JP2004095643A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004095643A JP2004095643A JP2002251296A JP2002251296A JP2004095643A JP 2004095643 A JP2004095643 A JP 2004095643A JP 2002251296 A JP2002251296 A JP 2002251296A JP 2002251296 A JP2002251296 A JP 2002251296A JP 2004095643 A JP2004095643 A JP 2004095643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- manufacturing
- gas
- detoxifying
- abatement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】除害装置の設置箇所を最小限にしつつ、除害効率を維持する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置本体１０は、例えば枚葉式エッチング装置の処理室１１１〜１１３を含み、各種ガス（ＧＡＳ）が投入される。ガス排気経路１２１〜１２３は最終的に一つの排ガス経路１３にまとめられ、一つの除害装置１４に繋がる。これにより、各処理室からの未反応及び反応後の排ガスはまとめて除害装置１４において除害処理される。除害装置１４は、主に燃焼及びスクラバーの両除害機構を有することが望ましい。また、このような除害の際、前段で除害対象のガスにする触媒吸着または化学吸着を経るようにしてもよい。
【選択図】 図１
【解決手段】半導体製造装置本体１０は、例えば枚葉式エッチング装置の処理室１１１〜１１３を含み、各種ガス（ＧＡＳ）が投入される。ガス排気経路１２１〜１２３は最終的に一つの排ガス経路１３にまとめられ、一つの除害装置１４に繋がる。これにより、各処理室からの未反応及び反応後の排ガスはまとめて除害装置１４において除害処理される。除害装置１４は、主に燃焼及びスクラバーの両除害機構を有することが望ましい。また、このような除害の際、前段で除害対象のガスにする触媒吸着または化学吸着を経るようにしてもよい。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に半導体装置を製造する際に発生する排ガスの除害処理を伴なう半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造装置では、半導体素子の製造工程で化学気相反応を利用して成膜するＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）装置、反応性イオンエッチング装置などのような、各種のガスを扱う装置がある。
【０００３】
このような半導体製造装置本体の製造チャンバから化学気相反応を経て発生する排ガスは、有害なＰＦＣガス（地球温暖化ガス）も含まれている。従って、上記排ガスは、有害な状態を除くべく、スクラバー、除害装置といった排ガス処理機構を経る。
【０００４】
図４は、従来の半導体装置の製造方法に関する一例を示す概観図である。例えば各種ガスが投入される枚葉式エッチング装置の処理室５１１〜５１３が示されている。ガス排気経路５２１〜５２３は、処理室内における未反応及び反応後の排ガスを流す。各排気経路５２１〜５２３はそれぞれの除害装置５３１〜５３３に導かれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記エッチング装置の処理室５１〜５３に見られるように半導体製造装置の排ガスの除害はそれぞれの処理室に対する除害装置５３１〜５３３が設けられる。このような構成では、工場内での除害装置が占有する領域（フットプリント）が増加し、除害装置の設置箇所の確保に困難性が生じる。
【０００６】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたもので、除害装置の設置箇所を最小限にしつつ、除害効率を維持する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の［請求項１］に係る半導体装置の製造方法は、
半導体装置製造のための排ガスに関し、
少なくとも枚葉式の各処理室からの排ガスを最終的に一つの排ガス系統にまとめられた除害装置に導入することを特徴としている。
【０００８】
本発明の［請求項２］に係る半導体装置の製造方法は、
半導体装置製造のための排ガスに関し、
少なくとも枚葉式のエッチング装置各処理室からの排ガスを最終的に一つの排ガス系統にまとめられた除害装置に導入することを特徴としている。
【０００９】
上記本発明の各［請求項１］、［請求項２］に係る半導体装置の製造方法によれば、複数処理室からの排ガスをまとめて除害する除害装置を最小限の占有領域でもって設置することができる。除害装置設置の簡素化、工場内の有効利用が期待できる。
【００１０】
本発明の［請求項３］に係る半導体装置の製造方法は、前記［請求項１］または［請求項２］に従属し、
前記除害装置は、除害対象のガスに対して燃焼及びスクラバーの除害機構を有することを特徴とする。これにより、除害効率の向上が期待できる。
【００１１】
さらに、本発明の［請求項４］に係る半導体装置の製造方法は、前記［請求項１］〜［請求項３］いずれかに従属し、
前記除害装置は、除害対象のガスにする触媒吸着または化学吸着を経ることを特徴とする。これにより、さらなる除害効率の向上が期待できる。
【００１２】
本発明の［請求項５］に係る半導体装置は、前記［請求項１］〜［請求項４］いずれかの半導体装置の製造方法を用いて製造されることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を示す概観図である。半導体製造装置本体１０は、例えば枚葉式エッチング装置の処理室１１１〜１１３を含み、各種ガス系（ＧＡＳ）が投入される。ガス排気経路１２１〜１２３は最終的に一つの排ガス経路１３にまとめられ、一つの除害装置１４に繋がる。これにより、各処理室からの未反応及び反応後の排ガスはまとめて除害装置１４において除害処理される。
【００１４】
上記実施形態の方法によれば、排ガスはまとめられ、除害装置１４にて除外される。これにより、除害装置を最小限の占有領域でもって設置することができ、除害装置設置の簡素化、工場内の有効利用が期待できる。除害装置１４は、主に燃焼及びスクラバーの両除害機構を有することが望ましい（図３）。また、このような除害の際、除害効率の向上のため、前段で除害対象のガスにする触媒吸着または化学吸着を経るようにしてもよい。
【００１５】
図２は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を示す概観図である。例えばそれぞれ別々の枚葉式エッチング装置２０１〜２０３のガス排気経路２２１〜２２３は、最終的に一つの排ガス経路２３にまとめられ、一つの除害装置２４に繋がる。これにより、各処理からの未反応及び反応後の排ガスはまとめて除害装置２４において除害処理される。
【００１６】
上記実施形態の方法においても、第１実施形態と同様に除害装置を最小限の占有領域でもって設置することができ、除害装置設置の簡素化、工場内の有効利用が期待できる。除害装置２４は、主に燃焼及びスクラバーの両除害機構を有することが望ましい（図３）。このような除害の際、前段で除害対象のガスにする触媒吸着または化学吸着を経るようにしてもよい。
【００１７】
図３は、燃焼及びスクラバーの両除害機構を有する除害装置の一例を示す概略図である。燃焼室３１には除害対象の処理ガスの流入口３２が設けられている。処理ガスは、半導体製造装置（ＣＶＤ装置、エッチング装置等）本体処理室から排気される例えばＳｉＨ４、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＮＦ３等、除害を必要とする物質が含まれるガスである。なお、このような除害を必要とするガスは、処理室で使用されるガスに応じて多種多様に生成されるため、上記ガスに限定されるものではない。
【００１８】
燃焼室３１内部の燃焼分解部３３は、例えば燃焼ガスが供給される多孔質セラミック部材３４などで囲まれる高温の燃焼経路を伴う。燃焼ガス供給制御機構３５は、処理ガスに応じて燃焼ガスの供給量を制御する。この他、燃焼ガス供給制御機構３５の制御は、図示しないドライエアー、窒素ガス等の供給制御に反映される。燃焼分解部３３を経た燃焼排ガスは処理水の供給による冷却処理部３６で冷却される。
【００１９】
冷却処理部３６を経ると、この排ガスの流入口３７があり、この流入口３７を通った排ガスはスクラバー処理に移行する。処理槽３８内部の冷却分解部３９は処理水（工業用水または中和剤（カセイソーダ、アンモニア水等））のシャワー供給を伴い、残溜した排ガスと処理水の混合処理状況に応じて処理水の供給量が調整できるようになっている。
【００２０】
また、処理水の供給に関し、フィルターＦ、ポンプＰを含む処理水循環機構４０を備えている。処理水は処理槽３８内の処理ガスと混合処理され、底部における残溜水は上層部での供給循環がなされるようになっている。
【００２１】
上記処理水と処理ガスとの混合状況に応じて処理水の供給量が変化する。例えば、処理槽３８内の冷却分解部３９で残溜する処理水の温度または不純物濃度に応じて処理水の供給量を制御する。処理水の温度を測定する温度センサ、または処理水の不純物濃度をモニタする濃度センサ等、センサ系４１を備え、センサ系４１による制御信号は処理水供給制御機構４２に伝達される。
【００２２】
処理水供給制御機構４２は、処理ガスとの混合処理状況に最適な処理水の供給がなされるよう機能する。処理水供給制御機構４２は例えば制御バルブによるバルブ開閉制御を含む。処理水供給制御機構４２は処理水循環機構４０と合流して冷却分解部３９における処理水のシャワー供給を制御する。冷却分解部３９を経たガスは処理済み排気部４３へと繋がる。
【００２３】
上記各実施形態の方法によれば、除害装置を最小限の占有領域でもって設置することができ、除害装置設置の簡素化、工場内の有効利用が期待できる。これにより、効率良く半導体装置が製造できる。なお、除害装置の構成例は図３に示したがこれに限らず、主に燃焼及びスクラバーの両除害機構を有する機構であれば、どのような構成であってもよい。その他の除害機構として、除害対象のガスに対してＯ２ガスの供給を伴うプラズマ処理機構を有する除害機構を利用することも考えられる。
【００２４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、複数処理室からの排ガスをまとめて除害する除害装置を最小限の占有領域でもって設置することができ、除害装置設置の簡素化、工場内の有効利用が期待できる。この結果、除害装置の設置箇所を最小限にしつつ、除害効率を維持する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を示す概観図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を示す概観図である。
【図３】燃焼及びスクラバーの両除害機構を有する除害装置の一例を示す概略図である。
【図４】従来の半導体装置の製造方法に関する一例を示す概観図である。
【符号の説明】
１０，３０１，３０２…半導体製造装置本体
１１１〜１１３，５１１〜５１３…処理室
１２１〜１２３，２２１〜２２３，３１１，３１２，５２１〜５２３…ガス排気経路
１３，２３…排ガス経路
１４，２４，３４，５３１〜５３３…除害装置
２０１〜２０３…枚葉式エッチング装置
３１…燃焼室
３２…処理ガスの流入口
３３…燃焼分解部
３４…多孔質セラミック部材
３５…燃焼ガス供給制御機構
３６…冷却処理部
３７…排ガスの流入口
３８…処理槽
３９…冷却分解部
４０…処理水循環機構
４１…センサ系
４２…処理水供給制御機構
４３…排気部
Ｆ…フィルタ
Ｐ…ポンプ
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に半導体装置を製造する際に発生する排ガスの除害処理を伴なう半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造装置では、半導体素子の製造工程で化学気相反応を利用して成膜するＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）装置、反応性イオンエッチング装置などのような、各種のガスを扱う装置がある。
【０００３】
このような半導体製造装置本体の製造チャンバから化学気相反応を経て発生する排ガスは、有害なＰＦＣガス（地球温暖化ガス）も含まれている。従って、上記排ガスは、有害な状態を除くべく、スクラバー、除害装置といった排ガス処理機構を経る。
【０００４】
図４は、従来の半導体装置の製造方法に関する一例を示す概観図である。例えば各種ガスが投入される枚葉式エッチング装置の処理室５１１〜５１３が示されている。ガス排気経路５２１〜５２３は、処理室内における未反応及び反応後の排ガスを流す。各排気経路５２１〜５２３はそれぞれの除害装置５３１〜５３３に導かれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記エッチング装置の処理室５１〜５３に見られるように半導体製造装置の排ガスの除害はそれぞれの処理室に対する除害装置５３１〜５３３が設けられる。このような構成では、工場内での除害装置が占有する領域（フットプリント）が増加し、除害装置の設置箇所の確保に困難性が生じる。
【０００６】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたもので、除害装置の設置箇所を最小限にしつつ、除害効率を維持する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の［請求項１］に係る半導体装置の製造方法は、
半導体装置製造のための排ガスに関し、
少なくとも枚葉式の各処理室からの排ガスを最終的に一つの排ガス系統にまとめられた除害装置に導入することを特徴としている。
【０００８】
本発明の［請求項２］に係る半導体装置の製造方法は、
半導体装置製造のための排ガスに関し、
少なくとも枚葉式のエッチング装置各処理室からの排ガスを最終的に一つの排ガス系統にまとめられた除害装置に導入することを特徴としている。
【０００９】
上記本発明の各［請求項１］、［請求項２］に係る半導体装置の製造方法によれば、複数処理室からの排ガスをまとめて除害する除害装置を最小限の占有領域でもって設置することができる。除害装置設置の簡素化、工場内の有効利用が期待できる。
【００１０】
本発明の［請求項３］に係る半導体装置の製造方法は、前記［請求項１］または［請求項２］に従属し、
前記除害装置は、除害対象のガスに対して燃焼及びスクラバーの除害機構を有することを特徴とする。これにより、除害効率の向上が期待できる。
【００１１】
さらに、本発明の［請求項４］に係る半導体装置の製造方法は、前記［請求項１］〜［請求項３］いずれかに従属し、
前記除害装置は、除害対象のガスにする触媒吸着または化学吸着を経ることを特徴とする。これにより、さらなる除害効率の向上が期待できる。
【００１２】
本発明の［請求項５］に係る半導体装置は、前記［請求項１］〜［請求項４］いずれかの半導体装置の製造方法を用いて製造されることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を示す概観図である。半導体製造装置本体１０は、例えば枚葉式エッチング装置の処理室１１１〜１１３を含み、各種ガス系（ＧＡＳ）が投入される。ガス排気経路１２１〜１２３は最終的に一つの排ガス経路１３にまとめられ、一つの除害装置１４に繋がる。これにより、各処理室からの未反応及び反応後の排ガスはまとめて除害装置１４において除害処理される。
【００１４】
上記実施形態の方法によれば、排ガスはまとめられ、除害装置１４にて除外される。これにより、除害装置を最小限の占有領域でもって設置することができ、除害装置設置の簡素化、工場内の有効利用が期待できる。除害装置１４は、主に燃焼及びスクラバーの両除害機構を有することが望ましい（図３）。また、このような除害の際、除害効率の向上のため、前段で除害対象のガスにする触媒吸着または化学吸着を経るようにしてもよい。
【００１５】
図２は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を示す概観図である。例えばそれぞれ別々の枚葉式エッチング装置２０１〜２０３のガス排気経路２２１〜２２３は、最終的に一つの排ガス経路２３にまとめられ、一つの除害装置２４に繋がる。これにより、各処理からの未反応及び反応後の排ガスはまとめて除害装置２４において除害処理される。
【００１６】
上記実施形態の方法においても、第１実施形態と同様に除害装置を最小限の占有領域でもって設置することができ、除害装置設置の簡素化、工場内の有効利用が期待できる。除害装置２４は、主に燃焼及びスクラバーの両除害機構を有することが望ましい（図３）。このような除害の際、前段で除害対象のガスにする触媒吸着または化学吸着を経るようにしてもよい。
【００１７】
図３は、燃焼及びスクラバーの両除害機構を有する除害装置の一例を示す概略図である。燃焼室３１には除害対象の処理ガスの流入口３２が設けられている。処理ガスは、半導体製造装置（ＣＶＤ装置、エッチング装置等）本体処理室から排気される例えばＳｉＨ４、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＮＦ３等、除害を必要とする物質が含まれるガスである。なお、このような除害を必要とするガスは、処理室で使用されるガスに応じて多種多様に生成されるため、上記ガスに限定されるものではない。
【００１８】
燃焼室３１内部の燃焼分解部３３は、例えば燃焼ガスが供給される多孔質セラミック部材３４などで囲まれる高温の燃焼経路を伴う。燃焼ガス供給制御機構３５は、処理ガスに応じて燃焼ガスの供給量を制御する。この他、燃焼ガス供給制御機構３５の制御は、図示しないドライエアー、窒素ガス等の供給制御に反映される。燃焼分解部３３を経た燃焼排ガスは処理水の供給による冷却処理部３６で冷却される。
【００１９】
冷却処理部３６を経ると、この排ガスの流入口３７があり、この流入口３７を通った排ガスはスクラバー処理に移行する。処理槽３８内部の冷却分解部３９は処理水（工業用水または中和剤（カセイソーダ、アンモニア水等））のシャワー供給を伴い、残溜した排ガスと処理水の混合処理状況に応じて処理水の供給量が調整できるようになっている。
【００２０】
また、処理水の供給に関し、フィルターＦ、ポンプＰを含む処理水循環機構４０を備えている。処理水は処理槽３８内の処理ガスと混合処理され、底部における残溜水は上層部での供給循環がなされるようになっている。
【００２１】
上記処理水と処理ガスとの混合状況に応じて処理水の供給量が変化する。例えば、処理槽３８内の冷却分解部３９で残溜する処理水の温度または不純物濃度に応じて処理水の供給量を制御する。処理水の温度を測定する温度センサ、または処理水の不純物濃度をモニタする濃度センサ等、センサ系４１を備え、センサ系４１による制御信号は処理水供給制御機構４２に伝達される。
【００２２】
処理水供給制御機構４２は、処理ガスとの混合処理状況に最適な処理水の供給がなされるよう機能する。処理水供給制御機構４２は例えば制御バルブによるバルブ開閉制御を含む。処理水供給制御機構４２は処理水循環機構４０と合流して冷却分解部３９における処理水のシャワー供給を制御する。冷却分解部３９を経たガスは処理済み排気部４３へと繋がる。
【００２３】
上記各実施形態の方法によれば、除害装置を最小限の占有領域でもって設置することができ、除害装置設置の簡素化、工場内の有効利用が期待できる。これにより、効率良く半導体装置が製造できる。なお、除害装置の構成例は図３に示したがこれに限らず、主に燃焼及びスクラバーの両除害機構を有する機構であれば、どのような構成であってもよい。その他の除害機構として、除害対象のガスに対してＯ２ガスの供給を伴うプラズマ処理機構を有する除害機構を利用することも考えられる。
【００２４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、複数処理室からの排ガスをまとめて除害する除害装置を最小限の占有領域でもって設置することができ、除害装置設置の簡素化、工場内の有効利用が期待できる。この結果、除害装置の設置箇所を最小限にしつつ、除害効率を維持する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を示す概観図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を示す概観図である。
【図３】燃焼及びスクラバーの両除害機構を有する除害装置の一例を示す概略図である。
【図４】従来の半導体装置の製造方法に関する一例を示す概観図である。
【符号の説明】
１０，３０１，３０２…半導体製造装置本体
１１１〜１１３，５１１〜５１３…処理室
１２１〜１２３，２２１〜２２３，３１１，３１２，５２１〜５２３…ガス排気経路
１３，２３…排ガス経路
１４，２４，３４，５３１〜５３３…除害装置
２０１〜２０３…枚葉式エッチング装置
３１…燃焼室
３２…処理ガスの流入口
３３…燃焼分解部
３４…多孔質セラミック部材
３５…燃焼ガス供給制御機構
３６…冷却処理部
３７…排ガスの流入口
３８…処理槽
３９…冷却分解部
４０…処理水循環機構
４１…センサ系
４２…処理水供給制御機構
４３…排気部
Ｆ…フィルタ
Ｐ…ポンプ
Claims (5)
- 半導体装置製造のための排ガスに関し、
少なくとも枚葉式の各装置における処理室からの排ガスを最終的に一つの排ガス系統にまとめられた除害装置に導入することを特徴とした半導体装置の製造方法。 - 半導体装置製造のための排ガスに関し、
少なくとも枚葉式のエッチング装置各処理室からの排ガスを最終的に一つの排ガス系統にまとめられた除害装置に導入することを特徴とした半導体装置の製造方法。 - 前記除害装置は、除害対象のガスに対して燃焼及びスクラバーの除害機構を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記除害装置は、除害対象のガスにする触媒吸着または化学吸着を経ることを特徴とする請求項１〜３いずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記［請求項１］〜［請求項４］いずれかの半導体装置の製造方法を用いて製造されることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002251296A JP2004095643A (ja) | 2002-08-29 | 2002-08-29 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002251296A JP2004095643A (ja) | 2002-08-29 | 2002-08-29 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004095643A true JP2004095643A (ja) | 2004-03-25 |
Family
ID=32057917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002251296A Withdrawn JP2004095643A (ja) | 2002-08-29 | 2002-08-29 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004095643A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005296732A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Tousetsu:Kk | 除害装置 |
| JP2006253629A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-09-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置，基板処理装置の制御方法，プログラム |
| CN100397569C (zh) * | 2005-02-08 | 2008-06-25 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、基板处理装置的控制方法 |
| US8859046B2 (en) | 2005-02-08 | 2014-10-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, control method adopted in substrate processing apparatus and program |
-
2002
- 2002-08-29 JP JP2002251296A patent/JP2004095643A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005296732A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Tousetsu:Kk | 除害装置 |
| JP4550466B2 (ja) * | 2004-04-07 | 2010-09-22 | 株式会社東設 | 除害装置 |
| JP2006253629A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-09-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置，基板処理装置の制御方法，プログラム |
| CN100397569C (zh) * | 2005-02-08 | 2008-06-25 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、基板处理装置的控制方法 |
| US8859046B2 (en) | 2005-02-08 | 2014-10-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, control method adopted in substrate processing apparatus and program |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1450936B1 (en) | Method and apparatus for treating exhaust gas comprising a fluorine compound and carbon monoxide | |
| KR102351585B1 (ko) | 플라즈마 포어라인 열 반응기 시스템 | |
| US7976807B2 (en) | Method for detoxifying HCD gas and apparatus therefor | |
| JP2006170603A (ja) | 廃ガス処理装置 | |
| KR19990045278A (ko) | 과불화물의 처리 방법 및 그 처리 장치 | |
| EP1568949A1 (en) | Gas heating method and gas heating device | |
| JP4350081B2 (ja) | 排ガスの処理方法および装置 | |
| US6800255B2 (en) | System and method for the abatement of toxic constituents of effluent gases | |
| KR101097240B1 (ko) | 배기 가스 처리 방법 및 장치 | |
| JP2004095643A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| JPH11168067A (ja) | 半導体製造排ガスの除害装置及び除害方法 | |
| KR20190010979A (ko) | 반도체 드라이 스크러버 시스템 | |
| JP5368003B2 (ja) | 濾過式集塵機およびそれを用いた排ガス除害装置 | |
| JP3215074B2 (ja) | 半導体製造排ガスの除害方法と除害装置 | |
| JP4629967B2 (ja) | Ｎ２ｏ含有排ガスの処理方法およびその装置 | |
| JP3242875B2 (ja) | 排ガス除害装置及び排ガスの除害方法 | |
| JP2003120918A (ja) | 除害装置及び燃焼制御方法及びスクラバー処理制御方法 | |
| KR100545696B1 (ko) | 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치 | |
| JP2004349442A (ja) | 排ガスの除害方法及び排ガスの除害装置 | |
| JP2009154091A (ja) | 排ガス処理装置および排ガス処理方法、ならびに薄膜形成装置 | |
| KR100664805B1 (ko) | 가스 스크러버의 폐가스 처리장치 및 방법 | |
| JP4342427B2 (ja) | 半導体製造装置の排ガス除害装置 | |
| JP3272986B2 (ja) | 半導体製造排ガスの除害装置 | |
| US11590445B2 (en) | Apparatus for treating waste gas of electronics industry | |
| JP3776576B2 (ja) | 半導体製造排ガスの除害装置及び除害方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20051101 |