DE10152536B4

DE10152536B4 - Verfahren und Vorrichtung zum Reduzieren einer Emission von Perfluorverbindungen (PFC-Emission) während der Halbleiterherstellung

Info

Publication number: DE10152536B4
Application number: DE10152536A
Authority: DE
Inventors: Seung-Ki Chae; Sang-Gon Suwon Lee; Sang-Hyuk Suwon Chung; Seong-Jin Suwon Heo
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2001-03-21
Filing date: 2001-10-24
Publication date: 2006-01-19
Anticipated expiration: 2021-10-25
Also published as: JP2002273166A; US20020134233A1; CN1197121C; GB2373459A; GB2373459B; GB0122615D0; DE10152536A1; US6602323B2; CN1375858A

Abstract

Verfahren zum Reduzieren von PFC-Emissionen während eines Halbleiterherstellungsverfahrens, das eine Vielzahl von Teilverfahren enthält, von denen zumindest eine Perfluorverbindung (PFC) erzeugt, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
(i) Abführen von PFC, das durch ein Teilverfahren erzeugt worden ist, über eine gemeinsame Leitung, um einen vereinten Abgasstrom zu bilden;
(ii) Behandeln des vereinten Abgasstroms aus dem jeweiligen Teilprozess unter Verwendung eines separaten PFC-Reinigungssystems;
(iii) Vereinen der behandelten Abgasströme, um einen kombinierten behandelten Strom zu bilden; und
(iv) Naßwaschen des vereinten behandelten Stroms.

Description

Hintergrund der Erfindung
1. Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und ein System zum Verringern der Emission von PFC (Perfluorverbindungen), die während Halbleiterherstellungsverfahren entstehen.
2. Hintergrund der Erfindung
Flüchtige Gase, die während der Halbleiterherstellungsverfahren, beispielsweise während einer CVD-Kammerreinigung oder Trockenätzverfahren, emittiert werden, enthalten oftmals Perfluorverbindungen (PFC = perfluoro compounds). PFC's sind Erderwärmungsgase (d. h. Gase, die für den Treibhauseffekt verantwortlich gemacht werden), und es werden beträchtliche Anstrengungen unternommen, um die Menge an PFC's, die in die Atmosphäre emittiert werden, zu reduzieren und zu minimieren. Insbesondere versucht ein Abkommen des World Semiconductor Council, dem die Vereinigten Staaten, Europa, Japan, Taiwan und Korea angehören, den Betrag der PFC-Emission bis zum Jahr 2010 um 10% zu reduzieren mit den folgenden Basisjahren: Vereinigte Staaten, Europa, Japan: 1995; Korea: 1997; Taiwan: 1998.
Bekannte Verfahren zum Verringern des Betrags der PFC-Emission beinhalten die Verwendung von Reduktionswäschern (abatement scrubbers), die Aufnahme bzw. Einfang und Wiederverwertung, die Verwendung von alterna tiven Verfahrensgasen und eine Verfahrensoptimierung. Allgemeine Typen von Reduktionswäschern, die für die Entfernung von PFC's verwendet werden, sind (a) Verbrennungslöscher mit LNG, LPG, H₂ und/oder CH₄, (b) Chemiesorptionswäscher, die Metall-Oxide verwenden, und physikalische Adsorptionswäscher, die Aktivkohlenstoff oder Zeolithoberflächen verwenden, und (c) Aufspaltungswäscher, die ein Plasma verwenden.
Die Abstracts der japanischen Patentanmeldungen mit der Veröffentlichungsnummer 2000342931 und 11221437 sowie die europäische Patentanmeldung EP 1 103 297 offenbaren jeweils bekannte Verfahren und Vorrichtungen, die zur Behandlung bzw. Reduzierung von PFC in einem Abgasstrom dienen. Dabei werden verschiedene mehrstufige Reinigungsschritte durchgeführt, die unter anderem Naßwäscher und Verbrennungsreaktoren enthalten, die die PFC enthaltenden Abgase, die bei der Halbleiterherstellung erzeugt werden, reinigen.
Bestimmte bekannte Emissionsreduktionsverfahren, wie sie in 1 dargestellt sind, verwenden separate Reduktionswäscher 2 für jeden individuellen Verfahrensbestandteil 1 (beispielsweise Ätzkammern 3, CVD-Reaktoren 4) vor einer Emission der behandelten Gasströme. Bei derartigen Verfahren ist jedoch zu erwarten, daß die Gesamtkosten des Halbleiterherstellungsverfahren erhöht werden. Überdies kann es schwierig sein, die verschiedenen Reduktionswäscher in bestehende Verfahrenslayouts zu integrieren und die Wäscher zu warten, wenn sie einmal installiert sind.
Einfang- und Wiederverwertungssysteme, wie beispielsweise das System in 2, leiten die Verfahrensströme beispielsweise von Ätzkammern 3 und CVD-Reaktoren 4 zu einem Naßwäschersystem 5, und anschließend durch eine Membran 6 zur Separation und Wiederverwertung der PFC-Gase und Wiedergewinnung von anderen Prozeßgasen, wie beispielsweise Stickstoff. Derartige Systeme erfordern typischerweise eine Vorbehandlung der Pulverbestandteile, um Feuchtigkeit zu entfernen, ebenso wie ein Staubentfernungssystem 7, das stromabwärts von dem Naßwäschersystem 5 angeordnet ist. Überdies sind die Mengen an PFC, das tatsächlich wiederverwertet (recycled) wird, typischerweise aufgrund der kleinen eingefangenen Mengen an PFC klein. Falls sich überdies eine Wiederverwertung als unmöglich erweist, müssen andere Systeme verwendet werden, um das eingefangene PFC zu entsorgen.
Die Verwendung von alternativen Prozeßgasen und einer Prozeßoptimierung hat sich ebenso als problematisch aufgrund des Mangel an geeigneten Alternativgasen und der niedrigen Verfahrensausbeute erwiesen.
Daher besteht ein weitergehender Bedarf an einem verbesserten Verfahren zur Reduzierung und Minimierung der während der Halbleiterherstellung emittierten PFC-Mengen.
Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen
In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung enthält ein Verfahren zur Reduzierung von PFC-Emissionen während eines Halbleiterherstellungsverfahrens, das eine Vielzahl von untergeordneten Verfahren (beispielsweise Trockenätzen, CVD) aufweist, folgende Schritte: Abführen des PFC, das in jedem untergeordneten Verfahren erzeugt worden ist, in einer gemeinsamen Leitung; Behandeln jedes kombinierten bzw. vereinten Abgasstroms unter Verwendung eines PFC-Reinigungssystems; Kombinieren bzw. Vereinen der behandelten Abgasströme, um einen kombinierten bzw. vereinten behandelten Strom zu bilden; und Naßwaschen des vereinten behandelten Stroms.
In Übereinstimmung mit einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung erhält ein Verfahren zum Reduzieren von PFC-Emissionen während eines Halbleiterherstellungsverfahrens, das eine Vielzahl von untergeordneten Verfahren bzw. Teilverfahren aufweist, einschließlich zumindest eines Ätzteilverfahrens und zumindest eines CVD-Teilverfahrens, die folgenden Schritte: Abführen von PFC, das bei jedem Ätzteilprozeß erzeugt wird, durch eine erste gemeinsame Leitung, um einen vereinten Ätz-Abgasstrom auszubilden; Behandeln des vereinten Ätz-Abgasstroms unter Verwendung eines ersten PFC-Reinigungssystems; Abführen von PFC, das durch jeden CVD Teilprozeß erzeugt worden ist, durch eine zweite gemeinsame Leitung, um einen vereinten CVD-Abgasstrom auszubilden; Behandeln des vereinten CVD-Abgasstroms unter Verwendung eines zweiten PFC-Reinigungssystems; Vereinen des behandelten vereinten Ätz-Abgasstroms und des behandelten vereinten CVD-Abgasstroms, um einen vereinten behandelten Abgasstrom zu bilden; und Naßwaschen des vereinten behandelten Abgasstroms.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung erhält ein System zum Reduzieren von PFC-Emissionen während eines Halbleiterherstellungsverfahrens, das eine Vielzahl von Teilverfahren aufweist: eine Vielzahl von Vorrichtungen zum Ausführen eines ersten Teilverfahrens, eine erste gemeinsame Leitung für PFC, das von der ersten Vielzahl von Vorrichtungen abgeführt wird; ein erstes PFC-Reinigungssystem, das mit der ersten gemeinsamen Leitung verbunden ist; eine zweite Vielzahl von Vorrichtungen zum Ausführen eines zweiten Teilprozesses; eine zweite gemeinsame Leistung für PFC, das von der zweiten Vielzahl von Vorrichtungen abgeführt wird; eine zweites PFC-Reinigungssystem, das mit der zweiten gemeinsamen Leitung verbunden ist; eine gemeinsame Leitung für behandeltes Abgas, die mit dem ersten und dem zweite PFC-Reinigungssystem verbunden ist; und ein Naßwäschesystem, das mit der gemeinsamen Leitung für behandeltes Abgas verbunden ist.
Gemäß eines zusätzlichen Aspekts der vorliegenden Erfindung enthält ein System zum Verringern von PFC-Emissionen während eines Halbleiterherstellungsverfahren, das eine erste Vielzahl von Ätzteilverfahren und zumindest ein CVD-Teilverfahren aufweist, von denen zumindest eines PFC erzeugt, eine erste Vielzahl von Vorrichtungen, die zumindest eine Vorrichtung zum Ausführen jedes der ersten Vielzahl an Ätzteilverfahren aufweist, eine gemeinsame Teilverfahrensleitung, die mit jedem Ätzteilverfahren zum Abführen von PFC aus der zumindest einen Vorrichtung zum Ausführen jeder der Ätzteilverfahren assoziiert bzw. verbunden ist; eine erste gemeinsame Leitung zum Aufnehmen von PFC, das aus der ersten Vielzahl von Vorrichtungen abgeführt worden ist; ein erstes PFC-Reinigungssystem, das mit der ersten gemeinsamen Leitung verbunden ist; eine zweite Vielzahl von Vorrichtungen zum Ausführen des zumindest einen CVD-Teilverfahrens; eine zweite gemeinsame Leitung für PFC, das aus der zweiten Vielzahl von Vorrichtungen abgeführt worden ist; ein zweites PFC-Reinigungssystem, das mit der zweiten gemeinsamen Leitung verbunden ist; eine gemeinsame Leitung für behandeltes Abgas, die mit dem ersten und dem zweiten PFC-Reinigungssystem verbunden ist; und ein Naßwäschesystem, das mit der gemeinsamen Leitung für behandeltes Abgas verbunden ist.
In weiteren besonderen Ausführungsformen sind Sensoren für die Erfassung und Nutzung von PFC in den Ein- und/oder Auslässen der PFC-Reinigungssysteme angeordnet.
Andere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden für den Fachmann aus der vorliegenden detaillierten Beschreibung ersichtlich. Es ist jedoch festzuhalten, daß die detaillierte Beschreibung und bestimmte Beispiele, die bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung darstellen, im Sinne einer Darstellung und nicht einer Beschränkung aufgeführt sind. Viele Veränderungen und Modifikationen können ohne einem Verlassen der Idee der Erfindung innerhalb des Umfangs der vorliegenden Erfindung gemacht werden und die Erfindung enthält somit all diese Modifikationen.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Die Erfindung kann durch Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung, in welcher gleiche Elemente mit gleichen Bezugszeichen versehen sind, leichter verstanden werden:
1 zeigt eine schematische Abbildung eines bekannten Verfahrens zur Verringerung von PFC-Emissionen, bei welcher ein separates Behandlungssystem für jede Vorrich tung oder Werkzeug verwendet wird (Ätzer, CVD-Reaktoren), die in dem Halbleiterherstellungsverfahren benutzt werden.
2 ist eine schematische Darstellung eines bekannten Verfahrens zum Verringern von PFC-Emissionen unter Verwendung eines Gaseinfangs-/Wiederverwertungssystems (gas capture/recyle system).
3 ist eine schematische Darstellung einer ersten Ausführungsform eines PFC-Emissions-Reduktionsverfahrens der Erfindung, bei welchem jedes separate Teilverfahren des gesamten Halbleiterherstellungsverfahrens (beispielsweise Oxid-Ätzen, Poly-Ätzen, Metall-Ätzen, chemische Dampfabscheidung (CVD)) eine oder mehrere einzelne Vorrichtungen oder Werkzeuge enthält, und Emissionen von jedem der Teilverfahren durch eine gemeinsame Abgasleitung aufgenommen werden, die zu einen diesem Teilverfahren zugeordneten PFC-Reinigungssystem führt, nachdem die Abgase von jedem PFC-Reinigungssystem vereint werden und einem gemeinsamen Naßwäschesystem zugeführt werden.
4 ist eine schematische Darstellung einer zweiten Ausführungsform eines PFC-Emmisionsreduktionsverfahrens der Erfindung, bei welchem Emissionen von Trockenätzvorrichtungen, die in Trockenätzteilverfahren verwendet werden, vereint werden, und zu einem ersten PFC-Reinigungssystem geleitet werden, während Emissionen von CVD-Reaktoren, die in einem CVD-Verfahren verwendet werden, zu einem zweiten PFC- Reinigungssystem geleitet werden, nachdem die Abgase von den ersten und zweiten PFC-Reinigungssysteme vereint worden sind, und zu einem gemeinsamen Naßwäschesystem zugeführt werden.
5 bis 7 sind Darstellungen von beispielhaften PFC-Reinigungssystemen, die in bestimmten Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens und der Vorrichtung benutzt werden.
Detaillierte Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen
Gemäß einer ersten bestimmten Ausführungsform der Erfindung, die durch 3 beispielhaft dargestellt wird, enthält ein System 10 zum Reduzieren von PFC-Emissionen während einer Halbleiterherstellung eine Vielzahl von Teilverfahrensvorrichtungen 12, beispielsweise eine erste Vielzahl von Oxid-Ätzern 14, eine zweite Vielzahl von Poly-Ätzern 16, eine dritte Vielzahl von Metall-Ätzern 18 und eine vierte Vielzahl von CVD-Reaktoren 20. Abgasströme, die PFC aus jeder Vielzahl der Teilverfahrensvorrichtungen enthalten, werden jeweils durch eine gemeinsame Leitung 22a-d abgesaugt, wodurch eine Vielzahl von gemeinsamen Abgasströmen ausgebildet wird. Als nächstes wird jeder separate gemeinsame Abgasstrom zu einem separaten PFC-Reinigungssystem 24a-d geleitet und wird zum Entfernen von zumindest einer Perfluorverbindung (PFC) behandelt. Die behandelten Abgasströme werden dann in einer gemeinsamen Leitung 28 vereint, um einen vereinten behandelten Strom zu bilden. Der vereinte behandelte Strom wird anschließend zu einem Naßwäschesystem 30 geleitet, um gefährliche Luftschadstoffe zu entfernen. Nach Entfernen der gefährlichen Luftschadstoffe wird der gereinigte vereinte Abgasstrom dann in die Atmosphäre entlassen.
Bei bestimmten Ausführungsformen können die PFC-Reinigungssysteme 24a-d Verbrennungswäscher, die beispielsweise Brennstoffgase wie CH₄ oder H₂ verwenden; Chemiesorptionswäscher, die beispielsweise behandelte Metalloxidharze verwenden, die Fe, Cu, Mn, Ni, Sr oder dergleichen enthalten; physikalische Absorptions-Wäscher, die beispielsweise Aktivkohlenstoff und/oder Zeolithe verwenden, und Naßwäscher enthalten, die Hydroxide wie NaOH und KOH in deionisiertem Wasser verwenden. Diese PFC-Reinigungssysteme können alleine oder in Kombination verwendet werden.
Beispielhafte PFC-Reinigungssysteme sind in den 5–7 dargestellt. In 5 enthält ein erstes PFC-Reinigungssystem 40 vom Brennstoffverbrennungs- und Naßtyp einen Verbrenner 42 mit einem Einlaß 44, einem Zyklon-Wäscher 46 und einem Naßwäscher 48 mit einem Auslaß 50. Bei dem System 40 gelangt ein PFC enthaltender Abgasstrom über einen Einlaß 44 in den Verbrenner 42 und wird weiter durch das Zyklon 46 in einen Wäscher 48 geführt und durch den Auslaß 50 ausgelassen.
In 6 weist ein zweites PFC-Reinigungssystem 60 vom Brennstoffverbrennungs- und Naßtyp in einer gemeinsamen Vorrichtung ein Gehäuse 62, einen Einlaß 64 für den Abgasstrom der behandelt werden soll, und eine Brennstoffgaseinlaßleitung 66 auf, die stromaufwärts von dem Einlaß 64 angeordnet ist. Der vereinte Abgasstrom und das Brennstoffgas gelangen in den Brenner 66, in dem die Verbrennung stattfindet. Der verbrannte Strom wird dann durch den Filter 68 weitergeleitet, der zwischen Wasserdüsen 70 angeordnet ist, und anschließend durch einen Demister (Entnebler) 72 geführt und aus dem Gehäuse 62 über einen Auslaß 74 hinausgeleitet wird. Wasser von den Düsen 70 wird über eine Wasserdrainage 76 abgeführt.
In 7 enthält ein Chemisorptions-PFC-Reinigungssystem 80 einen Einlaß 82, eine Vielzahl von harzverpackten Einheiten 84 und einen Auslaß 86. Der Abgasstrom, der behandelt werden soll, wird über den Einlaß 82 eingelas sen und durch die Einheiten 84 mittels geeigneter Leitungen und Ventile entlang des angedeuteten Pfades weitergeleitet, und schlußendlich durch den Auslaß 86 als behandelter Abgasstrom ausgelassen. Andere Arten von Reinigungswäscher können, falls erwünscht, benutzt werden.
Bei Trockenätzverfahren, wie beispielsweise Oxid-, Poly- oder Metalltrockenätzverfahren, ist es oftmals aufgrund der Natur der Verfahren unmöglich, PFC und andere Verfahrensgase separat abzuführen. Somit haben die Abgasströme von Trockenätzvorrichtungen chemische Zusammensetzungen, die sich von denen der Abgasströme von CVD-Reaktoren unterscheiden, die bei anderen Teilverfahren innerhalb des gesamten Halbleiterherstellungsverfahrens verwendet werden. Demgemäß wird bei weiteren Ausführungsformen der Erfindung, von denen eine beispielhaft in 4 dargestellt ist, PFC aus den Vorrichtungen 14, 16 und 18, die in jeden Ätzteilprozeß des gesamten Halbleiterherstellungsverfahrens verwendet werden, über eine gemeinsame Leitung 22e von den zahlreichen Leitungen 22a-c, die jeweiligen Ätzteilverfahren zugeordnet sind, abgeführt und dieser vereinte Abgasstrom wird anschließend zu einem erste PFC-Reinigungssystem 24e für eine Behandlung geleitet. Das PFC von den Vorrichtungen 20, die in den CVD-Teilverfahren des gesamten Halbleiterherstellungsverfahren verwendet werden, wird über eine andere gemeinsame Leitung 22d abgeführt, als in der vorhergehenden Ausführungsform, und zu einem zweiten PFC-Reinigungssystem 24d geleitet. Die behandelten Abgasströme der PFC-Reinigungssysteme 24e und 24d werden anschließend vereint und zu dem Naßwäschesystem 30 zum Entfernen von gefährlichen Luftschadstoffen geleitet und anschließend in die Atmosphäre entlassen.
Bei besonderen Ausführungsformen werden Sensoren 26 in den Einlässen und/oder Auslässen der PFC-Reinigungssysteme zum Messen der Menge an PFC, das in dem unbehandelten und/oder behandelten Abgasströmen enthalten ist, installiert. Derartige Sensoren erleichtern die Steuerung des PFC-Reduktionsverfahrens.
Die erfindungsgemäßen Verfahren und Systeme gewährleisten die Vorteile einer beträchtlichen Reduktion bei der Emission von PFC und einer konsequenten Verringerung des damit assoziierten globalen Erwärmungseffektes aufgrund einer derartigen Emission. Die erfindungsgemäßen Verfahren und Systeme können ohne weiteres an bereits bestehende Herstellungsgerätschaften angepaßt werden, und erfordern damit nur eine begrenzte Investition in neue Gerätschaft und verursachen niedrige Wartungsausgaben.

Claims

Verfahren zum Reduzieren von PFC-Emissionen während eines Halbleiterherstellungsverfahrens, das eine Vielzahl von Teilverfahren enthält, von denen zumindest eine Perfluorverbindung (PFC) erzeugt, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: (i) Abführen von PFC, das durch ein Teilverfahren erzeugt worden ist, über eine gemeinsame Leitung, um einen vereinten Abgasstrom zu bilden; (ii) Behandeln des vereinten Abgasstroms aus dem jeweiligen Teilprozess unter Verwendung eines separaten PFC-Reinigungssystems; (iii) Vereinen der behandelten Abgasströme, um einen kombinierten behandelten Strom zu bilden; und (iv) Naßwaschen des vereinten behandelten Stroms.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Teilverfahren aus der Gruppe bestehend aus Trocken-Ätzverfahren und CVD-Verfahren ausgewählt werden.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Trocken-Ätzverfahren aus der Gruppe bestehend aus Oxid-Ätzverfahren, Poly-Ätzverfahren und mit Metall-Atzverfahren ausgewählt werden.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei bei Schritt (ii) jedes PFC-Reinigungssystem aus der Gruppe bestehend aus Verbrennungswäscher, Chemiesorptionswäscher und physikalische Adsorptionswäscher, Nasswäscher und Kombinationen davon unabhängig ausgewählt ist.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei zumindest ein vereinter Abgasstrom durch einen Sensor geführt wird, welcher die Menge an zumindest einer Perfluorverbindung (PFC) in dem Abgasstrom mißt.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei der vereinte Abgasstrom durch einen Sensor vor dem Schritt (ii) durchgeleitet wird.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei der vereinte Abgasstrom durch einen Sensor nach dem Schritt (ii) durchgeleitet wird.
Verfahren zum Reduzieren von PFC-Emissionen während eines Halbleiterherstellungsverfahrens, das eine Vielzahl von Teilverfahren enthält, von denen jedes zumindest eine Perfluorverbindung (PFC) erzeugt, wobei die Teilverfahren zumindest ein Ätzteilverfahren und zumindest ein CVD-Verfahren enthalten, und wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: (i) Abführen von PFC, das durch jedes Ätzteilverfahren erzeugt worden ist, durch eine erste gemeinsame Leitung, um einen vereinten Ätzabgasstrom zu bilden; (ii) Behandeln des vereinten Ätzabgasstroms unter Verwendung eines ersten PFC-Reinigungssystems; (iii) Abführen von PFC, das durch jedes CVD-Teilverfahren erzeugt worden ist, durch eine zweite gemeinsame Leitung, um einen vereinten CVD-Abgasstrom zu bilden; (iv) Behandeln des vereinten CVD-Abgasstroms unter Verwendung eines zweiten PFC-Reinigungssystems; (v) Vereinen des behandelten vereinten Ätzabgasstroms und des behandelten vereinten CVD-Abgasstroms, um einen vereinten behandelten Abgasstrom zu bilden; (vi) Naßwaschen des vereinten behandelten Abgasstroms.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Trocken-Ätzverfahren aus der Gruppe bestehend aus Oxid-Ätzverfahren, Poly-Ätzverfahren und Metall-Ätzverfahren ausgewählt wird.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei das erste und zweite PFC-Reinigungssystem aus der Gruppe bestehend aus Verbrennungswäscher, Chemiesorptionswäscher, physikalischen Adsorptionswäschern, Naßwäschern und Kombinationen davon unabhängig ausgewählt wird.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei zumindest einer der verbundenen Ätzabgasströme und der vereinte CVD-Abgasstrom durch einen Sensor durchgeleitet werden, welcher die Menge an zumindest einer Perfluorverbindung (PFC) in dem Abgasstrom mißt.
Verfahren nach Anspruch 11, wobei zumindest einer der vereinten Abgasströme durch einen Sensor vor der Behandlung durch ein PFC-Reinigungssystem durchgeleitet wird.
Verfahren nach Anspruch 11, wobei zumindest einer der vereinten Abgasströme durch einen Sensor nach einer Behandlung durch ein PFC-Reinigungssystem durchgeleitet wird.
System zur Reduzierung von PFC-Emissionen während eines Halbleiterherstellungsverfahrens, das eine Vielzahl von Teilverfahren enthält, von denen jedes zumindest eine Perfluorverbindung (PFC) erzeugt, wobei das System aufweist: (a) eine erste Vielzahl von Vorrichtungen zum Ausführen eines ersten Teilprozessors; (b) eine erste gemeinsame Leitung für PFC, das aus der ersten Vielzahl von Vorrichtungen abgeführt wird; (c) ein erstes PFC-Reinigungssystem, das mit der ersten gemeinsamen Leitung verbunden ist; (d) eine zweite Vielzahl von Vorrichtungen zum Ausführen eines zweiten Teilverfahrens; (e) eine zweite gemeinsame Leitung für PFC, das aus der zweiten Vielzahl von Vorrichtungen abgeführt wird; (f) ein zweites PFC-Reinigungssystem, das mit der zweiten gemeinsamen Leitung verbunden ist; (g) eine gemeinsame Leitung für behandeltes Abgas, die mit dem ersten und zweiten PFC-Reinigungssystem verbunden ist; (h) Naßwäschesystem, das mit der gemeinsamen Leitung für behandeltes Abgas verbunden ist.
System nach Anspruch 14, das ferner zumindest einen Sensor zum Messen der Menge an zumindest einer Perfluorverbindung (PFC) in zumindest einem Strom vor oder nach einer Behandlung durch zumindest einem der ersten und zweiten PFC-Reinigungssysteme.
System zur Reduzierung von PFC-Emissionen während eines Halbleiterherstellungsverfahrens, das eine Vielzahl von Ätzteilverfahren und zumindest ein CVD-Teilverfahren enthält, von welchem jedes zumindest eine Perfluorverbindung (PFC) erzeugt, wobei das System aufweist: (a) eine erste Vielzahl von Vorrichtungen, die zumindest eine Vorrichtung zum Ausführen jedes der ersten Vielzahl von Ätzteilverfahren aufweist: (b) eine gemeinsame Teilverfahrensleitung, die mit jedem Ätzteilverfahren assoziiert ist, für PFC, das von der zumindest einen Vorrichtung zum Ausführen jedes der Ätzteilverfahren abgeführt wird; (c) eine erste gemeinsame Leitung zum Aufnehmen von PFC, das durch die erste Vielzahl von Vorrichtungen abgeführt wird; (d) ein erstes PFC-Reinigungsverfahren, das mit der ersten gemeinsamen Leitung verbunden ist; (e) eine zweite Vielzahl von Vorrichtungen zum Ausführen des zumindest einen CVD-Teilverfahrens; (f) eine zweite gemeinsame Leitung für PFC, das von der zweiten Vielzahl von Vorrichtungen abgeführt wird; (g) ein zweites PFC-Reinigungssystem, das mit der zweiten gemeinsamen Leitung verbunden ist; (h) eine gemeinsame Leitung für behandeltes Abgas, die mit den ersten und zweiten PFC-Reinigungssystem verbunden ist; (i) ein Naßwäschesystem, das mit der gemeinsamen Leitung für behandeltes Abgas verbunden ist.
System nach Anspruch 16, das ferner zumindest einen Sensor zum Messen der Menge von zumindest einer Perfluorverbindung (PFC) und zumindest einem Strom vor oder nach einer Behandlung von zumindest einem der ersten und zweiten PFC-Reinigungssysteme aufweist.