |
| US4655800A (en) | Waste gas exhaust system for vacuum process apparatus | |
| JPH09317645A (ja) | 真空排気システム | |
| JP2000279749A (ja) | 半導体製造中に生じるガスを処理するための吸着型ガススクラバー | |
| US6770117B2 (en) | Ion implantation and wet bench systems utilizing exhaust gas recirculation | |
| EP1050681A1 (en) | Trap device and trap system | |
| JPS6013071A (ja) | 気相法装置の排気系 | |
| JP4111803B2 (ja) | Ｌｐｃｖｄ装置及び薄膜製造方法 | |
| US6464466B1 (en) | Trap apparatus | |
| US20060191636A1 (en) | Valve assembly, semiconductor device manufacturing apparatus comprising the same, and method of cleaning a trap of a semiconductor device manufactuing apparatus | |
| JP3188235B2 (ja) | トラップ装置 | |
| KR20020044187A (ko) | 반도체 제조장비의 이물질 제거장치 | |
| JP3433998B2 (ja) | 濾過装置及びそれによる真空ポンプ系保護方法 | |
| KR20000051830A (ko) | 반도체 장비의 파우더 포집장치 | |
| JP2000153128A (ja) | 排気装置 | |
| KR20020085481A (ko) | 반도체 제조장치 | |
| KR20030052170A (ko) | 반도체 소자 제조 설비의 파우더 포집장치 | |
| KR20230017157A (ko) | 백금족 금속의 회수 방법, 백금족 금속 함유막의 제조 방법 및 성막 장치 | |
| KR100790282B1 (ko) | 반도체 제조 장치의 배기 시스템 및 이에 적용된트랩부에서의 액상 티이오에스 배출 방법 | |
| JP2003120918A (ja) | 除害装置及び燃焼制御方法及びスクラバー処理制御方法 | |
| JP3020535B2 (ja) | 有機物除去装置 | |
| JP2007054736A (ja) | 排ガス処理装置、薬剤筒及び排ガス処理装置のメンテナンス方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040601 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040722 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040727 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041102 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041102 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091119 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |