JPH0410526A - 有機物除去装置 - Google Patents

有機物除去装置

Info

Publication number
JPH0410526A
JPH0410526A JP11000490A JP11000490A JPH0410526A JP H0410526 A JPH0410526 A JP H0410526A JP 11000490 A JP11000490 A JP 11000490A JP 11000490 A JP11000490 A JP 11000490A JP H0410526 A JPH0410526 A JP H0410526A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
gas flow
flow channel
organic matter
produced
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11000490A
Other languages
English (en)
Inventor
Sumio Yamaguchi
山口 純男
Akiisa Inada
稲田 暁勇
Kenichi Kawasumi
川澄 建一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP11000490A priority Critical patent/JPH0410526A/ja
Publication of JPH0410526A publication Critical patent/JPH0410526A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】
本発明は、有機物の除去状態が検知できる、レジスト等
の有機物除去装置に関するものである。 [従来の技術] 半導体の製造工程では、ホトレジストなどの有機レジス
ト膜をマスクとして使用するが、エツチングやドーピン
グを行った後、不要になった上記有機レジスト膜を除去
するのに、薬液を用いる湿式方式に代り、プラズマによ
って雰囲気中の酸素原子を活性化し、上記レジスト膜を
酸化除去する方法が多く採用されている。 上記プラズマ方式は、半導体デバイスがプラズマにさら
されプラズマによるチャージアップのために、上記半導
体デバイスにダメージを生じる。 従って、上記ダメージを最小限度に抑制するためには、
有機物除去処理の終点を検出することが必須であり、特
開昭63−70427号に記載されているような処理に
関連するガスの、ガス検出方法が用いられている。 一方、半導体は特定用途向集積回路などに見られるよう
に少量多品種化も進んでおり、従来、上記プラズマ方式
のようなダメージが無いために一定の処理時間管理で除
去処理をしていた光アッシャにおいても終点検出機能が
要求されるようになり、例えば、有機物の灰化に伴って
生成したガスを、微粒子除去手段を通してガス検知手段
に導き、処理の終点を検出するような方法が用いられて
いる。
【発明が解決しようとする課題) 光アッシャ等における上記従来技術は、有機物の灰化に伴い生成したガスを微粒子除去手段を通してガス検知手段に導き処理の終点を検知しているが、生成ガスが微粒子除去手段に導かれるまでのガス流路で、生成ガスの一部が熱凝縮により固化堆積するためガス流路に目づまりを生じ終点検出が不安定になる。 本発明は、上記ガス流路の目づまりを防ぎ、除去処理中のガス濃度の変化を経時劣化することなく安定に検出することができる有機物除去処理装置を得ることを目的とする。 【課題を解決するための手段】
上記目的は、被処理物に近接対向して設置した隔壁板に
設けたガス排出口から微粒子除去手段までのガス流路に
温度制御機構を設けることによって達成される。
【作用】
被処理物と被処理物に近接対向して設けた隔壁板との間
隙には、ガス導入口から流入した反応ガスと被処理物表
面から生成したガスだけが充満しており、これらのガス
は上記被処理物の周辺から排出される。上記生成ガスを
、上記隔壁板に設けたガス排出口から採集し、微粒子除
去手段を通してガス検知手段に導き分析することによっ
て除去処理の終点を検知する。 微粒子除去手段は、採集ガス中に含まれる不純物などの
微粒子を捕獲しガス検知手段の汚染を防止する。一方、
温度制御機構はガス排出口と微粒子除去手段との間のガ
ス流路内に生成ガス中の有機物などが熱凝縮し堆積する
のを防止する。 【実施例) 次に本発明の実施例を図面とともに説明する。 第1図は本発明による有機物除去装置の一実施例を示す
構成図である。半導体装置の製造プロセスの一工程に、
レジスト膜の除去工程がある。その−手段として、大気
圧下で紫外線とオゾンを用いて有機レジスト膜を除去す
る方法があるが、反応ガスとしてオゾンを供給し、紫外
線によって上記オゾンを活性な酸素原子に変え、ウェー
ハやマスク等に塗布されたレジストと反応させ、炭酸ガ
ス、水などに分解気化させて排出する。一般には反応を
さらに促進させる目的で被処理物の温度を上げるための
加熱機構を付加している。 第1図に示す処理室1は大気圧であり、上記処理室1内
にはウェーハ2を搭載し加熱するためのステージ3、お
よび上記ウェーハ2の表面に反応ガスであるオゾンを効
率良く流し、かつ、紫外線を透過する石英製の隔壁板4
、さらにオゾンガスを供給するためのガス導入口5と反
応後の生成ガスを排出するガス排出口6、および紫外線
を放射する紫外線ランプ7により構成されている。 レジストを塗布したウェーハ2を150℃〜300℃に
加熱し、ガス導入口5からオゾンを導入する。上記オゾ
ンはウェーハ2と隔壁板4との間の間隙を流れて処理室
1内に導入される。上記隔壁板4の上部に設置された紫
外線ランプ7により、上記オゾンは活性な酸素原子(ラ
ジカル酸素)となり、レジストを炭酸ガスや水などに分
解し処理室1内に排出される。これら処理室1内に排出
されたガスは、−30mmAq1度の圧力で排気ダクト
に導かれる。一方、隔壁板4に設けたガス排出口6から
も同様に同じガスが排出される。 除去処理中の排出ガスには、前述のごとく二酸化炭素が
数100〜数110000pp含まれている。ガス排出
口6から導かれる配管の途中に、二酸化炭素を検出する
ためのセンサー12を設けることにより、除去処理の終
点を検知することができる。 フィルター11は、排出ガス中に含まれる有機物などの
微粒子を捕獲し配管の内面やセンサーのガス流路部に堆
積することを防ぐ。しかし、150℃〜300℃の雰囲
気で灰化生成されたガスはフィルター11に達するまで
のガス流路内で冷却され、生成ガスの一部が熱凝縮によ
り固化堆積するためガス流路に目づまりが生しる。温度
制御機構21は、生成ガスが熱凝縮することなくフィル
ター11に流入するようにガス流路の温度を制御するも
のである。また、フィルター11は流入するガスが熱凝
縮する程度の温度に冷却することにより、微粒子の捕獲
効率を向上できる。 [発明の効果] 上記のように本発明による有機物除去装置は、紫外線と
オゾンと熱によって有機物を灰化除去するときに生成す
るガスを、ガス流路およびガス検知手段を汚染すること
なく採集できるため、経時劣化のない信頼性の高い終点
検出が可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例による有機物除去装置を示す構
成図である。 符号の説明 2・・・被処理物、4・・・隔壁板、5・・・ガス導入
口、6・・・ガス排出口、7・・・紫外線ランプ、11
・・・微粒子除去手段、12・・・ガス検知手段、13
・・・ガス流量調整機構、21・・・温度制御機構

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、大気圧下で、紫外線とオゾンと熱によって、有機物
    を灰化し、生成ガスを微粒子除去手段を通して採取、分
    析し、除去処理の終点を検知する手段を有する有機物除
    去装置において、生成ガス採集口から微粒子除去手段の
    ガス導入口に至るガス流路に温度制御機構を設けたこと
    を特徴とする有機物除去装置。
JP11000490A 1990-04-27 1990-04-27 有機物除去装置 Pending JPH0410526A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11000490A JPH0410526A (ja) 1990-04-27 1990-04-27 有機物除去装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11000490A JPH0410526A (ja) 1990-04-27 1990-04-27 有機物除去装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0410526A true JPH0410526A (ja) 1992-01-14

Family

ID=14524665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11000490A Pending JPH0410526A (ja) 1990-04-27 1990-04-27 有機物除去装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0410526A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10861681B2 (en) Apparatus for collection and subsequent reaction of liquid and solid effluent into gaseous effluent
US6334928B1 (en) Semiconductor processing system and method of using the same
TWI692542B (zh) 電漿前級熱反應器系統
US8657942B2 (en) Trap device
JP2020501374A (ja) フォアライン固形物形成定量化のための水晶振動子微量天秤の利用
US20060033893A1 (en) Exposure technique
JPH0410526A (ja) 有機物除去装置
JP2696024B2 (ja) ウェット処理装置及びその制御方法
WO2017078415A1 (ko) 수은 함유 폐기물의 처리 장치 및 이러한 장치를 사용한 고순도 원소 수은의 회수 방법
JPH04150903A (ja) トラップ装置
KR100483577B1 (ko) 폐가스 처리장치
JPH04321218A (ja) 有機物除去装置
JP3020535B2 (ja) 有機物除去装置
JPH053152A (ja) 有機物除去装置
US6228170B1 (en) Method and apparatus for regulating chamber pressure
JPH03253020A (ja) 有機物除去装置
JP2000197807A (ja) 排気ガス処理装置
JPH03106021A (ja) アッシング装置
JPH0635650B2 (ja) 超高純度ガス供給装置
JPH0332022A (ja) 有機物除去装置
KR20000051830A (ko) 반도체 장비의 파우더 포집장치
JPH0327519A (ja) 有機物除去装置
KR20020044187A (ko) 반도체 제조장비의 이물질 제거장치
TW567087B (en) Method and apparatus for combustion harmfulness-elimination of PFC gas
KR200249752Y1 (ko) 폐기가스 분진제거장치의 반응챔버