JPS6013071A - 気相法装置の排気系 - Google Patents
気相法装置の排気系Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマＣＶＤ法およびグロー放電法、アーク
放電法（以下これらを総称して気相法と略す）によシア
モルフガス・シリコン膜等の被膜を形成する装置におい
て、反応室のクリーニングにドライエツチング法を利用
する場合、あるいは、同一装置を半導体素子のパターニ
ング形成等を行なうために利用されているドライ・エツ
チング装置として併用する場合の真空排気系の構成に関
するものである。
放電法（以下これらを総称して気相法と略す）によシア
モルフガス・シリコン膜等の被膜を形成する装置におい
て、反応室のクリーニングにドライエツチング法を利用
する場合、あるいは、同一装置を半導体素子のパターニ
ング形成等を行なうために利用されているドライ・エツ
チング装置として併用する場合の真空排気系の構成に関
するものである。
気相法によって基板上にアモルファス・シリコン（以下
これをａ−８ｉと略す）等の機能性被膜を形成する技術
は電子写真における光導電性部材を均一にドラム上に成
膜する場合或いは太陽電池の製造などに既に広く採用さ
れている。かかる気相法による被膜形成に際して、反応
生成物の一部が目的とする基板以外の部分即ち反応室等
の内壁に被膜または粉末として被着することは避けるこ
とが出来ない。反応室等の内壁に被着するこれら被膜ま
たは粉末ははく離しゃすく、このはく離した粉は反応室
内を飛翔して被膜形成の目的とする基板上にも付着し、
これが被膜にピンホール等の膜欠陥を生ずる原因の一つ
になる。このため被膜形成終了の度毎に、基板上にａ−
８ｉの被膜を形成する際に生じる反応室等の内壁の付Ｎ
物を、四フッ化炭素（ＣＦ４）等のエツチングガスを用
いて、プラズマ反応によるエツチングによりクリーニン
グする方法が一般に行なわれるようになった。
これをａ−８ｉと略す）等の機能性被膜を形成する技術
は電子写真における光導電性部材を均一にドラム上に成
膜する場合或いは太陽電池の製造などに既に広く採用さ
れている。かかる気相法による被膜形成に際して、反応
生成物の一部が目的とする基板以外の部分即ち反応室等
の内壁に被膜または粉末として被着することは避けるこ
とが出来ない。反応室等の内壁に被着するこれら被膜ま
たは粉末ははく離しゃすく、このはく離した粉は反応室
内を飛翔して被膜形成の目的とする基板上にも付着し、
これが被膜にピンホール等の膜欠陥を生ずる原因の一つ
になる。このため被膜形成終了の度毎に、基板上にａ−
８ｉの被膜を形成する際に生じる反応室等の内壁の付Ｎ
物を、四フッ化炭素（ＣＦ４）等のエツチングガスを用
いて、プラズマ反応によるエツチングによりクリーニン
グする方法が一般に行なわれるようになった。
また、該気相法装置は半導体素子のパターニング等を行
なうために使用されるドライ・エツチング装置と基本的
には同様の装置構造を有することから、エツチング装置
として転用することも可能である。
なうために使用されるドライ・エツチング装置と基本的
には同様の装置構造を有することから、エツチング装置
として転用することも可能である。
第１図に従莱例のプラズマＣＶＤ装置の真空排気系の構
成図を示す。
成図を示す。
１は成膜あるいはエツチングを行なう反応室である。２
と３とは反応室を１０−２〜１０’Ｔｏｒｒの真空にす
るための排気装置であシ、２はメカニカル・ブースター
・ポンプ、３は油回転ポンプである。
と３とは反応室を１０−２〜１０’Ｔｏｒｒの真空にす
るための排気装置であシ、２はメカニカル・ブースター
・ポンプ、３は油回転ポンプである。
油回転ポンプ３には油フィルタ４と油タンク５が備え付
けてあシ、ポンプ油の中に微粉末や反応性物質が入シ込
み、ポンプ油の粘度が次第に上シ、運転不能となるのを
防止するために、油循環式としである。
けてあシ、ポンプ油の中に微粉末や反応性物質が入シ込
み、ポンプ油の粘度が次第に上シ、運転不能となるのを
防止するために、油循環式としである。
６は反応に用いた有毒またはｇｔｉ！ＩＬ性ガスを大気
中放出前に水溶液また鉱トキンクリーン等の触媒等で除
去するためのスクラバーであシ、７はシラン（ＳｉＨ４
）ガス等の可燃性ガスを爆発限界値以下の濃度に希釈す
るための窒素（Ｎ２）ガス導入ラインである。
中放出前に水溶液また鉱トキンクリーン等の触媒等で除
去するためのスクラバーであシ、７はシラン（ＳｉＨ４
）ガス等の可燃性ガスを爆発限界値以下の濃度に希釈す
るための窒素（Ｎ２）ガス導入ラインである。
これら真空排気系は配管８および真空パルプ９によシ反
応菟１に接続されているが、気相法装置においては反応
中に粒状物質や凝縮性物質が発生しやすい。これらの除
去のためメカニカル・ブースター・ポンプ２と反応室ｌ
の間にフィルター１０を、また腐蝕性ガスが発生する場
合はメカニカル・ブースター・ポンプ２と油回転ポンプ
３の間に液体窒素トラップ１１を備えつけ腐蝕性ガスを
吸着、除去する等、排気系の保護対策を構じるのが一般
的である。
応菟１に接続されているが、気相法装置においては反応
中に粒状物質や凝縮性物質が発生しやすい。これらの除
去のためメカニカル・ブースター・ポンプ２と反応室ｌ
の間にフィルター１０を、また腐蝕性ガスが発生する場
合はメカニカル・ブースター・ポンプ２と油回転ポンプ
３の間に液体窒素トラップ１１を備えつけ腐蝕性ガスを
吸着、除去する等、排気系の保護対策を構じるのが一般
的である。
従来例装置全成膜用のプラズマＣＶＤ装置とする場合は
、フィルター１０のみを使用するのが一般的であるが、
該装置のクリーニングにドライエツチング法を使用する
場合や、該装置をエツチング装置として併用する場合は
、排気系に液体窒素トラップ１１を備え付は腐蝕性ガス
から油回転ポンプ等を保護しなければならない。
、フィルター１０のみを使用するのが一般的であるが、
該装置のクリーニングにドライエツチング法を使用する
場合や、該装置をエツチング装置として併用する場合は
、排気系に液体窒素トラップ１１を備え付は腐蝕性ガス
から油回転ポンプ等を保護しなければならない。
しかしながら、第１図のような排気系の構成では、成膜
中にフィルター１０で捕獲できない微粒状物質が液体窒
素トラップ１１まで飛翔してきて、これに吸着される。
中にフィルター１０で捕獲できない微粒状物質が液体窒
素トラップ１１まで飛翔してきて、これに吸着される。
この粒状物質は吸着面をおおい断熱被膜として作用する
ため、トラップ１１の成層性能を極端に低下させる欠点
があった。
ため、トラップ１１の成層性能を極端に低下させる欠点
があった。
また、ａ−８ｉ膜の形成用装置として第１図のような排
気系を用いた場合、原料ガスとして使用する３ｉＨ＋ガ
スの未反応ガスが液体窒素トラップ１１に吸着されるが
、吸着された該ガスはフィルター１０の交換時あるいは
ポンプ・リーク時に大気中に放出され、それが爆発的に
燃焼して危険であるという問題があった。
気系を用いた場合、原料ガスとして使用する３ｉＨ＋ガ
スの未反応ガスが液体窒素トラップ１１に吸着されるが
、吸着された該ガスはフィルター１０の交換時あるいは
ポンプ・リーク時に大気中に放出され、それが爆発的に
燃焼して危険であるという問題があった。
さらに、被膜形成時の排気系に液体窒素トラップ１１が
ある場合は、それが反応室１内のほとんどのガスを吸着
するため、反応室工の真空度が安定せず、被膜形成上問
題となる欠点があった。
ある場合は、それが反応室１内のほとんどのガスを吸着
するため、反応室工の真空度が安定せず、被膜形成上問
題となる欠点があった。
本発明の目的は、上述従来例装置の排気系構成の欠点を
除去すること、被膜形成時に発生する粒状物質および凝
縮性物質や、エツチング時に発生する腐蝕性物質から油
回転ポンプやメカニカル・ブースター・ポンプ等の真空
排気系を保護し、真空排気能力の低下を防ぎ安定な被膜
形成条件を作り出すことおよび前記物質の流入によるポ
ンプの損易あるいはポンプ油の劣化を防ぐことにより排
気系の寿命を伸ばすことである。
除去すること、被膜形成時に発生する粒状物質および凝
縮性物質や、エツチング時に発生する腐蝕性物質から油
回転ポンプやメカニカル・ブースター・ポンプ等の真空
排気系を保護し、真空排気能力の低下を防ぎ安定な被膜
形成条件を作り出すことおよび前記物質の流入によるポ
ンプの損易あるいはポンプ油の劣化を防ぐことにより排
気系の寿命を伸ばすことである。
本発明は、七の系中にフィルター、トラップおよび排気
ポンプを含む、気相法による被膜形成およびドライエツ
チングを行なう装置の排気系において、反応室からの排
気が、被膜形成を行なう際はトラップを経由することな
くフィルターを経由して排気ポンプに至シ、一方ドライ
エツチングを行なう際はトラップと、必要に応じてフィ
ルターとを経由して排気ポンプに至るように選択出来る
配管構成を有することを特徴とする気相法装置の排気系
でろる。
ポンプを含む、気相法による被膜形成およびドライエツ
チングを行なう装置の排気系において、反応室からの排
気が、被膜形成を行なう際はトラップを経由することな
くフィルターを経由して排気ポンプに至シ、一方ドライ
エツチングを行なう際はトラップと、必要に応じてフィ
ルターとを経由して排気ポンプに至るように選択出来る
配管構成を有することを特徴とする気相法装置の排気系
でろる。
本発明におけるフィルターは、反応室からの排気中に含
捷れる粒状物質を充分捕集出来るものであればよいが、
普通はたとえばステンレス製のメツシュを内蔵する形式
のものであり、メツシュの目のサイズは、排気ポンプの
排気能力全低下させず、しかも粒状物質を充分捕集出来
る程度のものを用いる。また、捕集した粒状物質を定期
的に捨てるために該フィルターはカセット式にしである
のが好ましい。
捷れる粒状物質を充分捕集出来るものであればよいが、
普通はたとえばステンレス製のメツシュを内蔵する形式
のものであり、メツシュの目のサイズは、排気ポンプの
排気能力全低下させず、しかも粒状物質を充分捕集出来
る程度のものを用いる。また、捕集した粒状物質を定期
的に捨てるために該フィルターはカセット式にしである
のが好ましい。
本発明における排気ポンプは、気相法による被膜形成筐
たはドライエツチングに際して反応室を一般には１０−
２〜１０’Ｔｏｒｒ程度の真空に維持することの出来る
能力のちるものであればよい。油回転ポンプ、メカニカ
ル−ブースター・ポンプ、ターボモレキュラーポンプな
どが使用可能であるが、反応室側からメカニカル・ブー
スター・ポンプと油回転ポンプ、ターボモレキュラーポ
ンプと油回転ポンプ、ターボモレキュラーポンプとソー
プションポンプの組合せで使用するのが好ましく、なか
でもメカニカル・ブースター・ポンプと油回転ポンプの
組合せが最も好ましい。
たはドライエツチングに際して反応室を一般には１０−
２〜１０’Ｔｏｒｒ程度の真空に維持することの出来る
能力のちるものであればよい。油回転ポンプ、メカニカ
ル−ブースター・ポンプ、ターボモレキュラーポンプな
どが使用可能であるが、反応室側からメカニカル・ブー
スター・ポンプと油回転ポンプ、ターボモレキュラーポ
ンプと油回転ポンプ、ターボモレキュラーポンプとソー
プションポンプの組合せで使用するのが好ましく、なか
でもメカニカル・ブースター・ポンプと油回転ポンプの
組合せが最も好ましい。
以下、本発明を図面を参照しながら史に説明する。
第２図は本発明の１実施例金説明するだめの装置の排気
系の構成図である。反応室１、メカニカル・ブースター
・ポンプ２、油回転ポンプ３、油フィルタ４、油タンク
５、スクラノく−６および窒素ガス導入ライン７および
これらのそｎぞれの役割は第１図の場合と全く同様であ
る。８ａは被膜形成用排気系、８ｂはドライエツチング
またはエッチ・クリーニング用排気系の配＋ｇを示す。
系の構成図である。反応室１、メカニカル・ブースター
・ポンプ２、油回転ポンプ３、油フィルタ４、油タンク
５、スクラノく−６および窒素ガス導入ライン７および
これらのそｎぞれの役割は第１図の場合と全く同様であ
る。８ａは被膜形成用排気系、８ｂはドライエツチング
またはエッチ・クリーニング用排気系の配＋ｇを示す。
９ａ、９ｂおよび１２ａ、１２ｂは、８ａ、８ｂの各排
気系をこの芙施例に於ける装置の使用目的に応じて分離
・独立させるための真空パルプである。１０は被膜形成
時に発生する粒状物質全捕獲するためのフィルターであ
る。１１はドライエツチングまたはエッチ・クリーニン
グ時に生成する腐蝕性物質を吸着するための液体窒素ト
ラップであシ、再生可能とするための加熱ヒータ（図示
していない）と放出されるガスを押し流すための窒素ガ
ス供給ライン１３およびスクラバー６に接続された排気
ライン１４が備わっている。尚、トラップ１１は、液体
窒素トラップの他、液体ヘリウム、液体水素、或いは、
その他の寒剤全オリ用するトラップであっても良い。
気系をこの芙施例に於ける装置の使用目的に応じて分離
・独立させるための真空パルプである。１０は被膜形成
時に発生する粒状物質全捕獲するためのフィルターであ
る。１１はドライエツチングまたはエッチ・クリーニン
グ時に生成する腐蝕性物質を吸着するための液体窒素ト
ラップであシ、再生可能とするための加熱ヒータ（図示
していない）と放出されるガスを押し流すための窒素ガ
ス供給ライン１３およびスクラバー６に接続された排気
ライン１４が備わっている。尚、トラップ１１は、液体
窒素トラップの他、液体ヘリウム、液体水素、或いは、
その他の寒剤全オリ用するトラップであっても良い。
つぎに第２図に示した装置の各排気系の作用について説
明する。
明する。
１ず、同装置において被膜形成を行なう場合は、真空パ
ルプ９ｂ、１２ｂｔ＝閉じ、９ａ＊１２ａ’ｉ開け、被
膜形成用排気系配管８ａおよびフィルター１０を通し、
メカニカル・ブースター・ポンプ２および油回転ポンプ
３によって反応室１を真空排気する。
ルプ９ｂ、１２ｂｔ＝閉じ、９ａ＊１２ａ’ｉ開け、被
膜形成用排気系配管８ａおよびフィルター１０を通し、
メカニカル・ブースター・ポンプ２および油回転ポンプ
３によって反応室１を真空排気する。
被膜形成時に発生する粒状物質は、このフィルター１０
にて捕獲される。このフィルターはステンレス製のメツ
シュでできておシ、ポンプの排気能力を低下させず、し
かも粒状物質を十分捕獲できる程度の目の細かさとしで
ある。また、捕獲した粒状物質１−を、定期的にすてる
ためにフィルターはカセット式にしである。
にて捕獲される。このフィルターはステンレス製のメツ
シュでできておシ、ポンプの排気能力を低下させず、し
かも粒状物質を十分捕獲できる程度の目の細かさとしで
ある。また、捕獲した粒状物質１−を、定期的にすてる
ためにフィルターはカセット式にしである。
つぎに、同装置をドライエツチング装置として使用する
場合、あるいは被膜形成後反応室１をドライエツチング
法にてクリーニングする場合は、真空バルブ９ａ＊１２
ａｅ閉じ、９ｂ、１２ｂｆ：開いてエツチング用排気系
配管８ｂおよび液体窒素トラップ１１を通して排気する
。エツチング中に生成した腐蝕性物質あるいはガスは、
このトラップ１１にて吸着され、ポンプまでは到達しな
いためポンプ油腐蝕によるポンプの排気能力低下を避け
ることができる。
場合、あるいは被膜形成後反応室１をドライエツチング
法にてクリーニングする場合は、真空バルブ９ａ＊１２
ａｅ閉じ、９ｂ、１２ｂｆ：開いてエツチング用排気系
配管８ｂおよび液体窒素トラップ１１を通して排気する
。エツチング中に生成した腐蝕性物質あるいはガスは、
このトラップ１１にて吸着され、ポンプまでは到達しな
いためポンプ油腐蝕によるポンプの排気能力低下を避け
ることができる。
なお、トラップの再生は、被膜形成時すなわち排気系配
管８ａ’に使って排気している間に行なう。
管８ａ’に使って排気している間に行なう。
同様にフィルター１０の交換も、エツチング時丁なわち
排気系配管８ｂｅ使って排気して（・る間に行なうため
、各加工工程に支障ｆ：およばずことなく再生、交侠ヲ
行なうことが可能である。
排気系配管８ｂｅ使って排気して（・る間に行なうため
、各加工工程に支障ｆ：およばずことなく再生、交侠ヲ
行なうことが可能である。
第３図は、本発明の他の実施例を説明するための装置の
排気系の構成図でおる。
排気系の構成図でおる。
第１図に示した実施例と異なる所は、フィルター１０が
被膜形成用排気系とエツチング用排気系の共通配管中に
取付けられていることでアシ、被膜形成用排気系配管８
ａには真空ノクルブ１２ａカ監取付けられていることで
ある。
被膜形成用排気系とエツチング用排気系の共通配管中に
取付けられていることでアシ、被膜形成用排気系配管８
ａには真空ノクルブ１２ａカ監取付けられていることで
ある。
第２図に示した装置の排気系の作用は、まず被膜形成を
行なう場合、真空）くパルプ９ａおよび１２ａを開き、
９ｂおよび１２ｂを閉じる。次に、メカニカル・ブース
ター・ポンプ２および油回転ポンプ３によシ反応室１′
ｔ−真空排気するＱ第１図に示した実施例装置のときと
同様、被膜形成時に発生する粒状物質はフィルター１０
に捕獲される。
行なう場合、真空）くパルプ９ａおよび１２ａを開き、
９ｂおよび１２ｂを閉じる。次に、メカニカル・ブース
ター・ポンプ２および油回転ポンプ３によシ反応室１′
ｔ−真空排気するＱ第１図に示した実施例装置のときと
同様、被膜形成時に発生する粒状物質はフィルター１０
に捕獲される。
同装置をドライエツチング装置として使用する場合、あ
るい紘被膜形成後反応室１をドライニップ１２ａのみを
閉じ、９ｂ、１２ｂを開き、エツチング用排気系配管８
ｂおよび液体窒素゛トラップ１１を通して排気する。
るい紘被膜形成後反応室１をドライニップ１２ａのみを
閉じ、９ｂ、１２ｂを開き、エツチング用排気系配管８
ｂおよび液体窒素゛トラップ１１を通して排気する。
この時、フィルター１０に捕獲されステンレス・メツシ
ュ上に堆積した粒状物質（ａ−８ｉ脱影形成は、主に珪
素化合物）は、反応室１に導入されたエッチャント（Ｏ
Ｆ４ガス）のプラズマ分解によフ生成する長寿命のフッ
素ラジカルにより、ＳｉＦ４等にガス化・除去される。
ュ上に堆積した粒状物質（ａ−８ｉ脱影形成は、主に珪
素化合物）は、反応室１に導入されたエッチャント（Ｏ
Ｆ４ガス）のプラズマ分解によフ生成する長寿命のフッ
素ラジカルにより、ＳｉＦ４等にガス化・除去される。
生成したＳｉＦ、ガスは液体窒素トラップ１１にて吸着
され、トラップの再生時に排気ライン１４全通しスクラ
バー６にて処理される。
され、トラップの再生時に排気ライン１４全通しスクラ
バー６にて処理される。
すなわち第２図の装置の特徴は、フィルター１０の交換
を必要とせず、液体窒素トラップ１１の再生のみを行な
えば、排気系を大気リークすることなく連続的に使用で
きる点にある。
を必要とせず、液体窒素トラップ１１の再生のみを行な
えば、排気系を大気リークすることなく連続的に使用で
きる点にある。
以上説明したように、本発明では気相法装置の真空排気
系を被膜形成用とドライエツチング用の２系統に分離し
、反応室からの排気が、被膜形成を行なう際はトラップ
を経由することなくフィルターを経由し、ドライエツチ
ングの際はトラップと、必要に応じてフィルターとを経
由することにより、被膜形成時に発生する粒状物質およ
びエツチング時に生成する腐蝕性ガスを効率良く捕獲、
吸着することが可能となった。
系を被膜形成用とドライエツチング用の２系統に分離し
、反応室からの排気が、被膜形成を行なう際はトラップ
を経由することなくフィルターを経由し、ドライエツチ
ングの際はトラップと、必要に応じてフィルターとを経
由することにより、被膜形成時に発生する粒状物質およ
びエツチング時に生成する腐蝕性ガスを効率良く捕獲、
吸着することが可能となった。
この結果、粒状物質や反応性物質が油回転ポンプの中に
入ることによるポンプの損傷やオイルの劣化を防止する
ことができ、排気系の寿命を延ばすことが可能となった
。
入ることによるポンプの損傷やオイルの劣化を防止する
ことができ、排気系の寿命を延ばすことが可能となった
。
さらに、被膜形成時はフィルターのみを使用するため、
従来例のように同一排気系中に液体窒素トラップをつけ
たために真空度が変動するということもなく、安定した
被膜形成が可能となった。
従来例のように同一排気系中に液体窒素トラップをつけ
たために真空度が変動するということもなく、安定した
被膜形成が可能となった。
この結果同一装置にて、被膜形成およびエツチングの２
種類の加工が充分可能となった。
種類の加工が充分可能となった。
第１図は従来の気相法装置の排気系の構成図である。
第２図および第３図は本発明の実施例の装置の排気系の
構成図である。 １・・・反応室 ２・・・メカニカル・ブースター・ポンプ３・・・油（
９）転ポンプ ４・・・油フイルタ− ５・・・油タンク ６・・・スクラバー ７・・・希釈用窒素ガスライン ８ｓ８ａｓ８ｂ・・・配管 ９．９ａ、９ｂ・・・真空、（ルプ １０・・・フィルター １１・・・液体窒素トラップ １２ａ、１２ｂ・・・真空パルプ １３・・・窒素ガス供給ライン １４・・・窒素ガス排気ライン 特許出願人 キャノン株式会社 第２図 第３図
構成図である。 １・・・反応室 ２・・・メカニカル・ブースター・ポンプ３・・・油（
９）転ポンプ ４・・・油フイルタ− ５・・・油タンク ６・・・スクラバー ７・・・希釈用窒素ガスライン ８ｓ８ａｓ８ｂ・・・配管 ９．９ａ、９ｂ・・・真空、（ルプ １０・・・フィルター １１・・・液体窒素トラップ １２ａ、１２ｂ・・・真空パルプ １３・・・窒素ガス供給ライン １４・・・窒素ガス排気ライン 特許出願人 キャノン株式会社 第２図 第３図
Claims (4)
- （１） その系中にフィルター、トラップおよび排気ポ
ンプを含む、気相法による被膜形成およびドライエツチ
ングを行なう装置の排気系において、反応室からの排気
が、被膜形成を行なり際はトラップを経由することなく
、フィルターを経由して排気ポンプに至り、一方ドライ
エツチングを行なう際はトラップと、必要に応じてフィ
ルターとを経由して排気ポンプに至るように選択出来る
配管構成を有することを特徴とする気相法装置の排気系
。 - （２） ドライエツチングを行なう際はトラップのみを
経由することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
気相法装置の排気系。 - （３） ドライエツチングを行なう際はフィルターとト
ラップとを五由することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の気相法装置の排気系。 - （４） トラップを再生する際に放出されるガスを押し
流すための、該トラップへの窒素ガス供給ラインと、該
トラップからの排気ラインとを更に付加的に有すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の気相法装置の
排気系。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118075A JPS6013071A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 気相法装置の排気系 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118075A JPS6013071A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 気相法装置の排気系 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6013071A true JPS6013071A (ja) | 1985-01-23 |
Family
ID=14727378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58118075A Pending JPS6013071A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 気相法装置の排気系 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013071A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6042731U (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-26 | 株式会社日立製作所 | 半導体製造装置の排気装置 |
| JPH01218013A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Tel Sagami Ltd | 反応装置 |
| JPH02194627A (ja) * | 1989-01-24 | 1990-08-01 | Tokyo Electron Ltd | エッチング装置 |
| JPH03106021A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Tokyo Electron Ltd | アッシング装置 |
| JPH03162602A (ja) * | 1989-08-16 | 1991-07-12 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Ａｆｍ／ｓｔｍプロフィロメトリ用マイクロメカニカルセンサの製造方法 |
| US5250092A (en) * | 1991-08-22 | 1993-10-05 | Nec Corporation | Exhaust apparatus for epitaxial growth system |
| US6224834B1 (en) | 1998-04-16 | 2001-05-01 | International Business Machines Corporation | Silane oxidation exhaust trap |
| CN104480468A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 干式蚀刻机及用于捕集气体中磁性颗粒的捕集装置 |
-
1983
- 1983-07-01 JP JP58118075A patent/JPS6013071A/ja active Pending
Cited By (9)
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| US6508997B2 (en) | 1998-04-16 | 2003-01-21 | International Business Machines Corporation | Silane oxidation exhaust trap |
| CN104480468A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 干式蚀刻机及用于捕集气体中磁性颗粒的捕集装置 |
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