JP3020535B2 - 有機物除去装置 - Google Patents
有機物除去装置Info
- Publication number
- JP3020535B2 JP3020535B2 JP2602090A JP2602090A JP3020535B2 JP 3020535 B2 JP3020535 B2 JP 3020535B2 JP 2602090 A JP2602090 A JP 2602090A JP 2602090 A JP2602090 A JP 2602090A JP 3020535 B2 JP3020535 B2 JP 3020535B2
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- gas
- organic matter
- ozone
- organic
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、有機物の除去状態が検知できる、レジスト
等の有機物除去装置に関するものである。
等の有機物除去装置に関するものである。
半導体の製造工程では、ホトレジストなどの有機レジ
スト膜をマスクとして使用するが、エツチングやドーピ
ングを行つたのち不要になつた上記有機レジスト膜を除
去するのに、薬液を用いる湿式方式に代り、プラズマに
よつて雰囲気中の酸素原子を活性化し、上記レジスト膜
を酸化除去する方法が、従来、多く採用されている。上
記プラズマ方式は、半導体デバイスがプラズマにさらさ
れプラズマによるチヤージアップのために、上記半導体
デバイスはダメージを生じる。従つて、上記ダメージを
最小限度に抑制するためには、有機物除去処理の終点を
検出することが必須であり、特開昭63−70427号に記載
されているような処理に関連するガスの、ガス検出方法
が用いられている。
スト膜をマスクとして使用するが、エツチングやドーピ
ングを行つたのち不要になつた上記有機レジスト膜を除
去するのに、薬液を用いる湿式方式に代り、プラズマに
よつて雰囲気中の酸素原子を活性化し、上記レジスト膜
を酸化除去する方法が、従来、多く採用されている。上
記プラズマ方式は、半導体デバイスがプラズマにさらさ
れプラズマによるチヤージアップのために、上記半導体
デバイスはダメージを生じる。従つて、上記ダメージを
最小限度に抑制するためには、有機物除去処理の終点を
検出することが必須であり、特開昭63−70427号に記載
されているような処理に関連するガスの、ガス検出方法
が用いられている。
上記従来技術は、有機物の除去処理を真空処理室内で
行うため、除去処理中のガス以外のガスが処理室内に混
入することはない。大気圧下で有機物除去処理を行う光
アツシヤは、上記従来技術よりもはるかに効率的である
が、処理室が気密でないため除去処理中に外部から空気
が混入する。従つて、除去処理によるガス濃度の変化を
分析することは困難であり、実施されていなかつた。
行うため、除去処理中のガス以外のガスが処理室内に混
入することはない。大気圧下で有機物除去処理を行う光
アツシヤは、上記従来技術よりもはるかに効率的である
が、処理室が気密でないため除去処理中に外部から空気
が混入する。従つて、除去処理によるガス濃度の変化を
分析することは困難であり、実施されていなかつた。
本発明は、大気圧下で有機物除去処理を行うアツシヤ
などにおいても、除去処理中のガス濃度の変化を経時劣
化することなく安定に検出することができる有機物除去
処理装置を得ることを目的とする。
などにおいても、除去処理中のガス濃度の変化を経時劣
化することなく安定に検出することができる有機物除去
処理装置を得ることを目的とする。
上記目的は、被処理物に近接対向して設置した隔壁板
に設けたガス排出口から導かれた配管の途中に微粒子除
去手段およびガス検知手段を設けることによつて達成さ
れる。
に設けたガス排出口から導かれた配管の途中に微粒子除
去手段およびガス検知手段を設けることによつて達成さ
れる。
被処理物に近接対向して設けた隔壁板との間隙には、
ガス導入口から流入した反応ガスと被処理物表面から生
成したガスとだけが充満しており、これらのガスは上記
被処理物の周辺から排出される。従つて、上記隔壁板の
一部にガス排出口を設けると、上記の被処理物表面と隔
壁板との間に充満している反応ガスおよび生成ガスは、
上記ガス排出口にも流れ込む。この結果、上記ガス排出
口からガスを採集すれば、反応ガスおよび生成ガス以外
のガスが混入するおそれがなく、処理反応に関与するガ
スだけを取り出すことができる。すなわち、上記ガス排
出口に接続された配管の途中にガス検知手段を設置すれ
ば、上記採集ガスを分析することによつて除去処理の終
点を検知することができる。
ガス導入口から流入した反応ガスと被処理物表面から生
成したガスとだけが充満しており、これらのガスは上記
被処理物の周辺から排出される。従つて、上記隔壁板の
一部にガス排出口を設けると、上記の被処理物表面と隔
壁板との間に充満している反応ガスおよび生成ガスは、
上記ガス排出口にも流れ込む。この結果、上記ガス排出
口からガスを採集すれば、反応ガスおよび生成ガス以外
のガスが混入するおそれがなく、処理反応に関与するガ
スだけを取り出すことができる。すなわち、上記ガス排
出口に接続された配管の途中にガス検知手段を設置すれ
ば、上記採集ガスを分析することによつて除去処理の終
点を検知することができる。
また、上記反応ガスおよび生成ガスは配管の中を流出
するとき、その一部が有機物などの微粒子として配管内
やガス検知手段のガス流路に堆積する。微粒子除去手段
は、上記微粒子を捕獲し配管内の詰まりやガス検知手段
の信頼性の劣化を防止する。
するとき、その一部が有機物などの微粒子として配管内
やガス検知手段のガス流路に堆積する。微粒子除去手段
は、上記微粒子を捕獲し配管内の詰まりやガス検知手段
の信頼性の劣化を防止する。
次に本発明の実施例を図面とともに説明する。第１図
は本発明による有機物除去装置の一実施例を示す構成図
である。半導体装置の製造プロセスの一工程に、レジス
ト膜の除去工程がある。その一手段として、大気圧下で
紫外線とオゾンを用いて有機レジスト膜を除去する方法
があるが、反応ガスとしてオゾンを供給し、紫外線によ
つて上記オゾンを活性な酸素原子に変え、ウエーハやマ
スク等に塗布されたレジストと反応させ、炭酸ガス、水
などに分解気化させて排出する。一般には反応をさらに
促進させる目的で被処理物の温度を上げるため、加熱機
構を付加している。
は本発明による有機物除去装置の一実施例を示す構成図
である。半導体装置の製造プロセスの一工程に、レジス
ト膜の除去工程がある。その一手段として、大気圧下で
紫外線とオゾンを用いて有機レジスト膜を除去する方法
があるが、反応ガスとしてオゾンを供給し、紫外線によ
つて上記オゾンを活性な酸素原子に変え、ウエーハやマ
スク等に塗布されたレジストと反応させ、炭酸ガス、水
などに分解気化させて排出する。一般には反応をさらに
促進させる目的で被処理物の温度を上げるため、加熱機
構を付加している。
第１図に示す処理室１は大気圧であり、上記処理室１
内にはウエーハ２を搭載し加熱するためのステージ３、
および上記ウエーハ２の表面に反応ガスであるオゾンを
効率良く流し、かつ、紫外線を透過する石英製の隔壁板
４、さらにオゾンガスを供給するためのガス導入管５と
反応後の生成ガスを排出するガス排出管６、および紫外
線を放射する紫外線ランプ７により構成されている。
内にはウエーハ２を搭載し加熱するためのステージ３、
および上記ウエーハ２の表面に反応ガスであるオゾンを
効率良く流し、かつ、紫外線を透過する石英製の隔壁板
４、さらにオゾンガスを供給するためのガス導入管５と
反応後の生成ガスを排出するガス排出管６、および紫外
線を放射する紫外線ランプ７により構成されている。
レジストを塗布したウエーハ２を150℃〜300℃に加熱
し、ガス導入管５からオゾンを導入する。上記オゾンは
ウエーハ２と隔壁板４との間の間隙を流れて処理室１内
に導入される。上記隔壁板４の上部に設置された紫外線
ランプ７により、上記オゾンは活性な酸素原子（ラジカ
ル酸素）となり、レジストや炭酸ガスや水などに分解
し、処理室１内に排出される。これら処理室１内に排出
されたガスは、−30mmAq程度の圧力で排気ダクトに導か
れる。一方、隔壁板４に設けたガス排出口６からも同様
に同じガスが排出される。この排出ガスを利用して、反
応ガスおよび生成ガスだけの分析が可能になる。
し、ガス導入管５からオゾンを導入する。上記オゾンは
ウエーハ２と隔壁板４との間の間隙を流れて処理室１内
に導入される。上記隔壁板４の上部に設置された紫外線
ランプ７により、上記オゾンは活性な酸素原子（ラジカ
ル酸素）となり、レジストや炭酸ガスや水などに分解
し、処理室１内に排出される。これら処理室１内に排出
されたガスは、−30mmAq程度の圧力で排気ダクトに導か
れる。一方、隔壁板４に設けたガス排出口６からも同様
に同じガスが排出される。この排出ガスを利用して、反
応ガスおよび生成ガスだけの分析が可能になる。
除去処理中の排出ガスには、前述のごとく二酸化炭素
が数100〜数10000ppm含まれている。ガス排出管６の途
中に、排出ガス中に含まれる有機物などの微粒子を捕獲
するためのフイルター11、二酸化炭素を検出するための
センサー12を設けることにより、除去処理の終点を検知
することができる。
が数100〜数10000ppm含まれている。ガス排出管６の途
中に、排出ガス中に含まれる有機物などの微粒子を捕獲
するためのフイルター11、二酸化炭素を検出するための
センサー12を設けることにより、除去処理の終点を検知
することができる。
排出ガスには、除去処理中または処理後に生成する有
機物などの微粒子が多く含まれており、配管の内面やセ
ンサーのガス流路部に堆積する。この結果、配管の詰ま
り、センサーの検出精度の低下などが発生し、終点検知
の信頼性の低下を招く。フイルター11は、上記課題を解
決するために必須のものであり検出するガスの種類は問
わない。
機物などの微粒子が多く含まれており、配管の内面やセ
ンサーのガス流路部に堆積する。この結果、配管の詰ま
り、センサーの検出精度の低下などが発生し、終点検知
の信頼性の低下を招く。フイルター11は、上記課題を解
決するために必須のものであり検出するガスの種類は問
わない。
上記のように本発明による有機物除去装置は、大気圧
下で、紫外線とオゾンと熱によって、有機物を灰化除去
する有機物除去装置において、被処理物に非接触で近接
対向する透明隔壁板の、被処理物に対向する面に設けた
ガス排出口より導かれた配管の途中に、微粒子除去手段
およびガス検知手段を設けることにより、有機物除去処
理の終点が検知できる。
下で、紫外線とオゾンと熱によって、有機物を灰化除去
する有機物除去装置において、被処理物に非接触で近接
対向する透明隔壁板の、被処理物に対向する面に設けた
ガス排出口より導かれた配管の途中に、微粒子除去手段
およびガス検知手段を設けることにより、有機物除去処
理の終点が検知できる。
第１図は本発明による有機物除去装置の実施例を示す構
成図である。 ２…被処理物、４…隔壁板、５…ガス導入口、６…ガス
排出口、７…紫外線ランプ、11…微粒子除去手段、12…
ガス検知手段。
成図である。 ２…被処理物、４…隔壁板、５…ガス導入口、６…ガス
排出口、７…紫外線ランプ、11…微粒子除去手段、12…
ガス検知手段。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−127537（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−129625（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−32928（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−52411（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−42731（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/302
Claims (2)
- 【請求項１】容器と、 前記容器内に、オゾンガスを導入するためのオゾンガス
導入手段と、 表面に有機物が形成された被処理物を設置するための台
と、 前記容器内のガスを排気するためのガス排出口と、 前記ガス排出口からガスを排気するガス排出管と、 前記ガス排出管に設けられ、排気されるガスを検出する
ことによって終点を検出するガス検出手段と、 前記ガス検出手段の上流側に設けられ、前記排気される
ガス中の微粒子を除去するための微粒子除去手段とを有
することを特徴とする有機物除去装置。 - 【請求項２】前記微粒子除去手段は、前記微粒子を捕獲
するためのフィルターであることを特徴とする請求項１
記載の有機物除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2602090A JP3020535B2 (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 有機物除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2602090A JP3020535B2 (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 有機物除去装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03231421A JPH03231421A (ja) | 1991-10-15 |
| JP3020535B2 true JP3020535B2 (ja) | 2000-03-15 |
Family
ID=12182016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2602090A Expired - Fee Related JP3020535B2 (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 有機物除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3020535B2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-07 JP JP2602090A patent/JP3020535B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03231421A (ja) | 1991-10-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |