JPH0327517A - レジスト剥離終点検出装置 - Google Patents
レジスト剥離終点検出装置Info
- Publication number
- JPH0327517A JPH0327517A JP16068889A JP16068889A JPH0327517A JP H0327517 A JPH0327517 A JP H0327517A JP 16068889 A JP16068889 A JP 16068889A JP 16068889 A JP16068889 A JP 16068889A JP H0327517 A JPH0327517 A JP H0327517A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- carbon dioxide
- ozone
- substrate
- end point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 82
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分舒]
本発明は、オゾンを用いたレジスト剥離装置に関するも
のであり、特に、レジストが完全に剥離された時点を検
出するレジスト剥離終点検出装置に係るものである。
のであり、特に、レジストが完全に剥離された時点を検
出するレジスト剥離終点検出装置に係るものである。
[従来の技術]
一般に、半導体および岐晶の製造過程において、ウェハ
や基板の表面は、以下のように加工されている。すなわ
ち、第2図に示すように、基板1の表面には、レジスト
2が塗布され、このレジスト2は、露光、現像されてレ
ジス1・パターン2aを形成する。そして、このレジス
トパターン2aをマスクとしてエッチング処理を行う。
や基板の表面は、以下のように加工されている。すなわ
ち、第2図に示すように、基板1の表面には、レジスト
2が塗布され、このレジスト2は、露光、現像されてレ
ジス1・パターン2aを形成する。そして、このレジス
トパターン2aをマスクとしてエッチング処理を行う。
その後、レジス1・2を基板1から除去する必要がある
。この際、レジスト剥離装置が使用されるが、従来例と
しては、第3図に示すように、オゾンおよび紫外線を利
用したものが提案されている。
。この際、レジスト剥離装置が使用されるが、従来例と
しては、第3図に示すように、オゾンおよび紫外線を利
用したものが提案されている。
すなわち、密閉可能な処理槽3には、ヒーター4が内蔵
された処理台5が設置されている。また、処理槽3の天
井には、複数のノズル6を有するオゾン発生器7および
所定の波長の紫外線を照対する複数の紫外線ランプ8が
設けられている。さらに、処理槽3には、酸素を取入れ
る給気口3aおよび処理槽3内のガスを排気する排気口
3bが形成されている。
された処理台5が設置されている。また、処理槽3の天
井には、複数のノズル6を有するオゾン発生器7および
所定の波長の紫外線を照対する複数の紫外線ランプ8が
設けられている。さらに、処理槽3には、酸素を取入れ
る給気口3aおよび処理槽3内のガスを排気する排気口
3bが形成されている。
このような構成を有する従来例は、次のようにして基板
1からレジスト2を剥離する。
1からレジスト2を剥離する。
すなわち、エッチング処理工程後、レジスト2が被着し
ている基板1が、処理槽3の処理台5上に搬入され、給
気口3aから酸素が取入れられた後、処理槽3は密閉さ
れる。そして、この酸素雰囲気中で紫外線ランプ8から
所定の紫外線を照射されると、オゾン9が励起される。
ている基板1が、処理槽3の処理台5上に搬入され、給
気口3aから酸素が取入れられた後、処理槽3は密閉さ
れる。そして、この酸素雰囲気中で紫外線ランプ8から
所定の紫外線を照射されると、オゾン9が励起される。
と同時に、オゾン発生器7が動作して、ノズル6から基
板1−1に、オゾン9を供給する。このようなオゾン雰
囲気中で、有機化合物であるレジスト2が酸化反応を起
こして酸化し、二酸化炭素や水蒸気として剥離される。
板1−1に、オゾン9を供給する。このようなオゾン雰
囲気中で、有機化合物であるレジスト2が酸化反応を起
こして酸化し、二酸化炭素や水蒸気として剥離される。
この時、約200度に加熱するヒータ4が、レジス}−
2の酸化反応速度を促進させている。最後に、剥離処理
終了後、排気口3bが開けられ、処理槽1内部のガスを
排出される。
2の酸化反応速度を促進させている。最後に、剥離処理
終了後、排気口3bが開けられ、処理槽1内部のガスを
排出される。
以上のようなオゾンを利用したレジス1・剥離装置によ
れげ、化学的に剥離処理を行うため、基板に与えるダメ
ージを最小限に抑えつつ、基板に被着したレジストを確
実に剥離することができる。
れげ、化学的に剥離処理を行うため、基板に与えるダメ
ージを最小限に抑えつつ、基板に被着したレジストを確
実に剥離することができる。
ところで、以上のようなレジスト剥離処理完了のタイミ
ングを検出する手段として、レジスト2表面と基板1表
面の光反射強度の変化を測定していた。
ングを検出する手段として、レジスト2表面と基板1表
面の光反射強度の変化を測定していた。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、以上のような従来例においては、次のような課
題が指摘されていた。
題が指摘されていた。
すなわち、反射強度の測定可能なエリアが、基板1表面
において、通常、最大値でφ20程度というごく一部に
限定されていた。そのため、測定精度に限界があると共
に、基板の全面に渡ってレジス1・の残留を検出するこ
とが難しかった。しかも、紫外線の照射環境下で、光反
射強度の変化を測定しなくてはならないため、紫外線の
影響を除外することが大きな問題となっていた。。
において、通常、最大値でφ20程度というごく一部に
限定されていた。そのため、測定精度に限界があると共
に、基板の全面に渡ってレジス1・の残留を検出するこ
とが難しかった。しかも、紫外線の照射環境下で、光反
射強度の変化を測定しなくてはならないため、紫外線の
影響を除外することが大きな問題となっていた。。
以」二のように、従来技術におけるレジスト剥離終点検
出装置は、測定精度が低く、基板全面に渡ってレジスト
残留を検出することが困難であると同時に、紫外線照射
やオゾン供給を過度に行って3 しまい、ランニングコストが高騰していた。
出装置は、測定精度が低く、基板全面に渡ってレジスト
残留を検出することが困難であると同時に、紫外線照射
やオゾン供給を過度に行って3 しまい、ランニングコストが高騰していた。
本発明のレジスト剥離終点検出装置は、」二記のような
従来技術の持つ課題を解決するために提案されたもので
あり、その目的は、確実にレジス1・の剥離処理の終点
タイミングを検出する測定精度の高いレジス1・剥離終
点検出装置を提供することである。
従来技術の持つ課題を解決するために提案されたもので
あり、その目的は、確実にレジス1・の剥離処理の終点
タイミングを検出する測定精度の高いレジス1・剥離終
点検出装置を提供することである。
[課題を解決するための手段]
本発明のレジスト剥離終点検出装置は、以」二のような
課題を解決するために、密閉した処理槽内で、オゾンに
よって基板からレジストを剥離するレジスト剥離装置に
おいて、処理槽に、処理槽内のガスを排出する排気口を
形成し、この排気口に連続してオゾン除去装置を配設し
、さらに、このオゾン除去装置を通過したガス中の二酸
化炭素の残存量を測定する二酸化炭素モニタを備えたこ
とを特徴とする。
課題を解決するために、密閉した処理槽内で、オゾンに
よって基板からレジストを剥離するレジスト剥離装置に
おいて、処理槽に、処理槽内のガスを排出する排気口を
形成し、この排気口に連続してオゾン除去装置を配設し
、さらに、このオゾン除去装置を通過したガス中の二酸
化炭素の残存量を測定する二酸化炭素モニタを備えたこ
とを特徴とする。
[作用コ
以上のような構成を有する本発明の作用は次の通りであ
る。
る。
4
すなわち、レジストが被着している基板にオゾンが供給
されると、オゾンの酸化反応により、高分子であるレジ
ストは、二酸化炭素や水蒸気などのガスとなって剥離し
、処理槽の排気口から排出される。この排気ガスは、排
気口に連続して配設しているオゾン除去装置を通過し、
オゾンが除去される。さらに、二酸化炭素モニタが、オ
ゾン除去装置を通過したガス中の二酸化炭素の残存量を
測定する。そして、二酸化炭素モニタが、残存する二酸
化炭素が検出しなくなった状態を示す時、二酸化炭素の
生成原料となる有機物(炭素化合物)であるレジストが
消滅したことを示し、この時点をレジストの剥離処理工
程の終点とすることができる。
されると、オゾンの酸化反応により、高分子であるレジ
ストは、二酸化炭素や水蒸気などのガスとなって剥離し
、処理槽の排気口から排出される。この排気ガスは、排
気口に連続して配設しているオゾン除去装置を通過し、
オゾンが除去される。さらに、二酸化炭素モニタが、オ
ゾン除去装置を通過したガス中の二酸化炭素の残存量を
測定する。そして、二酸化炭素モニタが、残存する二酸
化炭素が検出しなくなった状態を示す時、二酸化炭素の
生成原料となる有機物(炭素化合物)であるレジストが
消滅したことを示し、この時点をレジストの剥離処理工
程の終点とすることができる。
以」一のように、本発明によれば、二酸化炭素モニタが
、レジス1・の剥離処理工程の終点を検出するため、被
処理基板の全面に渡ってレジストの残存量を検出するこ
とが可能であり、しかも、紫外線の影響をまったく考慮
しなくとも良いため、検出精度が向」ニする。
、レジス1・の剥離処理工程の終点を検出するため、被
処理基板の全面に渡ってレジストの残存量を検出するこ
とが可能であり、しかも、紫外線の影響をまったく考慮
しなくとも良いため、検出精度が向」ニする。
[実施例]
以」二説明したような本発明のレジスト剥離終点検出装
置の一実施例を図面に基づいて具体的に説明する。
置の一実施例を図面に基づいて具体的に説明する。
なお、従来技術と同様の部材に関しては同符号を付し、
説明は省略する。
説明は省略する。
すなわち、第1図に示すように、密閉した処理槽内3に
は、処理槽3内のガスを排出する排気口10が形戊され
ている。また、この排気口10から延びる排気路13を
介してオゾン除去装置11が配設されている。このオゾ
ン除去装置11は、オゾン9を除去する触媒11aを有
している。さらに、このオゾン除去装置11に連続して
、排気路13上に、オゾン除去装置11を通過したガス
中の二酸化炭素の残存量を測定する二酸化炭素モニタ1
2が設けられている。
は、処理槽3内のガスを排出する排気口10が形戊され
ている。また、この排気口10から延びる排気路13を
介してオゾン除去装置11が配設されている。このオゾ
ン除去装置11は、オゾン9を除去する触媒11aを有
している。さらに、このオゾン除去装置11に連続して
、排気路13上に、オゾン除去装置11を通過したガス
中の二酸化炭素の残存量を測定する二酸化炭素モニタ1
2が設けられている。
以上のような構成を有する本実施例の作用は以下の通り
である。
である。
すなわち、エッチング処理工程後、レジスト2が被着し
ている基板1は、密閉された処理槽3に搬入され、紫外
線ランプ8から紫外線照射されてオゾン9が励起すると
同時に、オゾン発生器7のノズル6からオゾン9を供給
する。このようなオゾン雰囲気中で、レジスト2が酸化
反応を起こし、ヒータ8がレジスト2の酸化反応速度を
促進させて二酸化炭素や水蒸気として剥離される。そし
て、剥離処理終了後、排気口10が開けられ、処理槽1
内部の排気ガス14が排出する。
ている基板1は、密閉された処理槽3に搬入され、紫外
線ランプ8から紫外線照射されてオゾン9が励起すると
同時に、オゾン発生器7のノズル6からオゾン9を供給
する。このようなオゾン雰囲気中で、レジスト2が酸化
反応を起こし、ヒータ8がレジスト2の酸化反応速度を
促進させて二酸化炭素や水蒸気として剥離される。そし
て、剥離処理終了後、排気口10が開けられ、処理槽1
内部の排気ガス14が排出する。
この排気ガス14は、排気路13を介してオゾン除去装
置11を通過し、触媒11aによって、オゾン9が除去
される。さらに、オゾン9が除去されて共存するガスが
混入していない排気ガス13は、二酸化炭素のみとなり
、排気路13を介して二酸化炭素モニタ12を通過する
。この時、二酸化炭素モニタ12が排気ガス14中の二
酸化炭素濃度から、その残存量を測定する。
置11を通過し、触媒11aによって、オゾン9が除去
される。さらに、オゾン9が除去されて共存するガスが
混入していない排気ガス13は、二酸化炭素のみとなり
、排気路13を介して二酸化炭素モニタ12を通過する
。この時、二酸化炭素モニタ12が排気ガス14中の二
酸化炭素濃度から、その残存量を測定する。
以」一のような剥離処理工程および残存する二酸化炭素
の濃度測定を繰り返し、二酸化炭素モニタ12が、二酸
化炭素濃度が零になった場合、二酸化炭素の生戒原料と
なるレジスト2が消滅したことを示し、この時点をレジ
スト2の剥離処理工程の終点として検出することができ
る。
の濃度測定を繰り返し、二酸化炭素モニタ12が、二酸
化炭素濃度が零になった場合、二酸化炭素の生戒原料と
なるレジスト2が消滅したことを示し、この時点をレジ
スト2の剥離処理工程の終点として検出することができ
る。
以上のように、本実施例によれば、二酸化炭素モニタ1
2が、レジスト2が剥離したことによって発生する二酸
化炭素の残存量からレジスト2の剥離処理工程の終点を
検出するため、基板1の全面に渡ってレジストの残存量
を検出することが可能であり、基板1にレジスト2が残
存しているということがない。しかも、二酸化炭素モニ
タ12は容易に準備できるため、生産コストが安価であ
る。また、二酸化炭素の濃度測定であるため、紫外線の
影響をまったく考慮しなくとも良く、紫外線ランプ8を
使用しても、検出精度が低下するということがない。
2が、レジスト2が剥離したことによって発生する二酸
化炭素の残存量からレジスト2の剥離処理工程の終点を
検出するため、基板1の全面に渡ってレジストの残存量
を検出することが可能であり、基板1にレジスト2が残
存しているということがない。しかも、二酸化炭素モニ
タ12は容易に準備できるため、生産コストが安価であ
る。また、二酸化炭素の濃度測定であるため、紫外線の
影響をまったく考慮しなくとも良く、紫外線ランプ8を
使用しても、検出精度が低下するということがない。
なお、本発明のレジスト剥離終点検出装置は、以上のよ
うな実施例に限定されるものではなく、オゾン除去装置
や二酸化炭素モニタの設置箇所などは適宜選択可能であ
る。
うな実施例に限定されるものではなく、オゾン除去装置
や二酸化炭素モニタの設置箇所などは適宜選択可能であ
る。
[発明の効果コ
以」一述べたように、本発明のレジスト剥離終点検出装
置によれば、処理槽内のガスを排出する排気口を形成し
、この排気口に連続してオゾン除去装置を配設し、さら
に、このオゾン除去装置を通過したガス中の二酸化炭素
の残存量を測定する二酸化炭素モニタを備えるという簡
単な構成によって、二酸化炭素モニタが、残存する二酸
化炭素が検出しなくなった状態を示す時、二酸化炭素の
生成原料となるレジストが消滅したことを示し、この時
点をレジストの剥離処理工程の終点として検出し、その
ため、基板の全面に渡ってレジストの残存量を検出する
ことが可能であり、しかも、紫外線の影響をまったく考
慮しなくとも良いため、検出精度が向上し、それにより
、オゾン過供給を防止して、ランニングコストを削減で
きる優れたレジスト剥離終点検出装置を提供することが
できる。
置によれば、処理槽内のガスを排出する排気口を形成し
、この排気口に連続してオゾン除去装置を配設し、さら
に、このオゾン除去装置を通過したガス中の二酸化炭素
の残存量を測定する二酸化炭素モニタを備えるという簡
単な構成によって、二酸化炭素モニタが、残存する二酸
化炭素が検出しなくなった状態を示す時、二酸化炭素の
生成原料となるレジストが消滅したことを示し、この時
点をレジストの剥離処理工程の終点として検出し、その
ため、基板の全面に渡ってレジストの残存量を検出する
ことが可能であり、しかも、紫外線の影響をまったく考
慮しなくとも良いため、検出精度が向上し、それにより
、オゾン過供給を防止して、ランニングコストを削減で
きる優れたレジスト剥離終点検出装置を提供することが
できる。
第1図は本実施例の概略説明図、第2図(A)〜(C)
はレジス)・が被着した基板の断面図、第3図は従来例
の概略説明図である。 1・・・基板、2・・・レジス
ト、3・・・処理槽、4・・・ヒーター 5・・・処理
台、6・・・ノズル、7・・・オゾン発生器、8・・・
紫外線ランプ、9・・・オゾン、10・・・排気口、1
1・・・オゾン除去装置、12・・・二酸化炭素モニタ
、13・・・排気路、14・・・排気ガス。
はレジス)・が被着した基板の断面図、第3図は従来例
の概略説明図である。 1・・・基板、2・・・レジス
ト、3・・・処理槽、4・・・ヒーター 5・・・処理
台、6・・・ノズル、7・・・オゾン発生器、8・・・
紫外線ランプ、9・・・オゾン、10・・・排気口、1
1・・・オゾン除去装置、12・・・二酸化炭素モニタ
、13・・・排気路、14・・・排気ガス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 密閉した処理槽内で、オゾンを用いてレジストが被着し
た基板からレジストを剥離するレジスト剥離装置におい
て、 処理槽に、処理槽内のガスを排出する排気口を形成し、 前記排気口に連続してオゾン除去装置を配設し、前記オ
ゾン除去装置を通過したガス中の二酸化炭素の残存量を
測定する二酸化炭素モニタを設置する、 以上のことを備えたことを特徴とするレジスト剥離終点
検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16068889A JPH0327517A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | レジスト剥離終点検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16068889A JPH0327517A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | レジスト剥離終点検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0327517A true JPH0327517A (ja) | 1991-02-05 |
Family
ID=15720321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16068889A Pending JPH0327517A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | レジスト剥離終点検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0327517A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6790783B1 (en) * | 1999-05-27 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor fabrication apparatus |
-
1989
- 1989-06-26 JP JP16068889A patent/JPH0327517A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6790783B1 (en) * | 1999-05-27 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor fabrication apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4341592A (en) | Method for removing photoresist layer from substrate by ozone treatment | |
KR960002620A (ko) | 웨이퍼 및 기판 처리 장치 및 처리 방법, 웨이퍼 및 기판 이동 적재 장치 | |
US4296146A (en) | Method for removing resist layer from substrate with combustible gas burnoff | |
TW200600607A (en) | System and method of removing chamber residues from a plasma processing system in a dry cleaning process | |
JP2000294530A (ja) | 半導体基板の洗浄方法及びその洗浄装置 | |
KR930003876B1 (ko) | 플라즈마에싱방법 | |
EP1237177A3 (en) | Apparatus and method for etching semiconductor wafers | |
US20170123320A1 (en) | Method for removing photoresist | |
JPH0327517A (ja) | レジスト剥離終点検出装置 | |
JPH09171999A (ja) | プラズマクリーニング処理方法 | |
JPH0719764B2 (ja) | 表面洗浄方法 | |
JPH05304089A (ja) | 基板表面からのレジストの除去方法並びに装置 | |
JPH11258206A (ja) | 光触媒評価方法および評価装置 | |
JP2833917B2 (ja) | 溶剤蒸気処理装置 | |
JPH01111334A (ja) | 除去方法および装置 | |
JPS6127635A (ja) | フオトレジストの高能率乾式除去装置 | |
KR100466969B1 (ko) | 반도체플라스마식각챔버의공정부산물제거방법 | |
JPH01186619A (ja) | 有機物分解除去方法及び装置 | |
JP3301954B2 (ja) | ドライエッチング装置のパーティクル測定方法 | |
JPH11145115A (ja) | アッシング装置のクリーニング方法 | |
KR100558490B1 (ko) | 램프 모니터링수단을 구비한 반도체 제조장치 | |
JPH03253020A (ja) | 有機物除去装置 | |
JP2007184285A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JPH0777212B2 (ja) | 基板のレジスト除去洗浄方法 | |
JP2004356487A (ja) | 有機物層の除去方法 |