JP2000009037A - 排気装置及び排気方法 - Google Patents
排気装置及び排気方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 軸シール等のためにガスを導入して運転され
る真空ポンプからの排出ガスを再利用して、地球温暖化
ガスの大気への放出を減らし又はなくすのを可能にする
装置と方法を提供する。 【解決手段】 被排気設備１からの排出ガスを吸引する
一方で当該排出ガスと別のガスを導入して運転される真
空ポンプ２から排出されたガスのうちの少なくとも一部
を回収し、当該真空ポンプ２へ上記軸シール等のための
ガスとして再循環させるための手段２４、２５、２６を
含む。回収したガスの一部は被排気設備１へ再循環させ
てもよい。
る真空ポンプからの排出ガスを再利用して、地球温暖化
ガスの大気への放出を減らし又はなくすのを可能にする
装置と方法を提供する。 【解決手段】 被排気設備１からの排出ガスを吸引する
一方で当該排出ガスと別のガスを導入して運転される真
空ポンプ２から排出されたガスのうちの少なくとも一部
を回収し、当該真空ポンプ２へ上記軸シール等のための
ガスとして再循環させるための手段２４、２５、２６を
含む。回収したガスの一部は被排気設備１へ再循環させ
てもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空ポンプから排
出されるガスの再利用に関する。より詳しく言えば、本
発明は、軸シール、真空度向上、反応生成物発生防止、
腐食防止、長寿命化等の目的のためのガスを使用して運
転される真空ポンプから排出されるガスの再利用に関す
る。
出されるガスの再利用に関する。より詳しく言えば、本
発明は、軸シール、真空度向上、反応生成物発生防止、
腐食防止、長寿命化等の目的のためのガスを使用して運
転される真空ポンプから排出されるガスの再利用に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体装置の製造プロセスのド
ライエッチング工程やＣＶＤ装置のチャンバークリーニ
ング工程においては、四フッ化メタン（ＣＦ4 ）、六フ
ッ化エタン（Ｃ2 Ｆ6 ）、三フッ化窒素（ＮＦ3 ）等の
パーフロロコンパウンド（ＰＦＣ）ガスを使用して、ポ
リシリコン（ポリ−Ｓｉ）、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）
等のエッチングを行っている。
ライエッチング工程やＣＶＤ装置のチャンバークリーニ
ング工程においては、四フッ化メタン（ＣＦ4 ）、六フ
ッ化エタン（Ｃ2 Ｆ6 ）、三フッ化窒素（ＮＦ3 ）等の
パーフロロコンパウンド（ＰＦＣ）ガスを使用して、ポ
リシリコン（ポリ−Ｓｉ）、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）
等のエッチングを行っている。
【０００３】このような工程においては、チャンバー内
を真空ポンプにより例えば１３．３〜６６．５Ｐａ程度
の減圧状態にし、ＰＦＣガスを導入し、プラズマ状態に
してＳｉＯ2 等のドライエッチングを行う。エッチング
プロセスのメカニズムの詳細は分からないが、チャンバ
ー内で、高周波電界により励起されＰＦＣから発生した
ラジカル分子が、処理基板上の、あるいはチャンバー内
の壁等に付着したＳｉＯ2 等と反応して、ＳｉＦ4 等の
ガス成分となるエッチングが行われるものと推定され
る。
を真空ポンプにより例えば１３．３〜６６．５Ｐａ程度
の減圧状態にし、ＰＦＣガスを導入し、プラズマ状態に
してＳｉＯ2 等のドライエッチングを行う。エッチング
プロセスのメカニズムの詳細は分からないが、チャンバ
ー内で、高周波電界により励起されＰＦＣから発生した
ラジカル分子が、処理基板上の、あるいはチャンバー内
の壁等に付着したＳｉＯ2 等と反応して、ＳｉＦ4 等の
ガス成分となるエッチングが行われるものと推定され
る。
【０００４】このエッチング工程において、チャンバー
に導入されたＰＦＣは全量分解することはなく、未分解
なガスはチャンバー内から真空ポンプにより排出され
る。真空ポンプとしては、一般的にドライポンプ、メカ
ニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプ等が使用さ
れる。このような真空ポンプには、軸シール、真空度向
上、反応生成物発生防止（チャンバーからのガスが反応
性の場合、反応の結果発生した反応生成物が真空ポンプ
内に付着することがある）、腐食防止、長寿命化等を目
的として、チャンバーの排出ガスと別に不活性ガスとし
て窒素ガスが導入され、真空ポンプから排気ガスととも
に排出される。
に導入されたＰＦＣは全量分解することはなく、未分解
なガスはチャンバー内から真空ポンプにより排出され
る。真空ポンプとしては、一般的にドライポンプ、メカ
ニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプ等が使用さ
れる。このような真空ポンプには、軸シール、真空度向
上、反応生成物発生防止（チャンバーからのガスが反応
性の場合、反応の結果発生した反応生成物が真空ポンプ
内に付着することがある）、腐食防止、長寿命化等を目
的として、チャンバーの排出ガスと別に不活性ガスとし
て窒素ガスが導入され、真空ポンプから排気ガスととも
に排出される。
【０００５】真空ポンプから排出される排気には、ＰＦ
Ｃから発生したラジカル分子とＳｉＯ2 等との反応によ
り発生したＳｉＦ4 等のガス、高周波電界によりＰＦＣ
が分解して生じたガスが含まれる。これらのガス成分に
は、腐食性が高いもの、毒性が高いもの等が含まれるた
め、真空ポンプからの排気は、通常は除害装置により無
害化した後、大気放出されている。この除害装置として
は、活性炭、活性アルミナ、モレキュラシーブ等の吸着
剤や、活性炭、活性アルミナ等にアルカリ剤等を添着し
た化学反応剤等を充填したものが、一般的に使用され
る。
Ｃから発生したラジカル分子とＳｉＯ2 等との反応によ
り発生したＳｉＦ4 等のガス、高周波電界によりＰＦＣ
が分解して生じたガスが含まれる。これらのガス成分に
は、腐食性が高いもの、毒性が高いもの等が含まれるた
め、真空ポンプからの排気は、通常は除害装置により無
害化した後、大気放出されている。この除害装置として
は、活性炭、活性アルミナ、モレキュラシーブ等の吸着
剤や、活性炭、活性アルミナ等にアルカリ剤等を添着し
た化学反応剤等を充填したものが、一般的に使用され
る。
【０００６】しかしながら、近年地球温暖化防止が重要
視され、地球温暖化係数（ＧＷＰ）が高いＰＦＣ等のガ
スの環境への排出が制限される傾向にある。こういった
状況に対応するため、上述の真空ポンプからの排気ガス
中のＰＦＣ等のＧＷＰの高いガスを分解し無害化したの
ち排出する技術、又は、排気ガスを圧縮し、そして圧縮
したガスから不純物ガスを分離してＰＦＣを回収する技
術が開発されている。
視され、地球温暖化係数（ＧＷＰ）が高いＰＦＣ等のガ
スの環境への排出が制限される傾向にある。こういった
状況に対応するため、上述の真空ポンプからの排気ガス
中のＰＦＣ等のＧＷＰの高いガスを分解し無害化したの
ち排出する技術、又は、排気ガスを圧縮し、そして圧縮
したガスから不純物ガスを分離してＰＦＣを回収する技
術が開発されている。
【０００７】排気ガス中のＰＦＣを分解する方法として
は、加熱分解、触媒加熱分解、燃焼分解等の方法が開発
されている。これらの処理では、炭素数の多いＰＦＣ
は、段階的に炭素数の小さいＰＦＣに分解していく。例
えば、Ｃ2 Ｆ6 流量０．１リットル／分の条件でチャン
バー内でプラズマ放電させ、その排出ガスをＮ2 導入量
２８リットル／分の真空ポンプで排気した場合には、真
空ポンプ出口で、Ｎ2 中にＣＦ4 が０．０１％、Ｃ2 Ｆ
6 が０．１２％、ＣＨ2 Ｆ2 が０．０１％検出され、こ
のほかに少量のＳｉＦ4 、ＨＦ、Ｆ2 等が検出される。
そしてこの排気ガスを更に加熱分解式のＰＦＣ分解装置
において分解した場合、その排気Ｎ2 中にはＣＦ4 が
０．０６％、ＣＯが０．０９％、ＣＯ2 が０．０４％検
出され、ＰＦＣ分解装置での分解の結果ＣＦ4 が発生す
ることがわかる。
は、加熱分解、触媒加熱分解、燃焼分解等の方法が開発
されている。これらの処理では、炭素数の多いＰＦＣ
は、段階的に炭素数の小さいＰＦＣに分解していく。例
えば、Ｃ2 Ｆ6 流量０．１リットル／分の条件でチャン
バー内でプラズマ放電させ、その排出ガスをＮ2 導入量
２８リットル／分の真空ポンプで排気した場合には、真
空ポンプ出口で、Ｎ2 中にＣＦ4 が０．０１％、Ｃ2 Ｆ
6 が０．１２％、ＣＨ2 Ｆ2 が０．０１％検出され、こ
のほかに少量のＳｉＦ4 、ＨＦ、Ｆ2 等が検出される。
そしてこの排気ガスを更に加熱分解式のＰＦＣ分解装置
において分解した場合、その排気Ｎ2 中にはＣＦ4 が
０．０６％、ＣＯが０．０９％、ＣＯ2 が０．０４％検
出され、ＰＦＣ分解装置での分解の結果ＣＦ4 が発生す
ることがわかる。
【０００８】ところが、ＣＦ4 はＧＷＰ１００が６，５
００と非常に大きく、それゆえ大気に放出するために
は、更に二酸化炭素とフッ素に分解し、分解したフッ素
を何らかの形で固定化して除去する必要がある。排気ガ
ス中のＣＦ4 を分解するためには、過大なエネルギーが
必要であり、そのエネルギーをつくり出す際に発生する
二酸化炭素等を考慮すると、地球温暖化防止対策上は、
総合的に不利になることがある。
００と非常に大きく、それゆえ大気に放出するために
は、更に二酸化炭素とフッ素に分解し、分解したフッ素
を何らかの形で固定化して除去する必要がある。排気ガ
ス中のＣＦ4 を分解するためには、過大なエネルギーが
必要であり、そのエネルギーをつくり出す際に発生する
二酸化炭素等を考慮すると、地球温暖化防止対策上は、
総合的に不利になることがある。
【０００９】また、従来の排気系においては、上記に例
示したように真空ポンプで窒素がチャンバーからの排出
ガス中に大量に混入する。この場合、分解装置では真空
ポンプからの希釈された排気ガスに対してもエネルギー
を消費するため、エネルギー損失が大きくなる。
示したように真空ポンプで窒素がチャンバーからの排出
ガス中に大量に混入する。この場合、分解装置では真空
ポンプからの希釈された排気ガスに対してもエネルギー
を消費するため、エネルギー損失が大きくなる。
【００１０】地球温暖化防止のため、ＰＦＣ等を含む排
気ガスを回収して再利用する方法も開発されているが、
真空ポンプで導入する窒素による希釈があるため、排気
ガス中のＰＦＣと窒素を分離するのに複雑な処理と多量
のエネルギーが必要である。
気ガスを回収して再利用する方法も開発されているが、
真空ポンプで導入する窒素による希釈があるため、排気
ガス中のＰＦＣと窒素を分離するのに複雑な処理と多量
のエネルギーが必要である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、軸
シール、真空度向上、反応生成物発生防止、腐食防止、
長寿命化等の目的のために窒素等の気体が導入される真
空ポンプを使用する排気装置であって、真空ポンプから
排気されるＰＦＣ等の地球温暖化ガスの大気への放出を
減らし又はなくすとともに、省エネルギーを可能にする
装置を提供することを目的とする。
シール、真空度向上、反応生成物発生防止、腐食防止、
長寿命化等の目的のために窒素等の気体が導入される真
空ポンプを使用する排気装置であって、真空ポンプから
排気されるＰＦＣ等の地球温暖化ガスの大気への放出を
減らし又はなくすとともに、省エネルギーを可能にする
装置を提供することを目的とする。
【００１２】また、そのような真空ポンプから排気され
るＰＦＣ等の地球温暖化ガスの大気への放出を減らし又
はなくすとともに、省エネルギーを可能にする方法を提
供することも、本発明の目的である。
るＰＦＣ等の地球温暖化ガスの大気への放出を減らし又
はなくすとともに、省エネルギーを可能にする方法を提
供することも、本発明の目的である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の排気装置は、被
排気設備からの排出ガスを吸引する一方で当該排出ガス
と別のガスを導入して運転される真空ポンプを含む、被
排気設備からの排出ガスの排気装置であって、当該真空
ポンプから排出されたガスのうちの少なくとも一部を回
収し、当該真空ポンプへ上記排出ガスと別のガスとして
再循環させるための手段を含むことを特徴とする。
排気設備からの排出ガスを吸引する一方で当該排出ガス
と別のガスを導入して運転される真空ポンプを含む、被
排気設備からの排出ガスの排気装置であって、当該真空
ポンプから排出されたガスのうちの少なくとも一部を回
収し、当該真空ポンプへ上記排出ガスと別のガスとして
再循環させるための手段を含むことを特徴とする。
【００１４】この排気装置は、回収した真空ポンプから
の排出ガスを、真空ポンプへ再循環させるほかに、上記
の被排気設備へ再循環させるための手段を含んでもよ
い。
の排出ガスを、真空ポンプへ再循環させるほかに、上記
の被排気設備へ再循環させるための手段を含んでもよ
い。
【００１５】本発明の排気方法は、被排気設備からの排
出ガスを吸引する一方で当該排出ガスと別のガスを導入
して運転される真空ポンプを使用して、被排気設備から
の排出ガスを排気する方法であって、当該真空ポンプか
ら排出されたガスのうちの少なくとも一部を回収し、当
該真空ポンプへ上記排出ガスと別のガスとして再循環さ
せることを特徴とする。
出ガスを吸引する一方で当該排出ガスと別のガスを導入
して運転される真空ポンプを使用して、被排気設備から
の排出ガスを排気する方法であって、当該真空ポンプか
ら排出されたガスのうちの少なくとも一部を回収し、当
該真空ポンプへ上記排出ガスと別のガスとして再循環さ
せることを特徴とする。
【００１６】回収した真空ポンプからの排出ガスは、真
空ポンプへ再循環させるほかに、上記の被排気設備へ再
循環させてもよい。
空ポンプへ再循環させるほかに、上記の被排気設備へ再
循環させてもよい。
【００１７】本発明において、真空ポンプが吸引する被
排気設備からのガスとしては、地球温暖化の元凶となる
ＰＦＣ等のガス、あるいはＰＦＣ等を含むガスを考える
ことができ、そして以下の説明はそのようなガスについ
てなされるが、本発明をそのほかの任意のガスの排気に
ついて応用してもよいことは言うまでもなく明らかであ
る。また、以下の説明は、被排気設備として半導体装置
製造設備に言及してなされるが、被排気設備がこれに限
定されないことも明らかである。
排気設備からのガスとしては、地球温暖化の元凶となる
ＰＦＣ等のガス、あるいはＰＦＣ等を含むガスを考える
ことができ、そして以下の説明はそのようなガスについ
てなされるが、本発明をそのほかの任意のガスの排気に
ついて応用してもよいことは言うまでもなく明らかであ
る。また、以下の説明は、被排気設備として半導体装置
製造設備に言及してなされるが、被排気設備がこれに限
定されないことも明らかである。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１に、従来の排気装置を示す。
この図において、１は被排気設備である例えば半導体装
置製造設備を示しており、２は真空ポンプ、３は除害設
備を示している。一例として、製造設備１には、プロセ
スガスとしてＣ2 Ｆ6 が供給されて、ドライエッチング
が行われる。製造設備１からは、ドライエッチング用に
消費されなかった未反応のＣ2 Ｆ6 のほかに、反応生成
物のＣＦ4 、ＣＨＦ3 、ＳｉＦ 4 、ＨＦ、Ｆ2 等を含む
ガスが、真空ポンプ２により排気される。この真空ポン
プ２には、軸シール、真空度向上、反応生成物発生防
止、腐食防止、長寿命化等の目的のため、製造設備１か
らの排出ガスとは別に窒素等の不活性ガス（単純に「シ
ールガス」等と称されることもある）が導入される。製
造設備１からのガスと、これとは別に真空ポンプ２に導
入された不活性ガスは、真空ポンプ２から一緒に排気さ
れて、除害設備３へ送られる。除害設備３では、腐食性
や毒性の高いＳｉＦ4 、ＨＦ、Ｆ2 等が廃棄物として除
去され、そして残りのＣ2 Ｆ6 、ＣＦ 4 、ＣＨＦ3 は大
気へ放出されるか、あるいは先に説明したように別の工
程で更に処理される。
この図において、１は被排気設備である例えば半導体装
置製造設備を示しており、２は真空ポンプ、３は除害設
備を示している。一例として、製造設備１には、プロセ
スガスとしてＣ2 Ｆ6 が供給されて、ドライエッチング
が行われる。製造設備１からは、ドライエッチング用に
消費されなかった未反応のＣ2 Ｆ6 のほかに、反応生成
物のＣＦ4 、ＣＨＦ3 、ＳｉＦ 4 、ＨＦ、Ｆ2 等を含む
ガスが、真空ポンプ２により排気される。この真空ポン
プ２には、軸シール、真空度向上、反応生成物発生防
止、腐食防止、長寿命化等の目的のため、製造設備１か
らの排出ガスとは別に窒素等の不活性ガス（単純に「シ
ールガス」等と称されることもある）が導入される。製
造設備１からのガスと、これとは別に真空ポンプ２に導
入された不活性ガスは、真空ポンプ２から一緒に排気さ
れて、除害設備３へ送られる。除害設備３では、腐食性
や毒性の高いＳｉＦ4 、ＨＦ、Ｆ2 等が廃棄物として除
去され、そして残りのＣ2 Ｆ6 、ＣＦ 4 、ＣＨＦ3 は大
気へ放出されるか、あるいは先に説明したように別の工
程で更に処理される。
【００１９】このように、従来は、真空ポンプを介して
排気される被排気設備からのガスは、全て排気装置外へ
排出されて、排気装置内で回収・再利用されることはな
かった。そのため、Ｃ2 Ｆ6 、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 等の地
球温暖化係数の高い物質を大気放出した場合には地球温
暖化を引き起こし、あるいはそれらを大気放出しないよ
う更に処理する場合には、複雑な処理と多量のエネルギ
ーが必要であった。
排気される被排気設備からのガスは、全て排気装置外へ
排出されて、排気装置内で回収・再利用されることはな
かった。そのため、Ｃ2 Ｆ6 、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 等の地
球温暖化係数の高い物質を大気放出した場合には地球温
暖化を引き起こし、あるいはそれらを大気放出しないよ
う更に処理する場合には、複雑な処理と多量のエネルギ
ーが必要であった。
【００２０】これに対し、本発明は、地球温暖化をもた
らすようなガスを大気放出することなく、排気装置内で
回収して再利用するのを可能にするものである。
らすようなガスを大気放出することなく、排気装置内で
回収して再利用するのを可能にするものである。
【００２１】図２を参照して、本発明の基本概念を説明
する。本発明においても、製造設備１からの排出ガスは
真空ポンプ２で吸引されて、そしてその排出ガスがＳｉ
Ｆ4、ＨＦ、Ｆ2 等の腐食性や毒性の高い、人体や装置
にとって有害なガス（以下「有害ガス」と呼ぶ）を含有
している場合には除害設備３へ送られて、そのような有
害ガスが除去され、廃棄物として排出される（図示せ
ず）。除害設備３では、活性炭、活性アルミナ、モレキ
ュラシーブ等の吸着剤や、活性炭、活性アルミナ等にア
ルカリ剤等を添着した化学反応剤等を充填した装置を一
般に使用することができる。
する。本発明においても、製造設備１からの排出ガスは
真空ポンプ２で吸引されて、そしてその排出ガスがＳｉ
Ｆ4、ＨＦ、Ｆ2 等の腐食性や毒性の高い、人体や装置
にとって有害なガス（以下「有害ガス」と呼ぶ）を含有
している場合には除害設備３へ送られて、そのような有
害ガスが除去され、廃棄物として排出される（図示せ
ず）。除害設備３では、活性炭、活性アルミナ、モレキ
ュラシーブ等の吸着剤や、活性炭、活性アルミナ等にア
ルカリ剤等を添着した化学反応剤等を充填した装置を一
般に使用することができる。
【００２２】除害設備３から排出されたガスは、次にガ
ス圧縮機２４で昇圧される。圧縮したガスは、所定の圧
力で真空ポンプ２へ供給されるので、ガス圧縮機２４で
は少なくともそのために必要な圧力まで昇圧する必要が
ある。より具体的に言えば、真空ポンプ２への導入ガス
の圧力は通常０．０４〜０．０７ＭＰａ程度であるか
ら、ガス圧縮機２４ではこの圧力に、ガス圧縮機２４の
出口から真空ポンプ２の入口までの圧力損失を加えた圧
力以上まで昇圧する必要がある。
ス圧縮機２４で昇圧される。圧縮したガスは、所定の圧
力で真空ポンプ２へ供給されるので、ガス圧縮機２４で
は少なくともそのために必要な圧力まで昇圧する必要が
ある。より具体的に言えば、真空ポンプ２への導入ガス
の圧力は通常０．０４〜０．０７ＭＰａ程度であるか
ら、ガス圧縮機２４ではこの圧力に、ガス圧縮機２４の
出口から真空ポンプ２の入口までの圧力損失を加えた圧
力以上まで昇圧する必要がある。
【００２３】ガス圧縮機２４で圧縮したガスは、フィル
ター２５を通して、同伴しているパーティクルを除去す
る。フィルター２５としては、例えばフッ素樹脂メンブ
レン、多孔質セラミック、焼結金属等のフィルターを使
用することができる。圧縮したガスがパーティクルを含
まなければ、フィルター２５は使用しなくてもよい。
ター２５を通して、同伴しているパーティクルを除去す
る。フィルター２５としては、例えばフッ素樹脂メンブ
レン、多孔質セラミック、焼結金属等のフィルターを使
用することができる。圧縮したガスがパーティクルを含
まなければ、フィルター２５は使用しなくてもよい。
【００２４】フィルター２５から出てきたガスは、バッ
ファータンク２６に貯蔵され、そして真空ポンプ２で製
造設備１からの排出ガスとは別の軸シール等のための不
活性ガスとして再利用される。一般的に、１台の真空ポ
ンプへ導入されるＮ2 は２５〜３０リットル／分程度で
あるから、これに相当する量のガスをバッファータンク
２６から真空ポンプ２へ供給する。とは言え、真空ポン
プ２６に導入すべきガス量は使用する実際のポンプの要
求仕様により決定すべきである。
ファータンク２６に貯蔵され、そして真空ポンプ２で製
造設備１からの排出ガスとは別の軸シール等のための不
活性ガスとして再利用される。一般的に、１台の真空ポ
ンプへ導入されるＮ2 は２５〜３０リットル／分程度で
あるから、これに相当する量のガスをバッファータンク
２６から真空ポンプ２へ供給する。とは言え、真空ポン
プ２６に導入すべきガス量は使用する実際のポンプの要
求仕様により決定すべきである。
【００２５】場合によっては、真空ポンプ２の軸シール
等のための不活性ガスとして、バッファータンク２６の
ガスのほかに、窒素等（図示せず）を外部から導入して
も差し支えない。
等のための不活性ガスとして、バッファータンク２６の
ガスのほかに、窒素等（図示せず）を外部から導入して
も差し支えない。
【００２６】バッファータンク２６のガスのうちの一部
は、製造設備１へ供給して、プロセスガスの一部として
利用することも可能である。これは、製造設備からの排
気ガスが未反応のガス成分を含んでいる場合に有効であ
る。
は、製造設備１へ供給して、プロセスガスの一部として
利用することも可能である。これは、製造設備からの排
気ガスが未反応のガス成分を含んでいる場合に有効であ
る。
【００２７】排気装置内で回収された排気ガスから余剰
なガスが発生する場合（例えば、バッファータンク２６
のガス圧力が所定の値を超えるような場合）には、この
余剰ガスを装置外へ排出することができる。例えば、余
剰ガスを別の処理のためほかの設備へ配管で移送しても
よく、あるいは可搬式あるいは固定式の容器へ回収して
もよい。更に、回収した余剰ガスの一部を、例えば排気
装置の始動用のガスとして利用することも可能である。
なガスが発生する場合（例えば、バッファータンク２６
のガス圧力が所定の値を超えるような場合）には、この
余剰ガスを装置外へ排出することができる。例えば、余
剰ガスを別の処理のためほかの設備へ配管で移送しても
よく、あるいは可搬式あるいは固定式の容器へ回収して
もよい。更に、回収した余剰ガスの一部を、例えば排気
装置の始動用のガスとして利用することも可能である。
【００２８】上記のように、本発明の排気装置は、一般
に真空ポンプ２と、その排気を再循環用に圧縮するガス
圧縮機を含み、必要により除害設備３とフィルター２５
の一方又は両方を更に含む。バッファータンク２５は、
装置の安定運転のために設けた方が好ましいが、場合に
よっては省いても差し支えない。例えば、排気装置を、
排気装置で回収したガスをバッファータンク２６を介さ
ず直接真空ポンプ２へ導入して運転する場合に、余剰の
ガスは全て装置外へ排出し、そして回収ガス量が低下し
て真空ポンプ２への導入ガスが足りなくなったら不足分
を外部からの窒素等の不活性ガスで補うことができる。
に真空ポンプ２と、その排気を再循環用に圧縮するガス
圧縮機を含み、必要により除害設備３とフィルター２５
の一方又は両方を更に含む。バッファータンク２５は、
装置の安定運転のために設けた方が好ましいが、場合に
よっては省いても差し支えない。例えば、排気装置を、
排気装置で回収したガスをバッファータンク２６を介さ
ず直接真空ポンプ２へ導入して運転する場合に、余剰の
ガスは全て装置外へ排出し、そして回収ガス量が低下し
て真空ポンプ２への導入ガスが足りなくなったら不足分
を外部からの窒素等の不活性ガスで補うことができる。
【００２９】本発明の排気装置の始動時には、始動用の
ガスを装置の１又は２以上の任意の箇所から投入するこ
とができる。図２では、始動用ガスはバッファータンク
２６に供給されている。始動用ガスは、製造設備１へ投
入しても差し支えない。始動用ガスとしては、製造設備
１で使用するプロセスガス（例えばＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ
6等）を使用することができる。あるいは、余剰ガスと
して排気装置外へ排出したガスを、始動用ガスとして再
導入して利用してもよい。バッファータンク２６の容量
が十分に大きければ、このタンク内に貯蔵されているガ
スの一部を始動用に利用することが可能である。余剰ガ
スあるいはバッファータンク２６内の貯蔵ガスを使用す
る場合、そのガスの組成は定常運転時のそれであるか
ら、装置をより速く始動することができる。
ガスを装置の１又は２以上の任意の箇所から投入するこ
とができる。図２では、始動用ガスはバッファータンク
２６に供給されている。始動用ガスは、製造設備１へ投
入しても差し支えない。始動用ガスとしては、製造設備
１で使用するプロセスガス（例えばＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ
6等）を使用することができる。あるいは、余剰ガスと
して排気装置外へ排出したガスを、始動用ガスとして再
導入して利用してもよい。バッファータンク２６の容量
が十分に大きければ、このタンク内に貯蔵されているガ
スの一部を始動用に利用することが可能である。余剰ガ
スあるいはバッファータンク２６内の貯蔵ガスを使用す
る場合、そのガスの組成は定常運転時のそれであるか
ら、装置をより速く始動することができる。
【００３０】本発明によれば、半導体装置製造設備の排
出ガス中に含まれるＣＦ4 、ＣＨＦ 3 、Ｃ2 Ｆ6 、ＮＦ
3 、ＳＦ6 等のパーフロロコンパウンド（ＰＦＣ）成分
を回収し、真空ポンプ用の不活性ガスとして利用するこ
とにより、従来行われていた真空ポンプへのＮ2 等の不
活性ガスの導入をなくし、あるいは削減することが可能
になる。
出ガス中に含まれるＣＦ4 、ＣＨＦ 3 、Ｃ2 Ｆ6 、ＮＦ
3 、ＳＦ6 等のパーフロロコンパウンド（ＰＦＣ）成分
を回収し、真空ポンプ用の不活性ガスとして利用するこ
とにより、従来行われていた真空ポンプへのＮ2 等の不
活性ガスの導入をなくし、あるいは削減することが可能
になる。
【００３１】更に、先に説明したように、真空ポンプの
初期起動時にも製造設備で使用するプロセスガス（ＰＦ
Ｃ等）を導入することで、排気ガスがＮ2 で希釈される
のを防ぐことができる。
初期起動時にも製造設備で使用するプロセスガス（ＰＦ
Ｃ等）を導入することで、排気ガスがＮ2 で希釈される
のを防ぐことができる。
【００３２】通常、製造設備からの排出ガス中のＰＦＣ
ガス量が０．５〜１．５リットル／分程度の場合、２５
〜３０リットル／分程度のＮ2 を導入して運転する真空
ポンプが使用されるので、このＰＦＣガスは、１０％以
下まで希釈される。真空ポンプへのＮ2 の導入をなく
し、あるいは削減すると、排気ガスがＮ2 で希釈され
ず、あるいはそれほど希釈されないので、排気ガス中の
再利用可能成分の回収が容易になる。
ガス量が０．５〜１．５リットル／分程度の場合、２５
〜３０リットル／分程度のＮ2 を導入して運転する真空
ポンプが使用されるので、このＰＦＣガスは、１０％以
下まで希釈される。真空ポンプへのＮ2 の導入をなく
し、あるいは削減すると、排気ガスがＮ2 で希釈され
ず、あるいはそれほど希釈されないので、排気ガス中の
再利用可能成分の回収が容易になる。
【００３３】更に、回収ガスを製造設備のプロセスガス
として利用すれば、製造設備に新しく供給すべきプロセ
スガスの量の削減が可能となる。
として利用すれば、製造設備に新しく供給すべきプロセ
スガスの量の削減が可能となる。
【００３４】図３に、本発明の一つの態様を示す。この
態様は、回収したガスを真空ポンプ用の不活性ガスとし
てのみ供給する場合に相当する。
態様は、回収したガスを真空ポンプ用の不活性ガスとし
てのみ供給する場合に相当する。
【００３５】製造設備１からの排気ガスは、先に説明し
たように、真空ポンプ２を通して除害設備３に送られ、
そこで有害ガスの除去処理が行われる。有害ガス成分の
なくなった回収されたガスは、ガス圧縮機２４で昇圧さ
れ、フィルター２５でパーティクル等を除去して、バッ
ファータンク２６に充填される。このバッファータンク
２６内のガスを不活性ガスとして真空ポンプ２に供給す
る。
たように、真空ポンプ２を通して除害設備３に送られ、
そこで有害ガスの除去処理が行われる。有害ガス成分の
なくなった回収されたガスは、ガス圧縮機２４で昇圧さ
れ、フィルター２５でパーティクル等を除去して、バッ
ファータンク２６に充填される。このバッファータンク
２６内のガスを不活性ガスとして真空ポンプ２に供給す
る。
【００３６】本発明のもう一つの態様を図４に示す。こ
の態様は、バッファータンク２６から供給する回収ガス
を二つに分けて、一方は真空ポンプへ不活性ガスとして
供給し、もう一方をプロセスガスとして製造設備１へ供
給して再利用することを除き、図３に示した態様と同様
である。製造設備１では、回収したプロセスガスと、通
常のようにプロセスガス供給源から供給されるガスとを
混合して使用する。例えば、製造設備１におけるエッチ
ング量を安定させるため、製造設備１からの排気ガス中
の成分量をガス成分分析機４１で測定し、製造設備１に
データをフィードバックして、製造設備１のプロセス条
件を最適化することができる。
の態様は、バッファータンク２６から供給する回収ガス
を二つに分けて、一方は真空ポンプへ不活性ガスとして
供給し、もう一方をプロセスガスとして製造設備１へ供
給して再利用することを除き、図３に示した態様と同様
である。製造設備１では、回収したプロセスガスと、通
常のようにプロセスガス供給源から供給されるガスとを
混合して使用する。例えば、製造設備１におけるエッチ
ング量を安定させるため、製造設備１からの排気ガス中
の成分量をガス成分分析機４１で測定し、製造設備１に
データをフィードバックして、製造設備１のプロセス条
件を最適化することができる。
【００３７】更にもう一つの態様を図５に示す。この態
様では、図４で説明した態様において製造設備１へ供給
する回収ガスを、濃度調整用バッファータンク５１を介
して製造設備１へ供給する。この態様では、ガス濃度分
析機５２でタンク５１内のプロセスガスの濃度を監視し
て、ガス濃度分析機５２と連動したマスフローコントロ
ーラー５３を通して濃度調整用バッファータンク５１に
濃度調整用ガス（プロセスガス）を供給し、タンク５１
内のガス濃度を製造設備１において要求する濃度に調整
する。タンク５１内の濃度調整したガスは、濃度管理ガ
ス貯槽５４を通して製造設備１に供給する。濃度調整用
バッファータンク５１の回収ガスの入口と出口にバルブ
（図示せず）を設け、それらの開閉によるバッチ処理で
タンク５１内のガス濃度を調整して、濃度管理ガス貯槽
５４のガスの濃度変動を防止してもよい。濃度管理ガス
貯槽５４の出口側には、必要に応じ、パーティクル等の
除去を目的として、フィルター５５を設けてもよい。
様では、図４で説明した態様において製造設備１へ供給
する回収ガスを、濃度調整用バッファータンク５１を介
して製造設備１へ供給する。この態様では、ガス濃度分
析機５２でタンク５１内のプロセスガスの濃度を監視し
て、ガス濃度分析機５２と連動したマスフローコントロ
ーラー５３を通して濃度調整用バッファータンク５１に
濃度調整用ガス（プロセスガス）を供給し、タンク５１
内のガス濃度を製造設備１において要求する濃度に調整
する。タンク５１内の濃度調整したガスは、濃度管理ガ
ス貯槽５４を通して製造設備１に供給する。濃度調整用
バッファータンク５１の回収ガスの入口と出口にバルブ
（図示せず）を設け、それらの開閉によるバッチ処理で
タンク５１内のガス濃度を調整して、濃度管理ガス貯槽
５４のガスの濃度変動を防止してもよい。濃度管理ガス
貯槽５４の出口側には、必要に応じ、パーティクル等の
除去を目的として、フィルター５５を設けてもよい。
【００３８】更に別の態様を図６に示す。この態様で
は、バッファータンク２６の回収ガスをガス分離器によ
り構成成分に分離して、製造設備１への供給ガスの濃度
をより精密に制御している。バッファータンク２６から
の回収ガスは、ガス分離設備６１で各構成成分ガスＡ、
Ｂ、Ｃに分離されて、それぞれの成分ガスバッファータ
ンク６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃに貯蔵される。ガス分離設
備６１でのガス分離のためには、製造設備１で利用でき
る成分を膜分離で分離してもよく、あるいはバッファー
タンク２６からの回収ガスを冷却により液化させ、成分
ガスの沸点の違いで成分ごとに分離してもよい。成分ガ
スバッファータンク６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃのガスは、
製造設備１の運転条件を一定にするよう、それぞれ一定
流量で製造設備１へ供給される。そのために、各回収ガ
ス成分ごとにマスフローコントローラー等の流量制御器
（図示せず）を使用することができる。また、不足する
ガス成分を補うため、補給ガス（プロセスガス）を例え
ばガス混合器６３へ供給して、製造設備１へ供給する成
分ガスの流量比を一定に保つことができる。成分ガスバ
ッファータンク６２Ａ〜６２Ｃからのガスを製造設備１
へ供給する前に、必要に応じ、フィルター６４を通して
パーティクル等の除去を行ってもよい。
は、バッファータンク２６の回収ガスをガス分離器によ
り構成成分に分離して、製造設備１への供給ガスの濃度
をより精密に制御している。バッファータンク２６から
の回収ガスは、ガス分離設備６１で各構成成分ガスＡ、
Ｂ、Ｃに分離されて、それぞれの成分ガスバッファータ
ンク６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃに貯蔵される。ガス分離設
備６１でのガス分離のためには、製造設備１で利用でき
る成分を膜分離で分離してもよく、あるいはバッファー
タンク２６からの回収ガスを冷却により液化させ、成分
ガスの沸点の違いで成分ごとに分離してもよい。成分ガ
スバッファータンク６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃのガスは、
製造設備１の運転条件を一定にするよう、それぞれ一定
流量で製造設備１へ供給される。そのために、各回収ガ
ス成分ごとにマスフローコントローラー等の流量制御器
（図示せず）を使用することができる。また、不足する
ガス成分を補うため、補給ガス（プロセスガス）を例え
ばガス混合器６３へ供給して、製造設備１へ供給する成
分ガスの流量比を一定に保つことができる。成分ガスバ
ッファータンク６２Ａ〜６２Ｃからのガスを製造設備１
へ供給する前に、必要に応じ、フィルター６４を通して
パーティクル等の除去を行ってもよい。
【００３９】
【実施例】次に、具体的な例を挙げて、本発明を更に詳
しく説明する。言うまでもなく、本発明はこの実施例に
限定されるものではない。
しく説明する。言うまでもなく、本発明はこの実施例に
限定されるものではない。
【００４０】図６に示した装置を使用して、半導体装置
製造設備１のチャンバーにおいてプラズマを利用したＳ
ｉＯ2 のドライエッチングを行う。エッチングのための
ガス流量は、Ｎ2 が０．０１リットル／分、Ａｒが１．
４リットル／分、Ｈｅが０．０３リットル／分、ＣＦ4
が０．０１リットル／分、そしてＣＨＦ3 が０．０１リ
ットル／分とする。
製造設備１のチャンバーにおいてプラズマを利用したＳ
ｉＯ2 のドライエッチングを行う。エッチングのための
ガス流量は、Ｎ2 が０．０１リットル／分、Ａｒが１．
４リットル／分、Ｈｅが０．０３リットル／分、ＣＦ4
が０．０１リットル／分、そしてＣＨＦ3 が０．０１リ
ットル／分とする。
【００４１】最初に、初期始動用ガスとしてバッファー
タンク２６にＣＦ4 を投入する。製造設備１にプロセス
ガス（アルゴンを主体としたキャリヤーガスに同伴され
たＣＦ4 ）を供給してエッチング処理が行われると、製
造設備１からは、ＣＦ4 から発生したラジカル分子がＳ
ｉＯ2 と反応して生成したＳｉＦ4 や、ＣＨＦ3 が分解
して生成するＨＦ等と一緒に、プラズマで分解されなか
ったＰＦＣガス（ＣＦ 4 、ＣＨＦ3 等）が排出され、こ
れらのガス成分の混合物が真空ポンプ２に供給される。
真空ポンプ２には、軸シール、希釈等のためにバッファ
ータンク２６からＣＦ4 が投入されており（バッファー
タンク２６から真空ポンプ２に供給されるガスは、プロ
セスの初期起動後は除害設備３から回収されたガスとな
る）、このガスは製造設備１からの排出ガスと一緒にな
って真空ポンプ２から排出され、除害設備３で処理され
る。この処理でもって、ＳｉＦ4 、ＨＦ等の有害ガス成
分が除去される。
タンク２６にＣＦ4 を投入する。製造設備１にプロセス
ガス（アルゴンを主体としたキャリヤーガスに同伴され
たＣＦ4 ）を供給してエッチング処理が行われると、製
造設備１からは、ＣＦ4 から発生したラジカル分子がＳ
ｉＯ2 と反応して生成したＳｉＦ4 や、ＣＨＦ3 が分解
して生成するＨＦ等と一緒に、プラズマで分解されなか
ったＰＦＣガス（ＣＦ 4 、ＣＨＦ3 等）が排出され、こ
れらのガス成分の混合物が真空ポンプ２に供給される。
真空ポンプ２には、軸シール、希釈等のためにバッファ
ータンク２６からＣＦ4 が投入されており（バッファー
タンク２６から真空ポンプ２に供給されるガスは、プロ
セスの初期起動後は除害設備３から回収されたガスとな
る）、このガスは製造設備１からの排出ガスと一緒にな
って真空ポンプ２から排出され、除害設備３で処理され
る。この処理でもって、ＳｉＦ4 、ＨＦ等の有害ガス成
分が除去される。
【００４２】残った回収ガス成分は、ガス圧縮器２４で
０．８MPa 程度まで昇圧される。昇圧されたガスは、フ
ィルター２５を通り、バッファータンク２６に貯蔵され
る。貯蔵されたガスのほとんどは２５リットル／分の流
量で真空ポンプ２へ供給され、その他のガスはガス分離
設備６１へ供給される。
０．８MPa 程度まで昇圧される。昇圧されたガスは、フ
ィルター２５を通り、バッファータンク２６に貯蔵され
る。貯蔵されたガスのほとんどは２５リットル／分の流
量で真空ポンプ２へ供給され、その他のガスはガス分離
設備６１へ供給される。
【００４３】ガス分離設備６１では、膜分離（あるいは
深冷分離）で、バッファータンク２６からの回収ガスを
各成分に分離する。この分離時に、回収ガス中のＡｒ、
Ｎ2、Ｈｅ等のガスは、高純度に精製するのにコストが
高いため、大気に放出してもよい。
深冷分離）で、バッファータンク２６からの回収ガスを
各成分に分離する。この分離時に、回収ガス中のＡｒ、
Ｎ2、Ｈｅ等のガスは、高純度に精製するのにコストが
高いため、大気に放出してもよい。
【００４４】分離したＣＦ4 とＣＨＦ3 は、成分ガスバ
ッファータンク（例えばそれぞれタンク６２Ａと６２
Ｂ）に貯蔵される。これらのガスのうち、ＣＨＦ3 はプ
ラズマ放電による分解率が高く、製造設備１でその約４
０％が消費される。一方、ＣＦ 4 は５％程度が製造設備
１で消費される。そこで、消費されたＣＦ4 とＣＨＦ3
を補うために、ガス混合器６３にこれらのプロセスガス
を添加して、容量比で１対１のＣＦ4 とＣＨＦ3 の混合
ガスを製造設備１に供給する。ガス分離設備６１でＡ
ｒ、Ｎ2 、Ｈｅ等を回収しない場合は、これらのガスを
製造設備に添加する。このようにして、回収ガスを利用
してドライエッチングに必要な組成のガスを作り、エッ
チングプロセスを継続して進めることが可能となる。
ッファータンク（例えばそれぞれタンク６２Ａと６２
Ｂ）に貯蔵される。これらのガスのうち、ＣＨＦ3 はプ
ラズマ放電による分解率が高く、製造設備１でその約４
０％が消費される。一方、ＣＦ 4 は５％程度が製造設備
１で消費される。そこで、消費されたＣＦ4 とＣＨＦ3
を補うために、ガス混合器６３にこれらのプロセスガス
を添加して、容量比で１対１のＣＦ4 とＣＨＦ3 の混合
ガスを製造設備１に供給する。ガス分離設備６１でＡ
ｒ、Ｎ2 、Ｈｅ等を回収しない場合は、これらのガスを
製造設備に添加する。このようにして、回収ガスを利用
してドライエッチングに必要な組成のガスを作り、エッ
チングプロセスを継続して進めることが可能となる。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
真空ポンプに導入される軸シール、真空度向上、反応生
成物発生防止、腐食防止、長寿命化等を目的としたガス
と、真空ポンプにより排気される製造設備からのＰＦＣ
等のガス成分を有効に利用できるようになる。従って、
例えば半導体製造設備から排出される地球温暖化の元凶
とされる有害な排気ガスの量を削減することが可能にな
る。また、真空ポンプの軸シール等のために大量の窒素
等の不活性ガスを導入しなくてよいので、そのような不
活性ガスを同時に処理することにつきまとう多量のエネ
ルギーの使用が回避できる。
真空ポンプに導入される軸シール、真空度向上、反応生
成物発生防止、腐食防止、長寿命化等を目的としたガス
と、真空ポンプにより排気される製造設備からのＰＦＣ
等のガス成分を有効に利用できるようになる。従って、
例えば半導体製造設備から排出される地球温暖化の元凶
とされる有害な排気ガスの量を削減することが可能にな
る。また、真空ポンプの軸シール等のために大量の窒素
等の不活性ガスを導入しなくてよいので、そのような不
活性ガスを同時に処理することにつきまとう多量のエネ
ルギーの使用が回避できる。
【図１】従来技術を説明する図である。
【図２】本発明の基本概念を説明する図である。
【図３】本発明の第一の態様を説明する図である。
【図４】本発明の第二の態様を説明する図である。
【図５】本発明の第三の態様を説明する図である。
【図６】本発明の第四の態様を説明する図である。
１…製造設備 ２…真空ポンプ ３…除害設備 ２４…ガス圧縮機 ２６…バッファータンク ４１…ガス成分分析機 ５１…濃度調整用バッファータンク ５４…濃度管理ガス貯槽 ６１…ガス分離装置 ６２Ａ〜６２Ｃ…成分ガスバッファータンク ６３…ガス混合器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾崎 勝広 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 3H076 AA16 AA21 AA35 AA38 BB00 BB21 CC51 CC95 CC99 4D002 AA22 AA23 AA26 BA13 BA14 BA20 DA70 EA05 EA20 FA01 HA04 5F004 BC02 BC04 BC08 CA08 CB03 DA01 DA02 DA16 DA17 DA18 5F045 BB20 EG05 EG07 EG08 EG09
Claims (12)
- 【請求項１】 被排気設備からの排出ガスを吸引する一
方で当該排出ガスと別のガスを導入して運転される真空
ポンプを含む、被排気設備からの排出ガスの排気装置で
あって、当該真空ポンプから排出されたガスのうちの少
なくとも一部を回収し、当該真空ポンプへ上記排出ガス
と別のガスとして再循環させるための手段を含むことを
特徴とする排気装置。 - 【請求項２】 人体又は当該装置に有害な物質を除去し
てから残りのガス成分を回収するための手段を含む、請
求項１記載の装置。 - 【請求項３】 前記再循環させるための手段が、回収し
たガスを昇圧する手段を含む、請求項１又は２記載の装
置。 - 【請求項４】 前記再循環させるための手段が、回収し
昇圧したガスを一時的に蓄えるバッファータンクを含
む、請求項３記載の装置。 - 【請求項５】 回収し昇圧したガスの一部を前記被排気
設備へ再循環するための手段を更に含む、請求項３又は
４記載の装置。 - 【請求項６】 前記被排気設備の排出ガスの成分量を測
定し、それにより当該被排気設備の運転条件を制御する
ための手段を含む、請求項５記載の装置。 - 【請求項７】 前記回収し昇圧したガスの一部を、その
成分ガスの濃度を調整してから前記被排気設備へ供給す
るための手段を含む、請求項５記載の装置。 - 【請求項８】 前記回収し昇圧したガスの一部を構成成
分に分離し、これらの構成成分の供給流量比を一定にし
て前記被排気設備へ供給するための手段を含む、請求項
５記載の装置。 - 【請求項９】 被排気設備からの排出ガスを吸引する一
方で当該排出ガスと別のガスを導入して運転される真空
ポンプを使用して、被排気設備からの排出ガスを排気す
る方法であって、当該真空ポンプから排出されたガスの
うちの少なくとも一部を回収し、当該真空ポンプへ上記
排出ガスと別のガスとして再循環させることを特徴とす
る排気方法。 - 【請求項１０】 人体又は当該装置に有害な物質を除去
してから残りのガス成分を回収する、請求項９記載の方
法。 - 【請求項１１】 回収したガスを昇圧することを含む、
請求項９又は１０記載の方法。 - 【請求項１２】 回収し昇圧したガスの一部を前記被排
気設備へ再循環することを更に含む、請求項１１記載の
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10171766A JP2000009037A (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | 排気装置及び排気方法 |
| US09/192,603 US6277173B1 (en) | 1998-06-18 | 1998-11-17 | System and method for discharging gas |
| TW087119109A TW445344B (en) | 1998-06-18 | 1998-11-18 | System and method for discharging gas |
| KR1019980051074A KR100309963B1 (ko) | 1998-06-18 | 1998-11-26 | 배기장치및배기방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10171766A JP2000009037A (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | 排気装置及び排気方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000009037A true JP2000009037A (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=15929291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10171766A Withdrawn JP2000009037A (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | 排気装置及び排気方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6277173B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000009037A (ja) |
| KR (1) | KR100309963B1 (ja) |
| TW (1) | TW445344B (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002153729A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | ハロゲン含有ガス処理方法及び処理装置 |
| JP2002282651A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | ハロゲン含有排ガス処理方法及び装置 |
| US6689699B2 (en) | 2000-09-21 | 2004-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a semiconductor device using recirculation of a process gas |
| JP2005197667A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-07-21 | Alcatel | プロセスチャンバに洗浄剤流量を生成しかつ制御する装置 |
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