JP2968301B2 - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JP2968301B2 JP2968301B2 JP11232290A JP11232290A JP2968301B2 JP 2968301 B2 JP2968301 B2 JP 2968301B2 JP 11232290 A JP11232290 A JP 11232290A JP 11232290 A JP11232290 A JP 11232290A JP 2968301 B2 JP2968301 B2 JP 2968301B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体ウェーハ等にアルミニウム・エッチングを施す
ドライエッチング装置に関し、 排気システムを乾燥ガス供給パイプを具えた水封式真
空ポンプで構成することで生産性の向上を図ることを目
的とし、 エッチングチャンバと該エッチングチャンバを所定の
真空度まで減圧する真空ポンプと該真空ポンプから排出
される廃ガスを処理する排気システムとからなり、半導
体ウェーハにアルミニウム・エッチング処理を施すドラ
イエッチング装置であって、上記排気システムを少なく
とも、前記真空ポンプに繋がる水封式真空ポンプと先端
開口が該水封式真空ポンプの方を向くように前記真空ポ
ンプと該水封式真空ポンプとを繋ぐ配管に装着された乾
燥ガス供給パイプとを具えて構成する。
ドライエッチング装置に関し、 排気システムを乾燥ガス供給パイプを具えた水封式真
空ポンプで構成することで生産性の向上を図ることを目
的とし、 エッチングチャンバと該エッチングチャンバを所定の
真空度まで減圧する真空ポンプと該真空ポンプから排出
される廃ガスを処理する排気システムとからなり、半導
体ウェーハにアルミニウム・エッチング処理を施すドラ
イエッチング装置であって、上記排気システムを少なく
とも、前記真空ポンプに繋がる水封式真空ポンプと先端
開口が該水封式真空ポンプの方を向くように前記真空ポ
ンプと該水封式真空ポンプとを繋ぐ配管に装着された乾
燥ガス供給パイプとを具えて構成する。
本発明は半導体ウェーハ等にアルミニウム・エッチン
グを施すエッチング処理装置に係り、特に従来のドライ
エッチング装置の排気システムに使用されている廃ガス
吸着ボンベを乾燥ガス供給パイプを具えた水封式真空ポ
ンプに代えて構成することで生産性の向上を図ったドラ
イエッチング装置に関する。
グを施すエッチング処理装置に係り、特に従来のドライ
エッチング装置の排気システムに使用されている廃ガス
吸着ボンベを乾燥ガス供給パイプを具えた水封式真空ポ
ンプに代えて構成することで生産性の向上を図ったドラ
イエッチング装置に関する。
例えばドライエッチング方法の一つであるプラズマエ
ッチング手段でチャンバ内の半導体ウェーハにアルミニ
ウム・エッチングを施す場合には、該ウェーハ上に形成
される塩化アルミニウム（AlCl3）の昇華性を利用する
ため反応ガスとして塩化物ガスが用いられるが、その結
果として該チャンバから塩素ガス（Cl2），三塩化硼素
（B Cl3），塩化珪素（SiCl4）等の廃ガスが出るため、
これらの廃ガスを浄化処理して大気中に排出する排気シ
ステムが必要となる。
ッチング手段でチャンバ内の半導体ウェーハにアルミニ
ウム・エッチングを施す場合には、該ウェーハ上に形成
される塩化アルミニウム（AlCl3）の昇華性を利用する
ため反応ガスとして塩化物ガスが用いられるが、その結
果として該チャンバから塩素ガス（Cl2），三塩化硼素
（B Cl3），塩化珪素（SiCl4）等の廃ガスが出るため、
これらの廃ガスを浄化処理して大気中に排出する排気シ
ステムが必要となる。
第２図は従来のアルミニウム・エッチング用のドライ
エッチング装置の構成例を示す図である。
エッチング装置の構成例を示す図である。
第２図で従来のドライエッチング装置１は、エッチン
グチャンバ２と該チャンバ２を排気して所定の真空度に
減圧する真空ポンプ３および破線で示す排気システム４
とからなっているが、特に該排気システム４は，上記真
空ポンプ３で排気される廃ガスの原料成分を吸着して該
廃ガスを清浄化する廃ガス処理装置５と清浄化された該
廃ガスを大気中に放出する通常の排気ポンプ６とで構成
されている。
グチャンバ２と該チャンバ２を排気して所定の真空度に
減圧する真空ポンプ３および破線で示す排気システム４
とからなっているが、特に該排気システム４は，上記真
空ポンプ３で排気される廃ガスの原料成分を吸着して該
廃ガスを清浄化する廃ガス処理装置５と清浄化された該
廃ガスを大気中に放出する通常の排気ポンプ６とで構成
されている。
なお図の７は排気パイプである。
以下図に従ってドライエッチング作業の概略を説明す
る。
る。
先ず、エッチングチャンバ２内の所定位置にパターニ
ングされた図示されない半導体ウェーハをセッティング
した後、メカニカル・ブースタポンプの如き真空ポンプ
３で該チャンバ２を例えば１×10-2Torr程度に減圧す
る。
ングされた図示されない半導体ウェーハをセッティング
した後、メカニカル・ブースタポンプの如き真空ポンプ
３で該チャンバ２を例えば１×10-2Torr程度に減圧す
る。
次いで上記エッチンチャンバ２の図示されないガス供
給部から塩素ガス（Cl2），三塩化硼素（BCl3），塩化
珪素（SiCl4）等の反応ガスを供給するとこれらの反応
ガスが該チャンバ２の内部でプラズマ化して半導体ウェ
ーハ表面に作用することから、例えば１×10-1Torr程度
の真空度で上記の図示されない半導体ウェーハを所定パ
ターンにエッチング処理することができる。
給部から塩素ガス（Cl2），三塩化硼素（BCl3），塩化
珪素（SiCl4）等の反応ガスを供給するとこれらの反応
ガスが該チャンバ２の内部でプラズマ化して半導体ウェ
ーハ表面に作用することから、例えば１×10-1Torr程度
の真空度で上記の図示されない半導体ウェーハを所定パ
ターンにエッチング処理することができる。
ここでチャンバ２を開放し上記半導体ウェーハを取り
出すことで所要パターンのアルミニウム・エッチングが
施された半導体ウェーハを得ることができる。
出すことで所要パターンのアルミニウム・エッチングが
施された半導体ウェーハを得ることができる。
この場合上記真空ポンプ３で吸引される廃ガスには塩
素ガス（Cl2），三塩化硼素（BCl3），塩化珪素（SiC
l4）等が含まれるためそのままの状態で大気中に放出す
ることができない。
素ガス（Cl2），三塩化硼素（BCl3），塩化珪素（SiC
l4）等が含まれるためそのままの状態で大気中に放出す
ることができない。
そこで該廃ガスを先ず排気システムを構成する廃ガス
処理装置５に導いて浄化した後に排気ポンプ６で大気中
に放出するようにしている。
処理装置５に導いて浄化した後に排気ポンプ６で大気中
に放出するようにしている。
特にここで説明した廃ガス処理装置５には、廃ガスの
原料成分のみを吸着して該廃ガスを浄化する吸着剤入り
のボンベ（例えば昭和電工（株）の製品名“クリーンエ
ス”）を使用している。
原料成分のみを吸着して該廃ガスを浄化する吸着剤入り
のボンベ（例えば昭和電工（株）の製品名“クリーンエ
ス”）を使用している。
しかし、該廃ガス処理装置５は廃ガスの原料成分の吸
着量が増加するにつれて浄化性能が低下する。
着量が増加するにつれて浄化性能が低下する。
そこで従来は、一定期間（例えば１か月程度）の使用
で自動的に交換したり吸着剤の変色状態をボンベの外部
からチェックしその変色具合によって該ボンベを交換す
る等の手段を講ずるようにしている。
で自動的に交換したり吸着剤の変色状態をボンベの外部
からチェックしその変色具合によって該ボンベを交換す
る等の手段を講ずるようにしている。
従来のドライエッチング装置では、排気システムの廃
ガス処理装置の保守，交換作業に工数がかかると共に該
廃ガス処理装置すなわちボンベの再生費が必要となって
生産性の向上が期待できないと言う問題があった。
ガス処理装置の保守，交換作業に工数がかかると共に該
廃ガス処理装置すなわちボンベの再生費が必要となって
生産性の向上が期待できないと言う問題があった。
上記問題点は、エッチングチャンバと該エッチングチ
ャンバを所定の真空度まで減圧する真空ポンプと該真空
ポンプから排出される廃ガスを処理する排気システムと
からなり、半導体ウェーハにアルミニウム・エッチング
処理を施すドライエッチング装置であって、上記排気シ
ステムが少なくとも、前記真空ポンプに繋がる水封式真
空ポンプと先端開口が該水封式真空ポンプの方を向くよ
うに前記真空ポンプと該水封式真空ポンプとを繋ぐ配管
に装着された乾燥ガス供給パイプとを具えて構成されて
いるドライエッチング装置によって解決される。
ャンバを所定の真空度まで減圧する真空ポンプと該真空
ポンプから排出される廃ガスを処理する排気システムと
からなり、半導体ウェーハにアルミニウム・エッチング
処理を施すドライエッチング装置であって、上記排気シ
ステムが少なくとも、前記真空ポンプに繋がる水封式真
空ポンプと先端開口が該水封式真空ポンプの方を向くよ
うに前記真空ポンプと該水封式真空ポンプとを繋ぐ配管
に装着された乾燥ガス供給パイプとを具えて構成されて
いるドライエッチング装置によって解決される。
半導体ウェーハ等にアルミニウム・エッチングを施す
際に使用する原料ガスの廃ガス原料成分は、微小量の水
分に対しては該水分を吸収して粘質化，固形化して配管
内壁等に付着する性質があると共に、大量の水分に対し
ては該水分に溶解する性質がある。
際に使用する原料ガスの廃ガス原料成分は、微小量の水
分に対しては該水分を吸収して粘質化，固形化して配管
内壁等に付着する性質があると共に、大量の水分に対し
ては該水分に溶解する性質がある。
そこで本発明になるドライエッチング装置では、排気
システムの排気ポンプを水封式真空ポンプ（water ring
type vaccum pump）に代えると共に、廃ガスを該真空
ポンプに導く配管途中に乾燥ガス供給パイプを配設する
ことで該廃ガスを乾燥した状態を保たしめたまま上記水
封式排気ポンプに送り込むようにしている。
システムの排気ポンプを水封式真空ポンプ（water ring
type vaccum pump）に代えると共に、廃ガスを該真空
ポンプに導く配管途中に乾燥ガス供給パイプを配設する
ことで該廃ガスを乾燥した状態を保たしめたまま上記水
封式排気ポンプに送り込むようにしている。
このことは、水封式真空ポンプから該ポンプに繋がる
上記配管内に舞い上がる水分粒子が上記乾燥ガス供給パ
イプから供給される乾燥ガスによって該ポンプ内に押し
戻されることを意味しており、結果的に少なくとも上記
配管内には該水封式真空ポンプに係わる水分が存在しな
いことになるため該配管内壁には粘質化，固形化した廃
ガス原料成分が付着することがない。
上記配管内に舞い上がる水分粒子が上記乾燥ガス供給パ
イプから供給される乾燥ガスによって該ポンプ内に押し
戻されることを意味しており、結果的に少なくとも上記
配管内には該水封式真空ポンプに係わる水分が存在しな
いことになるため該配管内壁には粘質化，固形化した廃
ガス原料成分が付着することがない。
更に廃ガスに含まれる総ての原料成分を、該水封式真
空ポンプ内を循環した後に該ポンプから流出する市水に
溶解させることができる。
空ポンプ内を循環した後に該ポンプから流出する市水に
溶解させることができる。
従って該水封式真空ポンプから流出する市水を通常の
廃水処理場に導くことで、長期間にわたって連続的に使
用できる生産性のよい排気システムを具えたドライエッ
チング装置を得ることができる。
廃水処理場に導くことで、長期間にわたって連続的に使
用できる生産性のよい排気システムを具えたドライエッ
チング装置を得ることができる。
第１図は本発明になるドライエッチンング装置の構成
例を説明する図である。
例を説明する図である。
第１図で本発明になるドライエッチング装置11は、第
２図で説明したエッチングチャンバ２と該チャンバ２を
排気して所定の真空度に減圧する真空ポンプ３および破
線で示す排気システム12とからなっているが、特に該排
気システム12は上記真空ポンプ３に繋がる水封式真空ポ
ンプ13と先端開口15aが該水封式真空ポンプ13の方を向
くように真空ポンプ３と該水封式真空ポンプ13とを繋ぐ
配管14に装着された乾燥ガス供給パイプ15とで構成され
ている。
２図で説明したエッチングチャンバ２と該チャンバ２を
排気して所定の真空度に減圧する真空ポンプ３および破
線で示す排気システム12とからなっているが、特に該排
気システム12は上記真空ポンプ３に繋がる水封式真空ポ
ンプ13と先端開口15aが該水封式真空ポンプ13の方を向
くように真空ポンプ３と該水封式真空ポンプ13とを繋ぐ
配管14に装着された乾燥ガス供給パイプ15とで構成され
ている。
なお13a,13bは該水封式真空ポンプ13内を循環した後
該ポンプ13から流出する市水を供給する市水供給パイプ
と市水排水パイプであり、７は排気パイプを示しまた16
は該乾燥ガス供給パイプ15に接続するガスタンクであ
る。
該ポンプ13から流出する市水を供給する市水供給パイプ
と市水排水パイプであり、７は排気パイプを示しまた16
は該乾燥ガス供給パイプ15に接続するガスタンクであ
る。
以下第２図同様に図に従ってドライエッチング作業の
概略を説明する。
概略を説明する。
先ず、エッチングチャンバ２内の所定位置に第２図同
様の図示されない半導体ウェーハを設置した後、真空ポ
ンプ３で該チャンバ２を例えば１×10-2Torr程度に減圧
する。
様の図示されない半導体ウェーハを設置した後、真空ポ
ンプ３で該チャンバ２を例えば１×10-2Torr程度に減圧
する。
次いで上記エッチングチャンバ２の図示されないガス
供給部から塩素ガス（Cl2），三塩化硼素（BCl3），塩
化珪素（SiCl4）等の反応ガスを供給することで上記の
半導体ウェーハが所定パターンにアルミニウム・エッチ
ング処理されることは第２図で説明した通りである。
供給部から塩素ガス（Cl2），三塩化硼素（BCl3），塩
化珪素（SiCl4）等の反応ガスを供給することで上記の
半導体ウェーハが所定パターンにアルミニウム・エッチ
ング処理されることは第２図で説明した通りである。
ここでチャンバ２を開放してエッチング処理が完了し
た所要の半導体ウェーハを取り出すことができる。
た所要の半導体ウェーハを取り出すことができる。
一方、上記真空ポンプ３から排出される塩素ガス（Cl
2），三塩化硼素（BCl3），塩化珪素（SiCl4）等の廃ガ
スは、ガスタンク16から例えば40／分程度の割合で供
給される窒素（N2）ガスやドライエアと共に水封式真空
ポンプ13に吸引される。
2），三塩化硼素（BCl3），塩化珪素（SiCl4）等の廃ガ
スは、ガスタンク16から例えば40／分程度の割合で供
給される窒素（N2）ガスやドライエアと共に水封式真空
ポンプ13に吸引される。
この際該水封式真空ポンプ13から上記配管14に舞い上
がる水分粒子は上記の窒素ガスやドライエアによって矢
印ａのように該ポンプ13に押し戻されるので、該配管14
内では上記廃ガスが吸湿して該配管14の内壁に付着する
ことがない。
がる水分粒子は上記の窒素ガスやドライエアによって矢
印ａのように該ポンプ13に押し戻されるので、該配管14
内では上記廃ガスが吸湿して該配管14の内壁に付着する
ことがない。
同時に、該廃ガスに含まれる総ての原料成分は市水供
給パイプ13aから水封式真空ポンプ13内を循環した後に
市水排水パイプ13bから排出する市水に溶解することに
なる。
給パイプ13aから水封式真空ポンプ13内を循環した後に
市水排水パイプ13bから排出する市水に溶解することに
なる。
従って該市水排水パイプ13bから排出する市水を図示
されない廃液処理装置に導くことで、上記廃ガス原料成
分を処理することができる。
されない廃液処理装置に導くことで、上記廃ガス原料成
分を処理することができる。
上述の如く本発明により、従来定期的な交換を必要と
した廃ガス処理装置（ボンベ）を使用することなく、該
配管内壁への廃ガス原料成分の付着がなく長期間にわた
って連続的に使用できる生産性のよい排気システムを具
えたドライエッチング装置を提供することができる。
した廃ガス処理装置（ボンベ）を使用することなく、該
配管内壁への廃ガス原料成分の付着がなく長期間にわた
って連続的に使用できる生産性のよい排気システムを具
えたドライエッチング装置を提供することができる。
第１図は本発明になるドライエッチング装置の構成例を
説明する図、 第２図は従来のアルミニウム・エッチング用のドライエ
ッチング装置の構成例を示す図、 である。 図において、 ２はエッチングチャンバ、 ３は真空ポンプ、７は排気パイプ、 11はドライエッチング装置、 12は排気システム、13は水封式真空ポンプ、 13aは市水供給パイプ、 13bは市水排水パイプ、 14は配管、15は乾燥ガス供給パイプ、 15aは先端開口、16はガスタンク、 をそれぞれ表わす。
説明する図、 第２図は従来のアルミニウム・エッチング用のドライエ
ッチング装置の構成例を示す図、 である。 図において、 ２はエッチングチャンバ、 ３は真空ポンプ、７は排気パイプ、 11はドライエッチング装置、 12は排気システム、13は水封式真空ポンプ、 13aは市水供給パイプ、 13bは市水排水パイプ、 14は配管、15は乾燥ガス供給パイプ、 15aは先端開口、16はガスタンク、 をそれぞれ表わす。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−177326（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−188684（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23F 4/00 H01L 21/3065
Claims (1)
- 【請求項１】エッチングチャンバ（２）と該エッチング
チャンバ（２）を所定の真空度まで減圧する真空ポンプ
（３）と該真空ポンプ（３）から排出される廃ガスを処
理する排気システム（12）とからなり、半導体ウェーハ
にアルミニウム・エッチング処理を施すドライエッチン
グ装置であって、 上記排気システム（12）が少なくとも、前記真空ポンプ
（３）に繋がる水封式真空ポンプ（13）と先端開口（15
a）が該水封式真空ポンプ（13）の方を向くように前記
真空ポンプ（３）と該水封式真空ポンプ（13）とを繋ぐ
配管（14）に装着された乾燥ガス供給パイプ（15）とを
具えて構成されていることを特徴としたドライエッチン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11232290A JP2968301B2 (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11232290A JP2968301B2 (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | ドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0413878A JPH0413878A (ja) | 1992-01-17 |
| JP2968301B2 true JP2968301B2 (ja) | 1999-10-25 |
Family
ID=14583773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11232290A Expired - Lifetime JP2968301B2 (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2968301B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115666005B (zh) * | 2022-12-15 | 2023-02-24 | 赛福仪器承德有限公司 | 等离子体蚀刻机 |
-
1990
- 1990-04-28 JP JP11232290A patent/JP2968301B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0413878A (ja) | 1992-01-17 |
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