JPH03106021A - アッシング装置 - Google Patents
アッシング装置Info
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- JPH03106021A JPH03106021A JP24577889A JP24577889A JPH03106021A JP H03106021 A JPH03106021 A JP H03106021A JP 24577889 A JP24577889 A JP 24577889A JP 24577889 A JP24577889 A JP 24577889A JP H03106021 A JPH03106021 A JP H03106021A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Filtering Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明はアッシング装置に関する。
半導体製造工程において、フォトレジスト膜を介して下
地のエッチングが行われて微細加工の終了した半導体ウ
エーハやLCD基板等の被処理基板については、マスク
に用いた上記レジスト膜を、この基板表面から除去する
必要がある。このような場合のフォトレジスト膜の除去
処理例として、従来から、アッンング処理が行われてい
る。 このアッシング処理は、露出される下地膜を傷めること
なく不要なレジスト膜を選択的に除去できる点で実用さ
れる。また、このアッシング処理は、レジストの除去、
シリコンウェーハ、マスクの洗浄の他、インクの除去、
溶剤残留物の除去などにも使用され、半導体プロセスの
ドライクリーニング処理を行う場合にも適するものであ
る。 この種のアッシング装置のうち、オゾンを含有するガス
を用いたものとして、例えば特開昭52−20768号
公報に開示された装置が知られている。 この装置において、生成される排気ガスはチャンバーの
底面側に設けられた排気口から排気管を介して強制的に
吸引されて排気される。
地のエッチングが行われて微細加工の終了した半導体ウ
エーハやLCD基板等の被処理基板については、マスク
に用いた上記レジスト膜を、この基板表面から除去する
必要がある。このような場合のフォトレジスト膜の除去
処理例として、従来から、アッンング処理が行われてい
る。 このアッシング処理は、露出される下地膜を傷めること
なく不要なレジスト膜を選択的に除去できる点で実用さ
れる。また、このアッシング処理は、レジストの除去、
シリコンウェーハ、マスクの洗浄の他、インクの除去、
溶剤残留物の除去などにも使用され、半導体プロセスの
ドライクリーニング処理を行う場合にも適するものであ
る。 この種のアッシング装置のうち、オゾンを含有するガス
を用いたものとして、例えば特開昭52−20768号
公報に開示された装置が知られている。 この装置において、生成される排気ガスはチャンバーの
底面側に設けられた排気口から排気管を介して強制的に
吸引されて排気される。
このようなアッシング装置を量産工程に配置したとき、
灰化ガスが、熱いうちはガス化しているが、排気管では
冷えて排気管の壁面に付着し、ついには排気管を塞いで
しまう。そのため、従来、一般には、排気管が詰まって
しまわないように定期的に清掃したり、詰まってしまっ
た排気管を交換したりしており、保守が非常に厄介であ
った。 そこで、排気系中に高温分解処理室を揮人し、例えば8
00〜1200℃という高温で、再分解することが考え
られた。 しかしながら、このように高温分解処理室を設けること
は装置が高価になる欠点がある。 この発明は、以上の点に鑑み、安価で、保守の簡単なア
ッシング装置を提供することを目的とする。
灰化ガスが、熱いうちはガス化しているが、排気管では
冷えて排気管の壁面に付着し、ついには排気管を塞いで
しまう。そのため、従来、一般には、排気管が詰まって
しまわないように定期的に清掃したり、詰まってしまっ
た排気管を交換したりしており、保守が非常に厄介であ
った。 そこで、排気系中に高温分解処理室を揮人し、例えば8
00〜1200℃という高温で、再分解することが考え
られた。 しかしながら、このように高温分解処理室を設けること
は装置が高価になる欠点がある。 この発明は、以上の点に鑑み、安価で、保守の簡単なア
ッシング装置を提供することを目的とする。
この発明は、被処理体にアッシングガスを供給し、排ガ
スを排気しながらアッシング処理するアッシング装置に
おいて、 排気経路中にガラス繊維からなるフィルタを設けたこと
を特徴とする。
スを排気しながらアッシング処理するアッシング装置に
おいて、 排気経路中にガラス繊維からなるフィルタを設けたこと
を特徴とする。
この発明では、分解しきれずに残留するデポジション(
以下単にデポという)は、フィルタにより除去する。フ
ィルタによりデボを除去してしまうので、排気管の管壁
にそれが付着して排気管自身が閉塞してしまうことはな
い。そして、排気状態が悪化したときは、フィルタを交
換すればよいので、保守も非常に簡単である。 また、この場合に、フィルタ材料としては、ガラス繊維
を用いている。これにより、次ぎのような作用効果が得
られる。 先ず、酸に強いこと。すなわち、アッシングにより、レ
ジスト等は水と炭素系の物質に分解されるが、レジスト
中にアッシング用酸素ガスと化合することにより、硝酸
等の強酸になるものが存在する場合がある。このため、
フィルタ材料としては、酸に耐えられる物質でなければ
ならないが、ガラス繊維はこれを十分に満足する。 次に、交換が頻紮でなく、また、価格が安価である。酸
に強いフィルタ材料としてはテフロン系繊維が考えられ
るが、高価であるとともに、長くても1週間程度でフィ
ルタが詰まってしまい、フィルタの交換を頻繁に行わな
ければならない。これに対し、ガラス繊維からなるフィ
ルタは、安価であると共に、長期に渡ってフィルタが詰
まることはなく、交換が少なくて済む。
以下単にデポという)は、フィルタにより除去する。フ
ィルタによりデボを除去してしまうので、排気管の管壁
にそれが付着して排気管自身が閉塞してしまうことはな
い。そして、排気状態が悪化したときは、フィルタを交
換すればよいので、保守も非常に簡単である。 また、この場合に、フィルタ材料としては、ガラス繊維
を用いている。これにより、次ぎのような作用効果が得
られる。 先ず、酸に強いこと。すなわち、アッシングにより、レ
ジスト等は水と炭素系の物質に分解されるが、レジスト
中にアッシング用酸素ガスと化合することにより、硝酸
等の強酸になるものが存在する場合がある。このため、
フィルタ材料としては、酸に耐えられる物質でなければ
ならないが、ガラス繊維はこれを十分に満足する。 次に、交換が頻紮でなく、また、価格が安価である。酸
に強いフィルタ材料としてはテフロン系繊維が考えられ
るが、高価であるとともに、長くても1週間程度でフィ
ルタが詰まってしまい、フィルタの交換を頻繁に行わな
ければならない。これに対し、ガラス繊維からなるフィ
ルタは、安価であると共に、長期に渡ってフィルタが詰
まることはなく、交換が少なくて済む。
以下、この発明によるアツシング装置の一実施例を、図
を参照しながら説明する。 第1図は、この実施例のアツシング装置を示し、アッシ
ング用反応チャンバー1内には、処理対象物の例として
の半導体ウエーノ\2が載置される加熱仮3と、この加
熱板3に対向するようにガス拡散板4が設けられている
。 加熱板3は、例えばSUSやアルミニウムからなる金属
板からなり、図示しないが加熱手段として例えば抵抗発
熱ヒータが内蔵されており、その上面に載置された半導
体ウエ’\2を加熱可能に構或されている。 そして、この加熱板3には、図示しないが、基板昇降装
置に接続された複数本例えば3本のピンが加熱板3を貫
通する如く設けられており、半導体ウエーハ2のロード
・アンロード時には、これらのピン上に半導体ウエーハ
2を保持するよう構成されている。 また、この加熱板3には半導体ウェーハ2を真空吸引す
るための真空チャックパターンとしての空気抜き用満が
形成されている。 また、ガス拡散板4には、図示しないが処理ガス(オゾ
ンを含むガス)を噴出させるための開口が設けられてい
る。 そして、ガス拡散板4には、流量調節装置5を介して、
昇圧装置6が接続されている。この昇圧装置7としては
、例えばブランジャー・ボンブ、ベローズボンプ、ダイ
ヤフラムポンプ等の昇圧ポンプが使用できる。そして、
この昇圧装置6には、酸素供給装置7から供給される酸
素からオゾンを発生させるオゾン発生装置8と、2次ガ
ス供給装置9から供給される2次ガスを励起する2次ガ
ス励起装置10が接続されている。 オゾン発生装置8としては、例えば無声放電、コロナ放
電、グロー放電等によってオゾンを発生させる装置等を
用いることができる。 一方、チャンバー1の底面の加熱板3の周囲には、環状
の排気口11が形成され、この排気口11は排気管12
に連通されている。そして、この排気管12は排気ボン
プ13に接続され、この排気ボンプ13によって排ガス
は排気管12を介して強制吸引され、さらにポンプ13
から工場の排気系に排気されるようにされている。なお
、図示しないが、チャンバー1の底面には、環状に冷却
水が流されており、排気口11は、加熱板3と環状の冷
却水の経路との間に設けられている。 そして、排気管12の経路の、例えばチャンバー1に近
い位置には、排気管12に対し、継ぎ手14及び15に
より接続されて、フィルタ装置16が設けられる。この
フィルタ装置16内には、ガラス繊維、例えばグラスウ
ール(例えば商品名テキストグラス,KS2750)が
詰め込まれている。排気管12中を流れ、継ぎ手14側
からフィルタ装置16に入った排気ガスは、グラスウー
ル17中を図示の矢印のように流れて、継ぎ手15側か
ら出てくる間に、アッシングガスにより分解されずに残
ったデボが除去されるものである。 また、フィルタ装置16と排気ボンブ13との間には、
排気ガス中に含まれるオゾンを分解するためのオゾン分
解器18が設けられる。この場合、フィルタ装置16に
流れる排気ガスにはオゾンが含まれているが、グラスウ
ール等のガラス繊維は、このオゾンに対しても耐性を持
っている。 以上のように構成されたアッシング装置の動作について
以下に説明する。 ウエーハ2は、図示しないプリヒート用チャンバーで、
予め例えば50〜150℃に予備加熱しておく。そして
、この予備加熱したウエーハ2をチャンバー1内に搬入
し、予め例えば150〜300℃程度に加熱された加熱
板3に載置し、真空吸引して、加熱板上に固定する。そ
の後、加熱板3を、さらに所定温度に加熱するとともに
、オゾン発生装置8から供給されるオゾンを含むガスと
、2次ガス励起装置10から供給される励起された2次
ガスとを、昇圧装置6によって例えば2〜20a tm
程度に昇圧し、流量調節装置5により例えば3〜30j
!/n+1nの流量に調節しながらガス拡散板4から半
導体ウェーハに向けて噴出させる。 これとともに、排気ボンブl3によって吸引して排気ガ
スを排気口11から排気管12に排気する。 排気ガスに含まれている分解しきれずに残ったデボは、
フィルタ装置16を通ることにより除去される。また、
排気ガス中に残留するオゾンは、オゾン分解器18で分
解され、排気ガスは無害とされる。 アッシング処理が終了した後は、アッシング用チャンバ
ー1内に不活性ガス例えば窒素ガスをパージして、ウエ
ーハをアンロードしてチャンバー1外に搬出する。そし
て、例えばクーリング処理を行う。 排気状態が悪化したときはフィルタ装置16において、
フィルタの交換を行う。このフィルタの交換は、例えば
継ぎ手14.15の部分からフィルタ装置16を排気管
12から外して、フィルタ装置16全体を交換しても良
いし、フィルタ装置16内のフィルタ材料であるグラス
ウール17だけを交換してもよい。このようにフィルタ
を交換するだけで良く、従来のような排気管の清掃や排
気管の交換の必要はないから、保守が簡単であると共に
、コストを安くすることができる。 ところで、この場合、フィルタ材料としては、0.5μ
以上の大きさのデボを除去できるものであれば、残留す
るデボをすべてフィルタリングすることができる。そこ
で、一般的に良く用いられるポリプロピレンの繊維を用
いることも考えられる。ところが、前述もしたように、
レジスト中にアッシング用酸素ガスと化合することによ
り、硝酸等の強酸になるものが存在する場合があり、こ
のため、フィルタ材料としては、酸に耐えられる物質で
なければならないが、ポリプロピレンは酸に弱く、使用
に絶えない。 そこで、酸に強く、目の細かいテフロン系の繊維をフィ
ルタ材料として使用することが考えられる。しかし、本
発明者は、テフロン系の繊維をフィルタ材料として用い
たところ、短いものでは1日で、また、最長のものでも
1週間程度で、フィルタ自身の目づまりを生じ、フィル
タの交換の必要を生じてしまうことを確認した。しかも
、テフロン系の繊維からなるフィルタは一般に高価格で
あり、このような高価格のフィルタを高頻度で交換する
ことはコスト高となり、好ましくない。 これに対し、発明者は、グラスウールの場合には、数か
月間、交換せずにフィルタとして使用できることを確認
した。しかも、グラスウールは安価であり、コストの面
でも非常に有利である。 なお、被処理体としては、上述の例のLCD基板に限ら
ず、半導体ウエーハのほか、ガラス基板上に設けるフォ
トマスク、プリント基板など種々適用可能であることは
言うまでもない。 また、フィルタ装置]6のフィルタ材料としては、グラ
スウールに限らず、種々のガラス繊維を用いることが可
能である。
を参照しながら説明する。 第1図は、この実施例のアツシング装置を示し、アッシ
ング用反応チャンバー1内には、処理対象物の例として
の半導体ウエーノ\2が載置される加熱仮3と、この加
熱板3に対向するようにガス拡散板4が設けられている
。 加熱板3は、例えばSUSやアルミニウムからなる金属
板からなり、図示しないが加熱手段として例えば抵抗発
熱ヒータが内蔵されており、その上面に載置された半導
体ウエ’\2を加熱可能に構或されている。 そして、この加熱板3には、図示しないが、基板昇降装
置に接続された複数本例えば3本のピンが加熱板3を貫
通する如く設けられており、半導体ウエーハ2のロード
・アンロード時には、これらのピン上に半導体ウエーハ
2を保持するよう構成されている。 また、この加熱板3には半導体ウェーハ2を真空吸引す
るための真空チャックパターンとしての空気抜き用満が
形成されている。 また、ガス拡散板4には、図示しないが処理ガス(オゾ
ンを含むガス)を噴出させるための開口が設けられてい
る。 そして、ガス拡散板4には、流量調節装置5を介して、
昇圧装置6が接続されている。この昇圧装置7としては
、例えばブランジャー・ボンブ、ベローズボンプ、ダイ
ヤフラムポンプ等の昇圧ポンプが使用できる。そして、
この昇圧装置6には、酸素供給装置7から供給される酸
素からオゾンを発生させるオゾン発生装置8と、2次ガ
ス供給装置9から供給される2次ガスを励起する2次ガ
ス励起装置10が接続されている。 オゾン発生装置8としては、例えば無声放電、コロナ放
電、グロー放電等によってオゾンを発生させる装置等を
用いることができる。 一方、チャンバー1の底面の加熱板3の周囲には、環状
の排気口11が形成され、この排気口11は排気管12
に連通されている。そして、この排気管12は排気ボン
プ13に接続され、この排気ボンプ13によって排ガス
は排気管12を介して強制吸引され、さらにポンプ13
から工場の排気系に排気されるようにされている。なお
、図示しないが、チャンバー1の底面には、環状に冷却
水が流されており、排気口11は、加熱板3と環状の冷
却水の経路との間に設けられている。 そして、排気管12の経路の、例えばチャンバー1に近
い位置には、排気管12に対し、継ぎ手14及び15に
より接続されて、フィルタ装置16が設けられる。この
フィルタ装置16内には、ガラス繊維、例えばグラスウ
ール(例えば商品名テキストグラス,KS2750)が
詰め込まれている。排気管12中を流れ、継ぎ手14側
からフィルタ装置16に入った排気ガスは、グラスウー
ル17中を図示の矢印のように流れて、継ぎ手15側か
ら出てくる間に、アッシングガスにより分解されずに残
ったデボが除去されるものである。 また、フィルタ装置16と排気ボンブ13との間には、
排気ガス中に含まれるオゾンを分解するためのオゾン分
解器18が設けられる。この場合、フィルタ装置16に
流れる排気ガスにはオゾンが含まれているが、グラスウ
ール等のガラス繊維は、このオゾンに対しても耐性を持
っている。 以上のように構成されたアッシング装置の動作について
以下に説明する。 ウエーハ2は、図示しないプリヒート用チャンバーで、
予め例えば50〜150℃に予備加熱しておく。そして
、この予備加熱したウエーハ2をチャンバー1内に搬入
し、予め例えば150〜300℃程度に加熱された加熱
板3に載置し、真空吸引して、加熱板上に固定する。そ
の後、加熱板3を、さらに所定温度に加熱するとともに
、オゾン発生装置8から供給されるオゾンを含むガスと
、2次ガス励起装置10から供給される励起された2次
ガスとを、昇圧装置6によって例えば2〜20a tm
程度に昇圧し、流量調節装置5により例えば3〜30j
!/n+1nの流量に調節しながらガス拡散板4から半
導体ウェーハに向けて噴出させる。 これとともに、排気ボンブl3によって吸引して排気ガ
スを排気口11から排気管12に排気する。 排気ガスに含まれている分解しきれずに残ったデボは、
フィルタ装置16を通ることにより除去される。また、
排気ガス中に残留するオゾンは、オゾン分解器18で分
解され、排気ガスは無害とされる。 アッシング処理が終了した後は、アッシング用チャンバ
ー1内に不活性ガス例えば窒素ガスをパージして、ウエ
ーハをアンロードしてチャンバー1外に搬出する。そし
て、例えばクーリング処理を行う。 排気状態が悪化したときはフィルタ装置16において、
フィルタの交換を行う。このフィルタの交換は、例えば
継ぎ手14.15の部分からフィルタ装置16を排気管
12から外して、フィルタ装置16全体を交換しても良
いし、フィルタ装置16内のフィルタ材料であるグラス
ウール17だけを交換してもよい。このようにフィルタ
を交換するだけで良く、従来のような排気管の清掃や排
気管の交換の必要はないから、保守が簡単であると共に
、コストを安くすることができる。 ところで、この場合、フィルタ材料としては、0.5μ
以上の大きさのデボを除去できるものであれば、残留す
るデボをすべてフィルタリングすることができる。そこ
で、一般的に良く用いられるポリプロピレンの繊維を用
いることも考えられる。ところが、前述もしたように、
レジスト中にアッシング用酸素ガスと化合することによ
り、硝酸等の強酸になるものが存在する場合があり、こ
のため、フィルタ材料としては、酸に耐えられる物質で
なければならないが、ポリプロピレンは酸に弱く、使用
に絶えない。 そこで、酸に強く、目の細かいテフロン系の繊維をフィ
ルタ材料として使用することが考えられる。しかし、本
発明者は、テフロン系の繊維をフィルタ材料として用い
たところ、短いものでは1日で、また、最長のものでも
1週間程度で、フィルタ自身の目づまりを生じ、フィル
タの交換の必要を生じてしまうことを確認した。しかも
、テフロン系の繊維からなるフィルタは一般に高価格で
あり、このような高価格のフィルタを高頻度で交換する
ことはコスト高となり、好ましくない。 これに対し、発明者は、グラスウールの場合には、数か
月間、交換せずにフィルタとして使用できることを確認
した。しかも、グラスウールは安価であり、コストの面
でも非常に有利である。 なお、被処理体としては、上述の例のLCD基板に限ら
ず、半導体ウエーハのほか、ガラス基板上に設けるフォ
トマスク、プリント基板など種々適用可能であることは
言うまでもない。 また、フィルタ装置]6のフィルタ材料としては、グラ
スウールに限らず、種々のガラス繊維を用いることが可
能である。
以上説明したように、この発明によれば、アッシングに
おいて分解できずに残留したデボをガラス繊維からなる
フィルタによって取り除くようにしたので、高温分解処
理室のような高価な装置を排気経路中に設けることなく
、安価に構成することができる。 また、従来のような排気管の清掃や排気管の交換は不要
で、フィルタの交換だけでよいので、保守が簡単になる
と共に、コストも安価になる。 しかも、フィルタ材料としてガラス繊維を用いたので、
フィルタを安価で構成できるとともに、長期に渡って交
換することなく使用することができ、保守が非常に楽で
あるという効果もある。
おいて分解できずに残留したデボをガラス繊維からなる
フィルタによって取り除くようにしたので、高温分解処
理室のような高価な装置を排気経路中に設けることなく
、安価に構成することができる。 また、従来のような排気管の清掃や排気管の交換は不要
で、フィルタの交換だけでよいので、保守が簡単になる
と共に、コストも安価になる。 しかも、フィルタ材料としてガラス繊維を用いたので、
フィルタを安価で構成できるとともに、長期に渡って交
換することなく使用することができ、保守が非常に楽で
あるという効果もある。
第1図は、この発明によるアッシング装置の一実施例を
示す図である。 ];アッシング用チャンバー 2:半導体ウエーハ 3;加熱板 4;ガス拡散板 7:酸素供給装置 8;オゾン発生装置 11;排気口 12;排気管 13;排気ポンプ 16;フィルタ装置 17;グラスウール
示す図である。 ];アッシング用チャンバー 2:半導体ウエーハ 3;加熱板 4;ガス拡散板 7:酸素供給装置 8;オゾン発生装置 11;排気口 12;排気管 13;排気ポンプ 16;フィルタ装置 17;グラスウール
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被処理体にアッシングガスを供給し、排ガスを排気しな
がらアッシング処理するアッシング装置において、 排気経路中にガラス繊維からなるフィルタを設けたこと
を特徴とするアッシング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1245778A JP2747929B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | アッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1245778A JP2747929B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | アッシング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03106021A true JPH03106021A (ja) | 1991-05-02 |
JP2747929B2 JP2747929B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=17138680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP1245778A Expired - Fee Related JP2747929B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | アッシング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2747929B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009294568A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Tsukuba Semi Technology:Kk | 表面保護膜作成方法及び表面保護膜作成装置 |
JP2022505628A (ja) * | 2018-10-25 | 2022-01-14 | エアインスペース | 新しいプラズマ空気浄化装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4958910U (ja) * | 1972-09-08 | 1974-05-24 | ||
JPS6013071A (ja) * | 1983-07-01 | 1985-01-23 | Canon Inc | 気相法装置の排気系 |
-
1989
- 1989-09-20 JP JP1245778A patent/JP2747929B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS4958910U (ja) * | 1972-09-08 | 1974-05-24 | ||
JPS6013071A (ja) * | 1983-07-01 | 1985-01-23 | Canon Inc | 気相法装置の排気系 |
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JP2009294568A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Tsukuba Semi Technology:Kk | 表面保護膜作成方法及び表面保護膜作成装置 |
JP2022505628A (ja) * | 2018-10-25 | 2022-01-14 | エアインスペース | 新しいプラズマ空気浄化装置 |
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JP2747929B2 (ja) | 1998-05-06 |
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Date | Code | Title | Description |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |