JP2001104702A - ガスの集合回収装置および集合回収方法 - Google Patents
ガスの集合回収装置および集合回収方法Info
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- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
- F17D1/00—Pipe-line systems
- F17D1/02—Pipe-line systems for gases or vapours
- F17D1/04—Pipe-line systems for gases or vapours for distribution of gas
Abstract
(57)【要約】
【課題】 回収ガスの流量の均一化や濃度の均一化を図
ることができ、後処理等が好適に行えるようになるガス
の集合回収装置および集合回収方法を提供する。 【解決手段】 複数のガス回収経路Ｌ１ａ〜Ｌ１ｃに各
々接続され、体積変化によりガスを略一定圧で貯留する
複数のガスホルダー２ａ〜２ｃと、その複数のガスホル
ダー２ａ〜２ｃに各々連通した連通路Ｌ２ａ〜Ｌ２ｃを
有しそれらを合流させる集合経路Ｌ２と、その集合経路
Ｌ２の合流部より下流側に設けた排気手段５とを備え
る。
ることができ、後処理等が好適に行えるようになるガス
の集合回収装置および集合回収方法を提供する。 【解決手段】 複数のガス回収経路Ｌ１ａ〜Ｌ１ｃに各
々接続され、体積変化によりガスを略一定圧で貯留する
複数のガスホルダー２ａ〜２ｃと、その複数のガスホル
ダー２ａ〜２ｃに各々連通した連通路Ｌ２ａ〜Ｌ２ｃを
有しそれらを合流させる集合経路Ｌ２と、その集合経路
Ｌ２の合流部より下流側に設けた排気手段５とを備え
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数のガス回収経
路からガスを集合・回収するためのガスの集合回収装置
および集合回収方法に関し、特に半導体製造設備等の産
業設備からの排ガスを集合・回収して、後処理や濃縮・
再利用する際の中間工程に有用である。
路からガスを集合・回収するためのガスの集合回収装置
および集合回収方法に関し、特に半導体製造設備等の産
業設備からの排ガスを集合・回収して、後処理や濃縮・
再利用する際の中間工程に有用である。
【０００２】
【従来の技術】近年、地球環境問題が特に重視されるよ
うになり、半導体製造設備等の産業設備からの排ガスに
ついても、これを回収した後に、分解、除害等の後処理
や濃縮・再利用を行うのが望ましいとされている。従っ
て、これらの後処理や濃縮等に関する特許出願も増加す
る傾向にある。
うになり、半導体製造設備等の産業設備からの排ガスに
ついても、これを回収した後に、分解、除害等の後処理
や濃縮・再利用を行うのが望ましいとされている。従っ
て、これらの後処理や濃縮等に関する特許出願も増加す
る傾向にある。
【０００３】例えば特開平１０−１９６５３２号公報に
は、エッチング装置や化学気相成長装置（ＣＶＤ）等の
半導体製造装置のプロセスチャンバから排気したガス
を、コールドトラップした後、加熱気化させて順次排出
することで、排ガスから各成分を分離・回収する技術が
開示されている。
は、エッチング装置や化学気相成長装置（ＣＶＤ）等の
半導体製造装置のプロセスチャンバから排気したガス
を、コールドトラップした後、加熱気化させて順次排出
することで、排ガスから各成分を分離・回収する技術が
開示されている。
【０００４】また、特開平９−１０３６３３号公報に
は、半導体製造装置の各種エッチング装置からの排ガス
より、パーフルオロ化合物を気体分離膜により濃縮して
回収する技術が開示されている。その際、複数のプロセ
スチャンバからの排ガスを合流して集合させ、これをま
とめて濃縮・回収する方法が採用されている。
は、半導体製造装置の各種エッチング装置からの排ガス
より、パーフルオロ化合物を気体分離膜により濃縮して
回収する技術が開示されている。その際、複数のプロセ
スチャンバからの排ガスを合流して集合させ、これをま
とめて濃縮・回収する方法が採用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般的
に個々のプロセスチャンバからの排ガスは、流量や成分
組成が経時的に大きく変動し、また、各プロセスチャン
バ間でも流量や成分組成が相違すると共にその変動の仕
方も、各プロセスチャンバ間で異なる。このため、これ
らをまとめて後処理等を行う場合、好適な条件で安定し
て処理を行うのが極めて困難であり、処理できても非常
に効率が悪いものであった。即ち、排ガスの分解、除害
等を行う際に、供給ガスの流量・濃度に上限が存在する
場合が多いため、分解効率や除害効率が低下し易いとい
う問題があった。また、ガス分離膜等を利用した濃縮を
行う際にも、安定な運転や条件設定が困難となり、また
回収率や純度も低下し易かった。
に個々のプロセスチャンバからの排ガスは、流量や成分
組成が経時的に大きく変動し、また、各プロセスチャン
バ間でも流量や成分組成が相違すると共にその変動の仕
方も、各プロセスチャンバ間で異なる。このため、これ
らをまとめて後処理等を行う場合、好適な条件で安定し
て処理を行うのが極めて困難であり、処理できても非常
に効率が悪いものであった。即ち、排ガスの分解、除害
等を行う際に、供給ガスの流量・濃度に上限が存在する
場合が多いため、分解効率や除害効率が低下し易いとい
う問題があった。また、ガス分離膜等を利用した濃縮を
行う際にも、安定な運転や条件設定が困難となり、また
回収率や純度も低下し易かった。
【０００６】そして、このような問題は、半導体製造装
置のプロセスチャンバからの排ガスに限らず、各種の産
業設備からの複数種の排ガスを集合・回収して、後処理
や再利用する際に、共通する課題である。
置のプロセスチャンバからの排ガスに限らず、各種の産
業設備からの複数種の排ガスを集合・回収して、後処理
や再利用する際に、共通する課題である。
【０００７】そこで、本発明の目的は、回収ガスの流量
の均一化や濃度の均一化を図ることができ、後処理等が
好適に行えるようになるガスの集合回収装置および集合
回収方法を提供することにある。
の均一化や濃度の均一化を図ることができ、後処理等が
好適に行えるようになるガスの集合回収装置および集合
回収方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、下記の如き
本発明により達成できる。即ち、本発明のガスの集合回
収装置は、複数のガス回収経路に各々接続され、体積変
化によりガスを略一定圧で貯留する複数のガスホルダー
と、その複数のガスホルダーに各々連通した連通路を有
しそれらを合流させる集合経路と、その集合経路の合流
部より下流側に設けた排気手段とを備えることを特徴と
する。本発明において、ガス回収経路とは、排ガス源と
ガスホルダーとを接続する経路を意味し、両者の中間に
濃縮手段や除害手段等を設ける場合には、その前後の経
路を含めた経路を意味する。
本発明により達成できる。即ち、本発明のガスの集合回
収装置は、複数のガス回収経路に各々接続され、体積変
化によりガスを略一定圧で貯留する複数のガスホルダー
と、その複数のガスホルダーに各々連通した連通路を有
しそれらを合流させる集合経路と、その集合経路の合流
部より下流側に設けた排気手段とを備えることを特徴と
する。本発明において、ガス回収経路とは、排ガス源と
ガスホルダーとを接続する経路を意味し、両者の中間に
濃縮手段や除害手段等を設ける場合には、その前後の経
路を含めた経路を意味する。
【０００９】上記において、前記ガスホルダーより上流
側に、目的ガスをコールドトラップした後、加熱気化さ
せる濃縮手段を備えることが好ましい。
側に、目的ガスをコールドトラップした後、加熱気化さ
せる濃縮手段を備えることが好ましい。
【００１０】また、前記ガスホルダーに貯留されるガス
の体積を検出する検出部と、その検出部からの信号に基
づいて、前記排気手段の排気動作を制御する制御手段を
備えることが好ましい。
の体積を検出する検出部と、その検出部からの信号に基
づいて、前記排気手段の排気動作を制御する制御手段を
備えることが好ましい。
【００１１】一方、本発明のガスの集合回収方法は、複
数のガス回収経路からの各々のガスの少なくとも一部
を、体積変化によりガスを略一定圧で貯留する複数のガ
スホルダーに一時的に貯留しながら、その複数のガスホ
ルダーに各々連通する集合経路で合流させて排気するこ
とによりガスを集合・回収することを特徴とする。
数のガス回収経路からの各々のガスの少なくとも一部
を、体積変化によりガスを略一定圧で貯留する複数のガ
スホルダーに一時的に貯留しながら、その複数のガスホ
ルダーに各々連通する集合経路で合流させて排気するこ
とによりガスを集合・回収することを特徴とする。
【００１２】上記において、予め前記ガスホルダーに一
定量以上のガスを貯留した後、前記排気を開始すること
が好ましい。
定量以上のガスを貯留した後、前記排気を開始すること
が好ましい。
【００１３】上記のガスの集合回収方法は、特に、半導
体製造設備における複数のチャンバーからの排ガスよ
り、パーフルオロ化合物を回収するのに有用である。
体製造設備における複数のチャンバーからの排ガスよ
り、パーフルオロ化合物を回収するのに有用である。
【００１４】［作用効果］本発明のガスの集合回収装置
によると、体積変化によりガスを略一定圧で貯留するガ
スホルダーがガス回収経路に接続されているため、個々
のガス回収経路からの排ガスを一時的にガスホルダーに
貯留でき、ガスホルダー内で排ガスの濃度の均一化を図
ることができる。また、流量変動に対してガスホルダー
が体積変化しつつ、略一定流量でガスが排気されるた
め、流量の均一化を図ることができる。更に、当該ガス
ホルダーは複数のガス回収経路に各々接続されており、
各ガスホルダーに連通して合流させる集合経路を介し
て、排気手段によりガスホルダー内のガスが回収される
ため、回収ガスの合流により濃度の均一化が図れる。そ
の結果、回収ガスの流量の均一化や濃度の均一化を図る
ことができ、後処理等が好適に行えるようになるガスの
集合回収装置を提供することができた。
によると、体積変化によりガスを略一定圧で貯留するガ
スホルダーがガス回収経路に接続されているため、個々
のガス回収経路からの排ガスを一時的にガスホルダーに
貯留でき、ガスホルダー内で排ガスの濃度の均一化を図
ることができる。また、流量変動に対してガスホルダー
が体積変化しつつ、略一定流量でガスが排気されるた
め、流量の均一化を図ることができる。更に、当該ガス
ホルダーは複数のガス回収経路に各々接続されており、
各ガスホルダーに連通して合流させる集合経路を介し
て、排気手段によりガスホルダー内のガスが回収される
ため、回収ガスの合流により濃度の均一化が図れる。そ
の結果、回収ガスの流量の均一化や濃度の均一化を図る
ことができ、後処理等が好適に行えるようになるガスの
集合回収装置を提供することができた。
【００１５】前記ガスホルダーより上流側に、目的ガス
をコールドトラップした後、加熱気化させる濃縮手段を
備える場合、トラップ部を複数設けて順次切り換え運転
しても、当該濃縮手段から排出される濃縮ガスは、濃度
が経時的に変化し易く、また、切り換え時に流量変動が
起こる場合もあり、本発明の集合回収装置の上記作用効
果が特に有効になる。
をコールドトラップした後、加熱気化させる濃縮手段を
備える場合、トラップ部を複数設けて順次切り換え運転
しても、当該濃縮手段から排出される濃縮ガスは、濃度
が経時的に変化し易く、また、切り換え時に流量変動が
起こる場合もあり、本発明の集合回収装置の上記作用効
果が特に有効になる。
【００１６】前記ガスホルダーに貯留されるガスの体積
を検出する検出部と、その検出部からの信号に基づい
て、前記排気手段の排気動作を制御する制御手段とを備
える場合、検出部がガスホルダー内のガスの体積を検出
して、それが適量か否か等に応じて、制御手段により排
気手段の発停等を行えるため、ガスホルダー内のガス体
積が極端に大きい場合又は小さい場合に生じる回収ガス
の流量や濃度の変動などを好適に防止することができ
る。一方、予めガスホルダーに一定量以上のガスを貯留
してから、排気を開始することが可能となるため、流量
や濃度が均一なガスを長時間安定して排気（回収）する
ことができる。
を検出する検出部と、その検出部からの信号に基づい
て、前記排気手段の排気動作を制御する制御手段とを備
える場合、検出部がガスホルダー内のガスの体積を検出
して、それが適量か否か等に応じて、制御手段により排
気手段の発停等を行えるため、ガスホルダー内のガス体
積が極端に大きい場合又は小さい場合に生じる回収ガス
の流量や濃度の変動などを好適に防止することができ
る。一方、予めガスホルダーに一定量以上のガスを貯留
してから、排気を開始することが可能となるため、流量
や濃度が均一なガスを長時間安定して排気（回収）する
ことができる。
【００１７】一方、本発明のガスの集合回収方法による
と、複数のガス回収経路からの各々のガスを上記の如き
複数のガスホルダーに一時的に貯留しながら、各々に連
通する集合経路で合流させて排気するため、上記と同様
の作用により、回収ガスの流量の均一化や濃度の均一化
を図ることができ、後処理等が好適に行えるようにな
る。
と、複数のガス回収経路からの各々のガスを上記の如き
複数のガスホルダーに一時的に貯留しながら、各々に連
通する集合経路で合流させて排気するため、上記と同様
の作用により、回収ガスの流量の均一化や濃度の均一化
を図ることができ、後処理等が好適に行えるようにな
る。
【００１８】また、予め前記ガスホルダーに一定量以上
のガスを貯留した後、前記排気を開始する場合、予め各
々のガスホルダー内で排ガスの濃度の均一化を図ること
ができ、またより多くのガスホルダーにガスを貯留した
状態から排気が行えるため、ガスの混合による濃度の均
一化がより確実に行えるようになる。
のガスを貯留した後、前記排気を開始する場合、予め各
々のガスホルダー内で排ガスの濃度の均一化を図ること
ができ、またより多くのガスホルダーにガスを貯留した
状態から排気が行えるため、ガスの混合による濃度の均
一化がより確実に行えるようになる。
【００１９】半導体製造設備における複数のチャンバー
からの排ガスより、パーフルオロ化合物を回収するもの
である場合、特に、当該排ガスは流量や成分組成が経時
的に大きく変動し、各チャンバー間でも流量や成分組成
が相違するため、集合・回収の際の濃縮ガスの流量や濃
度の均一化を図ることができる本発明が特に有用とな
る。
からの排ガスより、パーフルオロ化合物を回収するもの
である場合、特に、当該排ガスは流量や成分組成が経時
的に大きく変動し、各チャンバー間でも流量や成分組成
が相違するため、集合・回収の際の濃縮ガスの流量や濃
度の均一化を図ることができる本発明が特に有用とな
る。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。本実施形態では、半
導体製造設備における各種エッチング装置の排ガスか
ら、パーフルオロ化合物（以下、ＰＦＣという）をコー
ルドトラップして濃縮した後、集合・回収してボンベに
充填する例を示す。
て、図面を参照しながら説明する。本実施形態では、半
導体製造設備における各種エッチング装置の排ガスか
ら、パーフルオロ化合物（以下、ＰＦＣという）をコー
ルドトラップして濃縮した後、集合・回収してボンベに
充填する例を示す。
【００２１】本発明のガスの集合回収装置は、図１に示
すように、複数のガス回収経路Ｌ１ａ〜Ｌ１ｃに各々接
続され、体積変化によりガスを略一定圧で貯留する複数
のガスホルダー２ａ〜２ｃを備える。ガスホルダー２ａ
〜２ｃは、ナイロン、ポリエステル等の基布にクロロプ
レン等のガス難透過性のゴムをコーティングしたシート
地を用いて、円柱状、球状、又は箱状等に形成した容積
可変型容器であり、各種のものが市販されている。中で
も、ジャバラ形状を有することで一方向の伸縮により体
積変化するものが、体積変化等を検出し易いため好まし
い。
すように、複数のガス回収経路Ｌ１ａ〜Ｌ１ｃに各々接
続され、体積変化によりガスを略一定圧で貯留する複数
のガスホルダー２ａ〜２ｃを備える。ガスホルダー２ａ
〜２ｃは、ナイロン、ポリエステル等の基布にクロロプ
レン等のガス難透過性のゴムをコーティングしたシート
地を用いて、円柱状、球状、又は箱状等に形成した容積
可変型容器であり、各種のものが市販されている。中で
も、ジャバラ形状を有することで一方向の伸縮により体
積変化するものが、体積変化等を検出し易いため好まし
い。
【００２２】ガス回収経路Ｌ１ａ〜Ｌ１ｃのガスホルダ
ー２ａ〜２ｃより上流側には、目的ガス（ＰＦＣ）をコ
ールドトラップした後、加熱気化させる濃縮手段３ａ〜
３ｃと、有害成分等を除去するための除害手段４ａ〜４
ｃとを備える。
ー２ａ〜２ｃより上流側には、目的ガス（ＰＦＣ）をコ
ールドトラップした後、加熱気化させる濃縮手段３ａ〜
３ｃと、有害成分等を除去するための除害手段４ａ〜４
ｃとを備える。
【００２３】濃縮手段３ａ〜３ｃは、冷却機能を有する
一対のトラップ部Ｔを備え、各々のトラップ部Ｔが排気
経路と再生経路とを交互に往復動することで、ＰＦＣの
コールドトラップと加熱気化とを交互に行うように構成
したものである。つまり、トラップ部Ｔが排気経路に配
置される時は、チャンバーＡ〜Ｃからの排ガス中のＰＦ
Ｃがトラップ部Ｔによりコールドトラップされ、残りは
系外に排出される。そしてコールドトラップが飽和する
前に、トラップ部Ｔは再生経路に移動され、比較的高温
のキャリアガス（Ｎ2 ）によりＰＦＣが加熱気化され
て、ＰＦＣが濃縮された状態で下流側の除害手段４ａ〜
４ｃに送られる。
一対のトラップ部Ｔを備え、各々のトラップ部Ｔが排気
経路と再生経路とを交互に往復動することで、ＰＦＣの
コールドトラップと加熱気化とを交互に行うように構成
したものである。つまり、トラップ部Ｔが排気経路に配
置される時は、チャンバーＡ〜Ｃからの排ガス中のＰＦ
Ｃがトラップ部Ｔによりコールドトラップされ、残りは
系外に排出される。そしてコールドトラップが飽和する
前に、トラップ部Ｔは再生経路に移動され、比較的高温
のキャリアガス（Ｎ2 ）によりＰＦＣが加熱気化され
て、ＰＦＣが濃縮された状態で下流側の除害手段４ａ〜
４ｃに送られる。
【００２４】除害手段４ａ〜４ｃは、ＰＦＣと共に気化
したＨＦ、ＳｉＦ4 、Ｆ2 、ＣＯＦ 2 等を有害成分等を
除去すべく、活性炭等の吸着剤や金属酸化物系の触媒を
充填した乾式の充填塔（除害塔）、または、スクラバー
のような湿式の充填塔（除害塔）などを利用することが
可能である。なお、除害手段は濃縮手段３ａ〜３ｃの排
気経路にも設けてもよい。
したＨＦ、ＳｉＦ4 、Ｆ2 、ＣＯＦ 2 等を有害成分等を
除去すべく、活性炭等の吸着剤や金属酸化物系の触媒を
充填した乾式の充填塔（除害塔）、または、スクラバー
のような湿式の充填塔（除害塔）などを利用することが
可能である。なお、除害手段は濃縮手段３ａ〜３ｃの排
気経路にも設けてもよい。
【００２５】複数のガスホルダー２ａ〜２ｃには、連通
路Ｌ２ａ〜Ｌ２ｃが各々連通しており、それらを有する
集合経路Ｌ２が各々を合流させる。そして、集合経路Ｌ
２の合流部より下流側には、粉体除去のためのフィルタ
６を介して排気手段５が設けられている。排気手段５と
してはガス充填を行うための圧縮機等が使用される。前
記ガスホルダー２ａ〜２ｃには、貯留されるガスの体積
が一定範囲内であるか否かを検出するための一対のリミ
ットスイッチ（図示せず）が、検出部として設けられて
いる。リミットスイッチは、例えばガスホルダー２ａ〜
２ｃの本体を囲うフレームに対して、本体の変位面と共
に変位する部材が接触して、オンオフ可能な位置に設け
られる。
路Ｌ２ａ〜Ｌ２ｃが各々連通しており、それらを有する
集合経路Ｌ２が各々を合流させる。そして、集合経路Ｌ
２の合流部より下流側には、粉体除去のためのフィルタ
６を介して排気手段５が設けられている。排気手段５と
してはガス充填を行うための圧縮機等が使用される。前
記ガスホルダー２ａ〜２ｃには、貯留されるガスの体積
が一定範囲内であるか否かを検出するための一対のリミ
ットスイッチ（図示せず）が、検出部として設けられて
いる。リミットスイッチは、例えばガスホルダー２ａ〜
２ｃの本体を囲うフレームに対して、本体の変位面と共
に変位する部材が接触して、オンオフ可能な位置に設け
られる。
【００２６】一対のリミットスイッチは、各々のガスホ
ルダー２ａ〜２ｃが貯留するガスの体積が上限以下又は
下限以上であるか否かを出力することができ、その信号
に基づいて、制御手段（図示せず）が排気手段５の排気
動作を制御する。制御の仕方としては、例えばガスホル
ダー２ａ〜２ｃの何れか上限体積を超えた場合に、排気
を開始し、ガスホルダー２ａ〜２ｃの全て又は何れかが
下限体積より少なくなった場合に、排気を停止する制御
が挙げられる。
ルダー２ａ〜２ｃが貯留するガスの体積が上限以下又は
下限以上であるか否かを出力することができ、その信号
に基づいて、制御手段（図示せず）が排気手段５の排気
動作を制御する。制御の仕方としては、例えばガスホル
ダー２ａ〜２ｃの何れか上限体積を超えた場合に、排気
を開始し、ガスホルダー２ａ〜２ｃの全て又は何れかが
下限体積より少なくなった場合に、排気を停止する制御
が挙げられる。
【００２７】ガスホルダー２ａ〜２ｃ内や連通路Ｌ２ａ
〜Ｌ２ｃ内の圧力（静圧）は、ほとんど同じであるた
め、排気手段５で排気を行うと、連通路Ｌ２ａ〜Ｌ２ｃ
の圧損が略同じであれば、各々のガスホルダー２ａ〜２
ｃから略同量のガスが排気される。従って、各々のガス
回収経路Ｌ１ａ〜Ｌ１ｃの総流量（稼動時間×流量）が
同じ場合には、ガスホルダー２ａ〜２ｃの体積は略同じ
程度に大きくなり、略同じ程度で排気される。一方、各
々のガス回収経路Ｌ１ａ〜Ｌ１ｃの総流量（稼動時間×
流量）が異なる場合、各々の連通路Ｌ２ａ〜Ｌ２ｃに径
の異なるオリフィス等の流量調節手段を設けることで、
何れかのガスホルダー２ａ〜２ｃだけが先に排気される
のをある程度防止することができる。また、それぞれの
ガスホルダー２ａ〜２ｃに貯留されるガス濃度が異なる
場合でも、オリフィス等を使用して回収装置にガス供給
する際に最適なガス濃度に混合して供給することも可能
になる。
〜Ｌ２ｃ内の圧力（静圧）は、ほとんど同じであるた
め、排気手段５で排気を行うと、連通路Ｌ２ａ〜Ｌ２ｃ
の圧損が略同じであれば、各々のガスホルダー２ａ〜２
ｃから略同量のガスが排気される。従って、各々のガス
回収経路Ｌ１ａ〜Ｌ１ｃの総流量（稼動時間×流量）が
同じ場合には、ガスホルダー２ａ〜２ｃの体積は略同じ
程度に大きくなり、略同じ程度で排気される。一方、各
々のガス回収経路Ｌ１ａ〜Ｌ１ｃの総流量（稼動時間×
流量）が異なる場合、各々の連通路Ｌ２ａ〜Ｌ２ｃに径
の異なるオリフィス等の流量調節手段を設けることで、
何れかのガスホルダー２ａ〜２ｃだけが先に排気される
のをある程度防止することができる。また、それぞれの
ガスホルダー２ａ〜２ｃに貯留されるガス濃度が異なる
場合でも、オリフィス等を使用して回収装置にガス供給
する際に最適なガス濃度に混合して供給することも可能
になる。
【００２８】排気手段５である圧縮機でガスを圧縮する
と水分等が凝縮し易いため、圧縮機のバイパス経路Ｌ３
には、それを除去するためのコアレッサー８ａとセパレ
ータ７ａとが設けられている。同様に圧縮機の下流側経
路Ｌ４にもコアレッサー８ｂとセパレータ７ｂとが設け
られている。その下流側にはバッファータンク９が設け
られており、経路Ｌ５を介して充填装置１０により、回
収したガスがボンベ１１に充填される。
と水分等が凝縮し易いため、圧縮機のバイパス経路Ｌ３
には、それを除去するためのコアレッサー８ａとセパレ
ータ７ａとが設けられている。同様に圧縮機の下流側経
路Ｌ４にもコアレッサー８ｂとセパレータ７ｂとが設け
られている。その下流側にはバッファータンク９が設け
られており、経路Ｌ５を介して充填装置１０により、回
収したガスがボンベ１１に充填される。
【００２９】上記の制御の例では、予めガスホルダー２
ａ〜２ｃの何れかに一定量以上のガスを貯留した後、排
気を開始し、ガスホルダー２ａ〜２ｃの全て又は何れか
が一定量以下になった場合に排気を停止し、この操作を
繰り返して、ボンベ１１への充填を行う。
ａ〜２ｃの何れかに一定量以上のガスを貯留した後、排
気を開始し、ガスホルダー２ａ〜２ｃの全て又は何れか
が一定量以下になった場合に排気を停止し、この操作を
繰り返して、ボンベ１１への充填を行う。
【００３０】なお、充填を終了して圧縮機を停止した
後、再起動させる際、圧縮ガスを逃す必要がある場合に
は、弁１２を開いて経路Ｌ６により圧縮ガスをガスホル
ダー２ｂに戻すことができる。
後、再起動させる際、圧縮ガスを逃す必要がある場合に
は、弁１２を開いて経路Ｌ６により圧縮ガスをガスホル
ダー２ｂに戻すことができる。
【００３１】［他の実施形態］以下、他の実施形態につ
いて説明する。
いて説明する。
【００３２】（１）前記の実施形態では、コールドトラ
ップによる濃縮手段を各々のガス回収経路に設ける例を
示したが、図２に示すように本発明のガスの集合回収装
置の後段に設けた膜分離濃縮装置により、ＰＦＣを濃縮
した後、ボンベに充填・回収してもよい。
ップによる濃縮手段を各々のガス回収経路に設ける例を
示したが、図２に示すように本発明のガスの集合回収装
置の後段に設けた膜分離濃縮装置により、ＰＦＣを濃縮
した後、ボンベに充填・回収してもよい。
【００３３】即ち、図２に示すように、複数のチャンバ
ーＤ〜Ｅからのガス回収経路Ｌ１ｄ〜Ｌ１ｅに各々接続
された複数のガスホルダー２ｄ〜２ｅを備え、その上流
側には除害手段４ｄ〜４ｅを備える。ガスホルダー２ｄ
〜２ｅには、連通路Ｌ２ｄ〜Ｌ２ｅが各々連通してお
り、それらを有する集合経路Ｌ２が各々を合流させる。
そして、集合経路Ｌ２の合流部より下流側には、排気手
段５ａが設けられており、膜分離濃縮装置１２に適した
圧力までガスの加圧を行う。
ーＤ〜Ｅからのガス回収経路Ｌ１ｄ〜Ｌ１ｅに各々接続
された複数のガスホルダー２ｄ〜２ｅを備え、その上流
側には除害手段４ｄ〜４ｅを備える。ガスホルダー２ｄ
〜２ｅには、連通路Ｌ２ｄ〜Ｌ２ｅが各々連通してお
り、それらを有する集合経路Ｌ２が各々を合流させる。
そして、集合経路Ｌ２の合流部より下流側には、排気手
段５ａが設けられており、膜分離濃縮装置１２に適した
圧力までガスの加圧を行う。
【００３４】加圧されたガスは、膜分離濃縮装置１２に
供給され、ＰＦＣが濃縮される。膜分離濃縮装置１２で
濃縮された濃縮ガスは、圧縮機５ｂにより圧縮され、前
述の実施形態と同様にしてボンベ１１への充填が行われ
る。前記実施形態と同様の制御を行う場合、予めガスホ
ルダー２ｄ〜２ｅの何れかに一定量以上のガスを貯留し
た後、排気を開始し、ガスホルダー２ｄ〜２ｅの何れか
が一定量以下になった場合に排気を停止するが、この操
作の繰り返しにあわせて膜分離濃縮装置１２を運転する
ことにより、常に膜分離濃縮装置１２の原料ガスの流量
や濃度が均一化されているため、安定な運転や条件設定
が容易になり、回収率や回収されたＰＦＣの濃度をより
高く維持することができる。
供給され、ＰＦＣが濃縮される。膜分離濃縮装置１２で
濃縮された濃縮ガスは、圧縮機５ｂにより圧縮され、前
述の実施形態と同様にしてボンベ１１への充填が行われ
る。前記実施形態と同様の制御を行う場合、予めガスホ
ルダー２ｄ〜２ｅの何れかに一定量以上のガスを貯留し
た後、排気を開始し、ガスホルダー２ｄ〜２ｅの何れか
が一定量以下になった場合に排気を停止するが、この操
作の繰り返しにあわせて膜分離濃縮装置１２を運転する
ことにより、常に膜分離濃縮装置１２の原料ガスの流量
や濃度が均一化されているため、安定な運転や条件設定
が容易になり、回収率や回収されたＰＦＣの濃度をより
高く維持することができる。
【００３５】（２）前記の実施形態では、ＰＦＣを濃縮
した後、ボンベに充填・回収する例を示したが、図３に
示すように本発明のガスの集合回収装置の後段に設けた
膜分離濃縮装置により濃縮したＰＦＣを、半導体製造設
備にそのままリサイクルしてもよい。
した後、ボンベに充填・回収する例を示したが、図３に
示すように本発明のガスの集合回収装置の後段に設けた
膜分離濃縮装置により濃縮したＰＦＣを、半導体製造設
備にそのままリサイクルしてもよい。
【００３６】なお、図３に示す装置では、複数のチャン
バーＦ〜Ｇからのガス回収経路Ｌ１ｆ〜Ｌ１ｇに複数の
ガスホルダー２ｆ〜２ｇを各々接続し、その下流側に除
害手段４ｆ〜４ｇを設けているが、排ガス中に腐食性ガ
スを含まないか、又はガスホルダー２ｆ〜２ｇが耐食性
材料よりなる場合には、この順序で配置するのが有効で
ある。除害手段４ｆ〜４ｇには、供給ガス量（処理能
力）の上限が定められているものが多く、上記の配置に
より、供給ガス量や供給圧を均一化することができるか
らである。
バーＦ〜Ｇからのガス回収経路Ｌ１ｆ〜Ｌ１ｇに複数の
ガスホルダー２ｆ〜２ｇを各々接続し、その下流側に除
害手段４ｆ〜４ｇを設けているが、排ガス中に腐食性ガ
スを含まないか、又はガスホルダー２ｆ〜２ｇが耐食性
材料よりなる場合には、この順序で配置するのが有効で
ある。除害手段４ｆ〜４ｇには、供給ガス量（処理能
力）の上限が定められているものが多く、上記の配置に
より、供給ガス量や供給圧を均一化することができるか
らである。
【００３７】（３）前記の実施形態では、ガスホルダー
２ａとガス回収経路Ｌ１ａ等とを図１に示すような接続
形態としたが、例えば、図４（ａ）〜（ｂ）に示すよう
な接続形態にしてもよい。
２ａとガス回収経路Ｌ１ａ等とを図１に示すような接続
形態としたが、例えば、図４（ａ）〜（ｂ）に示すよう
な接続形態にしてもよい。
【００３８】図４（ａ）に示す接続形態では、ガスホル
ダー２ａ自体の構造が簡易になり、図４（ｂ）に示す接
続形態では、ガスホルダー２ａ内でのガスの混合作用が
大きく、ガスの不均一な滞留がより生じにくくなる。
ダー２ａ自体の構造が簡易になり、図４（ｂ）に示す接
続形態では、ガスホルダー２ａ内でのガスの混合作用が
大きく、ガスの不均一な滞留がより生じにくくなる。
【００３９】（４）前記の実施形態では、一対のトラッ
プ部を備え、各々のトラップ部が排気経路と再生経路と
を交互に往復動することで、コールドトラップと加熱気
化とを交互に行う濃縮手段を設ける例を示したが、複数
のトラップ部に対しガス流路を切り換えることで、コー
ルドトラップと加熱気化とを交互に行う濃縮手段を採用
してもよい。なお、冷却方式としては、目的ガスの種類
に応じたコールドトラップ温度に冷却できる方式が採用
されるが、ＰＦＣに対しては、ヘリウム冷凍機、パルス
冷凍機、液体窒素冷却などが採用される。
プ部を備え、各々のトラップ部が排気経路と再生経路と
を交互に往復動することで、コールドトラップと加熱気
化とを交互に行う濃縮手段を設ける例を示したが、複数
のトラップ部に対しガス流路を切り換えることで、コー
ルドトラップと加熱気化とを交互に行う濃縮手段を採用
してもよい。なお、冷却方式としては、目的ガスの種類
に応じたコールドトラップ温度に冷却できる方式が採用
されるが、ＰＦＣに対しては、ヘリウム冷凍機、パルス
冷凍機、液体窒素冷却などが採用される。
【００４０】（５）前記の実施形態では、半導体製造設
備における各種エッチング装置の排ガスからＰＦＣを回
収する例を示したが、エキシマレーザー照射装置の排ガ
スからネオンを回収する場合にも有効である。本発明は
これらに限らず、各種の産業設備からの複数種の排ガス
を集合・回収して、後処理や再利用する際に有効であ
る。
備における各種エッチング装置の排ガスからＰＦＣを回
収する例を示したが、エキシマレーザー照射装置の排ガ
スからネオンを回収する場合にも有効である。本発明は
これらに限らず、各種の産業設備からの複数種の排ガス
を集合・回収して、後処理や再利用する際に有効であ
る。
【００４１】（６）前記の実施形態では、常時、ガス回
収経路からの排ガスを導入する例を示したが、排ガス供
給源の工程の種類や稼動状態に応じて、ガス回収経路か
らの排ガスの導入を停止するようにしてもよい。その場
合、一時的にガスホルダーへの排ガスの供給が停止する
が、先に貯留したガスの排気により、流量や濃度の不均
一化を防ぐことができる。
収経路からの排ガスを導入する例を示したが、排ガス供
給源の工程の種類や稼動状態に応じて、ガス回収経路か
らの排ガスの導入を停止するようにしてもよい。その場
合、一時的にガスホルダーへの排ガスの供給が停止する
が、先に貯留したガスの排気により、流量や濃度の不均
一化を防ぐことができる。
【図１】本発明のガスの集合回収装置の一例を示す概略
構成図
構成図
【図２】他の実施形態の集合回収装置の一例を示す概略
構成図
構成図
【図３】他の実施形態の集合回収装置の一例を示す概略
構成図
構成図
【図４】他の実施形態のガスホルダーの一例を示す概略
構成図
構成図
２ａ〜２ｇ ガスホルダー ３ａ〜３ｃ 濃縮手段 ５ 排気手段 Ｌ１ａ〜Ｌ１ｇ ガス回収経路 Ｌ２ 集合経路 Ｌ２ａ〜Ｌ２ｇ 連通路
フロントページの続き (72)発明者 木村 孝子 茨城県つくば市和台28番 株式会社エール リキードラボラトリーズ内 Ｆターム(参考） 4D002 AA22 AC10 BA02 BA04 BA13 CA07 DA41 EA02 EA05 EA08 FA01 GA02 GB04 HA04 4D048 AA11 AB03 CD10 4D076 AA05 AA06 AA15 AA22 BA02 BE04 BE09 CD23 CD32 EA02X EA14X FA04 FA19 FA33 HA03 HA12 JA03
Claims (6)
- 【請求項１】 複数のガス回収経路に各々接続され、体
積変化によりガスを略一定圧で貯留する複数のガスホル
ダーと、その複数のガスホルダーに各々連通した連通路
を有しそれらを合流させる集合経路と、その集合経路の
合流部より下流側に設けた排気手段とを備えるガスの集
合回収装置。 - 【請求項２】 前記ガスホルダーより上流側に、目的ガ
スをコールドトラップした後、加熱気化させる濃縮手段
を備える請求項１記載のガスの集合回収装置。 - 【請求項３】 前記ガスホルダーに貯留されるガスの体
積を検出する検出部と、その検出部からの信号に基づい
て、前記排気手段の排気動作を制御する制御手段とを備
える請求項１又は２に記載のガスの集合回収装置。 - 【請求項４】 複数のガス回収経路からの各々のガスの
少なくとも一部を、体積変化によりガスを略一定圧で貯
留する複数のガスホルダーに一時的に貯留しながら、そ
の複数のガスホルダーに各々連通する集合経路で合流さ
せて排気することによりガスを集合・回収するガスの集
合回収方法。 - 【請求項５】 予め前記ガスホルダーに一定量以上のガ
スを貯留した後、前記排気を開始する請求項４記載のガ
スの集合回収方法。 - 【請求項６】 半導体製造設備における複数のチャンバ
ーからの排ガスより、パーフルオロ化合物を回収するも
のである請求項５記載のガスの集合回収方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28175599A JP2001104702A (ja) | 1999-10-01 | 1999-10-01 | ガスの集合回収装置および集合回収方法 |
| TW89120060A TW436595B (en) | 1999-10-01 | 2000-09-28 | Apparatus and method for collecting and recovering gas |
| PCT/JP2000/006738 WO2001025679A1 (fr) | 1999-10-01 | 2000-09-28 | Procede et dispositif de recueil et de recuperation de gaz |
| AU74485/00A AU7448500A (en) | 1999-10-01 | 2000-09-28 | Device and method for collecting and recovering gas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28175599A JP2001104702A (ja) | 1999-10-01 | 1999-10-01 | ガスの集合回収装置および集合回収方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001104702A true JP2001104702A (ja) | 2001-04-17 |
Family
ID=17643530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28175599A Pending JP2001104702A (ja) | 1999-10-01 | 1999-10-01 | ガスの集合回収装置および集合回収方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001104702A (ja) |
| AU (1) | AU7448500A (ja) |
| TW (1) | TW436595B (ja) |
| WO (1) | WO2001025679A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100449781B1 (ko) * | 2001-03-21 | 2004-09-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 공정에서 퍼플루오르계 화합물의 배출을감소시키기 위한 방법 및 장치 |
| WO2023172052A1 (ko) * | 2022-03-08 | 2023-09-14 | 크라이오에이치앤아이(주) | 배기 가스 처리 장치 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2248531A1 (en) | 2004-08-03 | 2010-11-10 | Emisphere Technologies, Inc. | Antidiabetic oral insulin-biguanide combination |
| CA2681158C (en) | 2007-03-13 | 2018-09-18 | Nutrition 21, Inc. | Methods and compositions for the sustained release of chromium |
| WO2009002867A2 (en) | 2007-06-26 | 2008-12-31 | Nutrition 21, Inc. | Multiple unit dosage form having a therapeutic agents in combination with a nutritional supplement |
| CA2828572C (en) | 2011-03-01 | 2021-02-23 | Jds Therapeutics, Llc | Compositions of insulin and chromium for the treatment and prevention of diabetes, hypoglycemia and related disorders |
| MX2018009748A (es) | 2016-02-11 | 2019-02-07 | Nutrition 21 Llc | Composiciones que contienen cromo para mejorar la salud y el estado físico. |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5785741A (en) * | 1995-07-17 | 1998-07-28 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges, Claude | Process and system for separation and recovery of perfluorocompound gases |
| JPH11218318A (ja) * | 1998-02-03 | 1999-08-10 | Air Liquide Japan Ltd | 排ガス処理設備 |
-
1999
- 1999-10-01 JP JP28175599A patent/JP2001104702A/ja active Pending
-
2000
- 2000-09-28 AU AU74485/00A patent/AU7448500A/en not_active Abandoned
- 2000-09-28 TW TW89120060A patent/TW436595B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-09-28 WO PCT/JP2000/006738 patent/WO2001025679A1/ja active Application Filing
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100449781B1 (ko) * | 2001-03-21 | 2004-09-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 공정에서 퍼플루오르계 화합물의 배출을감소시키기 위한 방법 및 장치 |
| WO2023172052A1 (ko) * | 2022-03-08 | 2023-09-14 | 크라이오에이치앤아이(주) | 배기 가스 처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2001025679A1 (fr) | 2001-04-12 |
| AU7448500A (en) | 2001-05-10 |
| TW436595B (en) | 2001-05-28 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091201 |