KR100449781B1 - 반도체 제조 공정에서 퍼플루오르계 화합물의 배출을감소시키기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

반도체 제조 공정에서 퍼플루오르계 화합물의 배출을감소시키기 위한 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100449781B1
KR100449781B1 KR10-2002-0003623A KR20020003623A KR100449781B1 KR 100449781 B1 KR100449781 B1 KR 100449781B1 KR 20020003623 A KR20020003623 A KR 20020003623A KR 100449781 B1 KR100449781 B1 KR 100449781B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
perfluoro
sub
mixed
air stream
processes
Prior art date
Application number
KR10-2002-0003623A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020075214A (ko
Inventor
채승기
이상곤
정상혁
허성진
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Publication of KR20020075214A publication Critical patent/KR20020075214A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100449781B1 publication Critical patent/KR100449781B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
    • Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
    • Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

반도체 제조 공정에서 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 방법은 적어도 하나의 퍼플루오르계 화합물이 생성되는 각각의 서브-공정들을 포함하고, 각각의 서브-공정을 수행함에 따라 생성되는 퍼플루오르계 화합물들을 공통 라인으로 배출시켜 혼합 배출 기류를 형성하고, 개별적인 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템을 사용하여 각각의 서브-공정으로부터 배출되는 혼합 배출 기류를 처리하고, 상기 처리 배출 기류들을 혼합하여 혼합 처리 기류를 형성한 다음 상기 혼합 처리 기류를 습식 스크러빙시키는 단계들을 포함한다.

Description

반도체 제조 공정에서 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키기 위한 방법 및 장치{Method and apparatus for reducing PFC emission during semiconductor manufacture}
본 발명은 반도체 제조 공정에서 퍼플로오르계 화합물(perfluoro compounds)들의 배출을 감소시키기 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다.
반도체 제조 공정들, 예를 들면, 화학기상증착 챔버의 클린닝 또는 건식식각 공정들을 수행하는 도중에는 유해 가스들이 배출되는데, 상기 유해 가스들은 주로 퍼플루오르계 화합물(이하 "PFC 또는 PFC's"라 한다)들을 포함한다. PFC's는 지구 온난화 가스로서, 대기로 배출되는 PFC's의 양을 감소시키고, 최소화시키기 위한 노력을 계속하고 있다. 특히, 미국, 유럽, 일본, 한국 및 대만 등이 포함된 세계 반도체 협의회의 협약에는 2010년까지 PFC 배출량을 다음의 기준 연도(미국, 유럽, 일본 : 1995, 한국 1997, 대만 1998) 대비 10% 감소를 시도하고 있다.
PFC 배출양을 감소하기 위한 알려진 처리 방법들에는 정화 스크러버, 포집 및 리사이클(recycle)을 포함하고, 대체 공정 가스들의 사용 및 공정 최적화가 포함된다. PFC's의 제거를 위한 유용한 정화 스크러버들의 일반적인 타입들은 (a) LNG, LPG, H2및/또는 CH4를 이용하는 연소식-타입의 스크러버들, (b) 금속 산화물들을 이용하는 화학 흡착식 타입의 스크러버들 및 활성 카본 또는 제올라이트 표면 작용을 이용하는 물리 흡착식 타입의 스크러버들 및 (c) 플라즈마를 이용하는 분해 타입의 스크러버들을 포함한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 확실하게 알려진 배출 감소 공정들은 처리 가스 기류들의 배출 이전에 개별적인 공정 부재들(1)(예를 들면, 식각 챔버들(3), 화학기상증착 반응기(4)들이 있다) 각각에 연결된 개별적인 정화 스크러버들(2)을 사용하는 것이다. 그러나, 상기 구성을 갖는 배출 감소 공정들은 반도체 제조 공정 전반에 비용을 증가시킬 것으로 예상된다. 게다가, 공정 레이 아웃들 내에 있는 다양한 스크러버들은 집적화를 어렵게 하고, 스크러버들의 설치에 따른 유지 보수를 어렵게 한다.
도 2의 시스템에서와 같이, 포집 및 리사이클 시스템들은, 예를 들면 식각 챔버들(3) 및 화학기상증착 반응기들(4)로부터 습식 스크러빙 시스템으로 공정 기류들을 안내한 다음 PFC 가스들을 분리 및 리사이클시키고, 질소와 같은 공정 가스들을 회수하는 멤브레인(6)으로 통과시킨다. 상기 시스템들은 수분 제거를 위하여 파우더를 사용하는 전처리를 필요로 하고, 뿐만 아니라 상기 습식 스크러빙 시스템(5) 뒷단(downstream)에 파우더 제거 시스템(7)의 설치를 필요로 한다. 게다가, 포집되는 PFC's의 양이 적기 때문에 실질적으로 리사이클되는 PFC's의 양도 적다. 또한, 리사이클링이 불가능할 경우에는, 다른 시스템을 사용하여 상기 포집된 PFC's를 처리해야 한다.
대체 가스들 및 공정 최적화의 이용은 적절한 대체 가스가 충분하지 않고, 낮은 공정 수율을 야기시키는 문제가 있다.
따라서, 반도체 제공 공정들에서, PFC's가 배출되는 양을 감소 및 최소화시키기 위한 향상된 공정이 계속적으로 요구되어 있다.
본 발명의 제1 목적은, 다수의 서브-공정(예를 들면, 건식 식각, 화학기상증착이 있다)들을 포함하는 반도체 제조 공정에서 PFC 배출을 감소시키기 위한 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 제2 목적은, 적어도 하나의 식각 서브-공정과 적어도 하나의 화학기상증착 서브-공정을 포함하는 다수의 서브-공정들을 갖는 반도체 제조 공정에서 PFC 배출을 감소시키기 위한 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 제3 목적은, 다수의 서브-공정들을 포함하는 반도체 제조 공정에서 PFC 배출을 감소시키기 위한 시스템을 제공하는 데 있다.
본 발명의 제4 목적은, 적어도 하나의 식각 서브-공정과 적어도 하나의 화학기상증착 서브-공정을 포함하고, 적어도 하나의 PFC가 각각으로 생성되는 서브-공정들을 포함하는 반도체 제조 공정에서 PFC 배출을 감소시키기 위한 시스템을 제공하는 데 있다.
도 1은 종래의 반도체 제조 공정에서 각각의 디바이스 또는 기구(예를 들면, 식각기들, 화학기상증착 반응기들이 있다)에 사용되고, 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 개별적인 처리 시스템을 사용한 공정을 설명하기 위한 개략도이다.
도 2는 종래의 가스 포집 및 리사이클 시스템을 사용하여 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 공정을 설명하기 위한 개략도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 방법을 설명하기 위한 개략도이다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 방법을 설명하기 위한 개략도이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 방법 및 장치의 구체적인 실시예들에 따른 바람직한 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템들을 도시한 도면이다.
상기 제1 목적을 달성하기 위한 방법은, 각각의 서브-공정을 수행함에 따라 생성되는 PFC's를 공유 라인으로 배출시키는 단계와, 각각의 혼합 배출 기류를 PFC 정화 시스템을 사용하여 처리하는 단계와, 상기 처리가 이루어진 배출 기류들을 혼합하여 혼합 처리 기류를 형성하는 단계; 및 상기 혼합 처리 기류를 습식 스크러빙시키는 단계를 포함한다.
상기 제2 목적을 달성하기 위한 방법은, 각각의 식각 서브-공정을 수행함에 따라 생성되는 PFC's를 제1 공유 라인으로 배출시켜 혼합 식각 배출 기류를 형성하는 단계와, 상기 혼합 식각 배출 기류를 제1 PFC 정화 시스템을 사용하여 처리하는 단계와, 각각의 화학기상증착 서브-공정을 수행함에 따라 생성되는 PFC's를 제2 공유 라인으로 배출시켜 혼합 화학기상증착 배출 기류를 형성하는 단계와, 상기 혼합 화학기상증착 배출 기류를 제2 PFC 정화 시스템을 사용하여 처리하는 단계와,, 상기 처리가 이루어진 혼합 식각 배출 기류와 상기 처리가 이루어진 혼합 화학기상증착 배출 기류를 혼합하여 혼합 처리 기류를 형성하는 단계; 및 상기 혼합 처리 기류를 습식 스크러빙시키는 단계를 포함한다.
상기 제3 목적을 달성하기 위한 시스템은, 제1 서브-공정을 수행하기 위한 다수의 제1 디바이스들과, 상기 다수의 제1 디바이스들로부터 퍼플루오르계 화합물들을 배출시키기 위한 제1 공유 라인과, 상기 제1 공유 라인과 연결되는 제1 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템과, 제2 서브-공정을 수행하기 위한 다수의 제2 디바이스들과, 상기 다수의 제2 디바이스들로부터 퍼플로오르계 화합물들을 배출시키기 위한 제2 공유 라인과, 상기 제2 공유 라인과 연결되는 제2 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템과, 상기 제1 및 제2 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템들과 연결되는 공유 처리 배출 라인; 및 상기 공유 처리 배출 라인과 연결되는 습식 스크러빙 시스템을 포함한다.
상기 제4 목적을 달성하기 위한 시스템은, 다수의 제1 식각 서브-공정을 각각으로 수행하기 위한 적어도 하나의 디바이스를 포함하는 다수의 제1 디바이스들과, 각각의 식각 서브-공정들과 결합되고, 상기 각각의 식각 서브-공정들을 수행하기 위한 적어도 하나의 디바이스들로부터 퍼플루오르계 화합물들을 배출시키기 위한 서브-공정 공유 라인과, 상기 다수의 제1 디바이스들로부터 배출되는 퍼플루오르계 화합물들을 수용하기 위한 제1 공유 라인과, 상기 제1공유 라인과 연결되는 제1 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템과, 적어도 하나의 화학기상증착 서브-공정을 수행하기 위한 다수개의 제2 디바이스들과, 상기 다수의 제2 디바이스들로부터 퍼플루오르계 화합물을 배출하기 위한 제2 공유 라인과, 상기 제2 공유 라인과 연결되는 제2 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템과, 상기 제1 및 제2 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템들과 연결되는 공유 처리 배출 라인; 및 상기 공유 처리 배출 라인과 연결되는 습식 스크러빙 시스템을 포함한다.
구체적인 실시예들로서, 상기 시스템은 상기 PFC 정화 시스템들의 입구들 및/또는 출구들에 PFC's의 검출 및 측정을 위한 센서를 배치한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 방법을 설명하기 위한 개략도로서, 모든 반도체 제조 공정(예를 들면, 산화물 식각, 폴리 식각, 금속물 식각, 화학기상증착 등이 있다)에서 각각의 개별적인 서브 공정은 적어도 하나의 개별적인 디바이스들 또는 기구들을 포함하고, 공유 라인을 사용하여 각각의 서브-공정들로부터 배출되고, 수용되는 PFC를 PFC 정화 시스템으로 안내하고, 각각의 PFC 정화 시스템으로 배출되는 PFC를 혼합한 다음 공유의 습식 스크러빙 시스템으로 보내지는 구성을 갖는다.
도 3을 참조하면, 반도체 제조 공정에서 PFC 배출을 감소시키기 위한 시스템(10)은 다수의 서브-공정 디바이스들(12), 제한없이 예를 들면, 다수의 제1산화물 식각기들(14), 다수의 제2 폴리 식각기들(16), 다수의 제3 금속물 식각기들(18) 및 다수의 제4 CVD 반응기들(20)을 포함한다. 다수의 서브-공정 디바이스들 각각으로부터 배출되는 PFC's를 포함하는 배출 기류들은 각각의 공유 라인(22a-d)으로 배출됨으로서, 다수의 공유 배출 기류들을 형성한다. 그 다음, 각각의 공유 배출 기류는 개별적인 PFC 정화 시스템으로 안내되고, 적어도 하나의 PFC를 제거하기 위한 처리가 이루어진다. 이어서, 상기 처리가 이루어진 처리 배출 기류들은 공유 라인(28) 내부에서 혼합되어 혼합 처리 기류를 형성한다. 그리고, 상기 혼합 처리 기류는 습식 스크러빙 시스템(30)으로 안내되어 위험한 공기 오염물들이 제거된다. 상기 위험한 공기 오염물들을 제거한 다음 정화된 혼합 배출 기류는 대기로 배출된다.
구체적으로, 상기 PFC 정화 시스템들(24a-d)는 예를 들면, CH4또는 H2와 같은 연소성 가스들을 사용하는 연소식 스크러버들, Fe, Cu, Mn, Ni, Sr 등을 포함하는 응용 금속 산화물 레진(resin)들을 사용하는 화학 흡착식 스크러버들, 활성 카본 또는 활성 카본 및/또는 제올라이트를 사용하는 물리 흡착식 스크러버들, 그리고 NaOH 및 KOH와 같은 수산화물을 사용하는 습식 스크러버들을 포함할 수 있다.
도 5 내지 도 7은 전술한 PFC 정화 시스템들을 나타낸다. 도 5에서, 연소식 및 습식 타입의 제1 PFC 정화 시스템(40)은 입구(44)를 갖는 연소기(42)와, 싸이클론 스크러버(46) 및 출구(50)를 갖는 습식 스크러버(48)를 포함한다. 상기 시스템(40)에서, PFC's를 포함하는 배출 기류는 연소기(42)의 입구(44)를 경유한 다음 싸이클론 스크러버(46)를 통하여 습식 스크러버(48)로 유입되고, 출구(50)를 통하여 배출된다.
도 6에서, 연소식 및 습식 타입의 제2 PFC 정화 시스템(60)은 단일 디바이스로서, 하우징(62), 처리가 이루어진 배출 기류를 안내하는 입구(64) 및 상기 입구 전단(upstream)에 위치하는 연소 가스 인입 라인(65)을 포함한다. 상기 배출 기류는 혼합되고, 연소 가스 버너(66)를 사용하여 연소시킨다. 그 다음, 상기 혼합 기류는 물 분사기들(70) 사이에 배치되는 필터(68)를 통과한 다음 제거기(72)를 통과한다. 그리고, 입구(74)를 경유하여 하우징(62) 밖으로 배출된다. 분사기들(70)로부터 분사되는 물은 물 드레인(76)을 통하여 밖으로 배출된다.
도 7에서, 화학 흡착식 PFC 정화 시스템은 입구(82), 레진이 내장된 다수의 유닛들(84) 및 출구(86)를 포함한다. 처리를 위한 배출 기류는 입구(82)를 경유하고, 경로를 안내하는 라인들 및 밸브들에 의하여 유닛들(84)을 통과하고, 이에 따라 출구(86)를 통하여 처리 배출 기류를 배출한다. 이외에도, 다른 타입의 정화 스크러버들 또한 적절하게 사용할 수 있다.
산화물, 폴리, 또는 금속물이 건식식각 공정들과 같은 건식식각 공정들에서, 상기 공정들의 특성 때문에, PFC's 및 다른 공정 가스들을 분리하여 배출하는 것이 때때로 용이하지 않다, 그러므로, 건식식각 디바이스들로부터 배출되는 배출 기류들은 반도체 제조 공정 전반의 다른 서브-공정들에 사용되는 화학기상증착 반응기들로부터 배출되는 배출 기류들과 화학 조성물들이 서로 다르다. 따라서, 도 4에 예시된 본 발명의 다른 실시예에서와 같이, 반도체 제조 공정 전반의 각각의 식각서브-공정에 사용되는 디바이스들(14, 16, 18)로부터 배출되는 PFC's는 각각의 식각 서브-공정에 연결된 다양한 라인(22a-c)들로부터 공유 라인(22e)으로 배출되고, 이에 따라 혼합된 배출 기류들은 처리를 위하여 제1 PFC 정화 시스템(24e)으로 안내된다. 반도체 제조 공정 전반의 화학기상증착 서브 공정들에 사용되는 디바이스들(20)로부터 배출되는 PFC's는, 전술한 실시예에서와 같이, 다른 공유 라인(22d)으로 배출되고, 제2 PFC 정화 시스템(24d)으로 안내된다. 그리고, 상기 PFC 정화 시스템들(24d, 24e)을 사용하여 처리한 처리 기류들은 서로 혼합된 다음 위험한 공기 오염물들을 제거하기 위한 습식 스크러버(30)로 안내되고, 이어서, 대기로 배출된다.
구체적인 실시예들에서, 센서들(26)은 상기 PFC 정화 시스템들의 입구들 및/또는 출구들에 설치되고, 미처리 및/또는 처리 배출 기류들을 포함하는 PFC's의 양을 측정한다. 상기 센서들은 PFC 감소 공정의 제어를 향상시킨다.
본 발명의 방법 및 장치는 PFC's 배출 감소시키고, 상기 배출에 따른 지구 온난화를 완화시킬 수 있는 효과가 있다. 본 발명의 방법 및 장치는 기존의 제조 장치에 적용할 수 있다. 따라서, 새로운 장치의 투자 비용을 절감할 수 있고, 관리 포인트의 감소 등을 유도할 수 있다.

Claims (17)

  1. 적어도 하나의 퍼플루오르계 화합물이 각각으로 생성되는 다수의 서브-공정들을 포함하는 반도체 제조 공정에서,
    ⅰ) 각각의 서브-공정을 수행함에 따라 생성되는 퍼플루오르계 화합물(perfluoro compounds : PFC's)들을 공유 라인으로 배출시켜 혼합 배출 기류를 형성하는 단계;
    ⅱ) 각각의 서브-공정으로부터 배출되는 상기 혼합 배출 기류를 개별적인 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템을 사용하여 처리하는 단계;
    ⅲ) 상기 처리가 이루어진 배출 기류들을 혼합하여 혼합 처리 기류를 형성하는 단계; 및
    ⅳ) 상기 혼합 처리 기류를 습식 스크러빙하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 서브-공정들은 건식식각 공정들 및 화학기상증착(CVD) 공정들로 구성되는 그룹으로부터 선택하는 것을 특징으로 하는 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 건식식각 공정들은 산화물 식각 공정들, 폴리 식각 공정 및 금속물 식각 공정들로 구성되는 그룹으로부터 선택하는 것을 특징으로 하는퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 ⅱ) 단계에서 각각의 개별적인 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템은 연소식 스크러버들, 화학 흡착식 스크러버들, 물리 흡착식 스크러버들, 습식 스크러버들 및 이들의 혼합 스크러버들로 구성되는 그룹으로부터 독립적으로 선택하는 것을 특징으로 하는 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 혼합 배출 기류 중의 적어도 하나는 상기 배출 기류 중의 적어도 하나의 퍼플루오르계 화합물의 양을 측정하는 센서를 통과하는 것을 특징으로 하는 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 혼합 배출 기류는 상기 ⅱ) 단계를 수행하기 이전에 센서를 통과하는 것을 특징으로 하는 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 혼합 배출 기류는 상기 ⅱ) 단계를 수행한 이후에 센서를 통과하는 것을 특징으로 하는 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 방법.
  8. 적어도 하나의 식각 서브-공정과 적어도 하나의 화학기상증착 서브-공정을 포함하고, 적어도 하나의 퍼플루오르계 화합물이 각각으로 생성되는 서브-공정들을 다수 포함하는 반도체 제조 공정에서,
    ⅰ) 각각의 식각 서브-공정을 수행함에 따라 생성되는 퍼플루오르계 화합물들을 제1 공유 라인으로 배출시켜 혼합 식각 배출 기류를 형성하는 단계;
    ⅱ) 상기 혼합 식각 배출 기류를 제1 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템을 사용하여 처리하는 단계;
    ⅲ) 각각의 화학기상증착 서브-공정을 수행함에 따라 생성되는 퍼플루오르계 화합물들을 제2 공유 라인으로 배출시켜 혼합 화학기상증착 배출 기류를 형성하는 단계;
    ⅳ) 상기 혼합 화학기상증착 배출 기류를 제2 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템을 사용하여 처리하는 단계;
    ⅴ) 상기 처리가 이루어진 혼합 식각 배출 기류와 상기 처리가 이루어진 혼합 화학기상증착 배출 기류를 혼합하여 혼합 처리 기류를 형성하는 단계; 및
    ⅵ) 상기 혼합 처리 기류를 습식 스크러빙하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 건식식각 공정들은 산화물 식각 공정들, 폴리 식각 공정 및 금속물 식각 공정들로 구성되는 그룹으로부터 선택하는 것을 특징으로 하는 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템은 연소식 스크러버들, 화학 흡착식 스크러버들, 물리 흡착식 스크러버들, 습식 스크러버들 및 이들의 혼합 스크러버들로 구성되는 그룹으로부터 독립적으로 선택하는 것을 특징으로 하는 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 혼합 식각 배출 기류 및 상기 혼합 화학기상증착 배출 기류 중의 적어도 하나는 상기 배출 기류 중의 적어도 하나의 퍼플루오르계 화합물의 양을 측정하는 센서를 통과하는 것을 특징으로 하는 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 혼합 배출 기류 중의 적어도 하나는 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템에 의해 처리되기 이전에 센서를 통과하는 것을 특징으로 하는 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 혼합 배출 기류 중의 적어도 하나는 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템에 의해 처리된 이후에 센서를 통과하는 것을 특징으로 하는 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 방법.
  14. 적어도 하나의 퍼플루오르계 화합물이 각각으로 생성되는 다수의 서브-공정들을 포함하는 반도체 제조 공정에서,
    (a) 제1 서브-공정을 수행하기 위한 다수의 제1 디바이스들;
    (b) 상기 다수의 제1 디바이스들로부터 퍼플루오르계 화합물들을 배출시키기 위한 제1 공유 라인;
    (c) 상기 제1 공유 라인과 연결되는 제1 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템;
    (d) 제2 서브-공정을 수행하기 위한 다수의 제2 디바이스들;
    (e) 상기 다수의 제2 디바이스들로부터 퍼플로오르계 화합물들을 배출시키기 위한 제2 공유 라인;
    (f) 상기 제2 공유 라인과 연결되는 제2 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템;
    (g) 상기 제1 및 제2 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템들과 연결되는 공유 처리 배출 라인; 및
    (h) 상기 공유 처리 배출 라인과 연결되는 습식 스크러빙 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 시스템.
  15. 제14항에 있어서, 상기 시스템은 상기 제1 및 제2 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템 중의 적어도 하나에 의해 적어도 하나의 기류가 처리되기 이전 또는 이후에 퍼플루오르계 화합물 중의 적어도 하나의 양을 측정하기 위한 적어도 하나의 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 시스템.
  16. 적어도 하나의 식각 서브-공정과 적어도 하나의 화학기상증착 서브-공정을 포함하고, 적어도 하나의 퍼플루오르계 화합물이 각각으로 생성되는 서브-공정들을 다수 포함하는 반도체 제조 공정에서,
    (a) 다수의 제1 식각 서브-공정을 각각으로 수행하기 위한 적어도 하나의 디바이스를 포함하는 다수의 제1 디바이스들;
    (b) 각각의 식각 서브-공정들과 결합되고, 상기 각각의 식각 서브-공정들을 수행하기 위한 적어도 하나의 디바이스들로부터 퍼플루오르계 화합물들을 배출시키기 위한 서브-공정 공유 라인;
    (c) 상기 다수의 제1 디바이스들로부터 배출되는 퍼플루오르계 화합물들을 수용하기 위한 제1 공유 라인;
    (d) 상기 제1공유 라인과 연결되는 제1 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템;
    (e) 적어도 하나의 화학기상증착 서브-공정을 수행하기 위한 다수개의 제2 디바이스들;
    (f) 상기 다수의 제2 디바이스들로부터 퍼플루오르계 화합물을 배출하기 위한 제2 공유 라인;
    (g) 상기 제2 공유 라인과 연결되는 제2 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템;
    (h) 상기 제1 및 제2 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템들과 연결되는 공유 처리 배출 라인; 및
    (i) 상기 공유 처리 배출 라인과 연결되는 습식 스크러빙 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 시스템.
  17. 제16항에 있어서, 상기 시스템은 상기 제1 및 제2 퍼플루오르계 화합물 정화 시스템 중의 적어도 하나에 의해 적어도 하나의 기류가 처리되기 이전 또는 이후에 퍼플루오르계 화합물 중의 적어도 하나의 양을 측정하기 위한 적어도 하나의 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼플루오르계 화합물의 배출을 감소시키는 시스템.
KR10-2002-0003623A 2001-03-21 2002-01-22 반도체 제조 공정에서 퍼플루오르계 화합물의 배출을감소시키기 위한 방법 및 장치 KR100449781B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US27727801P 2001-03-21 2001-03-21
US60/277,278 2001-03-21
KR20010056237 2001-09-12
KR1020010056237 2001-09-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020075214A KR20020075214A (ko) 2002-10-04
KR100449781B1 true KR100449781B1 (ko) 2004-09-22

Family

ID=27736638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0003623A KR100449781B1 (ko) 2001-03-21 2002-01-22 반도체 제조 공정에서 퍼플루오르계 화합물의 배출을감소시키기 위한 방법 및 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100449781B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016204522A1 (ko) * 2015-06-15 2016-12-22 한국기계연구원 플라즈마-촉매 방식의 스크러버
KR20210050624A (ko) * 2019-10-28 2021-05-10 삼성물산 주식회사 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190037411A (ko) 2017-09-29 2019-04-08 대전대학교 산학협력단 회수 가능한 플루오르카본계 전구체를 이용한 반도체 소자 제조용 시스템
KR102185404B1 (ko) 2018-05-31 2020-12-01 대전대학교 산학협력단 회수 가능한 플루오르카본계 전구체를 이용한 반도체 소자 제조용 시스템

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980041532A (ko) * 1996-11-30 1998-08-17 김광호 반도체 독성가스의 정화처리시스템
US5976222A (en) * 1998-03-23 1999-11-02 Air Products And Chemicals, Inc. Recovery of perfluorinated compounds from the exhaust of semiconductor fabs using membrane and adsorption in series
JP2001104702A (ja) * 1999-10-01 2001-04-17 Air Liquide Japan Ltd ガスの集合回収装置および集合回収方法
KR20010062657A (ko) * 1999-12-24 2001-07-07 니시무로 타이죠 가스 회수 시스템 및 가스 회수 방법
JP2002001047A (ja) * 2000-06-21 2002-01-08 Seiko Epson Corp Ｐｆｃ回収装置及びｐｆｃ回収方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980041532A (ko) * 1996-11-30 1998-08-17 김광호 반도체 독성가스의 정화처리시스템
US5976222A (en) * 1998-03-23 1999-11-02 Air Products And Chemicals, Inc. Recovery of perfluorinated compounds from the exhaust of semiconductor fabs using membrane and adsorption in series
JP2001104702A (ja) * 1999-10-01 2001-04-17 Air Liquide Japan Ltd ガスの集合回収装置および集合回収方法
KR20010062657A (ko) * 1999-12-24 2001-07-07 니시무로 타이죠 가스 회수 시스템 및 가스 회수 방법
JP2002001047A (ja) * 2000-06-21 2002-01-08 Seiko Epson Corp Ｐｆｃ回収装置及びｐｆｃ回収方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016204522A1 (ko) * 2015-06-15 2016-12-22 한국기계연구원 플라즈마-촉매 방식의 스크러버
KR20210050624A (ko) * 2019-10-28 2021-05-10 삼성물산 주식회사 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템
KR102331918B1 (ko) * 2019-10-28 2021-11-29 삼성물산 주식회사 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020075214A (ko) 2002-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6949225B1 (en) Method and apparatus for treating a waste gas containing fluorine-containing compounds
EP0768109B1 (en) Exhaust gas treatment unit and process
CN101472666B (zh) 从气流中除氟用的方法和装置
CN1678517A (zh) 废气流的利用
EP1450936A1 (en) Method and apparatus for treating exhaust gas
WO2000062905A1 (en) Advanced apparatus and method for abattment of gaseous pollutants
KR20060053164A (ko) 배기가스 분해처리장치
US6174349B1 (en) Continuous effluent gas scrubber system and method
KR100449781B1 (ko) 반도체 제조 공정에서 퍼플루오르계 화합물의 배출을감소시키기 위한 방법 및 장치
US6602323B2 (en) Method and apparatus for reducing PFC emission during semiconductor manufacture
WO2010103846A1 (ja) 排ガス処理装置および排ガス処理方法
US8394179B2 (en) Method of treating a gas stream
KR101410914B1 (ko) 과불화화합물의 분리 및 재활용시스템
US5925167A (en) Processes for the scrubbing of noxious substances
WO2004089515A1 (en) Method and apparatus for treating exhaust gas
TWI542405B (zh) Condensate treatment equipment for organic gaseous pollutants
KR101410712B1 (ko) 과불화화합물의 분리 및 재활용시스템
US6770117B2 (en) Ion implantation and wet bench systems utilizing exhaust gas recirculation
KR100545696B1 (ko) 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치
JP2001248821A (ja) 半導体製造排ガス処理装置
US6827765B2 (en) Scrubber for reducing siliciferous byproducts
EP0485011A1 (en) Method for the removal of constituents from a waste gas
CA1319097C (en) Process and equipment for cleaning industrial fumes
CN210599219U (zh) 车辆的气体净化系统和具有其的车辆
FR2957528A1 (fr) Procede et installation d'epuration de fumees contenant des polluants acides

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120831

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130902

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140901

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150831

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180831

Year of fee payment: 15