JPH03231421A - 有機物除去装置 - Google Patents

有機物除去装置

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JPH03231421A
JPH03231421A JP2602090A JP2602090A JPH03231421A JP H03231421 A JPH03231421 A JP H03231421A JP 2602090 A JP2602090 A JP 2602090A JP 2602090 A JP2602090 A JP 2602090A JP H03231421 A JPH03231421 A JP H03231421A
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ozone
organic matter
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pipe
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山口 純男
Akiisa Inada
稲田 暁勇
Kenichi Kawasumi
川澄 建一
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、有機物の除去状態が検知できる、レジスト等
の有機物除去装置に関するものである。
〔従来の技術〕
半導体の製造工程では、ホトレジストなどの有機レジス
ト膜をマスクとして使用するが、エツチングやドーピン
グを行ったのち不要になった上記有機レジスト膜を除去
するのに、薬液を用いる湿式方式に代り、プ、ラズマに
よって雰囲気中の酸素原子を活性化し、上記レジスト膜
を酸化除去する方法が、従来、多く採用されている。上
記プラズマ方式は、半導体デバイスがプラズマにさらさ
れプラズマによるチャージアップのために、上記半導体
デバイスはダメージを生じる。従って、上記ダメージを
最小限度に抑制するためには、有機物除去処理の終点を
検出することが必須であり、特開昭63−70427号
に記載されているような処理に関連するガスの、ガス検
出方法が用いられている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術は、有機物の除去処理を真空処理室内で行
うため、除去処理中のガス以外のガスが処理室内に混入
することはない。大気圧下で有機物除去処理を行う光ア
ッシャは、上記従来技術よりもはるかに効率的であるが
、処理室が気密でないため除去処理中に外部から空気が
混入する。従って、除去処理によるガス濃度の変化を分
析することは困難であり、実施されていなかった。
本発明は、大気圧下で有機物除去処理を行うアッシャな
どにおいても、除去処理中のガス濃度の変化を経時劣化
することなく安定に検出することができる有機物除去処
理装置を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的は、被処理物に近接対向して設置した隔壁板に
設けたガス排出口から導かれた配管の途中に微粒子除去
手段およびガス検知手段を設けることによって達成され
る。
〔作用〕
被処理物に近接対向して設けた隔壁板との間隙には、ガ
ス導入口から流入した反応ガスと被処理物表面から生成
したガスとだけが充満しており、これらのガスは上記被
処理物の周辺から排出される。従って、上記隔壁板の一
部にガス排出口を設けると、上記の被処理物表面と隔壁
板との間に充満している反応ガスおよび生成ガスは、上
記ガス排出口にも流れ込む。この結果、上記ガス排出口
からガスを採集すれば、反応ガスおよび生成ガス以外の
ガスが混入するおそれがなく、処理反応に関与するガス
だけを取り出すことができる。すなわち、上記ガス排出
口に接続された配管の途中にガス検知手段を設置すれば
、上記採集ガスを分析することによって除去処理の終点
を検知することができる。
また、上記反応ガスおよび生成ガスは配管の中を流呂す
るとき、その一部が有機物などの微粒子として配管内や
ガス検知手段のガス流路に堆積する。微粒子除去手段は
、上記微粒子を捕獲し配管内の詰まりゃガス検知手段の
信頼性の劣化を防止する。
〔実施例〕
次に本発明の実施例を図面とともに説明する。
第1図は本発明による有機物除去装置の一実施例を示す
構成図である。半導体装置の製造プロセスの一工程に、
レジスト膜の除去工程がある。その−手段として、大気
圧下で紫外線とオゾンを用いて有機レジスト膜を除去す
る方法があるが、反応ガスとしてオゾンを供給し、紫外
線によって上記オゾンを活性な酸素原子に変え、ウエー
ノ1やマスク等に塗布されたレジストと反応させ、炭酸
ガス、水などに分解気化させて排出する。一般には反応
をさらに促進させる目的で被処理物の温度を上げるため
、加熱機構を付加している。
第1図に示す処理室1は大気圧であり、上記処理室1内
にはウェーハ2を搭載し加熱するためのステージ3、お
よび上記ウェーハ2の表面に反応ガスであるオゾンを効
率良く流し、かつ、紫外線を透過する石英製の隔壁板4
、さらにオゾンガスを供給するためのガス導入管5と反
応後の生成ガスを排出するガス排出管6、および紫外線
を放射する紫外線ランプ7により構成されている。
レジストを塗布したウェーハ2を150℃〜300℃に
加熱し、ガス導入管5からオゾンを導入する。上記オゾ
ンはウェーハ2と隔壁板4との間の間隙を流れて処理室
1内に導入される。上記隔壁板4の上部に設置された紫
外線ランプ7により、上記オゾンは活性な酸素原子(ラ
ジカル酸素)となり、レジストや炭酸ガスや水などに分
解し。
処理室1内に排出される。これら処理室1内に排出され
たガスは、−3QmmAq程度の圧力で排気ダクトに導
かれる。一方、隔壁板4に設けたガス排出口6からも同
様に同じガスが排出される。この排出ガスを利用して1
反応ガスおよび生成ガスだけの分析が可能になる。
除去処理中の排出ガスには、前述のごとく二酸化炭素が
数100〜数110000pp含まれている。ガス排出
管6の途中に、排出ガス中に含まれる有機物などの微粒
子を捕獲するためのフィルター11、二酸化炭素を検出
するためのセンサー12を設けることにより、除去処理
の終点を検知することができる。
排出ガスには、除去処理中または処理後に生成する有機
物などの微粒子が多く含まれており、配管の内面やセン
サーのガス流路部に堆積する。この結果、配管の詰まり
、センサーの検出精度の低下などが発生し、終点検知の
信頼性の低下を招く。
フィルター11は、上記課題を解決するために必須のも
のであり検出するガスの種類は問わない。
〔発明の効果〕
上記のように本発明による有機物除去装置は、大気圧下
で、紫外線とオゾンと熱によって、有機物を灰化除去す
る有機物除去装置において、被処理物に非接触で近接対
向する透明隔壁板の、被処理物に対向する面に設けたガ
ス排出口より導かれた配管の途中に、微粒子除去手段お
よびガス検知手段を設けることにより、有機物除去処理
の終点が検知できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による有機物除去装置の実施例を示す構
成図である。 2・・・被処理物、4・隔壁板、5・・・ガス導入口、
6・・ガス排出口、7・・紫外線ランプ、11・・・微
粒子除去手段、12・・・ガス検知手段。 〆

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、大気圧下で、紫外線とオゾンと熱によつて、有機物
    を灰化除去する有機物除去装置において、被処理物に非
    接触で近接対向する透明隔壁板を設け、上記隔壁板の被
    処理物に対向する面に設けたガス排出口より導かれた配
    管の途中にガス検知手段を有し、上記ガス排出口と上記
    ガス検知手段との間に微粒子を除去する手段を設けたこ
    とを特徴とする有機物除去装置。 2、上記ガス検知手段により検知するガスは、二酸化炭
    素であることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
    した有機物除去装置。
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