JP2002001047A - Pfc回収装置及びpfc回収方法 - Google Patents

Pfc回収装置及びpfc回収方法

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JP2002001047A
JP2002001047A JP2000186730A JP2000186730A JP2002001047A JP 2002001047 A JP2002001047 A JP 2002001047A JP 2000186730 A JP2000186730 A JP 2000186730A JP 2000186730 A JP2000186730 A JP 2000186730A JP 2002001047 A JP2002001047 A JP 2002001047A
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gas
pfc
exhaust gas
membrane
constant
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Masao Miura
正男 三浦
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 所定流量で排ガスを流す必要のあるメンブレ
ン部を用いてもメンブレン部の数を少なくできるPFC
回収装置及びPFC回収方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係るPFC回収装置1は、PF
Cガスを含む排ガスを圧縮するガス圧縮装置2と、この
ガス圧縮装置で圧縮された排ガスを貯蔵するタンク3
と、このタンクに貯蔵された排ガスを所定圧力且つ所定
流量に制御する定圧・定流化装置4と、この定圧・定流化
装置で制御された排ガスからPFCガスを分離するメン
ブレン部5と、を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体などの製造
に使用され、半導体製造工程から排出される弗化化合物
(以下、PFCという。)を含む半導体排ガスを回収す
るPFC回収装置及びPFC回収方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図2は、従来のPFC回収装置を示す構
成図である。PFC回収装置11は、CVD(Chemical
Vapor Deposition)装置、エッチング装置等の半導体
製造装置を使用した際に排出されるCF4、CHF3、S
6等のフロン系のガスを再利用するために回収する装
置である。
【0003】PFCガスが使用される半導体製造装置1
0には、使用後のPFCガスを含む排ガスを排気する排
気管21が設けられている。ポンプ20にはパージ用窒
素がつながれ、常時窒素が供給されているため、排ガス
にはPFCガスの他に窒素などの他のガスが含まれてい
る。排気管21はポンプ20を介して導入管22に繋げ
られている。導入管22は複数のメンブレン部13〜1
6に繋げられている。
【0004】導入管22には、メンブレン部に導入する
排ガス流量に応じて流路を切り換える流路切換手段(図
示せず)が設けられている。また、導入管22には、メ
ンブレン部に排ガスを所定の流量(例えば20リットル
/min)で導入するために窒素(又は空気)を流し込
む窒素導入装置12が接続されている。
【0005】ここで、流路切換手段及び窒素導入装置1
2を設けている理由は、メンブレン部においてPFCガ
スを分離する機能を十分に発揮させるためには、排ガス
を所定の流量でメンブレン部に導入する必要があるから
である。
【0006】メンブレン部13〜16はPFCガスを含
む排ガスを窒素などの他のガスから分離する手段であ
る。メンブレン部13〜16は、多孔質膜を有し、その
多孔質膜を透過するガスと透過しないガスがあり、それ
によってPFCガスと窒素等の他のガスを分離するよう
に構成されている。
【0007】次に、上記従来のPFC回収装置の動作に
ついて説明する。半導体製造装置10において使用され
たPFCガスを、ポンプ20により排気管21に引き出
すと共に導入管22を通してメンブレン部13〜16に
導入する。この際、例えば20リットル/minの流量
で排ガスが各々のメンブレン部に導入されるように、流
路切換手段及び窒素導入装置12を作動させる。このよ
うにしてメンブレン部に導入された排ガスはPFCガス
と窒素等の他のガスに分離される。そして、分離された
PFCガスは図示せぬ回収タンクに回収され、そのPF
Cガスは所定の処理が施され再利用される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
PFC回収装置11では、各々のメンブレン部13〜1
6に所定流量で排ガスを流す必要があるため、半導体製
造装置の数が増える等によって排ガスの回収量が増加す
ると、それに応じてメンブレン部の数も増加させなけれ
ばならない。つまり、回収する排ガスの最大流量に備え
てメンブレン部が多量に必要となる。その結果、PFC
回収装置が大型化し、装置の構造が複雑になり、装置コ
ストが増大することになる。
【0009】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、所定流量で排ガスを流す
必要のあるメンブレン部を用いてもメンブレン部の数を
少なくできるPFC回収装置及びPFC回収方法を提供
することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明に係るPFC回収
装置は、PFCガスを含む排ガスを圧縮するガス圧縮装
置と、このガス圧縮装置で圧縮された排ガスを貯蔵する
貯蔵部と、この貯蔵部に貯蔵された排ガスを所定圧力且
つ所定流量に制御する定圧・定流化装置と、この定圧・定
流化装置で制御された排ガスからPFCガスを分離する
メンブレン部と、を具備することを特徴とする。
【0011】上記PFC回収装置によれば、多量の排ガ
スがPFC回収装置に導入された場合でも、その排ガス
をガス圧縮装置を用いて圧縮し、それを貯蔵部で貯蔵す
ることができるため、排ガスの最大流量に対応した多く
のメンブレン部を配置する必要がない。従って、所定流
量で排ガスを流す必要のあるメンブレン部を用いてもメ
ンブレン部の数を少なくすることができる。
【0012】また、本発明に係るPFC回収装置におい
て、上記メンブレン部は、多孔質膜を有し、その多孔質
膜を透過するガスと透過しないガスとによってPFCガ
スを分離するものであることが好ましい。
【0013】本発明に係るPFC回収方法は、PFCガ
スを含む排ガスを圧縮し、この圧縮された排ガスを貯蔵
し、この貯蔵された排ガスを所定圧力且つ所定流量に制
御し、この制御された排ガスからPFCガスを、多孔質
膜を有するメンブレン部によって分離することを特徴と
する。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態について説明する。図1は、本発明の実施の
形態によるPFC回収装置を示す構成図である。
【0015】PFC回収装置1は、CVD装置、エッチ
ング装置等の半導体製造装置を使用した際に排出される
CF4、CHF3、SF6等のフロン系のガスを再利用す
るために回収する装置である。
【0016】PFCガスが使用される半導体製造装置1
0a,10bそれぞれには、使用後のPFCガスを含む
排ガスを排気する排気管21a,21bが設けられてい
る。ポンプ20a,20bにはパージ用窒素がつなが
れ、常時窒素が供給されているため、排ガスにはPFC
ガスの他に窒素などの他のガスが含まれている。各々の
排気管21a,21bはポンプ20a,20bを介して
導入管6に繋げられている。
【0017】導入管6はガス圧縮装置2に繋げられてい
る。ガス圧縮装置2は、排ガスを圧縮する装置であり、
例えばコンプレッサなどが用いられる。ガス圧縮装置2
は配管7を介してタンク(貯蔵部)3に接続されてい
る。タンク3は、ガス圧縮装置2により圧縮された排ガ
スを貯蔵するものである。タンク3は配管8を介して定
圧・定流化装置4に接続されており、定圧・定流化装置
4は配管9を介してメンブレン部5に接続されている。
【0018】定圧・定流化装置4は、タンク3に貯蔵さ
れた高圧の排ガスを一定圧力、一定流量に制御するもの
であり、例えばレギュレータ、ニードルバルブなどが用
いられる。
【0019】メンブレン部5はPFCガスを含む排ガス
を窒素などの他のガスから分離する手段である。メンブ
レン部5は、多孔質膜を有し、その多孔質膜を透過する
ガスと透過しないガスがあり、それによってPFCガス
と窒素等の他のガスを分離するように構成されている。
メンブレン部においてPFCガスを分離する機能を十分
に発揮させるためには、排ガスを所定の流量(例えば2
0リットル/min)でメンブレン部に導入する必要が
ある。
【0020】次に、上記PFC回収装置の動作について
説明する。まず、複数の半導体製造装置10a,10b
において使用されたPFCガスを、複数のポンプ20
a,20bにより排気管21a,21bに引き出すと共
に導入管6を通してコンプレッサなどのガス圧縮装置2
に導入する。そして、ガス圧縮装置2において排ガスが
圧縮される。
【0021】次に、この圧縮された排ガスは配管7を通
ってタンク3に貯蔵される。その後、タンク3内の圧縮
された排ガスは配管8を通ってレギュレータ及びニード
ルバルブなどの定圧・定流化装置4に導入される。そし
て、定圧・定流化装置4において、高圧の排ガスを所定
の圧力に制御し且つ所定の流量に制御する。
【0022】次の、所定の流量に制御された排ガスは配
管9を通ってメンブレン部5に導入される。そして、こ
のメンブレン部5において、排ガスはPFCガスと窒素
等の他のガスに分離され、分離されたPFCガスは図示
せぬ回収タンクに回収され、そのPFCガスは所定の処
理が施され再利用される。
【0023】上記実施の形態によれば、多量の排ガスが
PFC回収装置1に導入された場合でも、その排ガスを
ガス圧縮装置2を用いて圧縮し、それをタンク3で一時
的に貯蔵することができる。このため、従来のPFC回
収装置ように排ガスの最大流量に対応した多くのメンブ
レン部を配置する必要がない。従って、メンブレン部の
数を従来のPFC回収装置に比べて少なくすることがで
きる。その結果、装置を小型化することができ、装置コ
ストを小さくできる。
【0024】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、多
量の排ガスがPFC回収装置に導入された場合でも、そ
の排ガスをガス圧縮装置を用いて圧縮し、それを貯蔵部
で貯蔵する。したがって、所定流量で排ガスを流す必要
のあるメンブレン部を用いてもメンブレン部の数を少な
くできるPFC回収装置及びPFC回収方法を提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態によるPFC回収装置を示
す構成図である。
【図2】従来のPFC回収装置を示す構成図である。
【符号の説明】
1,11 PFC回収装置 2 ガス圧縮装置 3 タンク 4 定圧・定流化装置 5,13〜16 メンブレン部 6,22 導入管 7〜9 配管 10,10a,10b 半導体製造装置 12 窒素導入装置 20,20a,20b ポンプ 21,21a,21b 排気管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3E072 DA05 DB03 GA30 4D006 GA41 JA67A KE02Q KE07Q PA01 PB19 PB63 PB70 PC01 5F004 AA16 BC02 BC04 BC08 CA02 CA08 DA25 5F045 BB08 BB10 EE14 EG03 EG07 EG09

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 PFCガスを含む排ガスを圧縮するガス
    圧縮装置と、 このガス圧縮装置で圧縮された排ガスを貯蔵する貯蔵部
    と、 この貯蔵部に貯蔵された排ガスを所定圧力且つ所定流量
    に制御する定圧・定流化装置と、 この定圧・定流化装置で制御された排ガスからPFCガ
    スを分離するメンブレン部と、 を具備することを特徴とするPFC回収装置。
  2. 【請求項2】 上記メンブレン部は、多孔質膜を有し、
    その多孔質膜を透過するガスと透過しないガスとによっ
    てPFCガスを分離するものであることを特徴とする請
    求項1記載のPFC回収装置。
  3. 【請求項3】 PFCガスを含む排ガスを圧縮し、 この圧縮された排ガスを貯蔵し、 この貯蔵された排ガスを所定圧力且つ所定流量に制御
    し、 この制御された排ガスからPFCガスを、多孔質膜を有
    するメンブレン部によって分離することを特徴とするP
    FC回収方法。
JP2000186730A 2000-06-21 2000-06-21 Pfc回収装置及びpfc回収方法 Withdrawn JP2002001047A (ja)

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