JP2003120918A - 除害装置及び燃焼制御方法及びスクラバー処理制御方法 - Google Patents

除害装置及び燃焼制御方法及びスクラバー処理制御方法

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JP2003120918A
JP2003120918A JP2001315859A JP2001315859A JP2003120918A JP 2003120918 A JP2003120918 A JP 2003120918A JP 2001315859 A JP2001315859 A JP 2001315859A JP 2001315859 A JP2001315859 A JP 2001315859A JP 2003120918 A JP2003120918 A JP 2003120918A
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gas
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cooling
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Hideyuki Mitani
英之 三谷
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 除害効率を保ちつつ除害に用いる燃焼ガスま
たは処理水の消費を適切に削減する除害装置及び燃焼制
御方法及びスクラバー処理制御方法を提供する。 【解決手段】 燃焼筒11には除害対象の処理ガスの流
入口12が設けられている。燃焼筒11内部の燃焼分解
部13は高温の火炎を伴う。例えば、燃焼筒11へ繋が
る処理ガスの配管における途中で、処理ガスの流量を予
め測定する流量測定機構14を備えている。流量測定機
構14による制御信号は燃焼ガス供給制御機構15に伝
達される。燃焼ガス供給制御機構15は、処理ガスの流
量に最適な燃焼ガスの供給がなされるよう機能する。こ
の他、燃焼ガス供給制御機構15の制御は、ドライエア
ー、窒素ガスの供給制御に反映される。燃焼分解部13
を経たガスは処理済み排気部16へと繋がる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造に係
り、特に除害対象の排ガスの除害処理を行う除害装置及
び燃焼制御方法及びスクラバー処理制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造装置では、半導体素子の製造
工程で化学気相反応を利用して成膜するCVD(Chemic
al Vapor Deposition )装置のような、各種のガスを扱
う装置がある。このような半導体製造装置本体の製造チ
ャンバから化学気相反応を経て発生する排ガスは、有害
なものも含まれている。従って、上記排ガスは、有害な
状態を除くべく、排ガス処理機構、すなわち、燃焼処
理、スクラバー処理等で代表される除害装置を経る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】燃焼式の除害の場合、
燃焼分解部への処理ガスの流入量に関係なく常に一定の
燃焼ガスが供給され、処理が行われていた。また、処理
水の供給によるスクラバー処理の除害では、冷却分解部
への処理ガスの流入量に関係なく常に一定の処理水が供
給され、冷却、混合処理が行われていた。これにより、
燃焼ガスや処理水の無駄な消費が懸念される。
【0004】特に複数の装置からの排ガスが一箇所に集
まる除害処理にいたっては、常に最大量の燃焼ガス、あ
るいは処理水が供給されるようになっている。稼動状況
に合わない無駄な燃焼ガスや処理水を使用していること
もあり、除害に関する不適切な燃焼ガスまたは処理水の
消費は半導体製品の製造コストを高くし、問題である。
【0005】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、除害効率を保ちつつ除害に利用される燃焼
ガスまたは処理水の消費を適切に削減する除害装置及び
燃焼制御方法及びスクラバー処理制御方法を提供しよう
とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の[請求項1]に
係る除害装置は、除害対象の処理ガスの流入口と、少な
くとも前記処理ガスの量に応じて供給量が変化する燃焼
ガスによって燃焼を伴なう前記処理ガスの燃焼分解部
と、前記燃焼分解部を経た処理済み排気部と、を具備し
たことを特徴とする。
【0007】上記本発明に係る除害装置によれば、処理
ガスの量に応じて燃焼ガスの供給量が変化するように燃
焼分解が達成される。これにより、常に適切な燃焼ガス
の使用量にて除害がなされる。
【0008】本発明の[請求項2]に係る除害装置は、
除害対象の処理ガスの流入口と、少なくとも前記処理ガ
スとの混合処理状況に応じて供給量が変化する処理水を
伴なう前記処理ガスの冷却分解部と、前記冷却分解部の
処理水の循環系及び排出系と、前記冷却分解部を経た処
理済み排気部と、を具備したことを特徴とする。
【0009】上記本発明に係る除害装置によれば、処理
ガスとの適切な混合処理状況を保ちつつ処理水の使用を
節約する。また循環系にて処理水の再利用も図られる。
これにより、常に適切な処理水の使用量にて除害がなさ
れる。
【0010】本発明の[請求項3]に係る除害装置は、
除害対象の処理ガスの流入口と、少なくとも前記処理ガ
スの量に応じて供給量が変化する燃焼ガスによって燃焼
を伴なう前記処理ガスの燃焼分解部と、前記燃焼分解部
を経た燃焼排ガスの冷却処理部と、前記冷却処理部を経
た排ガスの流入口と、少なくとも前記排ガスとの混合処
理状況に応じて供給量が変化する処理水を伴なう前記排
ガスの冷却分解部と、前記冷却分解部の処理水の循環系
及び排出系と、前記冷却分解部を経た処理済み排気部
と、を具備したことを特徴とする。
【0011】上記本発明に係る除害装置によれば、燃焼
及びスクラバーの両方式を備えた除害処理について各除
害に必要な燃焼ガスの供給量、処理水の使用量が適量に
なるよう変化する。また循環系にて処理水の再利用も図
られる。なお、上記冷却処理部は前記処理水の供給を伴
ない、前記燃焼排ガスの温度に応じて処理水の供給量が
変化することを特徴とする。
【0012】本発明の[請求項5]に係る燃焼制御方法
は、除害対象の処理ガスを燃焼分解部に流入させ、供給
される燃焼ガスを伴って燃焼させる方法であって、少な
くとも前記処理ガスの流入量に応じて前記燃焼ガスの供
給量を制御することを特徴とする。
【0013】上記本発明に係る燃焼制御方法によれば、
処理ガスの流入量は各半導体製造装置それぞれで排出さ
れる除害対象の処理ガスを総合したものであり、各半導
体製造装置それぞれの処理ガスの流量で換算してもよ
い。
【0014】本発明の[請求項6]に係るスクラバー処
理制御方法は、除害対象の処理ガスを冷却分解部に流入
させ、供給される処理水を伴ってスクラバー処理する方
法であって、少なくとも残溜する前記処理水の温度また
は不純物濃度に応じて前記処理水の供給量を制御するこ
とを特徴とする。
【0015】上記本発明に係るスクラバー処理制御方法
によれば、処理ガスの流入量の変化、あるいは処理ガス
の流入の時間が嵩むに従って、処理水の能力は落ちる。
処理水の能力を維持しながら処理水の温度または不純物
濃度に応じて処理水の供給量を制御する。
【0016】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の第1実施形態に
係る除害装置の構成を示す概観図である。燃焼筒11に
は除害対象の処理ガスの流入口12が設けられている。
処理ガスは、半導体製造装置(CVD装置、エッチング
装置等)本体処理室から排気される例えばSiH4、C
4、C26、NF3等、除害を必要とする物質が含まれ
るガスである。なお、このような除害を必要とするガス
は、処理室で使用されるガスに応じて多種多様に生成さ
れるため、上記ガスに限定されるものではない。
【0017】燃焼筒11内部の燃焼分解部13は高温の
火炎を伴う。この実施形態では、処理ガスの量に応じて
燃焼ガスの供給量が変化する。例えば、燃焼筒11へ繋
がる処理ガスの配管における途中で、処理ガスの流量を
予め測定する流量測定機構14を備えている。流量測定
機構14による制御信号は燃焼ガス供給制御機構15に
伝達される。
【0018】燃焼ガス供給制御機構15は、処理ガスの
流量に最適な燃焼ガスの供給がなされるよう機能する。
燃焼ガス供給制御機構15は例えばマスフローコントロ
ールバルブによる制御を含む。この他、燃焼ガス供給制
御機構15の制御は、ドライエアー、窒素ガスの供給制
御に反映されるようにしてもよい。燃焼分解部13を経
たガスは処理済み排気部16へと繋がる。
【0019】上記実施形態の除害装置によれば、処理ガ
スの量に応じて燃焼ガスの供給量が変化するように燃焼
分解が達成される。これにより、常に適切な燃焼ガスの
使用量にて除害がなされる。従来に比べて燃焼ガスの使
用量は削減されつつ処理ガスの良好な除害効率が維持で
きる。
【0020】図2は、本発明の第2実施形態に係る除害
装置の構成を示す概観図である。スクラバー処理による
除害装置であり、処理槽21には除害対象の処理ガスの
流入口22が設けられている。処理ガスは、半導体製造
装置(CVD装置、エッチング装置等)本体処理室から
排気される例えばSiH4、CF4、C26、NF3等、
除害を必要とする物質が含まれるガスである。なお、こ
のような除害を必要とするガスは、処理室で使用される
ガスに応じて多種多様に生成されるため、上記ガスに限
定されるものではない。
【0021】処理槽21内部の冷却分解部23は処理水
のシャワー供給を伴う。処理水は工業用水または中和剤
(カセイソーダ、アンモニア水等)である。さらに、処
理水の供給に関し、フィルターF1、ポンプP1を含む
処理水循環機構24を備えている。処理水は処理槽21
内の処理ガスと混合処理され、底部に残溜する。残溜水
の上層部の排出がなされるようになっている。
【0022】この実施形態では、上記処理水と処理ガス
との混合状況に応じて処理水の供給量が変化する。例え
ば、処理槽21内の冷却分解部23で残溜する処理水の
温度または不純物濃度に応じて処理水の供給量を制御す
る。処理水の温度を測定する温度センサ、または処理水
の不純物濃度をモニタする濃度センサ等、センサ系25
を備え、センサ系25による制御信号は処理水供給制御
機構26に伝達される。
【0023】処理水供給制御機構26は、処理ガスとの
混合処理状況に最適な処理水の供給がなされるよう機能
する。処理水供給制御機構26は例えば制御バルブによ
るバルブ開閉制御を含む。処理水供給制御機構26は処
理水循環機構24と合流して冷却分解部23における処
理水のシャワー供給を制御する。冷却分解部23を経た
ガスは処理済み排気部27へと繋がる。
【0024】上記実施形態の除害装置によれば、センサ
系25に応じた処理水供給制御機構26の動作で処理水
の供給が制御される。これにより、処理槽21内の冷却
分解部23で残溜する処理水と処理ガスとの適切な混合
処理状況を保ちつつ処理水の使用を節約する。また処理
水循環機構24にて処理水の再利用も図られる。これに
より、常に適切な処理水の使用量にて除害がなされる。
【0025】図3は、本発明の第3実施形態に係る除害
装置の構成を示す概観図である。燃焼及びスクラバーの
両方式を備えた除害装置である。燃焼室31には除害対
象の処理ガスの流入口32が設けられている。燃焼室3
1内部の燃焼分解部33は、例えば燃焼ガスが供給され
る多孔質セラミックになどで囲まれる高温の燃焼経路を
伴う。処理ガスの量に応じて燃焼ガスの供給量が変化す
る。
【0026】例えば、燃焼室31へ繋がる処理ガスの配
管における途中で、処理ガスの流量を予め測定する流量
測定機構34を備えている。流量測定機構34による制
御信号は燃焼ガス供給制御機構35に伝達される。
【0027】燃焼ガス供給制御機構35は、処理ガスの
流量に最適な燃焼ガスの供給がなされるよう機能する。
燃焼ガス供給制御機構35は例えばマスフローコントロ
ールバルブによる制御を含む。この他、燃焼ガス供給制
御機構35の制御は、ドライエアー、窒素ガス等の供給
制御に反映される。燃焼分解部33を経た燃焼排ガスは
処理水の供給による冷却処理部36で冷却される。
【0028】冷却処理部36を経ると、この排ガスの流
入口37があり、この流入口37を通った排ガスはスク
ラバー処理に移行する。処理槽38内部の冷却分解部3
9は処理水(工業用水または中和剤(カセイソーダ、ア
ンモニア水等))のシャワー供給を伴い、残溜した排ガ
スと処理水の混合処理状況に応じて処理水の供給量が調
整できるようになっている。
【0029】また、処理水の供給に関し、フィルターF
2、ポンプP2を含む処理水循環機構40を備えてい
る。処理水は処理槽38内の処理ガスと混合処理され、
底部における残溜水の上層部の排出がなされるようにな
っている。
【0030】上記処理水と処理ガスとの混合状況に応じ
て処理水の供給量が変化する。例えば、処理槽38内の
冷却分解部39で残溜する処理水の温度または不純物濃
度に応じて処理水の供給量を制御する。処理水の温度を
測定する温度センサ、または処理水の不純物濃度をモニ
タする濃度センサ等、センサ系41を備え、センサ系4
1による制御信号は処理水供給制御機構42に伝達され
る。
【0031】処理水供給制御機構42は、処理ガスとの
混合処理状況に最適な処理水の供給がなされるよう機能
する。処理水供給制御機構42は例えば制御バルブによ
るバルブ開閉制御を含む。処理水供給制御機構42は処
理水循環機構40と合流して冷却分解部39における処
理水のシャワー供給を制御する。冷却分解部39を経た
ガスは処理済み排気部43へと繋がる。
【0032】上記実施形態の除害装置によれば、燃焼及
びスクラバーの両方式を備えた除害処理について各除害
に必要な燃焼ガスの供給量、処理水の使用量が適量にな
るよう変化する。また循環系にて処理水の再利用も図ら
れる。なお、上記冷却処理部は前記処理水の供給を伴な
い、前記燃焼排ガスの温度に応じて処理水の供給量が変
化する。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、処
理ガスの量に応じて燃焼ガスの供給量が変化するように
燃焼分解が達成される。また、処理槽内の冷却分解部で
残溜する処理水と処理ガスとの適切な混合処理状況を保
ちつつ処理水が供給され、かつ処理水の再利用も図られ
る。これにより、処理水の使用を節約することができ
る。この結果、除害効率を保ちつつ除害に利用される燃
焼ガスまたは処理水の消費を適切に削減する除害装置及
び燃焼制御方法及びスクラバー処理制御方法を提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施形態に係る除害装置の構成
を示す概観図である。
【図2】 本発明の第2実施形態に係る除害装置の構成
を示す概観図である。
【図3】 本発明の第3実施形態に係る除害装置の構成
を示す概観図である。
【符号の説明】
11…燃焼筒 12,22,32…処理ガスの流入口 13…燃焼分解部 14,34…流量測定機構 15,35…燃焼ガス供給制御機構 16,27,43…処理済み排気部 21,38…処理槽 23,39…冷却分解部 24,40…処理水循環機構 25,41…センサ系 26,42…処理水供給制御機構 31…燃焼室 33…燃焼経路 36…冷却処理部 37…排ガスの流入口 F1,F2…フィルタ P1,P2…ポンプ
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B01D 53/70 F23J 15/00 D 53/77 B01D 53/34 134C F23J 15/04 Fターム(参考) 3K070 DA01 DA37 DA57 3K078 BA20 BA21 CA01 CA08 4D002 AA22 AA26 AC10 BA02 BA05 CA01 DA02 DA07 DA12 DA35 EA02 GA02 GA03 GB02 GB03 GB06 HA01 4D020 AA10 BA01 BA23 BA30 BB03 CB25 DA01 DA02 DB02 DB03 DB05

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 除害対象の処理ガスの流入口と、 少なくとも前記処理ガスの量に応じて供給量が変化する
    燃焼ガスによって燃焼を伴なう前記処理ガスの燃焼分解
    部と、 前記燃焼分解部を経た処理済み排気部と、を具備したこ
    とを特徴とする除害装置。
  2. 【請求項2】 除害対象の処理ガスの流入口と、 少なくとも前記処理ガスとの混合処理状況に応じて供給
    量が変化する処理水を伴なう前記処理ガスの冷却分解部
    と、 前記冷却分解部の処理水の循環系及び排出系と、 前記冷却分解部を経た処理済み排気部と、を具備したこ
    とを特徴とする除害装置。
  3. 【請求項3】 除害対象の処理ガスの流入口と、 少なくとも前記処理ガスの量に応じて供給量が変化する
    燃焼ガスによって燃焼を伴なう前記処理ガスの燃焼分解
    部と、 前記燃焼分解部を経た燃焼排ガスの冷却処理部と、 前記冷却処理部を経た排ガスの流入口と、 少なくとも前記排ガスとの混合処理状況に応じて供給量
    が変化する処理水を伴なう前記排ガスの冷却分解部と、 前記冷却分解部の処理水の循環系及び排出系と、 前記冷却分解部を経た処理済み排気部と、を具備したこ
    とを特徴とする除害装置。
  4. 【請求項4】 前記冷却処理部は前記処理水の供給を伴
    ない、前記燃焼排ガスの温度に応じて処理水の供給量が
    変化することを特徴とする請求項3記載の除害装置。
  5. 【請求項5】 除害対象の処理ガスを燃焼分解部に流入
    させ、供給される燃焼ガスを伴って燃焼させる方法であ
    って、 少なくとも前記処理ガスの流入量に応じて前記燃焼ガス
    の供給量を制御することを特徴とする燃焼制御方法。
  6. 【請求項6】 除害対象の処理ガスを冷却分解部に流入
    させ、供給される処理水を伴ってスクラバー処理する方
    法であって、 少なくとも残溜する前記処理水の温度または不純物濃度
    に応じて前記処理水の供給量を制御することを特徴とす
    るスクラバー処理制御方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006314906A (ja) * 2005-05-12 2006-11-24 Hitachi Ltd 排ガス処理剤供給システム及び供給方法
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