JP2002273166A - パーフルオロ系化合物の排出低減方法及び排出低減システム - Google Patents

パーフルオロ系化合物の排出低減方法及び排出低減システム

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JP2002273166A
JP2002273166A JP2001377454A JP2001377454A JP2002273166A JP 2002273166 A JP2002273166 A JP 2002273166A JP 2001377454 A JP2001377454 A JP 2001377454A JP 2001377454 A JP2001377454 A JP 2001377454A JP 2002273166 A JP2002273166 A JP 2002273166A
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JP2001377454A
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Seung-Ki Chae
勝基 蔡
Sang-Gon Lee
相坤 李
Sang-Hyuk Chung
相赫 丁
Seong-Jin Heo
星鎭 許
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Samsung Electronics Co Ltd
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    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
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    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/46—Removing components of defined structure
    • B01D53/68—Halogens or halogen compounds
    • B01D53/70—Organic halogen compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2257/00—Components to be removed
    • B01D2257/20—Halogens or halogen compounds
    • B01D2257/206—Organic halogen compounds
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
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    • Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

(57)【要約】 【課題】 多数のサブ−工程を含む半導体製造工程にお
けるパーフルオロ系化合物の排出低減方法を提供する。 【解決手段】 少なくとも一つのパーフルオロ系化合物
が生成される複数のサブ−工程を含む半導体製造工程に
おいて、各サブ−工程を実施することにより生成される
パーフルオロ系化合物を共有ライン２２ａ、２２ｂ、２
２ｃ、２２ｄに排出させ混合排出気流を形成し、個別的
なパーフルオロ系化合物浄化システム２４ａ、２４ｂ、
２４ｃ、２４ｄを使用して各サブ−工程から排出される
混合排出気流を処理し、処理排出気流を混合して混合処
理気流を形成した後、前記混合処理気流をウェットスク
ラビングさせる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程に
おけるパーフルオロ系化合物（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏ Ｃ
ｏｍｐｏｕｎｄｓ；ＰＦＣ′ｓ、以下「パーフルオロ系
化合物」を“ＰＦＣ”又は“ＰＦＣ′ｓ”と言う）の排
出低減方法及び排出低減システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程、例えば、化学気相蒸着
チャンバのクリーニングまたはドライエッチング工程を
実施する過程では、有害ガスが排出されるが、有害ガス
は主にパーフルオロ系化合物を含む。ＰＦＣ′ｓは地球
温暖化ガスであり、大気に排出されるＰＦＣ′ｓの量を
減少させ、最小化させるための努力が続けられている。
特に、米国、ヨーロッパ、日本、韓国及び台湾などが含
まれた世界半導体協議会の協約では、２０１０年までに
ＰＦＣ排出量を次の基準年度（米国、ヨーロッパ、日
本：１９９５、韓国：１９９７、台湾：１９９８）対比
１０％の減少を試みている。
【０００３】ＰＦＣ排出量を減少させるための処理方法
には、浄化スクラバー、捕集及びリサイクル（ｒｅｃｙ
ｃｌｅ）が含まれ、代替工程ガスの使用ならびに工程最
適化が含まれる。ＰＦＣ′ｓの除去のために有用である
浄化スクラバーの一般的なタイプは（ａ）ＬＮＧ、ＬＰ
Ｇ、Ｈ2及び／又はＣＨ4を用いる燃焼式タイプのスクラ
バーと、（ｂ）メタル酸化物を用いる化学吸着式タイプ
のスクラバーならびに活性カーボン又はゼオライト表面
作用を用いる物理吸着式タイプのスクラバーと、（ｃ）
プラズマを用いる分解タイプのスクラバーとを含む。
【０００４】図１に示されたように、よく知られた排出
低減工程は、処理ガス気流の排出以前に個別的な工程部
材１（例えば、エッチングチャンバ３、化学気相蒸着反
応器４がある）に各々連結された個別的な浄化スクラバ
ー２を使用するものである。しかし、前記の構成を有す
る排出低減工程は、半導体製造工程全般に費用を増加さ
せることが予想される。さらに、工程レイアウト内にあ
る多様なスクラバーは、集積化と、スクラバーの設置に
よる維持報酬とを難しくする。
【０００５】図２のシステムのように、捕集及びリサイ
クルシステムは、例えば、エッチングチャンバ３及び化
学気相蒸着反応器４からウェットスクラビングシステム
により工程気流を案内した後、ＰＦＣガスを分離及びリ
サイクルさせ、窒素のような工程ガスを回収するメンブ
レン（ｍｅｍｂｒａｎｅ）６を通過させる。システムは
水分除去のためにパウダーを使用する処理を必要とする
だけでなく、ウェットスクラビングシステム５下端（ｄ
ｏｗｎｓｔｒｅａｍ）にパウダー除去システム７の設置
を必要とする。さらに、捕集されるＰＦＣ′ｓの量が少
ないために、実質的にリサイクルされるＰＦＣ′ｓの量
も少ない。また、リサイクリングが不可能である場合、
異なるシステムを使用して前記捕集されたＰＦＣ′ｓを
処理しなければならない。
【０００６】代替ガス及び工程最適化の利用は、適切な
代替ガスが十分でなく、低い工程収率を惹起させる問題
がある。従って、半導体製造工程では、ＰＦＣ′ｓの排
出量を減少及び最小化させるための優れた工程が連続的
に要求されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第１目的は、
多数のサブ−工程（例えば、ドライエッチング、化学気
相蒸着がある）を含む半導体製造工程におけるＰＦＣの
排出低減方法を提供することにある。本発明の第２目的
は、少なくとも一つのエッチングサブ−工程と少なくと
も一つの化学気相蒸着サブ−工程とを含む多数のサブ−
工程を有する半導体製造工程におけるＰＦＣの排出低減
方法を提供することにある。
【０００８】本発明の第３目的は、多数のサブ−工程を
含む半導体製造工程におけるＰＦＣの排出低減システム
を提供することにある。本発明の第４目的は、少なくと
も一つのエッチングサブ−工程と少なくとも一つの化学
気相蒸着サブ−工程とを含み少なくとも一つのＰＦＣが
各々生成されるサブ−工程を含む半導体製造工程におけ
るＰＦＣの排出低減システムを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記第１目的を達成する
ための方法は、各サブ−工程を実施することにより生成
されるＰＦＣ′ｓを共有ラインに排出させる段階と、各
混合排出気流をＰＦＣ浄化システムを使用して処理する
段階と、前記処理された排出気流を混合して混合処理気
流を形成する段階と、混合処理気流をウェットスクラビ
ングさせる段階とを含む。
【００１０】前記第２目的を達成するための方法は、各
エッチングサブ−工程を実施することにより生成される
ＰＦＣ′ｓを第１共有ラインに排出させ混合エッチング
排出気流を形成する段階と、混合エッチング排出気流を
第１ＰＦＣ浄化システムを使用して処理する段階と、各
化学気相蒸着サブ−工程を実施することにより生成され
るＰＦＣ′ｓを第２共有ラインに排出させ、混合化学気
相蒸着排出気流を形成する段階と、混合化学気相蒸着排
出気流を第２ＰＦＣ浄化システムを使用して処理する段
階と、処理された混合エッチング排出気流と処理された
混合化学気相蒸着排出気流とを混合して混合処理気流を
形成する段階と、混合処理気流をウェットスクラビング
させる段階とを含む。
【００１１】前記第３目的を達成するためのシステム
は、第１サブ−工程を実施するための多数の第１デバイ
スと、多数の第１デバイスからパーフルオロ系化合物を
排出させるための第１共有ラインと、第１共有ラインと
連結される第１パーフルオロ系化合物浄化システムと、
第２サブ−工程を実施するための多数の第２デバイス
と、多数の第２デバイスからパーフルオロ系化合物を排
出させるための第２共有ラインと、第２共有ラインと連
結される第２パーフルオロ系化合物浄化システムと、第
１及び第２パーフルオロ系化合物浄化システムと連結さ
れる共有処理排出ラインと、共有処理排出ラインと連結
されるウェットスクラビングシステムとを備える。
【００１２】前記第４目的を達成するためのシステム
は、多数のエッチングサブ−工程を各々実施するための
少なくとも一つのデバイスを含む多数の第１デバイス
と、各エッチングサブ−工程を実施するためのデバイス
と結合し、各エッチングサブ−工程を実施するための少
なくとも一つのデバイスからパーフルオロ系化合物を排
出させるためのサブ−工程共有ラインと、多数の第１デ
バイスから排出されるパーフルオロ系化合物を収容する
ための第１共有ラインと、第１共有ラインと連結される
第１パーフルオロ系化合物浄化システムと、少なくとも
一つの化学気相蒸着サブ−工程を実施するための多数個
の第２デバイスと、多数の第２デバイスからパーフルオ
ロ系化合物を排出するための第２共有ラインと、第２共
有ラインと連結される第２パーフルオロ系化合物浄化シ
ステムと、第１及び第２パーフルオロ系化合物浄化シス
テムと連結される共有処理排出ラインと、共有処理排出
ラインと連結されるウェットスクラビングシステムとを
備える。具体的には、前記システムはＰＦＣ浄化システ
ムの入口及び／又は出口にＰＦＣ′ｓの検出及び測定の
ためのセンサーを配置する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例をより詳細に説明する。図３は、本発明の第１実施
例によるパーフルオロ系化合物の排出低減方法を説明す
るための模式図であり、この方法では、全ての半導体製
造工程（例えば、酸化物エッチング、ポリエッチング、
メタル物エッチング、化学気相蒸着などがある）で、個
別的なサブ−工程が各々少なくとも一つの個別的なデバ
イス又は機構を含み、共有ラインを使用して、各サブ−
工程から排出され収容されるＰＦＣをＰＦＣ浄化システ
ムに案内し、各ＰＦＣ浄化システムに排出されるＰＦＣ
を混合した後、共有のウェットスクラビングシステムに
送る。
【００１４】図３を参照すると、半導体製造工程におけ
るＰＦＣの排出低減システム１０は、多数のサブ−工程
デバイス１２を含み、制限なしに例えば、多数の第１酸
化物エッチング器１４、多数の第２ポリエッチング器１
６、多数の第３メタル物エッチング器１８及び多数の第
４ＣＶＤ反応器２０を含む。多数のサブ−工程デバイス
から各々排出されるＰＦＣ′ｓを含む排出気流は、各共
有ライン２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄに排出される
ことにより、多数の共有排出気流を形成する。その後、
各共有排出気流は個別的なＰＦＣ浄化システムに案内さ
れ、少なくとも一つのＰＦＣを除去するために処理され
る。続いて、前記処理された処理排出気流は共有ライン
２８内部で混合され、混合処理気流を形成する。そし
て、前記混合処理気流はウェットスクラビングシステム
３０に案内され、危険な空気汚染物質が除去される。前
記危険な空気汚染物質を除去した後、浄化された混合処
理気流は大気に排出される。
【００１５】具体的には、ＰＦＣ浄化システム２４ａ、
２４ｂ、２４ｃ、２４ｄは例えば、ＣＨ4又はＨ2のよう
な燃焼性ガスを使用する燃焼式スクラバー、Ｆｅ、Ｃ
ｕ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｒなどを含む応用メタル酸化物レジ
ン（ｒｅｓｉｎ）などを使用する化学吸着式スクラバ
ー、活性カーボン及び／又はゼオライトを使用する物理
吸着式スクラバー、ならびにＮａＯＨ及びＫＯＨのよう
な水酸化物を使用するウェットスクラバーを含むことが
できる。
【００１６】図５から図７は、ＰＦＣ浄化システムの例
を示す。図５に示すように、燃焼式及びウェットタイプ
の第１ＰＦＣ浄化システム４０は、入口４４を有する燃
焼器４２と、サイクロンスクラバー４６と、出口５０を
有するウェットスクラバー４８とを含む。第１ＰＦＣ浄
化システム４０で、ＰＦＣ′ｓを含む排出気流は燃焼器
４２の入口４４を経た後、サイクロンスクラバー４６を
通じてウェットスクラバー４８に流入し、出口５０を通
じて排出される。
【００１７】図６に示すように、燃焼式及びウェットタ
イプの第２ＰＦＣ浄化システム６０は単一デバイスとし
て、ハウジング６２、処理された排出気流を案内する入
口６４、ならびに入口先端（ｕｐｓｔｒｅａｍ）に位置
する燃焼ガス引入ライン６６を含む。前記排出気流は混
合され、燃焼ガスバーナ６６を使用して燃焼させる。そ
の後、前記混合気流は水噴射機７０間に配置されるフィ
ルタ６８を通過した後、除去器７２を通過する。そし
て、入口７４を経てハウジング６２外に排出される。水
噴射機７０から噴射される水は水ドレーン７６を通じて
外に排出される。
【００１８】図７に示すように、化学吸着式ＰＦＣ浄化
システムは、入口８２、レジンが内蔵された多数のユニ
ット８４、ならびに出口８６を含む。処理のための排出
気流は入口８２を経て、経路を案内するライン及びバル
ブによってユニット８４を通過し、これにより出口８４
を通じて排出される。この他にも、異なるタイプの浄化
スクラバーを適切に使用することができる。
【００１９】酸化物、ポリ又はメタル物のようなドライ
エッチング工程では、工程の特性のために、ＰＦＣ′ｓ
及び異なる工程ガスを分離して排出することは容易でな
い。ドライエッチングデバイスから排出される排出気流
は、半導体製造工程全般の異なるサブ−工程に使用され
る化学気相蒸着反応器から排出される排出気流と化学組
成物が相異する。そこで、図４に示された本発明の第２
実施例では、半導体製造工程全般の各エッチングサブ−
工程に使用されるデバイス１４、１６、１８から排出さ
れるＰＦＣ′ｓは、各エッチングサブ−工程に連結され
た多様な共有ライン２２ａ、２２ｂ、２２ｃから共有ラ
イン２２ｅに排出され、これにより混合された排出気流
は、処理のために第１ＰＦＣ浄化システム２４ｅに案内
される。半導体製造工程全般の化学気相蒸着サブ−工程
に使用されるデバイス２０から排出されるＰＦＣ′ｓ
は、前述した実施例のように、異なる共有ライン２２ｄ
に排出され、第２ＰＦＣ浄化システム２４ｄに案内され
る。そして、第２、第１ＰＦＣ浄化システム２４ｄ、２
４ｅを使用して処理した処理気流は、互いに混合された
後、危険な空気汚染を除去するためのウェットスクラバ
ー３０に案内され、続いて、大気に排出される。第１、
第２実施例で、センサー２６はＰＦＣ浄化システムの入
口及び／又は出口に設けられ、未処理及び／又は処理排
出気流を含むＰＦＣ′ｓの量を測定する。前記センサー
はＰＦＣ低減工程の制御を向上させる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によると、ＰＦＣ′ｓ排出を低減
させ、前記排出による地球温暖化を緩和させることがで
きる効果がある。本発明の方法及びシステムは既存の製
造装置に適用することができる。従って、新しい装置の
投資費用を節減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体製造工程においてパーフルオロ系
化合物の排出を低減させる個別的な処理システムを使用
した工程を説明するための模式図である。
【図２】従来のガス捕集及びリサイクルシステムを使用
したパーフルオロ系化合物の排出を低減させる工程を説
明するための模式図である。
【図３】本発明の第１実施例によるパーフルオロ系化合
物の排出低減方法を説明するための模式図である。
【図４】本発明の第２実施例によるパーフルオロ系化合
物の排出低減方法を説明するための模式図である。
【図５】本発明の第１、第２実施例によるパーフルオロ
系化合物浄化システムを示す図である。
【図６】本発明の第１、第２実施例によるパーフルオロ
系化合物浄化システムを示す図である。
【図７】本発明の第１、第２実施例によるパーフルオロ
系化合物浄化システムを示す図である。
【符号の説明】
１０ ＰＦＣの排出低減システム １２ サブ−工程デバイス １４ 第１酸化物エッチング器 １６ 第２ポリエッチング器 １８ 第３メタル物エッチング器 ２０ 第４ＣＶＤ反応器 ２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、２８ 共有ライン ２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ ＰＦＣ浄化システ
ム ３０ ウェットスクラバー ４０ 第１ＰＦＣ浄化システム ４２ 燃焼器 ４４ 入口 ４８ ウェットスクラバー ５０ 出口 ６０ 第２ＰＦＣ浄化システム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｂ０１Ｄ 53/34 １３４Ｄ (72)発明者 丁 相赫 大韓民国京畿道水原市八達区霊通洞黄骨タ ウン住公アパート151棟1602号 (72)発明者 許 星鎭 大韓民国京畿道水原市八達区霊通洞宇星ア パート822棟1403号 Ｆターム(参考） 4D002 AA22 AC10 BA02 BA04 BA05 CA01 CA13 DA02 DA03 DA04 DA11 DA12 DA21 DA22 DA23 DA24 DA41 DA45 EA02 GA02 GB02 4K030 EA12 FA10 KA49 5F004 AA16 BC02 DA00 5F045 EG05 EG07

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも一つのパーフルオロ系化合物
    が各々生成される複数のサブ−工程を含む半導体製造工
    程において前記パーフルオロ系化合物の排出を低減する
    方法であって、 前記サブ−工程を各々実施することにより生成されるパ
    ーフルオロ系化合物を共有ラインに排出し、混合排出気
    流を形成する段階i）と、 前記サブ−工程から各々排出される前記混合排出気流を
    個別のパーフルオロ系化合物浄化システムを使用して処
    理する段階ii）と、 前記処理された排出気流を混合して混合処理気流を形成
    する段階iii）と、 前記混合処理気流をウェットスクラビングする段階iv）
    と、 を含むことを特徴とするパーフルオロ系化合物の排出低
    減方法。
  2. 【請求項２】 前記サブ−工程は、ドライエッチング工
    程及び化学気相蒸着工程を含むグループより選択される
    ことを特徴とする請求項１に記載のパーフルオロ系化合
    物の排出低減方法。
  3. 【請求項３】 前記ドライエッチング工程は、酸化物エ
    ッチング工程、ポリエッチング工程及びメタル物エッチ
    ング工程を含むグループより選択されることを特徴とす
    る請求項２に記載のパーフルオロ系化合物の排出低減方
    法。
  4. 【請求項４】 前記段階ii）で、前記個別のパーフルオ
    ロ系化合物浄化システムは、各々燃焼式スクラバー、化
    学吸着式スクラバー、物理吸着式スクラバー、ウェット
    スクラバー及び混合スクラバーを含むグループより独立
    的に選択されることを特徴とする請求項１に記載のパー
    フルオロ系化合物の排出低減方法。
  5. 【請求項５】 前記混合排出気流のうちの少なくとも一
    つは、前記混合排出気流のうちの少なくとも一つのパー
    フルオロ系化合物の量を測定するセンサーを通過するこ
    とを特徴とする請求項１に記載のパーフルオロ系化合物
    の排出低減方法。
  6. 【請求項６】 前記混合排出気流は、前記段階ii）を実
    施する以前に前記センサーを通過することを特徴とする
    請求項５に記載のパーフルオロ系化合物の排出低減方
    法。
  7. 【請求項７】 前記混合排出気流は、前記段階ii）を実
    施した以後に前記センサーを通過することを特徴とする
    請求項５に記載のパーフルオロ系化合物の排出低減方
    法。
  8. 【請求項８】 少なくとも一つのエッチングサブ−工程
    と少なくとも一つの化学気相蒸着サブ−工程とを含み少
    なくとも一つのパーフルオロ系化合物が各々生成される
    複数のサブ−工程を含む半導体製造工程において前記パ
    ーフルオロ系化合物の排出を低減する方法であって、 前記エッチングサブ−工程を各々実施することにより生
    成されるパーフルオロ系化合物を第１共有ラインに排出
    し、混合エッチング排出気流を形成する段階i）と、 前記混合エッチング排出気流を第１パーフルオロ系化合
    物浄化システムを使用して処理する段階ii）と、 前記化学気相蒸着サブ−工程を各々実施することにより
    生成されるパーフルオロ系化合物を第２共有ラインに排
    出し、混合化学気相蒸着排出気流を形成する段階iii）
    と、 前記混合化学気相蒸着排出気流を第２パーフルオロ系化
    合物浄化システムを使用して処理する段階iv）と、 前記段階ii）で処理された混合エッチング排出気流と前
    記段階iii）で処理された混合化学気相蒸着排出気流と
    を混合して混合処理気流を形成する段階v）と、 前記混合処理気流をウェットスクラビングする段階vi）
    と、 を含むことを特徴とするパーフルオロ系化合物の排出低
    減方法。
  9. 【請求項９】 前記エッチングサブ−工程は、酸化物エ
    ッチング工程、ポリエッチング工程及びメタル物エッチ
    ング工程を含むグループより選択されることを特徴とす
    る請求項８に記載のパーフルオロ系化合物の排出低減方
    法。
  10. 【請求項１０】 前記第１パーフルオロ系化合物浄化シ
    ステム及び前記第２パーフルオロ系化合物浄化システム
    は、燃焼式スクラバー、化学吸着式スクラバー、物理吸
    着式スクラバー、ウェットスクラバー及び混合スクラバ
    ーを含むグループより独立的に選択されることを特徴と
    する請求項８に記載のパーフルオロ系化合物の排出低減
    方法。
  11. 【請求項１１】 前記混合エッチング排出気流及び前記
    混合化学気相蒸着排出気流のうちの少なくとも一つは、
    前記混合エッチング排出気流及び前記混合化学気相蒸着
    排出気流のうちの少なくとも一つのパーフルオロ系化合
    物の量を測定するセンサーを通過することを特徴とする
    請求項８に記載のパーフルオロ系化合物の排出低減方
    法。
  12. 【請求項１２】 前記混合エッチング排出気流及び前記
    混合化学気相蒸着排出気流のうちの少なくとも一つは、
    前記第１パーフルオロ系化合物浄化システム及び前記第
    ２パーフルオロ系化合物浄化システムにより処理される
    以前に前記センサーを通過することを特徴とする請求項
    １１に記載のパーフルオロ系化合物の排出低減方法。
  13. 【請求項１３】 前記混合エッチング排出気流及び前記
    混合化学気相蒸着排出気流のうちの少なくとも一つは、
    前記第１パーフルオロ系化合物浄化システム及び前記第
    ２パーフルオロ系化合物浄化システムにより処理された
    以後に前記センサーを通過することを特徴とする請求項
    １１に記載のパーフルオロ系化合物の排出低減方法。
  14. 【請求項１４】 少なくとも一つのパーフルオロ系化合
    物が各々生成される複数のサブ−工程を含む半導体製造
    工程において前記パーフルオロ系化合物の排出を低減す
    るシステムであって、 第１サブ−工程を実施するための複数の第１デバイス
    （ａ）と、 前記複数の第１デバイス（ａ）から前記パーフルオロ系
    化合物を排出させるための第１共有ライン（ｂ）と、 前記第１共有ライン（ｂ）と連結される第１パーフルオ
    ロ系化合物浄化システム（ｃ）と、 第２サブ−工程を実施するための複数の第２デバイス
    （ｄ）と、 前記複数の第２デバイス（ｄ）から前記パーフルオロ系
    化合物を排出させるための第２共有ライン（ｅ）と、 前記第２共有ライン（ｅ）と連結される第２パーフルオ
    ロ系化合物浄化システム（ｆ）と、 前記第１パーフルオロ系化合物浄化システム（ｃ）及び
    前記第２パーフルオロ系化合物浄化システム（ｆ）と連
    結される共有処理排出ライン（ｇ）と、 前記共有処理排出ライン（ｇ）と連結されるウェットス
    クラビングシステム（ｈ）と、 を備えることを特徴とするパーフルオロ系化合物の排出
    低減システム。
  15. 【請求項１５】 前記第１パーフルオロ系化合物浄化シ
    ステム（ｃ）及び前記第２パーフルオロ系化合物浄化シ
    ステム（ｆ）のうちの少なくとも一つにより少なくとも
    一つの気流が処理される以前又は以後に、前記パーフル
    オロ系化合物のうちの少なくとも一つの化合物の量を測
    定するための少なくとも一つのセンサーを備えることを
    特徴とする請求項１４に記載のパーフルオロ系化合物の
    排出低減システム。
  16. 【請求項１６】 少なくとも一つのエッチングサブ−工
    程と少なくとも一つの化学気相蒸着サブ−工程とを含み
    少なくとも一つのパーフルオロ系化合物が各々生成され
    る複数のサブ−工程を含む半導体製造工程において前記
    パーフルオロ系化合物の排出を低減するシステムであっ
    て、 前記エッチングサブ−工程を各々実施するための少なく
    とも一つのデバイスを含む複数の第１デバイス（ａ）
    と、 前記エッチングサブ−工程を各々実施するためのデバイ
    スと結合し、前記エッチングサブ−工程を実施するため
    の少なくとも一つのデバイスから前記パーフルオロ系化
    合物を排出させるためのサブ−工程共有ライン（ｂ）
    と、 前記複数の第１デバイス（ａ）から排出されるパーフル
    オロ系化合物を収容するための第１共有ライン（ｃ）
    と、 前記第１共有ライン（ｃ）と連結される第１パーフルオ
    ロ系化合物浄化システム（ｄ）と、 前記少なくとも一つの化学気相蒸着サブ−工程を実施す
    るための複数の第２デバイス（ｅ）と、 前記複数の第２デバイス（ｅ）から前記パーフルオロ系
    化合物を排出するための第２共有ライン（ｆ）と、 前記第２共有ライン（ｆ）と連結される第２パーフルオ
    ロ系化合物浄化システム（ｇ）と、 前記第１パーフルオロ系化合物浄化システム（ｄ）及び
    前記第２パーフルオロ系化合物浄化システム（ｇ）と連
    結される共有処理排出ライン（ｈ）と、 前記共有処理排出ライン（ｈ）と連結されるウェットス
    クラビングシステム（ｉ）と、 を備えることを特徴とするパーフルオロ系化合物の排出
    低減システム。
  17. 【請求項１７】 前記第１パーフルオロ系化合物浄化シ
    ステム（ｄ）及び前記第２パーフルオロ系化合物浄化シ
    ステム（ｇ）のうちの少なくとも一つにより少なくとも
    一つの気流が処理される以前又は以後に、前記パーフル
    オロ系化合物のうちの少なくとも一つの化合物の量を測
    定するための少なくとも一つのセンサーを備えることを
    特徴とする請求項１６に記載のパーフルオロ系化合物の
    排出低減システム。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100448514C (zh) * 2006-02-06 2009-01-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种局部废气处理系统及其控制方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6602323B2 (en) * 2001-03-21 2003-08-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for reducing PFC emission during semiconductor manufacture
JP4214717B2 (ja) * 2002-05-31 2009-01-28 株式会社日立製作所 過弗化物処理装置
US7021903B2 (en) * 2003-12-31 2006-04-04 The Boc Group, Inc. Fore-line preconditioning for vacuum pumps
US20080003158A1 (en) * 2006-02-11 2008-01-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for pfc abatement using a cdo chamber
KR20080104372A (ko) * 2006-03-16 2008-12-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 전자 장치 제조 시스템의 압력 제어 방법 및 장치
US20090175771A1 (en) * 2006-03-16 2009-07-09 Applied Materials, Inc. Abatement of effluent gas
JP2014063605A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明用電源装置及び照明装置
GB2515017B (en) * 2013-06-10 2017-09-20 Edwards Ltd Process gas abatement
GB2587393A (en) * 2019-09-26 2021-03-31 Edwards Ltd Optimising operating conditions in an abatement apparatus

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4725204A (en) * 1986-11-05 1988-02-16 Pennwalt Corporation Vacuum manifold pumping system
FI95421C (fi) * 1993-12-23 1996-01-25 Heikki Ihantola Puolijohteen, kuten piikiekon, prosessoinnissa käytettävä laitteisto ja menetelmä
FR2724327B1 (fr) 1994-09-12 1996-10-25 Air Liquide Procede de separation membranaire par cascade de membranes de selectivites differentes
US5785741A (en) 1995-07-17 1998-07-28 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges, Claude Process and system for separation and recovery of perfluorocompound gases
US5858065A (en) 1995-07-17 1999-01-12 American Air Liquide Process and system for separation and recovery of perfluorocompound gases
US6187072B1 (en) 1995-09-25 2001-02-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions
US5759237A (en) 1996-06-14 1998-06-02 L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et, L'exploitation Des Procedes Georges Claude Process and system for selective abatement of reactive gases and recovery of perfluorocompound gases
IE80909B1 (en) 1996-06-14 1999-06-16 Air Liquide An improved process and system for separation and recovery of perfluorocompound gases
GB9614849D0 (en) 1996-07-15 1996-09-04 Boc Group Plc Processes for the scubbing of noxious substances
KR0183912B1 (ko) * 1996-08-08 1999-05-01 김광호 다중 반응 챔버에 연결된 펌핑 설비 및 이를 사용하는 방법
JP3866404B2 (ja) 1998-02-06 2007-01-10 カンケンテクノ株式会社 半導体排ガスの除害装置
JPH11230036A (ja) * 1998-02-18 1999-08-24 Ebara Corp 真空排気システム
US6017382A (en) * 1998-03-30 2000-01-25 The Boc Group, Inc. Method of processing semiconductor manufacturing exhaust gases
JP3636617B2 (ja) 1998-06-18 2005-04-06 カンケンテクノ株式会社 パーフルオロカーボンガスの除去方法及び除去装置
JP2000009037A (ja) * 1998-06-18 2000-01-11 Fujitsu Ltd 排気装置及び排気方法
EP1048337A1 (en) 1999-04-28 2000-11-02 Air Products And Chemicals, Inc. Recovery of perfluorinated compounds from the exhaust of semiconductors fabrications with recycle of vaccum pump dilutent
JP3994605B2 (ja) 1999-11-26 2007-10-24 株式会社日立製作所 Ｐｆｃガスの処理方法及び処理装置
US6602323B2 (en) * 2001-03-21 2003-08-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for reducing PFC emission during semiconductor manufacture

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100448514C (zh) * 2006-02-06 2009-01-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种局部废气处理系统及其控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1375858A (zh) 2002-10-23
GB0122615D0 (en) 2001-11-07
CN1197121C (zh) 2005-04-13
DE10152536B4 (de) 2006-01-19
GB2373459B (en) 2003-05-28
US20020134233A1 (en) 2002-09-26
GB2373459A (en) 2002-09-25
DE10152536A1 (de) 2002-10-02
US6602323B2 (en) 2003-08-05

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