JP2003224076A - 半導体製造装置の排ガス処理方法 - Google Patents
半導体製造装置の排ガス処理方法Info
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- JP2003224076A JP2003224076A JP2002021733A JP2002021733A JP2003224076A JP 2003224076 A JP2003224076 A JP 2003224076A JP 2002021733 A JP2002021733 A JP 2002021733A JP 2002021733 A JP2002021733 A JP 2002021733A JP 2003224076 A JP2003224076 A JP 2003224076A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置
における処理チャンバー内のクリーニングまたエッチン
グ処理に使用される多フッ化化合物ガスに対し安価で容
易な除害ができるように半導体製造装置の排ガス処理方
法を提供する。 【解決手段】高品質の成膜のために処理チャンバー１０
内は定期的なプラズマクリーニング処理が行われる。そ
の際クリーニングガスとしてはＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ4Ｆ8
等の多フッ化化合物ガスにＯ（酸素）を組み込んだもの
を用いる。例えばＯ2ガスを添加し、Ｃ4Ｆ8Ｏガスとす
る。プラズマクリーニングにおいて、プラズマにより分
解されたフッ素ラジカルは、Ｃ（炭素）と結合する前に
予め組み込んだＯ（酸素）と結合する。これにより、処
理チャンバー外へＰＦＣガスのままで排出されないよう
にする。
における処理チャンバー内のクリーニングまたエッチン
グ処理に使用される多フッ化化合物ガスに対し安価で容
易な除害ができるように半導体製造装置の排ガス処理方
法を提供する。 【解決手段】高品質の成膜のために処理チャンバー１０
内は定期的なプラズマクリーニング処理が行われる。そ
の際クリーニングガスとしてはＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ4Ｆ8
等の多フッ化化合物ガスにＯ（酸素）を組み込んだもの
を用いる。例えばＯ2ガスを添加し、Ｃ4Ｆ8Ｏガスとす
る。プラズマクリーニングにおいて、プラズマにより分
解されたフッ素ラジカルは、Ｃ（炭素）と結合する前に
予め組み込んだＯ（酸素）と結合する。これにより、処
理チャンバー外へＰＦＣガスのままで排出されないよう
にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造のウェハ
工程に係り、特にプラズマＣＶＤ装置またはプラズマエ
ッチング装置における処理チャンバー内のクリーニング
またエッチング処理に適用される半導体製造装置の排ガ
ス処理方法に関する。
工程に係り、特にプラズマＣＶＤ装置またはプラズマエ
ッチング装置における処理チャンバー内のクリーニング
またエッチング処理に適用される半導体製造装置の排ガ
ス処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマＣＶＤ装置またはプラズマエッ
チング装置における処理チャンバー内のクリーニングま
たはエッチング処理に適用されるプロセスガスには、対
象物に対する反応速度が一様に大きいＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、
Ｃ4Ｆ8等、Ｃ−Ｆ結合の化合物が使われ易い。
チング装置における処理チャンバー内のクリーニングま
たはエッチング処理に適用されるプロセスガスには、対
象物に対する反応速度が一様に大きいＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、
Ｃ4Ｆ8等、Ｃ−Ｆ結合の化合物が使われ易い。
【０００３】上記のようなプロセスガスは、処理チャン
バー内においてプラズマ化されるとＣとＦに分解され
る。分解されたＦラジカルは、結合エネルギーの低いＣ
と再結合し、結局多くはＣＦ4としてチャンバー外に排
出されることになる。
バー内においてプラズマ化されるとＣとＦに分解され
る。分解されたＦラジカルは、結合エネルギーの低いＣ
と再結合し、結局多くはＣＦ4としてチャンバー外に排
出されることになる。
【０００４】ＣＦ4は非常に安定した化合物であり、分
解困難なＰＦＣガスである。大気中での分解速度が遅く
長寿命のため、地球温暖化係数の高い物質として除害処
理の対象となっている。除害処理には専用の除害装置を
設置しなければならず、製造コストが高くなる傾向にあ
る。
解困難なＰＦＣガスである。大気中での分解速度が遅く
長寿命のため、地球温暖化係数の高い物質として除害処
理の対象となっている。除害処理には専用の除害装置を
設置しなければならず、製造コストが高くなる傾向にあ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】地球温暖化係数の高い
多フッ化化合物ガスの除害は難しく、燃焼など高温を発
生させる高価な除害装置の配備が必要であり、ランニン
グコストに影響し、ひいては製造コストが高くなる問題
がある。
多フッ化化合物ガスの除害は難しく、燃焼など高温を発
生させる高価な除害装置の配備が必要であり、ランニン
グコストに影響し、ひいては製造コストが高くなる問題
がある。
【０００６】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、プラズマＣＶＤ装置またはプラズマエッチ
ング装置における処理チャンバー内のクリーニングまた
エッチング処理に使用される多フッ化化合物ガスに対し
安価で容易な除害ができるように半導体製造装置の排ガ
ス処理方法を提供しようとするものである。
れたもので、プラズマＣＶＤ装置またはプラズマエッチ
ング装置における処理チャンバー内のクリーニングまた
エッチング処理に使用される多フッ化化合物ガスに対し
安価で容易な除害ができるように半導体製造装置の排ガ
ス処理方法を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の［請求項１］に
係る半導体製造装置の排ガス処理方法は、プラズマ発生
可能な処理チャンバー内のクリーニングに関し、使用さ
れる多フッ化化合物ガスに酸素を組み込み、プラズマク
リーニング処理後の排ガスとして炭素と酸素の結合体を
含ませることを特徴とする。
係る半導体製造装置の排ガス処理方法は、プラズマ発生
可能な処理チャンバー内のクリーニングに関し、使用さ
れる多フッ化化合物ガスに酸素を組み込み、プラズマク
リーニング処理後の排ガスとして炭素と酸素の結合体を
含ませることを特徴とする。
【０００８】本発明の［請求項２］に係る半導体製造装
置の排ガス処理方法は、プラズマ発生可能な処理チャン
バー内のクリーニングに関し、使用される多フッ化化合
物ガスに水素を組み込み、プラズマクリーニング処理後
の前記処理チャンバーからの排ガスとして水素とフッ素
の結合体を含ませることを特徴とする。
置の排ガス処理方法は、プラズマ発生可能な処理チャン
バー内のクリーニングに関し、使用される多フッ化化合
物ガスに水素を組み込み、プラズマクリーニング処理後
の前記処理チャンバーからの排ガスとして水素とフッ素
の結合体を含ませることを特徴とする。
【０００９】本発明の［請求項３］に係る半導体製造装
置の排ガス処理方法は、プラズマ発生可能な処理チャン
バー内でのエッチング処理に関し、使用される多フッ化
化合物ガスに酸素を組み込み、プラズマエッチング処理
後の前記処理チャンバーからの排ガスとして炭素と酸素
の結合体を含ませることを特徴とする。
置の排ガス処理方法は、プラズマ発生可能な処理チャン
バー内でのエッチング処理に関し、使用される多フッ化
化合物ガスに酸素を組み込み、プラズマエッチング処理
後の前記処理チャンバーからの排ガスとして炭素と酸素
の結合体を含ませることを特徴とする。
【００１０】本発明の［請求項４］に係る半導体製造装
置の排ガス処理方法は、プラズマ発生可能な処理チャン
バー内でのエッチング処理に関し、使用される多フッ化
化合物ガスに水素を組み込み、プラズマエッチング処理
後の前記処理チャンバーからの排ガスとして水素とフッ
素の結合体を含ませることを特徴とする。
置の排ガス処理方法は、プラズマ発生可能な処理チャン
バー内でのエッチング処理に関し、使用される多フッ化
化合物ガスに水素を組み込み、プラズマエッチング処理
後の前記処理チャンバーからの排ガスとして水素とフッ
素の結合体を含ませることを特徴とする。
【００１１】上記本発明に係る各請求項に示した半導体
製造装置の排ガス処理方法によれば、プラズマにより分
解されたフッ素ラジカルは、炭素と結合する前に予め組
み込んだ酸素または水素と結合する。これにより、処理
チャンバー外へＰＦＣガスのままで排出されないように
する。
製造装置の排ガス処理方法によれば、プラズマにより分
解されたフッ素ラジカルは、炭素と結合する前に予め組
み込んだ酸素または水素と結合する。これにより、処理
チャンバー外へＰＦＣガスのままで排出されないように
する。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１実施形態に
係る半導体製造装置の排ガス処理方法を示す概略図であ
り、プラズマＣＶＤ装置の処理チャンバーを示してい
る。処理チャンバー１０内には、原料ガス（場合によっ
てはクリーニングガス）の供給口１１を備えた上部電極
１２が配されている。さらにこの上部電極１２と略平行
に対向して被処理ウェハ等の載置台を兼ねた下部電極１
３が配されている。
係る半導体製造装置の排ガス処理方法を示す概略図であ
り、プラズマＣＶＤ装置の処理チャンバーを示してい
る。処理チャンバー１０内には、原料ガス（場合によっ
てはクリーニングガス）の供給口１１を備えた上部電極
１２が配されている。さらにこの上部電極１２と略平行
に対向して被処理ウェハ等の載置台を兼ねた下部電極１
３が配されている。
【００１３】上部電極１２は接地されている。下部電極
１３は整合回路１４を介して高周波（ＲＦ）電源１５に
接続される。処理チャンバー１０の側面下部にはガス排
出口１６が設けられている。
１３は整合回路１４を介して高周波（ＲＦ）電源１５に
接続される。処理チャンバー１０の側面下部にはガス排
出口１６が設けられている。
【００１４】処理チャンバー内でプラズマＣＶＤ（Chem
ical Vapor Deposition ）法を用い、ウェハ上へ所定の
物質を成膜処理するに及んで、成膜目的以外のチャンバ
ー内壁や載置台表面に堆積物が生成される。これら堆積
物はパーティクルの発生原因であり、高品質の成膜のた
めに処理チャンバー１０内は定期的なプラズマクリーニ
ング処理が行われる。プラズマクリーニング処理により
チャンバー内の堆積物は除去されパーティクルの発生を
抑えることができる。
ical Vapor Deposition ）法を用い、ウェハ上へ所定の
物質を成膜処理するに及んで、成膜目的以外のチャンバ
ー内壁や載置台表面に堆積物が生成される。これら堆積
物はパーティクルの発生原因であり、高品質の成膜のた
めに処理チャンバー１０内は定期的なプラズマクリーニ
ング処理が行われる。プラズマクリーニング処理により
チャンバー内の堆積物は除去されパーティクルの発生を
抑えることができる。
【００１５】上記プラズマクリーニング処理には、ＰＦ
Ｃガスで知られるＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ4Ｆ8等の多フッ化
化合物ガスが使用される。この実施形態では、このよう
な多フッ化化合物ガスにＯ（酸素）を組み込む。すなわ
ち、クリーニングガスとして多フッ化化合物ガスを供給
する際、例えばＯ2ガスを添加する。
Ｃガスで知られるＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ4Ｆ8等の多フッ化
化合物ガスが使用される。この実施形態では、このよう
な多フッ化化合物ガスにＯ（酸素）を組み込む。すなわ
ち、クリーニングガスとして多フッ化化合物ガスを供給
する際、例えばＯ2ガスを添加する。
【００１６】図２は、上記Ｏ2（酸素）を添加したとき
のクリーニングガスの組成を示す概略図である。例えば
ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6…は、Ｏ2ガスの添加によりＣ4Ｆ8Ｏとな
る。プラズマクリーニングにおいて、プラズマにより分
解されたフッ素ラジカルは、Ｃ（炭素）と結合する前に
予め組み込んだＯ（酸素）と結合する。これにより、処
理チャンバー外へＰＦＣガスのままで排出されないよう
にする。
のクリーニングガスの組成を示す概略図である。例えば
ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6…は、Ｏ2ガスの添加によりＣ4Ｆ8Ｏとな
る。プラズマクリーニングにおいて、プラズマにより分
解されたフッ素ラジカルは、Ｃ（炭素）と結合する前に
予め組み込んだＯ（酸素）と結合する。これにより、処
理チャンバー外へＰＦＣガスのままで排出されないよう
にする。
【００１７】なお、上記クリーニングガスとして供給す
るＰＦＣガス、それに対するＯ2ガスの添加量は例えば
１：１〜３：１が好ましい。また、チャンバー圧力は数
百（好ましくは２００〜５００）Ｐａ程度である。これ
により、図１に示すガス排出口１６を通る排ガスはＣ
Ｏ、ＣＯＦ2がほとんどを占め、ＣＦ4ガスのほとんどは
ＣＦ4ガスとしては結合されずに放出される。なお、排
ガスのＣＯに関しては希釈、または乾式の除害処理、Ｃ
ＯＦ2は水スクラバ処理で容易に除害処理できる。
るＰＦＣガス、それに対するＯ2ガスの添加量は例えば
１：１〜３：１が好ましい。また、チャンバー圧力は数
百（好ましくは２００〜５００）Ｐａ程度である。これ
により、図１に示すガス排出口１６を通る排ガスはＣ
Ｏ、ＣＯＦ2がほとんどを占め、ＣＦ4ガスのほとんどは
ＣＦ4ガスとしては結合されずに放出される。なお、排
ガスのＣＯに関しては希釈、または乾式の除害処理、Ｃ
ＯＦ2は水スクラバ処理で容易に除害処理できる。
【００１８】図３は、本発明の第２実施形態に係る半導
体製造装置の排ガス処理方法を示す概略図であり、プラ
ズマＣＶＤ装置の処理チャンバーを示している。第１実
施形態に比べて異なる点は、この実施形態では、多フッ
化化合物ガスにＨ（水素）を組み込むことである。すな
わち、クリーニングガスとして多フッ化化合物ガスを供
給する際、例えばＨ2ガスを添加する。その他は第１実
施形態と同様であるため同一の符号を付し説明を省略す
る。
体製造装置の排ガス処理方法を示す概略図であり、プラ
ズマＣＶＤ装置の処理チャンバーを示している。第１実
施形態に比べて異なる点は、この実施形態では、多フッ
化化合物ガスにＨ（水素）を組み込むことである。すな
わち、クリーニングガスとして多フッ化化合物ガスを供
給する際、例えばＨ2ガスを添加する。その他は第１実
施形態と同様であるため同一の符号を付し説明を省略す
る。
【００１９】上記実施形態の方法によれば、プラズマク
リーニングにおいて、プラズマにより分解されたフッ素
ラジカルは、Ｃ（炭素）と結合する前に予め組み込んだ
Ｈ（水素）と結合する。これにより、処理チャンバー外
へＰＦＣガスのままで排出されないようにする。
リーニングにおいて、プラズマにより分解されたフッ素
ラジカルは、Ｃ（炭素）と結合する前に予め組み込んだ
Ｈ（水素）と結合する。これにより、処理チャンバー外
へＰＦＣガスのままで排出されないようにする。
【００２０】なお、上記クリーニングガスとして供給す
るＰＦＣガス、これに対するＨ2ガスの添加量は例えば
１：１〜３：１が好ましい。また、チャンバー圧力は数
百Ｐａ程度である。これにより、図３に示すガス排出口
１６を通る排ガスはＨＦがほとんどを占め、ＣＦ4ガス
のほとんどはＣＦ4ガスとしては結合されずに放出され
る。排ガスのＨＦに関しては、水スクラバ処理で容易に
除害処理できる。
るＰＦＣガス、これに対するＨ2ガスの添加量は例えば
１：１〜３：１が好ましい。また、チャンバー圧力は数
百Ｐａ程度である。これにより、図３に示すガス排出口
１６を通る排ガスはＨＦがほとんどを占め、ＣＦ4ガス
のほとんどはＣＦ4ガスとしては結合されずに放出され
る。排ガスのＨＦに関しては、水スクラバ処理で容易に
除害処理できる。
【００２１】上記第１、第２の実施形態の方法によれ
ば、地球温暖化係数の高い多フッ化化合物ガスの除害は
処理チャンバー１０内で達成され、燃焼など高温を発生
させる高価な除害装置の配備が不要となる。よって安価
で容易な除害機構を備えればよく、これはプラズマＣＶ
Ｄ装置を利用した製品の製造コスト削減に繋がる。
ば、地球温暖化係数の高い多フッ化化合物ガスの除害は
処理チャンバー１０内で達成され、燃焼など高温を発生
させる高価な除害装置の配備が不要となる。よって安価
で容易な除害機構を備えればよく、これはプラズマＣＶ
Ｄ装置を利用した製品の製造コスト削減に繋がる。
【００２２】図４は、本発明の第３実施形態に係る半導
体製造装置の排ガス処理方法を示す概略図であり、ドラ
イエッチング装置（プラズマエッチング装置）の処理チ
ャンバーを示している。基本的構成はプラズマＣＶＤ装
置と同様である。すなわち、処理チャンバー４０内に
は、原料ガス（場合によってはクリーニングガス）の供
給口４１を備えた上部電極４２が配されている。さらに
この上部電極４２と略平行に対向して被処理ウェハ等の
載置台を兼ねた下部電極４３が配されている。
体製造装置の排ガス処理方法を示す概略図であり、ドラ
イエッチング装置（プラズマエッチング装置）の処理チ
ャンバーを示している。基本的構成はプラズマＣＶＤ装
置と同様である。すなわち、処理チャンバー４０内に
は、原料ガス（場合によってはクリーニングガス）の供
給口４１を備えた上部電極４２が配されている。さらに
この上部電極４２と略平行に対向して被処理ウェハ等の
載置台を兼ねた下部電極４３が配されている。
【００２３】上部電極４２は接地されている。下部電極
４３は整合回路４４を介して高周波（ＲＦ）電源４５に
接続される。処理チャンバー４０の側面下部にはガス排
出口４６が設けられている。
４３は整合回路４４を介して高周波（ＲＦ）電源４５に
接続される。処理チャンバー４０の側面下部にはガス排
出口４６が設けられている。
【００２４】処理チャンバー内でプラズマを発生させ、
ウェハ上の所定の成膜物質をエッチング処理するに及ん
で、例えばＰＦＣガスで知られるＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ4Ｆ
8等の多フッ化化合物ガスが使用される。
ウェハ上の所定の成膜物質をエッチング処理するに及ん
で、例えばＰＦＣガスで知られるＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ4Ｆ
8等の多フッ化化合物ガスが使用される。
【００２５】この実施形態では、このような多フッ化化
合物ガスにＯ（酸素）を組み込む。すなわち、エッチン
グガスとして多フッ化化合物ガスを供給する際、例えば
Ｏ2ガスを添加する。これにより、前記図２に示すよう
にＣ4Ｆ8Ｏガスがエッチングガスとなる。
合物ガスにＯ（酸素）を組み込む。すなわち、エッチン
グガスとして多フッ化化合物ガスを供給する際、例えば
Ｏ2ガスを添加する。これにより、前記図２に示すよう
にＣ4Ｆ8Ｏガスがエッチングガスとなる。
【００２６】エッチング処理において、プラズマにより
分解されたフッ素ラジカルは、Ｃ（炭素）と結合する前
に予め組み込んだＯ（酸素）と結合する。これにより、
処理チャンバー外へＰＦＣガスのままで排出されないよ
うにする。
分解されたフッ素ラジカルは、Ｃ（炭素）と結合する前
に予め組み込んだＯ（酸素）と結合する。これにより、
処理チャンバー外へＰＦＣガスのままで排出されないよ
うにする。
【００２７】なお、上記エッチングガスとしては供給す
るＰＦＣガスに対してＯ2ガスの添加量は例えば３：１
程度、また、チャンバー圧力は数百Ｐａ程度である。こ
れにより、ガス排出口４６を通る排ガスはＣＯ、ＣＯＦ
2がほとんどを占め、ほとんどのＣＦ4ガスはＣＦ4ガス
としては結合されずに放出される。。排ガスのＣＯに関
しては希釈、または乾式の除害処理、ＣＯＦ2は水スク
ラバ処理で容易に除害処理できる。
るＰＦＣガスに対してＯ2ガスの添加量は例えば３：１
程度、また、チャンバー圧力は数百Ｐａ程度である。こ
れにより、ガス排出口４６を通る排ガスはＣＯ、ＣＯＦ
2がほとんどを占め、ほとんどのＣＦ4ガスはＣＦ4ガス
としては結合されずに放出される。。排ガスのＣＯに関
しては希釈、または乾式の除害処理、ＣＯＦ2は水スク
ラバ処理で容易に除害処理できる。
【００２８】図５は、本発明の第４実施形態に係る半導
体製造装置の排ガス処理方法を示す概略図であり、ドラ
イエッチング装置（プラズマエッチング装置）の処理チ
ャンバーを示している。第３実施形態に比べて異なる点
は、この実施形態では、多フッ化化合物ガスにＨ（水
素）を組み込むことである。すなわち、エッチングガス
として多フッ化化合物ガスを供給する際、例えばＨ2ガ
スを添加する。その他は第３実施形態と同様であるため
説明を省略する。
体製造装置の排ガス処理方法を示す概略図であり、ドラ
イエッチング装置（プラズマエッチング装置）の処理チ
ャンバーを示している。第３実施形態に比べて異なる点
は、この実施形態では、多フッ化化合物ガスにＨ（水
素）を組み込むことである。すなわち、エッチングガス
として多フッ化化合物ガスを供給する際、例えばＨ2ガ
スを添加する。その他は第３実施形態と同様であるため
説明を省略する。
【００２９】上記実施形態の方法によれば、プラズマエ
ッチングにおいて、プラズマにより分解されたフッ素ラ
ジカルは、Ｃ（炭素）と結合する前に予め組み込んだＨ
（水素）と結合する。これにより、処理チャンバー外へ
ＰＦＣガスのままで排出されないようにする。
ッチングにおいて、プラズマにより分解されたフッ素ラ
ジカルは、Ｃ（炭素）と結合する前に予め組み込んだＨ
（水素）と結合する。これにより、処理チャンバー外へ
ＰＦＣガスのままで排出されないようにする。
【００３０】なお、上記クリーニングガスとしては供給
するＰＦＣガスに対してＨ2ガスの添加量は例えば３：
１程度、また、チャンバー圧力は数百Ｐａ程度である。
これにより、ガス排出口４６を通る排ガスはＨＦがほと
んどを占め、ＣＦ4ガスのほとんどはＣＦ4ガスとしては
結合されずに放出される。排ガスのＨＦに関しては、水
スクラバ処理で容易に除害処理できる。
するＰＦＣガスに対してＨ2ガスの添加量は例えば３：
１程度、また、チャンバー圧力は数百Ｐａ程度である。
これにより、ガス排出口４６を通る排ガスはＨＦがほと
んどを占め、ＣＦ4ガスのほとんどはＣＦ4ガスとしては
結合されずに放出される。排ガスのＨＦに関しては、水
スクラバ処理で容易に除害処理できる。
【００３１】上記第３、第４の実施形態の方法によれ
ば、地球温暖化係数の高い多フッ化化合物ガスの除害は
処理チャンバー内で達成され、燃焼など高温を発生させ
る高価な除害装置の配備が不要となる。よって安価で容
易な除害機構を備えればよく、これはプラズマエッチン
グ装置を利用した製品の製造コスト削減に繋がる。
ば、地球温暖化係数の高い多フッ化化合物ガスの除害は
処理チャンバー内で達成され、燃焼など高温を発生させ
る高価な除害装置の配備が不要となる。よって安価で容
易な除害機構を備えればよく、これはプラズマエッチン
グ装置を利用した製品の製造コスト削減に繋がる。
【００３２】なお、上記第３、第４の実施形態のプラズ
マエッチング装置においても、エッチング目的物以外の
チャンバー内壁や載置台表面に堆積物が生成される。図
４を参照すると、これら堆積物はパーティクルの発生原
因であり、品質向上のために処理チャンバー４０内は定
期的なプラズマクリーニング処理が行われる。プラズマ
クリーニング処理によりチャンバー内の堆積物は除去さ
れパーティクルの発生を抑えることができる。
マエッチング装置においても、エッチング目的物以外の
チャンバー内壁や載置台表面に堆積物が生成される。図
４を参照すると、これら堆積物はパーティクルの発生原
因であり、品質向上のために処理チャンバー４０内は定
期的なプラズマクリーニング処理が行われる。プラズマ
クリーニング処理によりチャンバー内の堆積物は除去さ
れパーティクルの発生を抑えることができる。
【００３３】このようなプラズマエッチング装置のプラ
ズマクリーニング処理において、前記第１、第２実施形
態に示す酸素または水素を添加したＰＦＣガスを利用す
ることにより、ガス排出口４６からはＰＦＣガスのまま
で排出されないようにすることができる。
ズマクリーニング処理において、前記第１、第２実施形
態に示す酸素または水素を添加したＰＦＣガスを利用す
ることにより、ガス排出口４６からはＰＦＣガスのまま
で排出されないようにすることができる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
プラズマにより分解されたフッ素ラジカルは、炭素と結
合する前に予め組み込んだ酸素または水素と結合する。
これにより、処理チャンバー外へＰＦＣガスのままで排
出されないようにし、除害環境に配慮する。この結果、
プラズマＣＶＤ装置またはプラズマエッチング装置にお
ける処理チャンバー内のクリーニングまたエッチング処
理に使用される多フッ化化合物ガスに対し安価で容易な
除害ができるように半導体製造装置の排ガス処理方法を
提供することができる。
プラズマにより分解されたフッ素ラジカルは、炭素と結
合する前に予め組み込んだ酸素または水素と結合する。
これにより、処理チャンバー外へＰＦＣガスのままで排
出されないようにし、除害環境に配慮する。この結果、
プラズマＣＶＤ装置またはプラズマエッチング装置にお
ける処理チャンバー内のクリーニングまたエッチング処
理に使用される多フッ化化合物ガスに対し安価で容易な
除害ができるように半導体製造装置の排ガス処理方法を
提供することができる。
【図１】 本発明の第１実施形態に係る半導体製造装置
の排ガス処理方法を示す概略図であり、プラズマＣＶＤ
装置の処理チャンバーを示している。
の排ガス処理方法を示す概略図であり、プラズマＣＶＤ
装置の処理チャンバーを示している。
【図２】 図１において、Ｏ2（酸素）を添加したとき
のクリーニングガスの組成を示す概略図である。
のクリーニングガスの組成を示す概略図である。
【図３】 本発明の第２実施形態に係る半導体製造装置
の排ガス処理方法を示す概略図であり、プラズマＣＶＤ
装置の処理チャンバーを示している。
の排ガス処理方法を示す概略図であり、プラズマＣＶＤ
装置の処理チャンバーを示している。
【図４】 本発明の第３実施形態に係る半導体製造装置
の排ガス処理方法を示す概略図であり、ドライエッチン
グ装置（プラズマエッチング装置）の処理チャンバーを
示している。
の排ガス処理方法を示す概略図であり、ドライエッチン
グ装置（プラズマエッチング装置）の処理チャンバーを
示している。
【図５】 本発明の第４実施形態に係る半導体製造装置
の排ガス処理方法を示す概略図であり、ドライエッチン
グ装置（プラズマエッチング装置）の処理チャンバーを
示している。
の排ガス処理方法を示す概略図であり、ドライエッチン
グ装置（プラズマエッチング装置）の処理チャンバーを
示している。
１０，４０…処理チャンバー
１１，４１…ガス供給口
１２，４２…上部電極
１３，４３…下部電極
１４，４４…整合回路
１５，４５…高周波（ＲＦ）電源
１６，４６…ガス排出口
Claims (4)
- 【請求項１】 プラズマ発生可能な処理チャンバー内の
クリーニングに関し、使用される多フッ化化合物ガスに
酸素を組み込み、プラズマクリーニング処理後の排ガス
として炭素と酸素の結合体を含ませることを特徴とする
半導体製造装置の排ガス処理方法。 - 【請求項２】 プラズマ発生可能な処理チャンバー内の
クリーニングに関し、使用される多フッ化化合物ガスに
水素を組み込み、プラズマクリーニング処理後の前記処
理チャンバーからの排ガスとして水素とフッ素の結合体
を含ませることを特徴とする半導体製造装置の排ガス処
理方法。 - 【請求項３】 プラズマ発生可能な処理チャンバー内で
のエッチング処理に関し、使用される多フッ化化合物ガ
スに酸素を組み込み、プラズマエッチング処理後の前記
処理チャンバーからの排ガスとして炭素と酸素の結合体
を含ませることを特徴とする半導体製造装置の排ガス処
理方法。 - 【請求項４】 プラズマ発生可能な処理チャンバー内で
のエッチング処理に関し、使用される多フッ化化合物ガ
スに水素を組み込み、プラズマエッチング処理後の前記
処理チャンバーからの排ガスとして水素とフッ素の結合
体を含ませることを特徴とする半導体製造装置の排ガス
処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002021733A JP2003224076A (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | 半導体製造装置の排ガス処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002021733A JP2003224076A (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | 半導体製造装置の排ガス処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003224076A true JP2003224076A (ja) | 2003-08-08 |
Family
ID=27744894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002021733A Withdrawn JP2003224076A (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | 半導体製造装置の排ガス処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003224076A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012019194A (ja) * | 2010-06-08 | 2012-01-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 |
| CN106024673A (zh) * | 2015-03-26 | 2016-10-12 | 朗姆研究公司 | 使用具有间歇恢复等离子体的ald氧化硅表面涂层来使自由基重组最小化 |
| US11365479B2 (en) | 2017-12-15 | 2022-06-21 | Lam Research Corporation | Ex situ coating of chamber components for semiconductor processing |
| US11761079B2 (en) | 2017-12-07 | 2023-09-19 | Lam Research Corporation | Oxidation resistant protective layer in chamber conditioning |
-
2002
- 2002-01-30 JP JP2002021733A patent/JP2003224076A/ja not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US11920239B2 (en) | 2015-03-26 | 2024-03-05 | Lam Research Corporation | Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma |
| US11761079B2 (en) | 2017-12-07 | 2023-09-19 | Lam Research Corporation | Oxidation resistant protective layer in chamber conditioning |
| US11365479B2 (en) | 2017-12-15 | 2022-06-21 | Lam Research Corporation | Ex situ coating of chamber components for semiconductor processing |
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