KR20210050624A - 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템은 반도체 공정 구역 별로 배치된 다수의 서브덕트와 연결되는 메인덕트, 상기 다수의 서브덕트와 연결되어 반도체 공정 시 발생되는 배기가스를 정화시키기 위한 제1 스크러버, 상기 메인덕트에 다수로 분산 배치되어 상기 제1 스크러버의 정화처리로 인해 발생된 복합오염물질을 정화시키기 위한 제2 스크러버 및 상기 메인덕트와 연결되며 상기 제2 스크러버에 의해 정화처리 된 정화가스를 외부로 배기시키기 위한 배기부를 포함한다.

Description

복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템{DISTRIBUTION PROCESSING SYSTEM FOR CLEANING COMPLEX POLLUTANT}
본 발명은 반도체 제조라인에서 발생하는 배기가스의 정화처리 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 제조 공정 별로 배출되는 배기가스의 1차 연소과정에서 발생하는 복합오염물질을 설비 서브팹(Facility Sub Fab, FSF)의 구역(Bay) 단위로 분산처리 할 수 있는 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템에 관한 것이다.
다양한 종류의 화공약품과 가스를 상시 사용하는 반도체 사업장에서는, 제조 과정에서 발생하는 화학배기의 적정 처리는 생산시설 안정화/효율화의 필수 요건 중의 하나이다.
반도체 팹(Fab)에서 일반적으로 사용되는 부속동 옥상 통합처리 배기계통을 도 1에 나타내었다. 옥상 통합처리 방식은 제조생산라인과 화학배기 처리계통의 명확한 구역분리가 가능하다. 보다 구제적으로는 확산(Diffusion), 포토리소그래피(Photo Lithography), 식각(Etching), 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD), 금속화(Metallization), 이온침투(Implant), 감광액 제거(Clean), 연마(CMP)의 8개 공정 별 생산장비는 메인팹(10)의 청정실(Clean room)에 배치되며, 공정 별 생산설비(15)에서 발생하는 배기가스는 서브팹(20)의 제조공정 별 구역(Bay)에 설치된 진공펌프(130)로 이송되며, 이후 POU(point of use) 스크러버(120)를 사용하여 800 ~ 1,200도의 고온에서 연소방식으로 처리된다.
배기가스의 고온 연소반응은 산성가스와 미세먼지를 부산물로 발생하게 되며, POU 스크러버(120)에서 배출되는 산성가스/미세먼지 복합오염물질은 덕트(110), 덕트의 풍량을 분배하는 헤더(160), 입상덕트(172) 및 부속동 옥상에 설치된 배기팬(174) 등을 통해 서브팹(20)에서 부속동(30) 옥상에 설치된 산성가스/미세먼지 제거용 옥상 스크러버(175)로 이송되어 처리 된 후, 타 배기계통의 입상덕트(172), 옥상 배기팬(174), 옥상 스크러버(176)로 구성된 다른 배기계통과 통합되어 최종 배출된다.
한편 POU 스크러버(120)에서 배출되는 산성가스/미세먼지 복합오염물질은 반도체 팹 내부 시설 운영에 여러 가지 문제점을 야기한다. 보다 구체적으로는 서브팹(20)에서 부속동 옥상(30)으로 이어지는 이송과정 중 산성가스에 의한 배관 부식, 미세먼지에 의한 덕트 막힘 및 정압 헌팅(hunting)등이 발생할 수 있으며, 이로 인한 배기가스 처리효율 변동은 옥상배기시설의 및 반도체 팹 생산 안정성에 부정적인 영향을 미치게 된다. 또한, 메인팹(10)에서 발생한 다양한 계통의 화학배기가 부속동 옥상(30)에서 통합되어 처리 및 배출하는 종래의 방식은 대용량 스크러버 사용이 불가피하며, 이는 필연적으로 스크러버 옥상 설치를 위한 부속동 건축면적의 상당한 증가를 야기하게 된다.
대한민국 공개특허공보 제10-2017-0026888호(2017.03.02)
본 발명의 목적은 반도체 제조공정 시 배출되는 배기가스의 1차 연소과정에서 발생하는 복합오염물질을 설비 서브팹(Facility Sub Fab, FSF)의 구역(Bay) 단위로 분산처리 후, 부속동 옥상으로 이송하여 타 배기 계통과 통합 및 배출함으로써 반도체 팹의 효율적인 운영을 가능하게 할 수 있는 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템을 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 배기가스의 이동 덕트에 예비 스크러버를 최소 배치하여 반도체 제조라인의 24시간 연속운전에 대응할 수 있는 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제(들)로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제(들)은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템은 반도체 공정 구역 별로 배치된 다수의 서브덕트와 연결되는 메인덕트, 상기 다수의 서브덕트와 연결되어 반도체 공정 시 발생되는 배기가스를 정화시키기 위한 제1 스크러버, 상기 메인덕트에 다수로 분산 배치되어 상기 제1 스크러버의 정화처리로 인해 발생된 복합오염물질을 정화시키기 위한 제2 스크러버 및 상기 메인덕트와 연결되며 상기 제2 스크러버에 의해 정화처리 된 정화가스를 외부로 배기시키기 위한 배기부를 포함한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 다수의 서브덕트는 말단이 상기 메인덕트와 연결되며, 상기 제1 스크러버의 정화처리로 인해 발생된 복합오염물질을 상기 반도체 공정 구역 별로 통합할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제2 스크러버는 상기 메인덕트 중 상기 다수의 서브덕트가 합류되는 지점의 부근에 분산 배치될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제2 스크러버는 상기 다수의 서브덕트가 합류되는 지점의 가스 유입 풍량을 고려하여 분산 배치될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 복합오염물질은 산성가스 및 미세먼지를 포함하며, 상기 제2 스크러버는 하우징에 구비되며 상기 복합오염물질 중 상기 산성가스를 환원 처리하기 위한 습식처리부 및 상기 하우징에 구비되며 상기 복합오염물질 중 상기 미세먼지를 집진 처리하기 위한 집진처리부를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제2 스크러버는 상기 습식처리부 및 상기 집진처리부에 의해 정화처리 된 정화가스가 토출되는 토출구에 구비되며, 상기 정화가스의 이송에 필요한 정압을 제공하기 위한 정압보상팬을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템은 상기 메인덕트 중 상기 제2 스크러버의 위치보다 후단에 배치되며, 상기 반도체 제조 공정이 연속 운영되도록 상기 복합오염물질의 정화처리를 추가로 수행하는 예비 스크러버를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템은 상기 메인덕트의 말단에 구비되며, 상기 메인덕트 내 상기 정화가스를 분배하기 위한 헤더를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 배기부는 상기 헤더와 연결되어 상기 제2 스크러버에 의해 정화처리 된 정화가스를 외부로 이송시키기 위한 입상덕트, 상기 입상덕트와 연결되어 상기 이송된 가스를 순환시키기 위한 배기팬 및 상기 배기팬으로부터 상기 순환된 가스를 전달받아 외부로 배기시키기 위한 외부 스크러버를 더 포함할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 첨부 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 옥상통합 배기처리 시스템에서 불가피하게 발생하는 산성가스 등으로 인한 배관부식 또는 미세먼지 등으로 인한 덕트 막힘 및 정압 헌팅과 같은 문제점을 근본적으로 해결하여 반도체 팹의 안정적인 운영을 가능하게 하며, 배기 처리 계통 단순화를 통한 부속동의 옥상 배기설비 효율화를 달성할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따르면, 배기가스의 이동 덕트에 예비 스크러버를 최소 배치하여 반도체 제조라인의 24시간 연속운전에 대응할 수 있다.
도 1은 일반적인 옥상 통합방식의 배기가스 처리계통을 개략적으로 도시한 개념도이다.
도 2는 도 1에 대하여, 배기가스 처리를 위한 유틸리티가 배치되는 서브팹에서의 배기가스 이송을 위한 덕트 구성을 도시한 개념도이다.
도 3은 도 2의 서브팹 내 배기가스 처리를 위한 설비 배치의 구성을 구체적으로 도시한 개념도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템의 배기가스 처리계통을 개략적으로 도시한 개념도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 있어서, 서브팹 내 배기가스 처리를 위한 설비 배치의 구성을 구체적으로 도시한 개념도이다.
도 6은 예비 스크러버가 공정 구역 별 서브덕트의 말단에 각각 설치되는 경우를 설명하기 위해 도시한 개념도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 있어서, 제2 스크러버의 설비 구성을 도시한 개념도이다.
본 발명의 이점 및/또는 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
도 1은 일반적인 옥상 통합방식의 배기가스 처리계통을 개략적으로 도시한 개념도이고, 도 2는 도 1에 대하여, 배기가스 처리를 위한 유틸리티가 배치되는 서브팹에서의 배기가스 이송을 위한 덕트 구성을 도시한 개념도이고, 도 3은 도 2의 서브팹 내 배기가스 처리를 위한 설비 배치의 구성을 구체적으로 도시한 개념도이다.
반도체 제조 라인은 청정실(Clean room) 내에, 확산(Diffusion), 포토리소그래피(Photo Lithography), 식각(Etching), 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD), 금속화(Metallization), 이온침투(Implant), 감광액 제거(Clean), 연마(CMP)의 8개 공정 별로 필요한 생산장비가 위치한 구역(Zone)을 베이(Bay)라고 하는 유닛(Unit)으로 복수 구성된다.
한편, 반도체 팹(Fab)은 생산 장비가 설치되는 청정실(Clean room)을 포함하는 메인팹(10)과 그 하부에 위치하는 서브팹(20)으로 구성되며, 서브 팹은 다시 클린 서브팹과 (Clean Sub Fab, CSF)과 설비 서브팹 (Facility Sub Fab, FSF)으로 구성된다. 보다 상세하게, 클린 서브팹에는 Gas, Chemical 등 생산장비에 직접 공급되는 중요도 높은 유틸리티의 장비, 배관, 덕트, 전기케이블 등을 배치하게 되고, 설비 서브팹에서는 LPG, 폐수 등 대형 배관이나 위험성 있는 유틸리티를 배치하게 된다.
도 2를 참조하면, 서브팹(20)은 반도체 제조공정 별로 대응되는 베이(Bay)로 구획되어 있으며, 개별 베이는 펌프(Pump), 칠러(Chiller), 스크러버(Scrubber) 등 배기가스 처리에 필요한 설비들과, 베이에서 1차 처리된 배기가스를 이송하는 지관(Lateral duct) 즉, 서브덕트(114)로 구성되며, 개별 지관들은 메인덕트(112)에 통합되며, 메인덕트(112)는 헤더(160)에 연결되며, 헤더(160)에서 분배된 배기가스는 입상덕트를 통해 외부 즉, 부속동 옥상의 배기시설로 이송된다.
도 3을 참조하면, 반도체 제조공정에서 배출되는 화학 배기가스는 서브팹에 설치된 진공펌프(130)를 통해 포집된 후, Burn-Wet 방식의 POU 스크러버(120)로 분배된다. POU 스크러버(120)는 복수로 구현되어 서브덕트(114)에 연결된다.
POU 스크러버(120)에서는 유입된 화학 배기가스가 고온 연소 처리된 후, 부산물과 함께 배출되어 서브덕트(114)로 유입된다. 각 베이의 서브덕트(114) 내부에서 산성가스와 미세먼지 농도는 제조 공정 별로 차이는 있지만 일반적으로 산성가스 30 ppm, 미세먼지 질량농도 300 mg/m3 수준이며, 서브팹에 배치된 메인덕트 (112)로 통합된 후, 헤더(160)를 통해 부속동 옥상의 배기시설로 이송된다.
상기와 같은 구조를 가지는 옥상 통합처리 배기계통의 경우, POU 스크러버(120)에서 배출되는 산성가스/미세먼지 복합오염물질이 반도체 팹 내부 시설 운영에 여러 가지 문제점을 야기하게 된다. 보다 구체적으로, 서브팹에서 부속동 옥상(30)으로 이어지는 이송과정 중 산성가스에 의한 배관 부식, 미세먼지에 의한 덕트 막힘 및 정압 헌팅(hunting)등이 발생할 수 있으며, 이로 인한 배기가스 처리효율 변동은 옥상배기시설의 및 반도체 팹 생산 안정성에 부정적인 영향을 미치게 된다. 또한, 메인팹(10)에서 발생한 다양한 계통의 화학배기가 부속동 옥상(30)에서 통합되어 처리 및 배출하는 종래의 방식은 대용량 스크러버 사용이 불가피하며, 이는 필연적으로 스크러버 옥상 설치를 위한 부속동 건축면적의 상당한 증가를 야기하게 된다.
이에 따라, 본 발명에서는 반도체 제조공정 시 발생하는 배기가스를 메인팹 내부 청정실(Clean room)에서 서브팹으로 이송 후 1차 POU 연소처리 단계에서 발생하는 부산물인 산성가스/미세먼지 복합오염물질을 구역(Bay) 단위 별로 분산처리 후, 정화된 배기가스를 부속동 옥상으로 이송하여 타 배기 계통과 통합 및 배출함으로써 반도체 팹의 효율적인 운영을 가능하게 하는 배기가스 처리 시스템을 제공하고자 한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템의 배기가스 처리계통을 개략적으로 도시한 개념도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 있어서, 서브팹 내 배기가스 처리를 위한 설비 배치의 구성을 구체적으로 도시한 개념도이고, 도 6은 예비 스크러버가 공정 구역 별 서브덕트의 말단에 각각 설치되는 경우를 설명하기 위해 도시한 개념도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 있어서, 제2 스크러버의 설비 구성을 도시한 개념도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템은 덕트(110), 제1 스크러버(120), 제2 스크러버(140) 및 배기부를 포함하여 구성될 수 있다.
덕트(110)는 반도체 공정 구역 별로 배치된 다수의 서브덕트(114) 및 서브덕트(114)와 연결되는 메인덕트(112)를 포함할 수 있다.
다수의 서브덕트(114)의 말단은 메인덕트(112)와 연결되며, 후술하는 제1 스크러버(120)의 정화처리로 인해 발생된 복합오염물질을 반도체 공정 구역 별로 통합할 수 있다.
제1 스크러버(120)는 다수의 서브덕트(114)와 연결되어 반도체 공정 시 발생되는 배기가스를 정화시키기 위한 것으로, Burn-Wet 방식의 POU 스크러버에 해당될 수 있다.
일 실시예로, 제1 스크러버(120)는 진공펌프(130)와 연결될 수 있는데, 메인팹(10)의 생산설비(15)에서 발생되는 배기가스가 서브팹(20)의 제조공정 구역 별로 설치된 진공펌프(130)로 이송되어 포집된 후 제1 스크러버(120)로 분배되어 고온에서 연소 처리될 수 있다.
일 실시예로, 제1 스크러버(120)의 정화처리 용량은 일반적으로 0.5 ~ 1 CMM이며, 제조공정 별 배기가스 풍량에 대응하여 다수의 제1 스크러버(120)가 다수의 서브덕트(114)에 연결될 수 있다.
제2 스크러버(140)는 메인덕트(112)에 다수로 분산 배치되어 제1 스크러버(120)의 정화처리로 인해 발생된 복합오염물질을 정화시킬 수 있다.
일 실시예로, 제2 스크러버(140)는 메인덕트(112) 중 다수의 서브덕트(114)가 합류되는 지점(P)의 부근에 1식으로 분산 배치될 수 있다. 아울러, 제2 스크러버(140)는 다수의 서브덕트(114)가 합류되는 지점(P)의 가스 유입 풍량을 고려하여 분산 배치될 수 있다. 제2 스크러버(140)의 정화처리 용량은 메인덕트(112)에 합류되는 각 서브덕트(114)의 가스 유입 풍량을 고려하여 20 ~ 100 CMM인 것이 바람직하다.
일 실시예로, 제2 스크러버(140)는 제1 스크러버(120)에서 배기가스의 정화처리로 인해 발생되는 부산물인 산성가스와 미세먼지를 제거할 수 있으며, 제거 후에는 예컨대 2 ppm 정도의 산성가스 농도와 2 mg/m3 정도의 미세먼지 농도의 정화처리 성능을 구현할 수 있다.
제2 스크러버(140)는 복합오염물질에 해당하는 산성가스와 미세먼지를 동시에 정화할 수 있도록 도 6에 도시된 바와 같이 하우징, 습식처리부(142) 및 집진처리부(144)를 포함할 수 있다.
하우징(141)은 스크러버의 외관을 구성하는 일반적인 구성으로, 다양한 형태로 구현될 수 있다. 습식처리부(142)는 하우징(141)에 구비되며 복합오염물질 중 산성가스를 환원 처리할 수 있다. 집진처리부(144)는 하우징(141)에 구비되며 복합오염물질 중 미세먼지를 집진 처리할 수 있다.
제2 스크러버(140)의 정화처리 과정을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
제1 스크러버(120)의 정화처리 작업에서 발생하는 배기가스는 각 서브덕트(114)를 통해 메인덕트(112)로 이송되어 제2 스크러버(140)의 습식처리부(142)로 유입된다. 습식처리부(142)에서는 세정수를 사용하여 배기가스 중 산성가스를 제거한 후, 이를 폐수로서 외부로 배출하게 된다. 습식처리부(142)에서 제거되지 않은 배기가스 중 미세먼지는 집진처리부(144)에서 추가로 제거된다. 집진처리부(144)의 운전을 위해 세정수와 건식 압축공기가 공급되며, 그 결과 미세먼지의 고형물을 함유한 폐수가 외부로 배출된다.
일 실시예로, 제2 스크러버(140)는 정화가스의 이송에 필요한 정압을 제공하기 위한 정압보상팬(146)을 더 포함할 수 있다.
정압보상팬(146)은 습식처리부(142) 및 집진처리부(144)에 의해 정화처리 된 정화가스가 토출되는 토출구에 구비될 수 있다.
다시 도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템은 반도체 제조 공정이 연속 운영되도록 복합오염물질의 정화처리를 추가로 수행하는 예비 스크러버(150)를 더 포함하여 구성될 수 있다.
즉, 예비 스크러버(150)는 복합오염물질 발생량 증가 및 제조공정 구역 별 설비유지관리 등의 비정상 상황에 대응하기 위하여 1식의 예비 스크러버(150)를 추가로 설치하여 제조시설의 중단 없이 연속 운영이 가능하도록 할 수 있는 것이다.
일 실시예로, 예비 스크러버(150)는 메인덕트(112) 중 제2 스크러버(140)의 위치보다 후단에 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 제2 스크러버(140)의 위치보다 전단 또는 그 사이에 배치될 수도 있다.
한편, 도 5를 참조하면, 본 발명에 대한 비교예로서 제조공정 별 서브덕트(114)의 말단에 제2 스크러버(140)와 예비 스크러버(150)를 포함하는 스크러버들이 구비될 수 있다.
이러한 경우, 각 서브덕트(114)로부터 이송되는 복합오염물질의 제거효율을 안정적으로 유지가능 할 수 있으나, 서브덕트(114)마다 다수의 스크러버들이 설치되어 설비 배치 구조가 복잡해지는 문제점이 생길 수 있다.
이에 따라, 본원발명에서와 같이 각 서브덕트(114)가 합류하는 지점(P)의 부근에 해당하는 메인덕트(112)에 제2 스크러버(140)와 예비 스크러버(150)를 분산 배치함으로써, 스크러버의 설치 대수를 크게 절감할 수 있으며, 전체 배기시스템의 구성을 간소화하되 운영관리 측면에서 상당한 편익을 제공할 수 있다.
다시 도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템은 메인덕트(112)의 말단에 구비되며, 메인덕트(112) 내 정화가스를 분배하기 위한 헤더(160)를 더 포함하여 구성될 수 있다.
즉, 제2 스크러버(140)에서 복합오염물질이 제거된 정화가스가 메인덕트(112)에서 다시 통합된 후, 메인덕트(112)의 말단에 연결된 헤더(160)를 통해 외부로 배기될 수 있다. 일 실시예로, 정화가스가 배기되는 외부는 부속동 옥상(30)에 해당될 수 있다.
배기부는 메인덕트(112)와 연결되며 제2 스크러버(140)에 의해 정화처리 된 정화가스를 외부로 배기시킬 수 있으며, 입상덕트(172), 배기팬(174) 및 외부 스크러버(176)를 포함하여 구성될 수 있다.
입상덕트(172)는 헤더(160)와 연결되어 제2 스크러버(140)에 의해 정화처리 된 정화가스를 외부로 이송시킬 수 있다. 배기팬(174)은 입상덕트(172)와 연결되어 이송된 가스를 순환시킬 수 있다. 외부 스크러버(176)는 배기팬(174)으로부터 순환된 가스를 전달받아 외부로 배기시킬 수 있다.
다시 말해, 복합오염물질이 정화처리 된 정화가스는 헤더(160)에 통합된 후, 타 배기계통의 입상덕트(172), 배기팬(174)을 통해 외부 스크러버(176)에 통합되어 최종 배출될 수 있다.
이에 따라, 부속동 옥상(30)에서 복합오염물질 처리를 위한 별도의 전용 입상덕트, 배기팬, 스크러버가 불필요하여 부속동 옥상시설 구조가 대폭 간소화되는 효과를 얻을 수 있게 되는 것이다.
이로써, 본 발명의 실시예들에 따르면, 옥상통합 배기처리 시스템에서 불가피하게 발생하는 산성가스 등으로 인한 배관부식 또는 미세먼지 등으로 인한 덕트 막힘 및 정압 헌팅과 같은 문제점을 근본적으로 해결하여 반도체 팹의 안정적인 운영을 가능하게 하며, 배기 처리 계통 단순화를 통한 부속동의 옥상 배기설비 효율화를 달성할 수 있다.
뿐만 아니라, 배기가스의 이동 덕트에 예비 스크러버를 최소 배치하여 반도체 제조라인의 24시간 연속운전에 대응할 수 있다.
지금까지 본 발명에 따른 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허 청구의 범위뿐 아니라 이 특허 청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
10 : 메인팹
15 : 반도체 제조공정 별 생산설비
20 : 설비 서브팹
30 : 외부(부속동 옥상)
110 : 덕트
112 : 메인덕트
114 : 서브덕트
120 : 제1 스크러버(POU 스크러버)
130 : 진공펌프
140 : 제2 스크러버
141 : 하우징
142 : 습식처리부
144 : 집진처리부
150 : 예비 스크러버
160 : 헤더
172 : 입상덕트
174 : 배기팬
175 : 산성가스/미세먼지 제거용 옥상 스크러버
176 : 외부(옥상) 스크러버

Claims (9)

  1. 반도체 공정 구역 별로 배치된 다수의 서브덕트와 연결되는 메인덕트;
    상기 다수의 서브덕트와 연결되어 반도체 공정 시 발생되는 배기가스를 정화시키기 위한 제1 스크러버;
    상기 메인덕트에 다수로 분산 배치되어 상기 제1 스크러버의 정화처리로 인해 발생된 복합오염물질을 정화시키기 위한 제2 스크러버; 및
    상기 메인덕트와 연결되며 상기 제2 스크러버에 의해 정화처리 된 정화가스를 외부로 배기시키기 위한 배기부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 서브덕트는
    말단이 상기 메인덕트와 연결되며, 상기 제1 스크러버의 정화처리로 인해 발생된 복합오염물질을 상기 반도체 공정 구역 별로 통합하는 것을 특징으로 하는 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 스크러버는
    상기 메인덕트 중 상기 다수의 서브덕트가 합류되는 지점의 부근에 분산 배치되는 것을 특징으로 하는 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 스크러버는
    상기 다수의 서브덕트가 합류되는 지점의 가스 유입 풍량을 고려하여 분산 배치되는 것을 특징으로 하는 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 복합오염물질은 산성가스 및 미세먼지를 포함하며,
    상기 제2 스크러버는
    하우징에 구비되며 상기 복합오염물질 중 상기 산성가스를 환원 처리하기 위한 습식처리부; 및
    상기 하우징에 구비되며 상기 복합오염물질 중 상기 미세먼지를 집진 처리하기 위한 집진처리부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 스크러버는
    상기 습식처리부 및 상기 집진처리부에 의해 정화처리 된 정화가스가 토출되는 토출구에 구비되며, 상기 정화가스의 이송에 필요한 정압을 제공하기 위한 정압보상팬을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 메인덕트 중 상기 제2 스크러버의 위치보다 후단에 배치되며, 상기 반도체 제조 공정이 연속 운영되도록 상기 복합오염물질의 정화처리를 추가로 수행하는 예비 스크러버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 메인덕트의 말단에 구비되며, 상기 메인덕트 내 상기 정화가스를 분배하기 위한 헤더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 배기부는
    상기 헤더와 연결되어 상기 제2 스크러버에 의해 정화처리 된 정화가스를 외부로 이송시키기 위한 입상덕트;
    상기 입상덕트와 연결되어 상기 이송된 가스를 순환시키기 위한 배기팬; 및
    상기 배기팬으로부터 상기 순환된 가스를 전달받아 외부로 배기시키기 위한 외부 스크러버
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합오염물질 정화를 위한 분산처리 시스템.
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