JPH08277464A - プロセス装置及び表面処理方法並びにガス供給配管系 - Google Patents
プロセス装置及び表面処理方法並びにガス供給配管系Info
- Publication number
- JPH08277464A JPH08277464A JP33640192A JP33640192A JPH08277464A JP H08277464 A JPH08277464 A JP H08277464A JP 33640192 A JP33640192 A JP 33640192A JP 33640192 A JP33640192 A JP 33640192A JP H08277464 A JPH08277464 A JP H08277464A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- pipe
- gas purification
- impurity
- introducing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は、大規模ガス精製装置と特殊配管を
使用せずに、高純度なガスを供給することが可能なガス
供給系、高性能薄膜の形成及び高精度の微細加工、表面
処理が可能なプロセス装置及び表面処理方法を提供する
ことを目的とする。 【構成】 プロセスガスを導入する配管系の内、少なく
とも１種のプロセスガス１の配管系は２本以上並列に取
り付けられたことを特徴とする。また、前記２本以上並
列に取り付けられた配管系のそれぞれに独立してプロセ
スガスを導入でき、プロセスガス中の不純物を吸着４
ａ，４ｂによって除去する構造とすることを特徴とす
る。
使用せずに、高純度なガスを供給することが可能なガス
供給系、高性能薄膜の形成及び高精度の微細加工、表面
処理が可能なプロセス装置及び表面処理方法を提供する
ことを目的とする。 【構成】 プロセスガスを導入する配管系の内、少なく
とも１種のプロセスガス１の配管系は２本以上並列に取
り付けられたことを特徴とする。また、前記２本以上並
列に取り付けられた配管系のそれぞれに独立してプロセ
スガスを導入でき、プロセスガス中の不純物を吸着４
ａ，４ｂによって除去する構造とすることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プロセス装置及び表面
処理方法並びにガス供給配管系に係わり、特にスパッタ
リングあるいはイオンプレーテイング法等、ガスの放電
現象によるプラズマイオンを利用する薄膜製造装置の導
入ガスの純度の改良に関する。
処理方法並びにガス供給配管系に係わり、特にスパッタ
リングあるいはイオンプレーテイング法等、ガスの放電
現象によるプラズマイオンを利用する薄膜製造装置の導
入ガスの純度の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリング薄膜製造装置において
は、ボンベのＡｒガス中に水、窒素、酸素などの不純物
が存在し、このうち水が約１５０ｐｐｂの濃度で存在す
る。これらの不純物はスパッタ成膜中に膜内部に取り込
まれ、膜の特性を著しく劣化させるという問題点があ
る。
は、ボンベのＡｒガス中に水、窒素、酸素などの不純物
が存在し、このうち水が約１５０ｐｐｂの濃度で存在す
る。これらの不純物はスパッタ成膜中に膜内部に取り込
まれ、膜の特性を著しく劣化させるという問題点があ
る。
【０００３】このため、従来は図３に示すようなスパッ
タリング薄膜製造装置が用いられていた。図３におい
て、１はスパッタリング用Ａｒガスの供給ボンベ、２ｂ
は酸化不動態膜処理等、内壁からの脱ガス防止処理を施
した特殊配管、３はガス流量調整器、４сはガス中の
水、酸素などの不純物を除去するための大規模ガス精製
装置、５は成膜室、６はバルブである。
タリング薄膜製造装置が用いられていた。図３におい
て、１はスパッタリング用Ａｒガスの供給ボンベ、２ｂ
は酸化不動態膜処理等、内壁からの脱ガス防止処理を施
した特殊配管、３はガス流量調整器、４сはガス中の
水、酸素などの不純物を除去するための大規模ガス精製
装置、５は成膜室、６はバルブである。
【０００４】従来の薄膜製造装置においては、不純物を
除去するために図３に示すように、高価で大規模なガス
精製装置を接続する必要があった。さらにガス精製装置
の不純物除去能力を再生するための作業を定期的に行う
必要があり、この間は成膜室ヘのガス供給を停止しなく
てはならないという問題点もあった。
除去するために図３に示すように、高価で大規模なガス
精製装置を接続する必要があった。さらにガス精製装置
の不純物除去能力を再生するための作業を定期的に行う
必要があり、この間は成膜室ヘのガス供給を停止しなく
てはならないという問題点もあった。
【０００５】またさらに精製したガスを成膜室まで導入
する途中で、配管内壁からの不純物ガスの放出による汚
染を防ぐため、高価な酸化平滑処理を施した配管を用い
る必要があった。
する途中で、配管内壁からの不純物ガスの放出による汚
染を防ぐため、高価な酸化平滑処理を施した配管を用い
る必要があった。
【０００６】しかも、実際に成膜を行うには、この配管
にＡｒガスを連続的に流しながらべーキングを３０時間
以上行う必要があり、また成膜後においては、Ａｒガス
の滞留による配管からの汚染を防ぐために、常にＡｒガ
スを流しておく必要があった。
にＡｒガスを連続的に流しながらべーキングを３０時間
以上行う必要があり、また成膜後においては、Ａｒガス
の滞留による配管からの汚染を防ぐために、常にＡｒガ
スを流しておく必要があった。
【０００７】以上のように、従来の薄膜製造装置は、高
価で操作の複雑な大規模ガス精製装置と特殊配管とを必
要とし、さらにＡｒガスを大量に浪費するという問題点
があった。
価で操作の複雑な大規模ガス精製装置と特殊配管とを必
要とし、さらにＡｒガスを大量に浪費するという問題点
があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決するために、大規模ガス精製装置と特殊配管を使
用せずに、高純度なガスを供給することが可能なガス供
給系、高性能薄膜の形成及び高精度の微細加工、表面処
理が可能なプロセス装置及び表面処理方法を提供するこ
とを目的とする。
を解決するために、大規模ガス精製装置と特殊配管を使
用せずに、高純度なガスを供給することが可能なガス供
給系、高性能薄膜の形成及び高精度の微細加工、表面処
理が可能なプロセス装置及び表面処理方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のプロセス装置
は、プロセスガスを導入する配管系の内、少なくとも１
種のプロセスガスの配管系は２本以上並列に取り付けら
れたことを特徴とする。
は、プロセスガスを導入する配管系の内、少なくとも１
種のプロセスガスの配管系は２本以上並列に取り付けら
れたことを特徴とする。
【００１０】本発明のプロセス装置の望ましい形態は、
前記２本以上並列に取り付けられた配管系のそれぞれに
独立してプロセスガスを導入でき、プロセスガス中の不
純物を吸着によって除去する構造とすることを特徴とす
る。
前記２本以上並列に取り付けられた配管系のそれぞれに
独立してプロセスガスを導入でき、プロセスガス中の不
純物を吸着によって除去する構造とすることを特徴とす
る。
【００１１】さらに本発明のプロセス装置の望ましい形
態は、プロセスガスをガス供給源から配管を介してプロ
セス室に導入するプロセス装置において、該プロセス室
に導入するプロセスガスの内少なくとも１種のプロセス
ガスの配管の途中に、並列に配した複数の不純物ガス除
去能力を有するガス精製配管と、該ガス精製配管のいず
れかにプロセスガスを導入するための切り換えバルブと
を設け、該ガス精製配管のいずれかを通って該プロセス
室にプロセスガスが導入されることを特徴とする。
態は、プロセスガスをガス供給源から配管を介してプロ
セス室に導入するプロセス装置において、該プロセス室
に導入するプロセスガスの内少なくとも１種のプロセス
ガスの配管の途中に、並列に配した複数の不純物ガス除
去能力を有するガス精製配管と、該ガス精製配管のいず
れかにプロセスガスを導入するための切り換えバルブと
を設け、該ガス精製配管のいずれかを通って該プロセス
室にプロセスガスが導入されることを特徴とする。
【００１２】本発明の表面処理方法は、ガス供給源から
配管を介してプロセス室に導入するプロセスガスの内少
なくとも１種のガスの配管の途中に、並列に配した複数
の不純物ガス除去能力を有するガス精製配管と、該ガス
精製配管のいずれかにプロセスガスを導入するための切
り換えバルブとを設け、該ガス精製配管のいずれかを通
って該プロセス室にプロセスガスが導入されるプロセス
装置を用い、基板表面に薄膜形成等の表面処理を行う表
面処理方法において、該複数のガス精製配管の内第１の
ガス精製配管で不純物除去を行いながら該プロセス室に
プロセスガスを導入している間に、他のガス精製配管の
内部に吸着した不純物ガスを放出させ大気に排気して不
純物除去能力を再生しておき、所定の時間後に前記バル
ブを切り換えて該他のガス精製配管を介してガスを該プ
ロセス室に導き、この間該第１のガス精製配管の内部に
吸着した不純物を大気に放出して再生処理を行うことに
よって、該プロセス室に導入するプロセスガスの不純物
除去を連続して行いながら基板の表面処理を行うことを
特徴とする。
配管を介してプロセス室に導入するプロセスガスの内少
なくとも１種のガスの配管の途中に、並列に配した複数
の不純物ガス除去能力を有するガス精製配管と、該ガス
精製配管のいずれかにプロセスガスを導入するための切
り換えバルブとを設け、該ガス精製配管のいずれかを通
って該プロセス室にプロセスガスが導入されるプロセス
装置を用い、基板表面に薄膜形成等の表面処理を行う表
面処理方法において、該複数のガス精製配管の内第１の
ガス精製配管で不純物除去を行いながら該プロセス室に
プロセスガスを導入している間に、他のガス精製配管の
内部に吸着した不純物ガスを放出させ大気に排気して不
純物除去能力を再生しておき、所定の時間後に前記バル
ブを切り換えて該他のガス精製配管を介してガスを該プ
ロセス室に導き、この間該第１のガス精製配管の内部に
吸着した不純物を大気に放出して再生処理を行うことに
よって、該プロセス室に導入するプロセスガスの不純物
除去を連続して行いながら基板の表面処理を行うことを
特徴とする。
【００１３】本発明のガス供給配管系は、ガス供給源か
ら配管を介してプロセス室にプロセスガスを導入するた
めのガス供給配管系であって、該配管の途中に並列に配
した複数の不純物ガス除去能力を有するガス精製配管
と、該ガス精製配管のいずれかに該ガスを導入するため
の切り換えバルブとを設けたことを特徴とする。
ら配管を介してプロセス室にプロセスガスを導入するた
めのガス供給配管系であって、該配管の途中に並列に配
した複数の不純物ガス除去能力を有するガス精製配管
と、該ガス精製配管のいずれかに該ガスを導入するため
の切り換えバルブとを設けたことを特徴とする。
【００１４】本発明において、前記ガス精製配管の出口
はバルブを介して成膜室に接続することが好ましい。ま
た、前記ガス精製配管はバルブ、排気ポンプを介して大
気に解放される構造とすることが好ましく、前記ガス精
製配管は、内部に吸着した不純物ガスを脱着するための
加熱手段を有することが好ましい。
はバルブを介して成膜室に接続することが好ましい。ま
た、前記ガス精製配管はバルブ、排気ポンプを介して大
気に解放される構造とすることが好ましく、前記ガス精
製配管は、内部に吸着した不純物ガスを脱着するための
加熱手段を有することが好ましい。
【００１５】さらに、前記ガス精製配管は、水分、二酸
化炭素、酸素、窒素の少なくとも１つを吸着する材料で
構成されるのが望ましく、電解研磨したステンレス鋼が
特に好ましいものである。
化炭素、酸素、窒素の少なくとも１つを吸着する材料で
構成されるのが望ましく、電解研磨したステンレス鋼が
特に好ましいものである。
【００１６】
【作用】本発明のプロセス装置においては、プロセス室
の直前にガスを導入する配管系を２本以上並列に取り付
け、この配管自体に不純物除去機能を持たせているた
め、大規模ガス精製装置及び特殊処理した配管が不要と
なる。さらに、ガスボンベからの配管も特殊内面処理し
た配管でなく一般のＳＵＳ配管を使うことができるた
め、設備コストを大幅に削減することができる。
の直前にガスを導入する配管系を２本以上並列に取り付
け、この配管自体に不純物除去機能を持たせているた
め、大規模ガス精製装置及び特殊処理した配管が不要と
なる。さらに、ガスボンベからの配管も特殊内面処理し
た配管でなく一般のＳＵＳ配管を使うことができるた
め、設備コストを大幅に削減することができる。
【００１７】またプロセス室直前で不純物除去を行うた
め、ガスボンベからプロセス室までの配管からの汚染の
影響を防ぐことができる。その上、成膜等の処理を行わ
ない時には、配管系にガスを流す必要がなくなりガスを
節約することが可能となる。
め、ガスボンベからプロセス室までの配管からの汚染の
影響を防ぐことができる。その上、成膜等の処理を行わ
ない時には、配管系にガスを流す必要がなくなりガスを
節約することが可能となる。
【００１８】しかも１本の配管でガス中の不純物除去を
しながら、同時に他の配管を加熱して吸着した不純物を
加熱排気する再生処理を行うことができ、連続的にガス
を無駄なくプロセス導入することができる。その結果、
例えばスパッタリング薄膜製造装置では、長時間にわた
る成膜においても、安定した特性の高性能膜を形成する
ことが可能になる。
しながら、同時に他の配管を加熱して吸着した不純物を
加熱排気する再生処理を行うことができ、連続的にガス
を無駄なくプロセス導入することができる。その結果、
例えばスパッタリング薄膜製造装置では、長時間にわた
る成膜においても、安定した特性の高性能膜を形成する
ことが可能になる。
【００１９】本発明のガス精製配管は、酸素、２酸化炭
素、水分、窒素等を吸着するものであり、また吸着した
不純物を脱着するために加熱することから、一般の金属
材料であればいずれでも用いることができるが、特にス
テンレス鋼が好ましく、不純物の脱着速度の高い内面を
電解研磨したステンレス鋼がより好ましい。また電解研
磨した配管内面の表面粗度（Ｒｍａｘ）は、１μｍ以下
が好ましい。
素、水分、窒素等を吸着するものであり、また吸着した
不純物を脱着するために加熱することから、一般の金属
材料であればいずれでも用いることができるが、特にス
テンレス鋼が好ましく、不純物の脱着速度の高い内面を
電解研磨したステンレス鋼がより好ましい。また電解研
磨した配管内面の表面粗度（Ｒｍａｘ）は、１μｍ以下
が好ましい。
【００２０】本発明のガス精製配管の不純物除去能力と
その持続時間は、ガス精製配管の形状、数、プロセスガ
スの流量、不純物濃度等と関係し、ガス精製配管は用い
られるプロセスガスの流量、不純物濃度を考慮して設計
される。従って、プロセスガス中の不純物濃度に関して
特に制限はないが、再生周期等を考慮して実用上不純物
濃度が１ｐｐｍ以下のプロセスガスについて好適に適用
される。さらに、３００ｐｐｂ以下のプロセスガスが特
に好ましい。またプロセスガス流量としては、例えば１
／４”管の場合、１リットル／ｍｉｎ以下でより高い不
純物除去能力を示す。
その持続時間は、ガス精製配管の形状、数、プロセスガ
スの流量、不純物濃度等と関係し、ガス精製配管は用い
られるプロセスガスの流量、不純物濃度を考慮して設計
される。従って、プロセスガス中の不純物濃度に関して
特に制限はないが、再生周期等を考慮して実用上不純物
濃度が１ｐｐｍ以下のプロセスガスについて好適に適用
される。さらに、３００ｐｐｂ以下のプロセスガスが特
に好ましい。またプロセスガス流量としては、例えば１
／４”管の場合、１リットル／ｍｉｎ以下でより高い不
純物除去能力を示す。
【００２１】上記したようにガス精製配管の形状は特に
こだわらず、使用するガスの流量に合わせ、内径、長さ
等を適宜決定すれば良いが、不純物除去能力をより長時
間維持するために、該ガス精製配管中に例えば小径の配
管をハニカム状に挿入しても良い。
こだわらず、使用するガスの流量に合わせ、内径、長さ
等を適宜決定すれば良いが、不純物除去能力をより長時
間維持するために、該ガス精製配管中に例えば小径の配
管をハニカム状に挿入しても良い。
【００２２】本発明の加熱手段は、ガス精製配管内部を
１００℃程度以上に加熱できるものであれば特に制限は
ない。
１００℃程度以上に加熱できるものであれば特に制限は
ない。
【００２３】
（実施例１）図１は本発明の薄膜製造装置の一例を示す
概略図である。図１中、１はスパッタリング用Ａｒガス
の供給ボンベ、２ａは特殊処理されていないガス配管、
３はガス流量調整器、４ａ、ｂはガス中の水、酸素など
の不純物を除去する機能を持つガス精製配管、５は成膜
室、６〜１０はバルブである。
概略図である。図１中、１はスパッタリング用Ａｒガス
の供給ボンベ、２ａは特殊処理されていないガス配管、
３はガス流量調整器、４ａ、ｂはガス中の水、酸素など
の不純物を除去する機能を持つガス精製配管、５は成膜
室、６〜１０はバルブである。
【００２４】図１において、並列に接続したガス精製配
管は、それぞれ半径５ｃｍ、長さ６４ｃｍ、内容積が５
リットルのステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）製の円筒で、
内壁を電解研磨処理したものである。
管は、それぞれ半径５ｃｍ、長さ６４ｃｍ、内容積が５
リットルのステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）製の円筒で、
内壁を電解研磨処理したものである。
【００２５】まずバルブ７ａを開け、ガス精製配管４ａ
をｌ４０℃に加熱し、ガス精製配管内面に吸着した不純
物を系外に排気した。２時間後にバルブ７ａを閉じ、加
熱をやめて冷却した。冷却後に、流量調整器３を１００
ｓｃｃｍに設定し、バルブ１０，９，８ａ，６ａを開け
て、Ａｒガスを１００ｓｃｃｍの流量で成膜室５に導入
した。
をｌ４０℃に加熱し、ガス精製配管内面に吸着した不純
物を系外に排気した。２時間後にバルブ７ａを閉じ、加
熱をやめて冷却した。冷却後に、流量調整器３を１００
ｓｃｃｍに設定し、バルブ１０，９，８ａ，６ａを開け
て、Ａｒガスを１００ｓｃｃｍの流量で成膜室５に導入
した。
【００２６】導入配管４ａの導入前後のＡｒガス中の不
純物濃度を測定した結果を図２に示す。図２において、
縦軸はＡｒガス中の不純物である水分（Ｈ2０）、酸素
（０2）、二酸化炭素（ＣＯ2）の濃度で単位はｐｐｂで
ある。横軸ＩＮＬＥＴはガス精製配管の導入前、ＣＨは
導入後を示す。図２が示すように、ガス精製配管前で
は、Ｏ2，ＣＯ2ガス及び水分がそれぞれ３０、２５、１
３５ｐｐｂ含まれていたものが、ガス精製配管後では各
不純物が円筒内壁に吸着されて、Ｏ2，ＣＯ2は１ｐｐｂ
以下、主な不純物である水分も４．５ｐｐｂまで減少し
高純度のＡｒガスが成膜室に導入されていることが分か
った。ガス精製配管の不純物除去効果は３時間持続し
た。
純物濃度を測定した結果を図２に示す。図２において、
縦軸はＡｒガス中の不純物である水分（Ｈ2０）、酸素
（０2）、二酸化炭素（ＣＯ2）の濃度で単位はｐｐｂで
ある。横軸ＩＮＬＥＴはガス精製配管の導入前、ＣＨは
導入後を示す。図２が示すように、ガス精製配管前で
は、Ｏ2，ＣＯ2ガス及び水分がそれぞれ３０、２５、１
３５ｐｐｂ含まれていたものが、ガス精製配管後では各
不純物が円筒内壁に吸着されて、Ｏ2，ＣＯ2は１ｐｐｂ
以下、主な不純物である水分も４．５ｐｐｂまで減少し
高純度のＡｒガスが成膜室に導入されていることが分か
った。ガス精製配管の不純物除去効果は３時間持続し
た。
【００２７】Ａｒガスをガス精製配管４ａを介して成膜
室に導入している間に、ガス精製配管部分４ｂの加熱排
気操作を４ａと同様に行った。成膜室にガスを導入して
から３時間後にバルブ８ｂ，６ｂを開け、バルブ８ａ，
６ａを閉じてガス精製配管の切り換えを行った。ガス精
製配管後のＡｒガス中の不純物濃度を測定したところ、
図２と同様な結果となった。
室に導入している間に、ガス精製配管部分４ｂの加熱排
気操作を４ａと同様に行った。成膜室にガスを導入して
から３時間後にバルブ８ｂ，６ｂを開け、バルブ８ａ，
６ａを閉じてガス精製配管の切り換えを行った。ガス精
製配管後のＡｒガス中の不純物濃度を測定したところ、
図２と同様な結果となった。
【００２８】以上のように、ガス精製配管を交互に切り
換えてＡｒガスを成膜室に導入することで、連続的に高
純度Ａｒガスを成膜室に導入することができ、高性能膜
を長時間堆積することができた。
換えてＡｒガスを成膜室に導入することで、連続的に高
純度Ａｒガスを成膜室に導入することができ、高性能膜
を長時間堆積することができた。
【００２９】本実施例においては、ガス精製配管を再生
する際、配管を加熱して内部に吸着した不純物ガスを排
気したが、Ａｒガスを流しながら加熱して再生処理を行
っても良いことは言うまでもない。
する際、配管を加熱して内部に吸着した不純物ガスを排
気したが、Ａｒガスを流しながら加熱して再生処理を行
っても良いことは言うまでもない。
【００３０】（実施例２）ガス精製配管部分に内面を電
解研磨していないＳＵＳ３０４製のガス配管を用いて実
施例１と同様な処理を行った。再生処理に２００℃、３
時間かかった以外は、実施例１と同様な不純物除去が達
成され高純度のガスが得られることが確認された。
解研磨していないＳＵＳ３０４製のガス配管を用いて実
施例１と同様な処理を行った。再生処理に２００℃、３
時間かかった以外は、実施例１と同様な不純物除去が達
成され高純度のガスが得られることが確認された。
【００３１】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、プロセ
ス室の直前にガス精製配管を２本以上並列に取付け、こ
のガス精製配管を交互に動作させることにより、大規模
ガス精製装置と特殊配管を使用せずに高純度のガスをプ
ロセス室に連続的に効率よく導入することができ、設備
費用の削減と高価なプロセスガスの大幅な節約によるコ
ストダウンを図ることができる。
ス室の直前にガス精製配管を２本以上並列に取付け、こ
のガス精製配管を交互に動作させることにより、大規模
ガス精製装置と特殊配管を使用せずに高純度のガスをプ
ロセス室に連続的に効率よく導入することができ、設備
費用の削減と高価なプロセスガスの大幅な節約によるコ
ストダウンを図ることができる。
【図１】本発明の薄膜製造装置の一例を示す概略図であ
る。
る。
【図２】ガス精製配管前後のＡｒガス中の不純物濃度を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図３】従来のスパツタリング薄膜製造装置を示す概略
図である。
図である。
ｌ スパッタリングＡｒガスの供給ボンベ、 ２ａ 特殊処理されていない配管、 ２ｂ 内壁からの脱ガス防止処理を施した特殊配管、 ３ ガス流量調整器、 ４ａ、４ｂ 不純物を除去する機能を持つガス精製配
管、 ４ｃ 不純物を除去するための大規模ガス精製装置、 ５ プロセス室、 ６〜１０ バルブ。
管、 ４ｃ 不純物を除去するための大規模ガス精製装置、 ５ プロセス室、 ６〜１０ バルブ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ // Ｈ０１Ｌ 21/203 21/203 Ｓ 21/3065 21/302 Ｂ
Claims (19)
- 【請求項１】 プロセスガスを導入する配管系の内、少
なくとも１種のプロセスガスの配管系は２本以上並列に
取り付けられたことを特徴とするプロセス装置。 - 【請求項２】 前記２本以上並列に取り付けられた配管
系のそれぞれに独立してプロセスガスを導入でき、プロ
セスガス中の不純物を吸着によって除去する構造とする
ことを特徴とする請求項１に記載のプロセス装置。 - 【請求項３】 プロセスガスをガス供給源から配管を介
してプロセス室に導入するプロセス装置において、該プ
ロセス室に導入するプロセスガスの内少なくとも１種の
プロセスガスの配管の途中に、並列に配した複数の不純
物ガス除去能力を有するガス精製配管と、該ガス精製配
管のいずれかにプロセスガスを導入するための切り換え
バルブとを設け、該ガス精製配管のいずれかを通って該
プロセス室にプロセスガスが導入されることを特徴とす
る請求項１または２に記載のプロセス装置。 - 【請求項４】 前記ガス精製配管の出口はバルブを介し
て前記プロセス室に接続されていることを特徴とする請
求項３に記載のプロセス装置。 - 【請求項５】 前記ガス精製配管は、バルブ、排気ポン
プを介して大気に解放される構造であることを特徴とす
る請求項４に記載のプロセス装置。 - 【請求項６】 前記ガス精製配管の管径は、１／４イン
チ〜１０インチであることを特徴とする請求項４または
５に記載のプロセス装置。 - 【請求項７】 前記ガス精製配管は、水分、二酸化炭
素、酸素、窒素の少なくとも１つを吸着することを特徴
とする請求項３〜６のいずれか１項に記載のプロセス装
置。 - 【請求項８】 前記ガス精製配管は、内面を電解研磨し
たステンレス鋼で構成されることを特徴とする請求項７
に記載のプロセス装置。 - 【請求項９】 前記ステンレス鋼内面の表面粗度は、
０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載
のプロセス装置。 - 【請求項１０】 前記ガス精製配管は、内部に吸着した
不純物ガスを脱着するための加熱手段を有することを特
徴とする請求項３〜９のいずれか１項に記載のプロセス
装置。 - 【請求項１１】 前記プロセス装置は、スパッタリング
装置またはイオンプレーティング装置であることを特徴
とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載のプロセス
装置。 - 【請求項１２】 前記プロセスガス中の不純物ガス濃度
は、３００ｐｐｂ以下であることを特徴とする請求項１
〜１１のいずれか１項に記載のプロセス装置。 - 【請求項１３】 前記プロセスガスの流量は、１リット
ル／ｍｉｎ以下であることを特徴とする請求項１〜１２
のいずれか１項に記載のプロセス装置。 - 【請求項１４】 ガス供給源から配管を介してプロセス
室に導入するプロセスガスの内少なくとも１種のガスの
配管の途中に、並列に配した複数の不純物ガス除去能力
を有するガス精製配管と、該ガス精製配管のいずれかに
プロセスガスを導入するための切り換えバルブとを設
け、該ガス精製配管のいずれかを通って該プロセス室に
プロセスガスが導入されるプロセス装置を用い、基板表
面に薄膜形成等の表面処理を行う表面処理方法におい
て、該複数のガス精製配管の内第１のガス精製配管で不
純物除去を行いながら該プロセス室にプロセスガスを導
入している間に、他のガス精製配管の内部に吸着した不
純物ガスを放出させ大気に排気して不純物除去能力を再
生しておき、所定の時間後に前記バルブを切り換えて該
他のガス精製配管を介してガスを該プロセス室に導き、
この間該第１のガス精製配管の内部に吸着した不純物を
大気に放出して再生処理を行うことによって、該プロセ
ス室に導入するプロセスガスの不純物除去を連続して行
いながら基板の表面処理を行うことを特徴とする表面処
理方法。 - 【請求項１５】 ガス供給源から配管を介してプロセス
室にプロセスガスを導入するためのガス供給配管系であ
って、該配管の途中に並列に配した複数の不純物ガス除
去能力を有するガス精製配管と、該ガス精製配管のいず
れかにプロセスガスを導入するための切り換えバルブと
を設けたことを特徴とするガス供給配管系。 - 【請求項１６】 前記ガス精製配管は、バルブを介して
大気に解放される構造であることを特徴とする請求項１
５に記載のガス供給配管系。 - 【請求項１７】 前記ガス精製配管は、水分、二酸化炭
素、酸素、窒素の内少なくとも１種又は２種以上を吸着
することを特徴とする請求項１５または１６に記載のガ
ス供給配管系。 - 【請求項１８】 前記ガス精製配管は、内面を電解研磨
したステンレス鋼で構成されることを特徴とする請求項
１７に記載のガス供給配管系。 - 【請求項１９】 前記ガス精製配管は、内部に吸着した
不純物ガスを脱着するための加熱手段を有することを特
徴とする請求項１５〜１８のいずれか１項に記載のガス
供給配管系。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33640192A JPH08277464A (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | プロセス装置及び表面処理方法並びにガス供給配管系 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33640192A JPH08277464A (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | プロセス装置及び表面処理方法並びにガス供給配管系 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08277464A true JPH08277464A (ja) | 1996-10-22 |
Family
ID=18298760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33640192A Pending JPH08277464A (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | プロセス装置及び表面処理方法並びにガス供給配管系 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08277464A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000332001A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Nippon Zeon Co Ltd | プラズマ反応用ガス及びその製造方法 |
| CN106328477A (zh) * | 2016-11-15 | 2017-01-11 | 英利能源（中国）有限公司 | 特气管路、pecvd设备及硅片镀膜调整方法 |
-
1992
- 1992-12-16 JP JP33640192A patent/JPH08277464A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000332001A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Nippon Zeon Co Ltd | プラズマ反応用ガス及びその製造方法 |
| CN106328477A (zh) * | 2016-11-15 | 2017-01-11 | 英利能源（中国）有限公司 | 特气管路、pecvd设备及硅片镀膜调整方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3891834B2 (ja) | ガス供給方法及び装置 | |
| US7368000B2 (en) | Treatment of effluent gases | |
| US7594955B2 (en) | Process for recovering rare gases using gas-recovering container | |
| JP2008525779A5 (ja) | ||
| JP2013056810A (ja) | オゾンガスの濃縮方法及びその装置 | |
| WO2003099714A1 (fr) | Procede et appareil de purification de gaz | |
| JPH08277464A (ja) | プロセス装置及び表面処理方法並びにガス供給配管系 | |
| JPH0827569A (ja) | プロセス装置及び表面処理方法並びにガス供給配管系 | |
| JP4430913B2 (ja) | ガス供給方法及び装置 | |
| JP3273641B2 (ja) | 水素ガス精製装置 | |
| JPH10165948A (ja) | 水中のヒ素除去装置 | |
| JPS624168B2 (ja) | ||
| JPH10146514A (ja) | 排ガス処理装置 | |
| JPH0812602A (ja) | トリフルオロメタンの精製法 | |
| US7943095B2 (en) | Purifier | |
| JPH0635650B2 (ja) | 超高純度ガス供給装置 | |
| JP2007022887A (ja) | 一酸化窒素精製方法 | |
| JP3208673B2 (ja) | ガス精製方法及び装置 | |
| RU2060795C1 (ru) | Способ очистки аргона от кислорода | |
| JP2006088001A (ja) | 揮発性有機ガス濃縮方法及び揮発性有機ガス濃縮装置 | |
| JP2968301B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH04161221A (ja) | ＮＯｘの吸着除去方法及びその装置 | |
| JPH0239928B2 (ja) | ||
| JP2003026415A (ja) | 一酸化炭素の精製方法 | |
| RU2077914C1 (ru) | Установка адсорбционно-десорбционной обработки воды |