JPH0332022A - 有機物除去装置 - Google Patents
有機物除去装置Info
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- JPH0332022A JPH0332022A JP1165461A JP16546189A JPH0332022A JP H0332022 A JPH0332022 A JP H0332022A JP 1165461 A JP1165461 A JP 1165461A JP 16546189 A JP16546189 A JP 16546189A JP H0332022 A JPH0332022 A JP H0332022A
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- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、有機物の除去状態が検知できる、レジスト等
の有機物除去装置に関するものである。
の有機物除去装置に関するものである。
半導体の製造工程では、ホトレジストなどの有機レジス
ト膜をマスクとして使用するが、エツチングやドーピン
グを行ったのち不用になった上記有機レジスト膜のマス
クを除去するのに、酸化液を用いる湿式方式に代わり、
プラズマによって雰囲気中の酸素原子を活性化し、上記
レジスト膜を酸化除去する方法が、従来、多く採用され
ている。
ト膜をマスクとして使用するが、エツチングやドーピン
グを行ったのち不用になった上記有機レジスト膜のマス
クを除去するのに、酸化液を用いる湿式方式に代わり、
プラズマによって雰囲気中の酸素原子を活性化し、上記
レジスト膜を酸化除去する方法が、従来、多く採用され
ている。
上記プラズマ方式は、半導体デバイスがプラズマにさら
されプラズマによるチャージアップのために、上記半導
体デバイスはダメージを生じる。したがって、上記ダメ
ージを最小限度に抑制するためには、有機物除去処理の
終点を検出することガ必須であり、特開昭６３−７０４
２７号に記載されているような処理に関連するガスの、
ガス検出方法が用いられている。
されプラズマによるチャージアップのために、上記半導
体デバイスはダメージを生じる。したがって、上記ダメ
ージを最小限度に抑制するためには、有機物除去処理の
終点を検出することガ必須であり、特開昭６３−７０４
２７号に記載されているような処理に関連するガスの、
ガス検出方法が用いられている。
上記従来技術は、有機物の除去処理を真空処理室内で行
うため、除去処理中のガス以外のガスが処理室内に混入
することはない、大気圧下で有機物除去処理を行う光ア
ラシアは、上記従来技術よりもはるかに効率的であるが
、処理室が気密でないため除去処理中に外部から空気が
混入する。したがって、除去処理によるガス濃度の変化
を分析することはＩｌｌであり、実施されてぃなかった
。
うため、除去処理中のガス以外のガスが処理室内に混入
することはない、大気圧下で有機物除去処理を行う光ア
ラシアは、上記従来技術よりもはるかに効率的であるが
、処理室が気密でないため除去処理中に外部から空気が
混入する。したがって、除去処理によるガス濃度の変化
を分析することはＩｌｌであり、実施されてぃなかった
。
本発明は、大気圧下で有機物除去処理を行うアラシアな
どにおいても、除去処理中のガス濃度の変化を検出する
ことができる有機物除去装置を得ることを目的とする。
どにおいても、除去処理中のガス濃度の変化を検出する
ことができる有機物除去装置を得ることを目的とする。
上記目的は、被処理物に近接対向して設置した隔壁板の
、被処理物に対向する面にガス排出口を設けることによ
って遠戚される。
、被処理物に対向する面にガス排出口を設けることによ
って遠戚される。
被処理物に近接対向して設けた隔壁板との間隙には、ガ
ス導入口から流入した反応ガスと被処理物表面から生成
したガスとだけが充満しており、これらのガスは上記被
処理物の周辺から排出される。したがって、上記隔壁板
の一部にガス排出口を設けると、上記の被処理物表面と
隔壁板との間に充満している反応ガスおよび生成ガスは
、上記ガス排出口にも流れ込む、この結果、上記ガス排
出口からガスを採集すれば、反応ガスおよび生成ガス以
外のガスが混入するおそれがなく、処理反応に関与する
ガスだけを取り出すことができる。
ス導入口から流入した反応ガスと被処理物表面から生成
したガスとだけが充満しており、これらのガスは上記被
処理物の周辺から排出される。したがって、上記隔壁板
の一部にガス排出口を設けると、上記の被処理物表面と
隔壁板との間に充満している反応ガスおよび生成ガスは
、上記ガス排出口にも流れ込む、この結果、上記ガス排
出口からガスを採集すれば、反応ガスおよび生成ガス以
外のガスが混入するおそれがなく、処理反応に関与する
ガスだけを取り出すことができる。
すなわち、上記ガス排出口に接続された配管の途中にガ
ス検知手段を設置すれば、上記採集ガスを分析すること
によって除去処理の終点を検知することができる。
ス検知手段を設置すれば、上記採集ガスを分析すること
によって除去処理の終点を検知することができる。
また、上記隔壁板の被処理物表面に対向する面に、上記
ガス排出口とともにガス導入口を設けることにより、上
記ガス導入口に接続した配管にガス流量調整手段を設け
て流入する反応ガスの流量を制御するとともに、上記ガ
ス排出口から導かれた配管にガス検知手段を設ければ、
上記採集ガスを分析比較して除去処理の終点が検知でき
る。
ガス排出口とともにガス導入口を設けることにより、上
記ガス導入口に接続した配管にガス流量調整手段を設け
て流入する反応ガスの流量を制御するとともに、上記ガ
ス排出口から導かれた配管にガス検知手段を設ければ、
上記採集ガスを分析比較して除去処理の終点が検知でき
る。
さらに、上記隔壁板に設けたガス排出口とガス導入口に
接続したそれぞれの配管にガス検知手段を設けることに
より、上記ガス導入口配管のガス検知手段と上記ガス排
出口配管のガス検出手段とによる、検知状態を分析比較
することによって。
接続したそれぞれの配管にガス検知手段を設けることに
より、上記ガス導入口配管のガス検知手段と上記ガス排
出口配管のガス検出手段とによる、検知状態を分析比較
することによって。
有機物除去処理の終点を確実に検知することが可能にな
る。
る。
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。
第１図は本発明による有機物除去装置の第１実施例を示
す構成図、第２図は本発明による第２実施例を示す構成
図、第３図は本発明による第３実施例を示す構成図、第
４図は本発明による第４実施例を示す構成図である。半
導体装置の製造プロセスの一工程に、レジスト膜の除去
工程がある。その−手段として、大気圧下で紫外線とオ
ゾンを用いて有機レジスト膜を除去する方法があるが１
反応ガスとしてオゾンを供給し、紫外線によって上記オ
ゾンを活性な酸素原子に変え、ウェハやマスク等に塗布
されたレジストと反応させ、炭酸ガス、水などに分解気
化させて排出する。一般には反応をさらに促進させる目
的で被処理物の温度を上げるため、加熱機構を付加して
いる。
す構成図、第２図は本発明による第２実施例を示す構成
図、第３図は本発明による第３実施例を示す構成図、第
４図は本発明による第４実施例を示す構成図である。半
導体装置の製造プロセスの一工程に、レジスト膜の除去
工程がある。その−手段として、大気圧下で紫外線とオ
ゾンを用いて有機レジスト膜を除去する方法があるが１
反応ガスとしてオゾンを供給し、紫外線によって上記オ
ゾンを活性な酸素原子に変え、ウェハやマスク等に塗布
されたレジストと反応させ、炭酸ガス、水などに分解気
化させて排出する。一般には反応をさらに促進させる目
的で被処理物の温度を上げるため、加熱機構を付加して
いる。
第１実施例
第１図に示す処理室１は大気圧であり、上記処理室ｌ内
にはウェハ２を塔載し加熱するためのステージ３、およ
び上記ウェハ２の表面に反応ガスであるオゾンを効率よ
く流し、がっ、紫外線を透過する石英製の隔壁板４、さ
らにオゾンガスを供給するためのガス導入口５と反応後
の生成ガスを排出するガス排出口６、および紫外線を出
射する紫外線ランプ７により構成され、少なくとも１個
以上のガス排出口６は上記隔壁板４のウェハ２側に開口
している。
にはウェハ２を塔載し加熱するためのステージ３、およ
び上記ウェハ２の表面に反応ガスであるオゾンを効率よ
く流し、がっ、紫外線を透過する石英製の隔壁板４、さ
らにオゾンガスを供給するためのガス導入口５と反応後
の生成ガスを排出するガス排出口６、および紫外線を出
射する紫外線ランプ７により構成され、少なくとも１個
以上のガス排出口６は上記隔壁板４のウェハ２側に開口
している。
レジストを塗布したウェハ２を１５０’Ｃ〜３００℃に
加熱し、ガス導入口５からオゾンを導入する。上記オゾ
ンはウェハ２と隔壁板４との間の間隙を流れて処理室１
内に導入される。上記隔壁板４の上部にＭ！１［された
紫外線ランプ７により。
加熱し、ガス導入口５からオゾンを導入する。上記オゾ
ンはウェハ２と隔壁板４との間の間隙を流れて処理室１
内に導入される。上記隔壁板４の上部にＭ！１［された
紫外線ランプ７により。
上記オゾンは活性な酸素原子（ラジカル酸素）となり、
レジストを炭酸ガスや水などに分解し処理室１内に排出
される。これら処理室１内に排出されたガスは、−３０
ｍｍＡｇ程度の圧力で排気ダクトに導かれる。一方、隔
壁板４に設けたガス排出口６からも同様に同じガスが排
出される。この排出ガスを利用して、反応ガスおよび生
成ガスだけの分析が可能になる。
レジストを炭酸ガスや水などに分解し処理室１内に排出
される。これら処理室１内に排出されたガスは、−３０
ｍｍＡｇ程度の圧力で排気ダクトに導かれる。一方、隔
壁板４に設けたガス排出口６からも同様に同じガスが排
出される。この排出ガスを利用して、反応ガスおよび生
成ガスだけの分析が可能になる。
第２実施例
第２図に示す第２実施例は、処理室１内の構成が第１実
施例と同様であり、隔壁板４に設けたガス排出口６に接
続した配管にガス検出手段８を設けている。上記第１実
施例で示したとおり、隔壁板４に設けたガス排出口６に
は、隔壁板４とウェハ２との間に混在する反応ガスと生
成ガスだけが排出されるので、上記ガス検出手段８で分
析しガス濃度を監視することにより、除去処理の終点を
検知することができる。
施例と同様であり、隔壁板４に設けたガス排出口６に接
続した配管にガス検出手段８を設けている。上記第１実
施例で示したとおり、隔壁板４に設けたガス排出口６に
は、隔壁板４とウェハ２との間に混在する反応ガスと生
成ガスだけが排出されるので、上記ガス検出手段８で分
析しガス濃度を監視することにより、除去処理の終点を
検知することができる。
第３実施例
第３図に示す第３実施例は、処理室１内の構成が第１実
施例と同様であり、隔壁板４にはウェハ２に向けて１個
以上のガス導入口５と１個以上のガス排出口６とを設け
、それぞれの配管の途中にガス流量調整手段９，９′お
よびガス検知手段８゜８′を設置している。したがって
、各配管中を流れるガスの流量は最適値に調整すること
ができ、ガス導入管５に設けたガス検知手段を８、ガス
排出管６に設けたガス検知手段を８′とすれば、上記ガ
ス検知手段８および８′により反応前と反応後のガス分
析結果を比較することにより、有機物除去処理の正確な
終点を検知することができる。
施例と同様であり、隔壁板４にはウェハ２に向けて１個
以上のガス導入口５と１個以上のガス排出口６とを設け
、それぞれの配管の途中にガス流量調整手段９，９′お
よびガス検知手段８゜８′を設置している。したがって
、各配管中を流れるガスの流量は最適値に調整すること
ができ、ガス導入管５に設けたガス検知手段を８、ガス
排出管６に設けたガス検知手段を８′とすれば、上記ガ
ス検知手段８および８′により反応前と反応後のガス分
析結果を比較することにより、有機物除去処理の正確な
終点を検知することができる。
第４実施例
第４図に示す第４実施例は、処理室ｌ内の構成が第１実
施例と同様であり、隔壁板４にはウェハ２に向けて１個
以上のガス導入口５と１個以上のガス排出口６とを設け
、上記ガス導入口５およびガス排出口６から導かれた配
管の途中に、それぞれガス検知手段８，８′を設置して
いる。したがって１反応前のガス分析をガス分析手段８
で行い、反応後のガス分析をガス分析手段８′で行って
。
施例と同様であり、隔壁板４にはウェハ２に向けて１個
以上のガス導入口５と１個以上のガス排出口６とを設け
、上記ガス導入口５およびガス排出口６から導かれた配
管の途中に、それぞれガス検知手段８，８′を設置して
いる。したがって１反応前のガス分析をガス分析手段８
で行い、反応後のガス分析をガス分析手段８′で行って
。
両者を比較することにより有機物除去処理の終点を検知
することができる。
することができる。
〔発明の効果〕
上記のように本発明による有機物除去装置は。
大気圧下で、紫外線とオゾンと熱とによって、有機物を
灰化除去する有機物除去装置において、被処理物に非接
触で近接対向する透明隔壁板を設け、上記隔壁板の被処
理物に対向する面に、少なくとも１個以上のガス排出口
を設けたことにより、大気圧下で処理する有機物除去装
置において、処理中のガスを直接採集できるので、上記
ガスをガス分析することにより、有機物除去処理の終点
が検知できる。
灰化除去する有機物除去装置において、被処理物に非接
触で近接対向する透明隔壁板を設け、上記隔壁板の被処
理物に対向する面に、少なくとも１個以上のガス排出口
を設けたことにより、大気圧下で処理する有機物除去装
置において、処理中のガスを直接採集できるので、上記
ガスをガス分析することにより、有機物除去処理の終点
が検知できる。
第１図は本発明による有機物除去装置の第１実施例を示
す構成図、第２図は本発明による有機物除去装置の第２
実施例を示す構成図、第３図は本発明による有機物除去
装置の第３実施例を示す構成図、第４図は本発明による
有機物除去装置の第４実施例を示す構成図である。 ２・・・被処理物 ４・・・隔壁板５・・・ガス
導入口 ６・・・ガス排出口７・・・紫外線ランプ ８．８′・・・ガス検知手段 ９．９′・・・ガス流量調整手段
す構成図、第２図は本発明による有機物除去装置の第２
実施例を示す構成図、第３図は本発明による有機物除去
装置の第３実施例を示す構成図、第４図は本発明による
有機物除去装置の第４実施例を示す構成図である。 ２・・・被処理物 ４・・・隔壁板５・・・ガス
導入口 ６・・・ガス排出口７・・・紫外線ランプ ８．８′・・・ガス検知手段 ９．９′・・・ガス流量調整手段
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、大気圧下で、紫外線とオゾンと熱とによって、有機
物を灰化除去する有機物除去装置において、被処理物に
非接触で近接対向する透明隔壁板を設け、上記隔壁板の
被処理物に対向する面に、少なくとも１個以上のガス排
出口を設けたことを特徴とする有機物除去装置。 ２、上記ガス排出口は、配管の途中にガス検知手段を設
けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載した
有機物除去装置。 ３、上記隔壁板は、被処理物対向面に１個以上のガス導
入口と１個以上のガス排出口とを設け、上記ガス導入口
およびガス排出口は、それぞれの配管の途中に、ガス流
量調整手段およびガス検知手段を設けたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載した有機物除去装置。 ４、上記ガス導入口およびガス排出口は、それぞれの配
管の途中にガス検知手段を設けたことを特徴とする特許
請求の範囲第３項に記載した有機物除去装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1165461A JPH0332022A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 有機物除去装置 |
| KR1019900007738A KR910001910A (ko) | 1989-06-29 | 1990-05-29 | 표면처리장치 |
| US07/908,913 US5246526A (en) | 1989-06-29 | 1992-07-02 | Surface treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1165461A JPH0332022A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 有機物除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0332022A true JPH0332022A (ja) | 1991-02-12 |
Family
ID=15812859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1165461A Pending JPH0332022A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 有機物除去装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0332022A (ja) |
| KR (1) | KR910001910A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007122994A1 (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Tokyo Electron Limited | 基板洗浄装置，基板洗浄方法，基板処理装置 |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP1165461A patent/JPH0332022A/ja active Pending
-
1990
- 1990-05-29 KR KR1019900007738A patent/KR910001910A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007122994A1 (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Tokyo Electron Limited | 基板洗浄装置，基板洗浄方法，基板処理装置 |
| JP2007311768A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置，基板洗浄方法，基板処理装置 |
| US8945412B2 (en) | 2006-04-20 | 2015-02-03 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and substrate processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910001910A (ko) | 1991-01-31 |
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