JP2006320820A - プラズマ式ガス除害装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 PFCガス等を分解する能力が高い除害装置を提供すること。
【解決手段】 プラズマ式ガス除害装置10は、プラズマ処理装置20と、プラズマ処理装置20に反応ガスを導入するガス導入口11と、反応ガスをプラズマ処理して生成した除害ガスをプラズマ処理装置20からスクラバ40へ排出するガス排出口13とを備える。プラズマ処理装置20では、誘電体チューブ23の内部空間Sに表面波励起プラズマを生成させ、常圧下でプラズマ除害処理を行う。
【選択図】 図3
【解決手段】 プラズマ式ガス除害装置10は、プラズマ処理装置20と、プラズマ処理装置20に反応ガスを導入するガス導入口11と、反応ガスをプラズマ処理して生成した除害ガスをプラズマ処理装置20からスクラバ40へ排出するガス排出口13とを備える。プラズマ処理装置20では、誘電体チューブ23の内部空間Sに表面波励起プラズマを生成させ、常圧下でプラズマ除害処理を行う。
【選択図】 図3
Description
本発明は、表面波励起プラズマを利用して被処理ガスをプラズマ処理するプラズマ式ガス除害装置に関する。
半導体生産ラインでは、CVD装置、エッチング装置などが使用され、PFC(パーフルオロカーボン)、6フッ化硫黄、3フッ化窒素などの有害ガスが排出されるので、これらのガスを無害化する必要がある。無害化手段としては、減圧下で2枚の平行平板電極間に高周波電圧を印加し、容量結合プラズマによりPFCガスを分解する方法が知られている。(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1の容量結合プラズマを用いた除害装置は、PFCガス等を分解する能力の点で改善の余地がある。
(1)本発明の請求項1によるプラズマ式ガス除害装置は、除害プロセス空間領域に表面波励起プラズマを形成するプラズマ発生装置と、除害プロセス空間領域に被処理ガスを導入するガス導入部と、被処理ガスが表面波励起プラズマにより処理されて生成する除害ガスを外部へ排出するガス排出部とを備えることを特徴とする。
(2)請求項2の発明は、請求項1に記載のプラズマ式ガス除害装置において、プラズマ発生装置は、マイクロ波発生装置と、マイクロ波発生装置からマイクロ波を導入して管内を伝搬させる、スロットアンテナが形成された底板を内側面とする環状マイクロ波導波管と、筒状を呈し、その筒の外側面が前記環状マイクロ波導波管の底板に接して配設され、管内を伝搬するマイクロ波をスロットアンテナを通して導入し、その筒の内周面に表面波を形成する筒状誘電体部材とを備え、除害プロセス空間領域である筒状誘電体部材の内部空間を常圧雰囲気として表面波による表面波励起プラズマを生成することを特徴とする。
(3)請求項3の発明は、請求項2に記載のプラズマ式ガス除害装置において、表面波励起プラズマの放電開始時に筒状誘電体部材の内部空間を減圧するための排気装置をさらに備えることを特徴とする。
(4)請求項4の発明は、請求項2に記載のプラズマ式ガス除害装置において、表面波励起プラズマの放電開始を補助するための放電補助部材を筒状誘電体部材の内部空間に挿脱する機構をさらに備えることを特徴とする。
(5)請求項5による発明は、請求項4に記載のプラズマ式ガス除害装置において、筒状誘電体部材の内部空間から放電補助部材が退避したときにその退避開口を覆う蓋部材が配設されることを特徴とする。
(6)請求項6による発明は、請求項3〜5のいずれか一項に記載のプラズマ式ガス除害装置において、筒状誘電体部材の内部空間の両端部に筒状シールド部材が突設されることを特徴とする。
(7)請求項7による発明は、請求項2〜6のいずれか一項に記載のプラズマ式ガス除害装置において、筒状誘電体部材の内部空間に、被処理ガスが筒状誘電体部材の内周面近傍を流れるように制御するガス流制御部材が配設されることを特徴とする。
(8)請求項8による発明は、請求項2〜7のいずれか一項に記載のプラズマ式ガス除害装置において、筒状誘電体部材の内部空間がその軸方向に延在する複数の室から構成されていることを特徴とする。
(9)請求項9による発明は、請求項2〜8のいずれか一項に記載のプラズマ式ガス除害装置において、環状マイクロ波導波管に、管内を冷却するための冷却ガスを導入する導入口が設けられることを特徴とする。
(2)請求項2の発明は、請求項1に記載のプラズマ式ガス除害装置において、プラズマ発生装置は、マイクロ波発生装置と、マイクロ波発生装置からマイクロ波を導入して管内を伝搬させる、スロットアンテナが形成された底板を内側面とする環状マイクロ波導波管と、筒状を呈し、その筒の外側面が前記環状マイクロ波導波管の底板に接して配設され、管内を伝搬するマイクロ波をスロットアンテナを通して導入し、その筒の内周面に表面波を形成する筒状誘電体部材とを備え、除害プロセス空間領域である筒状誘電体部材の内部空間を常圧雰囲気として表面波による表面波励起プラズマを生成することを特徴とする。
(3)請求項3の発明は、請求項2に記載のプラズマ式ガス除害装置において、表面波励起プラズマの放電開始時に筒状誘電体部材の内部空間を減圧するための排気装置をさらに備えることを特徴とする。
(4)請求項4の発明は、請求項2に記載のプラズマ式ガス除害装置において、表面波励起プラズマの放電開始を補助するための放電補助部材を筒状誘電体部材の内部空間に挿脱する機構をさらに備えることを特徴とする。
(5)請求項5による発明は、請求項4に記載のプラズマ式ガス除害装置において、筒状誘電体部材の内部空間から放電補助部材が退避したときにその退避開口を覆う蓋部材が配設されることを特徴とする。
(6)請求項6による発明は、請求項3〜5のいずれか一項に記載のプラズマ式ガス除害装置において、筒状誘電体部材の内部空間の両端部に筒状シールド部材が突設されることを特徴とする。
(7)請求項7による発明は、請求項2〜6のいずれか一項に記載のプラズマ式ガス除害装置において、筒状誘電体部材の内部空間に、被処理ガスが筒状誘電体部材の内周面近傍を流れるように制御するガス流制御部材が配設されることを特徴とする。
(8)請求項8による発明は、請求項2〜7のいずれか一項に記載のプラズマ式ガス除害装置において、筒状誘電体部材の内部空間がその軸方向に延在する複数の室から構成されていることを特徴とする。
(9)請求項9による発明は、請求項2〜8のいずれか一項に記載のプラズマ式ガス除害装置において、環状マイクロ波導波管に、管内を冷却するための冷却ガスを導入する導入口が設けられることを特徴とする。
本発明の除害装置によれば、高密度プラズマの表面波励起プラズマを用いるので、PFCガス等を分解する除害能力を改善することができる。
以下、本発明の実施の形態によるプラズマ式ガス除害装置について、図1〜8を参照しながら説明する。
〈第1の実施の形態〉
図1は、本発明の第1の実施の形態によるプラズマ式ガス除害装置とこれに接続される周辺装置を模式的に示す概略構成図である。図2は、第1の実施の形態によるプラズマ式ガス除害装置を模式的に示す構成図である。
〈第1の実施の形態〉
図1は、本発明の第1の実施の形態によるプラズマ式ガス除害装置とこれに接続される周辺装置を模式的に示す概略構成図である。図2は、第1の実施の形態によるプラズマ式ガス除害装置を模式的に示す構成図である。
図1は、半導体生産ラインの一部を示し、エッチング装置30と、エッチング装置30から排出される有害なガス(以下、反応ガスと称する)を導入してプラズマ処理するプラズマ式ガス除害装置10(以下、除害装置10と略称する)と、除害装置10で除害処理されて生成した除害ガスを水などで固定処理するスクラバ40とが直列に接続されている。エッチング装置30やCVD装置では、CF4、C2F6、SiH4、NF3などの反応ガスを反応室31に導入してエッチングや成膜を行い、未消費の反応ガスは主真空弁32、調圧弁33を介して真空ポンプ34で排気される。真空ポンプ34の出口側には、反応ガスを希釈するための例えば窒素ガスを導入する導入管35が配管接続されている。
図2を参照すると、除害装置10は、マイクロ波発生装置21と、表面波励起プラズマが形成され、そのプラズマにより反応ガスの除害処理を行うプラズマ処理装置20と、プラズマ処理装置20に反応ガスを導入するガス導入口11と、ガス導入口11に接続されたバルブ12と、プラズマ処理装置20から除害ガスをスクラバ40へ排出するガス排出口13と、ガス排出口13に接続されたバルブ14とを備える。また、除害装置10は、ガス導入口11に接続されたバルブ15および小型真空ポンプ16と、プラズマ処理装置20内に、反応ガスの除害に用いられるプロセスガスを導入するプロセスガス添加部17とを備える。プロセスガス添加部17には、プロセスガスの流量を調節するためのマスフローコントローラ(MFC)17aが配設されている。なお、マスフローコントローラ17aに代えてフローメータ(FM)を用いることもできる。
図3は、プラズマ処理装置20の構造を詳細に示す縦断面図であり、プラズマ処理装置20とスクラバ40の間に介在するバルブ14は省略して示している。プラズマ処理装置20は、マイクロ波発生装置21(図2参照)に接続された環状導波管22と、環状導波管22の内側に配置された誘電体チューブ23と、環状導波管22の両端面に配置された冷却ジャケット24とを有する。ガス導入口11は、冷却ジャケット24に固設されており、ガス排出口13は、バルブ14が省略されているため、直接にスクラバ40に接続されている。
環状導波管22は、例えばアルミニウム合金、銅あるいは銅合金で作製され、管の断面が中空の矩形状で、底板22aを内周側とする環状を呈している。底板22aには、1つ又は複数のスロットアンテナ22bが所定間隔で形成されている。スロットアンテナ22bは、底板22aを貫通して形成される例えば長矩形状の開口である。また、環状導波管22には、その管内に冷却用ガス(空気、窒素など)を流す冷却ガス循環装置27が接続されている。
誘電体チューブ23は、石英やアルミナなどで作製され、その外側面が環状導波管22の底板22aに接し、その両端面がOリング24aを介して冷却ジャケット24に密着して配設されている。これにより、誘電体チューブ23の内部空間Sは気密空間として形成される。冷却ジャケット24には、冷媒用通路25が形成されており、この通路に例えば冷却水を流すことにより環状導波管22を冷却する。また、上下の冷却ジャケット24の内周面には、円筒状のシールド部材26が外側に向かって突設されている。シールド部材26は、耐熱性と耐食性に富む材料、例えばセラミックス、チタンで作製される。なお、冷却ジャケット24をアルミニウムで作製し、アルマイト処理を施すことにより、反応ガスに対する耐食性が向上する。
図2、図3を参照して、除害装置10の作用を説明する。先ず、プラズマ処理装置20の上流側(エッチング装置30側)のバルブ12と下流側(スクラバ40側)のバルブ14を閉じ、小型真空ポンプ16を起動してバルブ15を開き、誘電体チューブ23の内部空間Sを100Pa程度の減圧雰囲気とする。減圧雰囲気とするのは、表面波励起プラズマの放電を起し易くするためである。
次に、マイクロ波発生装置21で発生した例えば2.45GHzのマイクロ波を環状導波管22へ導入し、管内を伝搬するマイクロ波をスロットアンテナ22bを通して誘電体チューブ23へ放射させ、誘電体チューブ23の内周面に表面波を形成させる。この表面波のエネルギーにより誘電体チューブ23の内部空間Sで放電を開始させ、表面波励起プラズマを生成させる。内部空間Sは、表面波励起プラズマを形成させる空間領域であり、表面波励起プラズマにより除害処理を行うプロセス空間領域でもある。表面波励起プラズマは、高密度プラズマという特徴を有する。表面波励起プラズマが生成した後にバルブ15を閉じ小型真空ポンプ16を停止する。
バルブ12と14を開いてエッチング装置30から誘電体チューブ23の内部空間Sへ反応ガスおよび希釈用窒素ガスを導入し、常圧(大気圧)雰囲気とする。表面波励起プラズマは、減圧下で開始した放電が常圧に変化させても持続する。反応ガスの種類に応じて酸素ガスや水蒸気などのプロセスガスをプロセスガス添加部17により誘電体チューブ23の内部空間Sへ添加する。酸素ガスを添加すると、酸素ガスが表面波励起プラズマにより活性化されて酸素ラジカルが生成し、水蒸気を添加すると、水蒸気が表面波励起プラズマにより活性化されてヒドロキシラジカルが生成する。
例えば、反応ガスCF4を窒素ガスで希釈して誘電体チューブ23の内部空間Sへ導入するとともに酸素ガスを添加すると、酸素ラジカルの作用によりCF4が二酸化炭素とフッ素ガスに分解される。二酸化炭素、フッ素ガスおよび希釈用の窒素ガスをスクラバ40に導入し、二酸化炭素と窒素ガスは強制排気管44を通して外部に排気し、フッ素ガスは、水に溶解してフッ酸水とした後にフッ化カルシウムとして固定処理する。このプロセスにより、図1に示されるように、CF4の濃度は、配管中のA地点では88〜99%、B地点では数%、C地点ではほぼ0%と減少していき、除害装置10による除害処理が完了する。但し、B地点では希釈用窒素ガスの添加によりCF4の濃度が減少するだけで、絶対量は変わっていない。
上述したように、第1の実施の形態の除害装置10によれば、次の作用効果を奏する。
(1)高密度プラズマである表面波励起プラズマを用いて反応ガスの除外処理を行うことにより、反応ガスの濃度をほぼ0%に効率良く低減し、除害化することができる。
(2)放電開始時に誘電体チューブ23の内部空間Sを減圧雰囲気とするので、放電を容易に起こすことができる。
(3)表面波励起プラズマが生成した段階で常圧雰囲気に変えても放電が持続可能であり、常圧での除害処理が可能となる。したがって、除害装置10を真空ポンプ34とエッチング装置30との間に配置する必要がなく、除害プロセスにより分解されたガスの逆流、拡散によるエッチング装置30内部の影響を心配する必要がない。また、除外装置とスクラバを一体型で構成することができる。
(4)誘電体チューブ23の両端面にシールド部材26を設けたことにより、冷却ジャケット24の内周面やOリング24aをプラズマの熱や反応ガスによる腐食から保護することができる。
(1)高密度プラズマである表面波励起プラズマを用いて反応ガスの除外処理を行うことにより、反応ガスの濃度をほぼ0%に効率良く低減し、除害化することができる。
(2)放電開始時に誘電体チューブ23の内部空間Sを減圧雰囲気とするので、放電を容易に起こすことができる。
(3)表面波励起プラズマが生成した段階で常圧雰囲気に変えても放電が持続可能であり、常圧での除害処理が可能となる。したがって、除害装置10を真空ポンプ34とエッチング装置30との間に配置する必要がなく、除害プロセスにより分解されたガスの逆流、拡散によるエッチング装置30内部の影響を心配する必要がない。また、除外装置とスクラバを一体型で構成することができる。
(4)誘電体チューブ23の両端面にシールド部材26を設けたことにより、冷却ジャケット24の内周面やOリング24aをプラズマの熱や反応ガスによる腐食から保護することができる。
図4は、第1の実施の形態の除害装置10の変形例を模式的に示す構成図である。除害装置10Aは、プラズマ処理装置20専用の小型真空ポンプ16を省略し、エッチング装置30の真空ポンプ34を併用して誘電体チューブ23の内部空間Sを排気する。すなわち、バルブ12と14を閉じ、バルブ17と18を開いて誘電体チューブ23の内部空間Sを減圧雰囲気とする。所定の減圧雰囲気とした後にバルブ17と18を閉じ、バルブ12と14を開き、除害装置10と同じ排気経路で除害処理を行う。小型真空ポンプ16を省略したため、装置コストが低減する。
〈第2の実施の形態〉
図5は、本発明の第2の実施の形態によるプラズマ式ガス除害装置の構造を示す縦断面図である。第2の実施の形態の除害装置50では、第1の実施の形態の除害装置10の小型真空ポンプ16が省略され、その代わりにフランジ部61を通して誘電体チューブ23の内部空間Sに炭素棒70を挿脱するための移動機構63が設けられている。炭素棒70は、マイクロ波を良く吸収するので、放電開始を補助するための放電補助部材として用いられる。つまり、第1の実施の形態の除害装置10では、誘電体チューブ23の内部空間Sを減圧雰囲気として表面波励起プラズマの放電を開始するのに対し、第2の実施の形態の除害装置50では、誘電体チューブ23の内部空間Sに炭素棒70を挿入することによって常圧で放電を開始する。第2の実施の形態の除害装置50でも、プラズマ処理装置20の基本構成は第1の実施の形態の除害装置10と同じであるので、相違する点を説明する。
図5は、本発明の第2の実施の形態によるプラズマ式ガス除害装置の構造を示す縦断面図である。第2の実施の形態の除害装置50では、第1の実施の形態の除害装置10の小型真空ポンプ16が省略され、その代わりにフランジ部61を通して誘電体チューブ23の内部空間Sに炭素棒70を挿脱するための移動機構63が設けられている。炭素棒70は、マイクロ波を良く吸収するので、放電開始を補助するための放電補助部材として用いられる。つまり、第1の実施の形態の除害装置10では、誘電体チューブ23の内部空間Sを減圧雰囲気として表面波励起プラズマの放電を開始するのに対し、第2の実施の形態の除害装置50では、誘電体チューブ23の内部空間Sに炭素棒70を挿入することによって常圧で放電を開始する。第2の実施の形態の除害装置50でも、プラズマ処理装置20の基本構成は第1の実施の形態の除害装置10と同じであるので、相違する点を説明する。
図5(a)は、炭素棒70を誘電体チューブ23の内部空間Sに挿入した状態、図5(b)は、炭素棒70を内部空間Sから退避させた状態を示している。炭素棒70の一方の端部(図中、右端)には平板71が、他方の端部には絶縁部材72が設けられ、絶縁部材72には棒材73が固設されている。炭素棒70、絶縁部材72および棒材73の外形寸法は同じに作製されている。移動機構63は、棒材73を把持してX方向に往復移動することにより誘電体チューブ23の内部空間Sに炭素棒70を挿脱できるように構成されている。また、炭素棒70の長手方向に沿ってスリット状の開口70aが穿設されている。放電補助部材の材質としては、炭素の他に炭化珪素を用いることもできる。
冷却ジャケット24に固設されているフランジ部61には、Oリング61a,61bが設けられている。図5(a)に示されるように、炭素棒70が内部空間Sに配置された状態では、棒材73の外周がOリング61aに密着しているので、誘電体チューブ23の内部空間Sの気密が保たれる。図5(b)に示されるように、炭素棒70が内部空間Sから−X方向に退避した状態では、炭素棒70の外周がOリング61aに密着しているので、誘電体チューブ23の内部空間Sの気密が保たれる。このときは、炭素棒70の先端の平板71がOリング61bに密着して蓋の役割をするので、内部空間Sの気密の保持が一層良好となる。このように気密が保持されるので、反応ガスが外部に漏洩する危険がなくなる。
誘電体チューブ23の内部空間Sを常圧雰囲気とし、炭素棒70を内部空間Sに配置することにより、常圧下でも放電を開始させることができる。放電を開始させると、炭素棒70のスリット状の開口70aの周囲を回る電流が流れる。この周回電流が流れることにより常圧下での放電開始がより一層容易になる。一旦、表面波励起プラズマが形成されたときは、移動機構63により炭素棒70を−X方向に退避させても放電は維持される。炭素棒70の先端の平板71をOリング61bに密着させて誘電体チューブ23の内部空間Sを閉鎖する。この状態で、図中、フランジ部61の下側のガス導入口11から反応ガスおよび希釈用窒素ガスを内部空間Sに導入するとともに、酸素ガスや水蒸気などのプロセスガスを不図示のプロセスガス添加部により内部空間Sへ添加する。表面波励起プラズマにより除害処理されて生成した除害ガスは、内部空間Sの右端のガス排出口13から排気する。
本実施の形態の除害装置50も第1の実施の形態の除害装置10と同じ作用効果を奏する。但し、放電開始のプロセスと放電開始に要する構成部品は異なる。
次に、第1および第2の実施の形態の変形例について説明する。
図7は、第1および第2の実施の形態の除害装置10,50の第1の変形例を示す縦断面図である。第1の変形例は、表面波励起プラズマが形成されている誘電体チューブ23の内部空間Sに反応ガスの流れを制御するためのセラミックス製のガス流制御部材80を配置する。ガス流制御部材80には2枚の平板81が設けられており、反応ガスが誘電体チューブ23の内周面の近くを流れるように制御する。これは、誘電体チューブ23の内周面の近傍が最もプラズマ密度が大きく、電子温度も高いので、反応ガスの分解が促進されるからである。なお、ガス流制御部材80を使用しない場合は、ガス流制御部材80を内部空間Sから除去した後に気密を保つために蓋部材62により閉鎖する。また、ガス流制御部材80の平板81は1枚以上であればよい。
図7は、第1および第2の実施の形態の除害装置10,50の第1の変形例を示す縦断面図である。第1の変形例は、表面波励起プラズマが形成されている誘電体チューブ23の内部空間Sに反応ガスの流れを制御するためのセラミックス製のガス流制御部材80を配置する。ガス流制御部材80には2枚の平板81が設けられており、反応ガスが誘電体チューブ23の内周面の近くを流れるように制御する。これは、誘電体チューブ23の内周面の近傍が最もプラズマ密度が大きく、電子温度も高いので、反応ガスの分解が促進されるからである。なお、ガス流制御部材80を使用しない場合は、ガス流制御部材80を内部空間Sから除去した後に気密を保つために蓋部材62により閉鎖する。また、ガス流制御部材80の平板81は1枚以上であればよい。
図8は、第1および第2の実施の形態の除害装置10,50の第2の変形例を示すものであり、誘電体チューブを軸と直角に切断した断面図である。図8(a)に示す誘電体チューブ23Aは、軸方向に4つの室230が形成されるように分割した例であり、図8(b)に示す誘電体チューブ23Bは、軸方向に3つの円柱状の室231が形成されるように分割した例である。第1および第2の実施の形態の除害装置10,50の誘電体チューブ23に比べて反応ガスと接触する表面積が広くなるため、反応ガスの除害処理量を増大させることができる。
本発明は、その特徴を損なわない限り、以上説明した実施の形態に何ら限定されない。上記の実施の形態では、半導体生産ラインのエッチング装置30から排気される反応ガスの除害処理について説明したが、他の有害ガス、例えば内燃機関から排出される窒素酸化物などの除害装置として利用することもできる。また、家屋の24時間換気システムに配設することもできる。
10,10A,50:除害装置 11:ガス導入口
13:ガス排出口 16:小型真空ポンプ
17:プロセスガス添加部 20:プラズマ処理装置
21:マイクロ波発生装置 22:環状導波管
23,23A,23B:誘電体チューブ 24:冷却ジャケット
26:シールド部材 30:エッチング装置
40:スクラバ 70:炭素棒
61:フランジ部 62:蓋部材
63:移動機構 80:ガス流制御部材
13:ガス排出口 16:小型真空ポンプ
17:プロセスガス添加部 20:プラズマ処理装置
21:マイクロ波発生装置 22:環状導波管
23,23A,23B:誘電体チューブ 24:冷却ジャケット
26:シールド部材 30:エッチング装置
40:スクラバ 70:炭素棒
61:フランジ部 62:蓋部材
63:移動機構 80:ガス流制御部材
Claims (9)
- 除害プロセス空間領域に表面波励起プラズマを形成するプラズマ発生装置と、
前記除害プロセス空間領域に被処理ガスを導入するガス導入部と、
前記被処理ガスが前記表面波励起プラズマにより処理されて生成する除害ガスを外部へ排出するガス排出部とを備えることを特徴とするプラズマ式ガス除害装置。 - 請求項1に記載のプラズマ式ガス除害装置において、
前記プラズマ発生装置は、
マイクロ波発生装置と、
前記マイクロ波発生装置からマイクロ波を導入して管内を伝搬させる、スロットアンテナが形成された底板を内側面とする環状マイクロ波導波管と、
筒状を呈し、その筒の外側面が前記環状マイクロ波導波管の底板に接して配設され、前記管内を伝搬するマイクロ波を前記スロットアンテナを通して導入し、その筒の内周面に表面波を形成する筒状誘電体部材とを備え、
前記除害プロセス空間領域である前記筒状誘電体部材の内部空間を常圧雰囲気として前記表面波による表面波励起プラズマを生成することを特徴とするプラズマ式ガス除害装置。 - 請求項2に記載のプラズマ式ガス除害装置において、
前記表面波励起プラズマの放電開始時に前記筒状誘電体部材の内部空間を減圧するための排気装置をさらに備えることを特徴とするプラズマ式ガス除害装置。 - 請求項2に記載のプラズマ式ガス除害装置において、
前記表面波励起プラズマの放電開始を補助するための放電補助部材を前記筒状誘電体部材の内部空間に挿脱する機構をさらに備えることを特徴とするプラズマ式ガス除害装置。 - 請求項4に記載のプラズマ式ガス除害装置において、
前記筒状誘電体部材の内部空間から前記放電補助部材が退避したときにその退避開口を覆う蓋部材が前記放電補助部材に配設されることを特徴とするプラズマ式ガス除害装置。 - 請求項3〜5のいずれか一項に記載のプラズマ式ガス除害装置において、
前記筒状誘電体部材の内部空間の両端部に筒状シールド部材が突設されることを特徴とするプラズマ式ガス除害装置。 - 請求項2〜6のいずれか一項に記載のプラズマ式ガス除害装置において、
前記筒状誘電体部材の内部空間に、前記被処理ガスが前記筒状誘電体部材の内周面近傍を流れるように制御するガス流制御部材が配設されることを特徴とするプラズマ式ガス除害装置。 - 請求項2〜7のいずれか一項に記載のプラズマ式ガス除害装置において、
前記筒状誘電体部材の内部空間がその軸方向に延在する複数の室から構成されていることを特徴とするプラズマ式ガス除害装置。 - 請求項2〜8のいずれか一項に記載のプラズマ式ガス除害装置において、
前記環状マイクロ波導波管に、管内を冷却するための冷却ガスを導入する導入口が設けられることを特徴とするプラズマ式ガス除害装置。
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