JPH04273116A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH04273116A JPH04273116A JP3033131A JP3313191A JPH04273116A JP H04273116 A JPH04273116 A JP H04273116A JP 3033131 A JP3033131 A JP 3033131A JP 3313191 A JP3313191 A JP 3313191A JP H04273116 A JPH04273116 A JP H04273116A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- chamber
- semiconductor wafer
- gas
- introduction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 40
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 39
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光装置に関する。
【０００２】
【従来技術】半導体製造工程において、半導体ウェハ上
に積層された薄膜にパターン形成するフォトリソグラフ
ィー工程がある。フォトリソグラフィー工程では半導体
ウェハ上にスピンコータ等で均一な厚さにレジストを塗
布し、パターン形成されたマスクを通して投影露光し、
現像後を行ないレジスト薄膜をパターン形状に形成して
いる。これらの露光工程では紫外線を照射してパターン
投影露光を行っている。また、現像工程では現像液で、
光反応して硬化したレジスト以外のレジストを現像除去
したあと、ポジあるいはネガのパターンで残存するレジ
ストパターン形状が高精度に維持できるようにするため
、ホットプレートに半導体ウェハを載置して加熱し、紫
外線照射に残存するレジストの硬化を行っている。
に積層された薄膜にパターン形成するフォトリソグラフ
ィー工程がある。フォトリソグラフィー工程では半導体
ウェハ上にスピンコータ等で均一な厚さにレジストを塗
布し、パターン形成されたマスクを通して投影露光し、
現像後を行ないレジスト薄膜をパターン形状に形成して
いる。これらの露光工程では紫外線を照射してパターン
投影露光を行っている。また、現像工程では現像液で、
光反応して硬化したレジスト以外のレジストを現像除去
したあと、ポジあるいはネガのパターンで残存するレジ
ストパターン形状が高精度に維持できるようにするため
、ホットプレートに半導体ウェハを載置して加熱し、紫
外線照射に残存するレジストの硬化を行っている。
【０００３】
【発明が解決すべき課題】しかしながら、このようなフ
ォトリソグラフィー工程において、半導体集積回路素子
の超集積度が要求されるに伴い、パターンの形成も超高
精度に均一性が要求されている。そこでこのような半導
体ウェハをチャンバ内で加熱しながら紫外線照射を行う
露光装置では、熱板上に半導体ウェハを水平に載置し、
紫外線を透過させる石英板の蓋体で気密に保持したチャ
ンバ内で処理することが行なわれている。そしてチャン
バの側壁に設けられた導入口及び排気口によりチャンバ
内にＮ２ガス等の気体流を生じさせ、熱により気化され
て発生するレジストの溶剤等を取り除き、レジスト溶剤
等が石英板に付着して露光のための照射光強度が変化し
て、露光による処理が不均一になるのを防止している。
ォトリソグラフィー工程において、半導体集積回路素子
の超集積度が要求されるに伴い、パターンの形成も超高
精度に均一性が要求されている。そこでこのような半導
体ウェハをチャンバ内で加熱しながら紫外線照射を行う
露光装置では、熱板上に半導体ウェハを水平に載置し、
紫外線を透過させる石英板の蓋体で気密に保持したチャ
ンバ内で処理することが行なわれている。そしてチャン
バの側壁に設けられた導入口及び排気口によりチャンバ
内にＮ２ガス等の気体流を生じさせ、熱により気化され
て発生するレジストの溶剤等を取り除き、レジスト溶剤
等が石英板に付着して露光のための照射光強度が変化し
て、露光による処理が不均一になるのを防止している。
【０００４】しかしながら、チャンバ内に供給するＮ２
ガスはかなりの流量が必要であるため、図４に示すよう
にチャンバ１内で石英板２と熱板３上の半導体ウェハ４
間にＮ２ガス流を発生させた場合、半導体ウェハ４上に
Ｎ２ガス流が大量に当る部分（中央部）５と、少量しか
供給されない部分（周辺部）６とで温度差が生じてしま
う。そのため、露光処理が不均一になってしまった。
ガスはかなりの流量が必要であるため、図４に示すよう
にチャンバ１内で石英板２と熱板３上の半導体ウェハ４
間にＮ２ガス流を発生させた場合、半導体ウェハ４上に
Ｎ２ガス流が大量に当る部分（中央部）５と、少量しか
供給されない部分（周辺部）６とで温度差が生じてしま
う。そのため、露光処理が不均一になってしまった。
【０００５】本発明は上記の欠点を解消するためになさ
れたものであって、導入窓に気化されて発生するレジス
トの溶剤等が付着するのを減少させ、被露光体の温度均
一な処理が行える露光装置を提供することを目的とする
。
れたものであって、導入窓に気化されて発生するレジス
トの溶剤等が付着するのを減少させ、被露光体の温度均
一な処理が行える露光装置を提供することを目的とする
。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の露光装置は、被露光体を露光する光の光源
と、前記光の導入窓及び前記被露光体を載置して加熱す
る加熱装置を備えた載置台を設けたチャンバとを備えた
露光装置において、前記導入窓の少なくとも内壁面は前
記被露光体雰囲気温度より高い温度に設定する温度設定
手段を有するものである。
め、本発明の露光装置は、被露光体を露光する光の光源
と、前記光の導入窓及び前記被露光体を載置して加熱す
る加熱装置を備えた載置台を設けたチャンバとを備えた
露光装置において、前記導入窓の少なくとも内壁面は前
記被露光体雰囲気温度より高い温度に設定する温度設定
手段を有するものである。
【０００７】さらに前記温度設定手段は、前記光源から
の光を透過する１組の平行板から成る導入窓を備え、前
記導入窓間に温度調整した気体流を形成して成るもので
あってもよいし、前記温度設定手段は、前記光源による
前記被露光体の非処理時に前記載置台を上昇させる上下
移動機構を設けたものであってもよい。
の光を透過する１組の平行板から成る導入窓を備え、前
記導入窓間に温度調整した気体流を形成して成るもので
あってもよいし、前記温度設定手段は、前記光源による
前記被露光体の非処理時に前記載置台を上昇させる上下
移動機構を設けたものであってもよい。
【０００８】
【作用】本発明の露光装置は露光光源からの光を透過さ
せ、しかも内部を気密に保持させる石英板等から成る導
入窓を備えたチャンバ内で加熱装置を備えた載置台上に
載置された被露光体を露光処理するものである。被露光
体が加熱されることにより発生する気体が導入窓に固体
となって付着するのを防止するため気体流をチャンバ内
に生じさせる気体供給手段が設けられるが、この時大量
の気体が被露光体に当てられて、被露光体の温度が不均
一になることがなく、少量の気体で充分付着が防止でき
るように、熱泳動力の作用により導入窓の温度を調整す
る温度設定手段を設け、導入窓の温度を載置台の温度よ
り高く調整して発生する気体の付着を防止する。温度設
定手段としては、導入窓を光源からの光を透過する１組
の平行板で形成して２層構造とし、この２層構造の間隙
に高い温度に加熱した気体流を流す。また、他の温度設
定手段としては、被露光体の露光処理が行われていない
時に載置台を上昇させ導入窓を加熱させる。このように
して導入窓に付着した付着物を除去できるので、チャン
バ内に起こさせる気体流の流量を減少させるこができ、
被露光体に温度分布を生じさせず、均一な処理を行うこ
とができる。
せ、しかも内部を気密に保持させる石英板等から成る導
入窓を備えたチャンバ内で加熱装置を備えた載置台上に
載置された被露光体を露光処理するものである。被露光
体が加熱されることにより発生する気体が導入窓に固体
となって付着するのを防止するため気体流をチャンバ内
に生じさせる気体供給手段が設けられるが、この時大量
の気体が被露光体に当てられて、被露光体の温度が不均
一になることがなく、少量の気体で充分付着が防止でき
るように、熱泳動力の作用により導入窓の温度を調整す
る温度設定手段を設け、導入窓の温度を載置台の温度よ
り高く調整して発生する気体の付着を防止する。温度設
定手段としては、導入窓を光源からの光を透過する１組
の平行板で形成して２層構造とし、この２層構造の間隙
に高い温度に加熱した気体流を流す。また、他の温度設
定手段としては、被露光体の露光処理が行われていない
時に載置台を上昇させ導入窓を加熱させる。このように
して導入窓に付着した付着物を除去できるので、チャン
バ内に起こさせる気体流の流量を減少させるこができ、
被露光体に温度分布を生じさせず、均一な処理を行うこ
とができる。
【０００９】
【実施例】本発明の露光装置を現像後のパターン硬化装
置に適用した一実施例を図面を参照して説明する。図１
に示すパターン硬化装置７は主として光源を備えた光源
装置８と、被露光体である半導体ウェハを加熱する加熱
装置を備えた載置台であるホットプレート９を備えるチ
ャンバ１０とから成る。光源装置８は所定の波長の紫外
線を発生する光源であるアーク灯、白熱灯等の紫外線ラ
ンプ１１、紫外線ランプ１１からの紫外線１２の散乱を
防止する反射鏡１３を備える。光源装置８からの紫外線
１２が入射されるチャンバ１０は搬送アーム１５に支持
される半導体ウェハ１４が挿入される挿入口１６が設け
られ、チャンバ１０内に半導体ウェハ１４を搬入出でき
るようになっている。そしてこの挿入口１６を開閉する
シャッター１７が上下動移動機構に接続されて設けられ
る。チャンバ１０内のホットプレート１８は内部に埋設
された抵抗発熱体により半導体ウェハ１２を所望の温度
に加熱可能となっている。ホットプレート９には図示し
ない上下動機構に接続された支持ピン１８の貫通孔が例
えば３カ所設けられ、この貫通孔の周囲にはポリテトラ
フロロエチレン等の摺動部材が取着され、支持ピンが摺
動する際摩擦を小さくして上下動を容易にし、ホットプ
レート９上に半導体ウェハ１２を上昇させ、搬送アーム
１５との受渡しを行ったり、下降してホットプレート９
上に半導体ウェハを載置したりするようになっている。 さらに、チャンバ１０の側壁には窒素ガスの気体流Ｎ２
をチャンバ１０内に発生させるための窒素ガス供給装置
に接続されたパージガス導入口１９及び図示しない排気
装置に接続されたパージガス排気口２０を備えた気体供
給手段２１を備える。パージガス導入口１９は窒素ガス
供給装置から供給されるＮ２ガスを一担収容する導入管
２２に設けられ圧力を一定にしてチャンバ１０内に吹き
出すように設けられる。導入口１９は穴でなくスリット
状にして設けてもよい。
置に適用した一実施例を図面を参照して説明する。図１
に示すパターン硬化装置７は主として光源を備えた光源
装置８と、被露光体である半導体ウェハを加熱する加熱
装置を備えた載置台であるホットプレート９を備えるチ
ャンバ１０とから成る。光源装置８は所定の波長の紫外
線を発生する光源であるアーク灯、白熱灯等の紫外線ラ
ンプ１１、紫外線ランプ１１からの紫外線１２の散乱を
防止する反射鏡１３を備える。光源装置８からの紫外線
１２が入射されるチャンバ１０は搬送アーム１５に支持
される半導体ウェハ１４が挿入される挿入口１６が設け
られ、チャンバ１０内に半導体ウェハ１４を搬入出でき
るようになっている。そしてこの挿入口１６を開閉する
シャッター１７が上下動移動機構に接続されて設けられ
る。チャンバ１０内のホットプレート１８は内部に埋設
された抵抗発熱体により半導体ウェハ１２を所望の温度
に加熱可能となっている。ホットプレート９には図示し
ない上下動機構に接続された支持ピン１８の貫通孔が例
えば３カ所設けられ、この貫通孔の周囲にはポリテトラ
フロロエチレン等の摺動部材が取着され、支持ピンが摺
動する際摩擦を小さくして上下動を容易にし、ホットプ
レート９上に半導体ウェハ１２を上昇させ、搬送アーム
１５との受渡しを行ったり、下降してホットプレート９
上に半導体ウェハを載置したりするようになっている。 さらに、チャンバ１０の側壁には窒素ガスの気体流Ｎ２
をチャンバ１０内に発生させるための窒素ガス供給装置
に接続されたパージガス導入口１９及び図示しない排気
装置に接続されたパージガス排気口２０を備えた気体供
給手段２１を備える。パージガス導入口１９は窒素ガス
供給装置から供給されるＮ２ガスを一担収容する導入管
２２に設けられ圧力を一定にしてチャンバ１０内に吹き
出すように設けられる。導入口１９は穴でなくスリット
状にして設けてもよい。
【００１０】このようなチャンバ１０内を気密に保持す
る蓋体２３は図２に示すように、温度設定手段を形成す
る１組の平行板である石英板から形成される導入窓２４
ａ及び２４ｂを２層に設けた２層構造に設けられる。導
入窓２４ａ及び２４ｂは光源装置８からの紫外線１２が
透過して半導体ウェハ１４の露光処理が可能になってい
る。蓋体２３の石英板２４ａ及び２４ｂ間には加熱され
た気体例えばＮ２等の不活性ガス、エア等の供給装置２
５に接続された供給口２６が備えられ、導入窓２４ａ及
び２４ｂ間に供給された気体が図示しない排気装置に接
続された排出口２７から排気される間にチャンバ１０内
の温度より１０℃高くなるような温度に導入窓２４ｂを
加熱するようになっている。導入窓２４ａ及び２４ｂが
１０℃高く設定されると、温度差により粒子に熱泳動力
が作用し、この温度差が例えば３℃より大きいと粒子が
沈着しないことが実験によって確認されている。導入窓
２４ａ及び２４ｂ間隔は加熱された気体流量により決定
されるが、流量が１０〜１５ｌ／分程度であれば５〜１
０ｍｍが好適である。
る蓋体２３は図２に示すように、温度設定手段を形成す
る１組の平行板である石英板から形成される導入窓２４
ａ及び２４ｂを２層に設けた２層構造に設けられる。導
入窓２４ａ及び２４ｂは光源装置８からの紫外線１２が
透過して半導体ウェハ１４の露光処理が可能になってい
る。蓋体２３の石英板２４ａ及び２４ｂ間には加熱され
た気体例えばＮ２等の不活性ガス、エア等の供給装置２
５に接続された供給口２６が備えられ、導入窓２４ａ及
び２４ｂ間に供給された気体が図示しない排気装置に接
続された排出口２７から排気される間にチャンバ１０内
の温度より１０℃高くなるような温度に導入窓２４ｂを
加熱するようになっている。導入窓２４ａ及び２４ｂが
１０℃高く設定されると、温度差により粒子に熱泳動力
が作用し、この温度差が例えば３℃より大きいと粒子が
沈着しないことが実験によって確認されている。導入窓
２４ａ及び２４ｂ間隔は加熱された気体流量により決定
されるが、流量が１０〜１５ｌ／分程度であれば５〜１
０ｍｍが好適である。
【００１１】このような構成のパターン硬化装置７で半
導体ウェハ１４の露光を行うには、搬送アーム１５に支
持された半導体ウェハ１４がシャッター１７が開けられ
た挿入口１６からチャンバ１０内に搬入されると、支持
ピン１８が上昇され搬送アーム１５から半導体ウェハ１
４を受取り、搬送アーム１５が後退してシャッター１７
が閉じられ、チャンバ１０内が気密に保たれる。支持ピ
ン１８が下降して半導体ウェハ１４は２００℃に温度設
定されたホットプレート９上に載置される。光源装置８
の紫外線ランプ１１から紫外線１２が発光されると紫外
線１２は蓋体２３の導入窓２４ａ及び２４ｂを透過して
半導体ウェハを照射して露光処理を行う。チャンバ１０
内にはＮ２ガス供給体から供給されるＮ２ガスがパージ
ガス導入口１９からチャンバ１０内に導入され、排気口
２０から排気されて気体流が形成され、加熱されて発生
する半導体ウェハ１４に塗布されたレジストの気化され
た溶剤が気体と共に排気口２０からチャンバ１０外に送
出される。この時蓋体２３の導入窓２４ａ及び２４ｂ間
にホットプレート９の温度より１０℃高い例えば２１０
℃に加熱されたＮ２ガスが気体供給装置２５から供給さ
れ、導入窓２４ｂを２１０℃に加熱する。このように石
英板２４ｂをホットプレート９の温度つまりチャンバ１
０内の温度より１０℃高くすることにより、粒子に熱泳
動力が作用し、導入窓２４ｂの表面に粒子が付着して汚
染するのを防止することができる。従って導入窓２４ｂ
の表面を常時クリーンな状態に維持できるため、汚染物
付着による紫外線照射強度の変化等の不都合は発生せず
、均一な光強度にて半導体ウェハ１４を露光処理するこ
とができる。また、パージガス導入口１９からチャンバ
１０内に供給されるＮ２ガスの流量は従来の２０〜３０
ｌ／分から１０〜１５ｌ／分と約半分に減少させること
ができ、従って従来のようにチャンバ１０内の大量のＮ
２ガス量により半導体ウェハが冷却されることなく、半
導体ウェハ面内において温度差を生じずに均一な露光処
理を行うことができる。
導体ウェハ１４の露光を行うには、搬送アーム１５に支
持された半導体ウェハ１４がシャッター１７が開けられ
た挿入口１６からチャンバ１０内に搬入されると、支持
ピン１８が上昇され搬送アーム１５から半導体ウェハ１
４を受取り、搬送アーム１５が後退してシャッター１７
が閉じられ、チャンバ１０内が気密に保たれる。支持ピ
ン１８が下降して半導体ウェハ１４は２００℃に温度設
定されたホットプレート９上に載置される。光源装置８
の紫外線ランプ１１から紫外線１２が発光されると紫外
線１２は蓋体２３の導入窓２４ａ及び２４ｂを透過して
半導体ウェハを照射して露光処理を行う。チャンバ１０
内にはＮ２ガス供給体から供給されるＮ２ガスがパージ
ガス導入口１９からチャンバ１０内に導入され、排気口
２０から排気されて気体流が形成され、加熱されて発生
する半導体ウェハ１４に塗布されたレジストの気化され
た溶剤が気体と共に排気口２０からチャンバ１０外に送
出される。この時蓋体２３の導入窓２４ａ及び２４ｂ間
にホットプレート９の温度より１０℃高い例えば２１０
℃に加熱されたＮ２ガスが気体供給装置２５から供給さ
れ、導入窓２４ｂを２１０℃に加熱する。このように石
英板２４ｂをホットプレート９の温度つまりチャンバ１
０内の温度より１０℃高くすることにより、粒子に熱泳
動力が作用し、導入窓２４ｂの表面に粒子が付着して汚
染するのを防止することができる。従って導入窓２４ｂ
の表面を常時クリーンな状態に維持できるため、汚染物
付着による紫外線照射強度の変化等の不都合は発生せず
、均一な光強度にて半導体ウェハ１４を露光処理するこ
とができる。また、パージガス導入口１９からチャンバ
１０内に供給されるＮ２ガスの流量は従来の２０〜３０
ｌ／分から１０〜１５ｌ／分と約半分に減少させること
ができ、従って従来のようにチャンバ１０内の大量のＮ
２ガス量により半導体ウェハが冷却されることなく、半
導体ウェハ面内において温度差を生じずに均一な露光処
理を行うことができる。
【００１２】また、他の実施例として図３に示すように
、チャンバ１０の蓋体２８は導入窓２４ａのみを有する
一層構造とするが、ホットプレート９に温度設定手段を
構成する上下移動機構２９を備える。上下移動機構２９
はホットプレート９を導入窓２４ａに２〜３ｍｍまで接
近させ得る。そして１枚の半導体ウェハ１４をチャンバ
１０内に搬入し、パージガス導入口１９からＮ２ガス流
をチャンバ１０内に形成しながら露光処理を行い、半導
体ウェハ１４をチャンバ１０から搬出した後、ホットプ
レート９を上下移動機構２９を作動させ導入窓２４ａに
２〜３ｍｍ距離に接近させる。そして導入窓２４ａをチ
ャンバ１０内より高い温度に加熱して、半導体ウェハ１
４を熱処理した際に発生したレジストの溶剤等が固化し
て付着したのを熱泳動力により導入窓２４ａから除去さ
せる。この時パージガス導入口１９からＮ２ガスをチャ
ンバ１０内に供給し、排気口２０から導入窓２４ａから
離脱した粒子をＮ２ガスと共に排気させる。この操作は
半導体ウェハ１４を１枚処理する毎に行ってもよいし、
何枚か処理した後に行うようにしてもよい。
、チャンバ１０の蓋体２８は導入窓２４ａのみを有する
一層構造とするが、ホットプレート９に温度設定手段を
構成する上下移動機構２９を備える。上下移動機構２９
はホットプレート９を導入窓２４ａに２〜３ｍｍまで接
近させ得る。そして１枚の半導体ウェハ１４をチャンバ
１０内に搬入し、パージガス導入口１９からＮ２ガス流
をチャンバ１０内に形成しながら露光処理を行い、半導
体ウェハ１４をチャンバ１０から搬出した後、ホットプ
レート９を上下移動機構２９を作動させ導入窓２４ａに
２〜３ｍｍ距離に接近させる。そして導入窓２４ａをチ
ャンバ１０内より高い温度に加熱して、半導体ウェハ１
４を熱処理した際に発生したレジストの溶剤等が固化し
て付着したのを熱泳動力により導入窓２４ａから除去さ
せる。この時パージガス導入口１９からＮ２ガスをチャ
ンバ１０内に供給し、排気口２０から導入窓２４ａから
離脱した粒子をＮ２ガスと共に排気させる。この操作は
半導体ウェハ１４を１枚処理する毎に行ってもよいし、
何枚か処理した後に行うようにしてもよい。
【００１３】このように蓋体をクリーニングすることで
常時均一な露光が可能となり半導体ウェハ１４の処理時
にはＮ２ガスを大量に流出させずに露光処理を行うこと
ができ、半導体ウェハの温度が不均一にならないため均
一な露光処理をすることができる。上記実施例では半導
体ウェハ上に形成したレジスト膜の露光工程に適用した
例について説明したが、ＬＣＤの製造、プリント基板の
製造等露光装置であれば何れのものにも適用できる。
常時均一な露光が可能となり半導体ウェハ１４の処理時
にはＮ２ガスを大量に流出させずに露光処理を行うこと
ができ、半導体ウェハの温度が不均一にならないため均
一な露光処理をすることができる。上記実施例では半導
体ウェハ上に形成したレジスト膜の露光工程に適用した
例について説明したが、ＬＣＤの製造、プリント基板の
製造等露光装置であれば何れのものにも適用できる。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の露光装置によれば、導入窓をチャンバより高い温度
に調節する温度設定手段を設けたため、熱泳動作用によ
り導入窓にレジスト等の溶剤が気化して付着することが
なく、導入窓の汚染を防止できかつ少量のパージガスで
露光処理を行うことができる。そのため半導体ウェハの
温度均一を保持して均一な処理を行い、高品位な製品を
効率よく製造することができる。
明の露光装置によれば、導入窓をチャンバより高い温度
に調節する温度設定手段を設けたため、熱泳動作用によ
り導入窓にレジスト等の溶剤が気化して付着することが
なく、導入窓の汚染を防止できかつ少量のパージガスで
露光処理を行うことができる。そのため半導体ウェハの
温度均一を保持して均一な処理を行い、高品位な製品を
効率よく製造することができる。
【図１】本発明の露光装置の一実施例を示す斜視図
【図
２】図１に示す一実施例の要部を示す図
２】図１に示す一実施例の要部を示す図
【図３】他の実
施例を示す図
施例を示す図
【図４】従来例を示す図
７・・・・・・パターン硬化装置
９・・・・・・ホットプレート（載置台、加熱装置）１
０・・・・・・チャンバ １１・・・・・・紫外線ランプ（光源）１４・・・・・
・半導体ウェハ ２４ａ、２４ｂ・・・・・・導入窓（１組の平行板、温
度設定手段）
０・・・・・・チャンバ １１・・・・・・紫外線ランプ（光源）１４・・・・・
・半導体ウェハ ２４ａ、２４ｂ・・・・・・導入窓（１組の平行板、温
度設定手段）
Claims (3)
- 【請求項１】被露光体を露光する光の光源と、前記光の
導入窓及び前記被露光体を載置して加熱する加熱装置を
備えた載置台を設けたチャンバとを備えた露光装置にお
いて、前記導入窓の少なくとも内壁面は前記被露光体雰
囲気温度より高い温度に設定する温度設定手段を有する
ことを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】前記温度設定手段は、前記光源からの光を
透過する１組の平行板から成る導入窓を備え、前記導入
窓間に温度調整した気体流を形成して成ることを特徴と
する請求項１記載の露光装置。 - 【請求項３】前記温度設定手段は、前記光源による前記
被露光体の非処理時に前記載置台を上昇させる上下移動
機構を設けたことを特徴とする請求項１記載の露光装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3033131A JP2854716B2 (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3033131A JP2854716B2 (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04273116A true JPH04273116A (ja) | 1992-09-29 |
| JP2854716B2 JP2854716B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=12378050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3033131A Expired - Fee Related JP2854716B2 (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2854716B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168027A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-06-22 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ装置 |
| US6970228B1 (en) | 1999-07-16 | 2005-11-29 | Nikon Corporation | Exposure method and system |
| JP2007123874A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、および照射コレクタの使用 |
| JP2012028621A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Tokuyama Corp | レーザ光線の繰り返し照射に起因する試料の透過率変動を測定する測定装置 |
-
1991
- 1991-02-27 JP JP3033131A patent/JP2854716B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6970228B1 (en) | 1999-07-16 | 2005-11-29 | Nikon Corporation | Exposure method and system |
| JP2001168027A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-06-22 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ装置 |
| JP2007123874A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、および照射コレクタの使用 |
| US7897941B2 (en) | 2005-10-19 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and use of a radiation collector |
| JP2012028621A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Tokuyama Corp | レーザ光線の繰り返し照射に起因する試料の透過率変動を測定する測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2854716B2 (ja) | 1999-02-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101006800B1 (ko) | 기판의 처리막의 표면 거침을 개선하는 방법 및 기판 처리장치 | |
| KR101114178B1 (ko) | 임프린트 방법, 칩 제조 방법 및 임프린트 장치 | |
| JP3983831B2 (ja) | 基板ベーキング装置及び基板ベーキング方法 | |
| JP5193121B2 (ja) | レジスト塗布現像方法 | |
| TW201404574A (zh) | 壓印裝置及製造物品的方法 | |
| TW200305916A (en) | System and method for heating and cooling wafer at accelerated rates | |
| JPS63260028A (ja) | ホトレジストの熱安定化装置 | |
| US7826033B2 (en) | Method to recover the exposure sensitivity of chemically amplified resins from post coat delay effect | |
| WO2008096835A1 (ja) | 基板処理方法及び塗布現像処理装置 | |
| JP2007335752A (ja) | 基板処理方法 | |
| JPH03127814A (ja) | 露光装置 | |
| KR20070078264A (ko) | 기판 표면 처리 방법과 이를 수행하기 위한 기판 표면 처리장치 | |
| JPH04273116A (ja) | 露光装置 | |
| US5849582A (en) | Baking of photoresist on wafers | |
| JP3194441B2 (ja) | レジストの硬化方法及びレジスト処理装置 | |
| JP3676947B2 (ja) | 半導体素子の製造装備、これを利用した半導体素子のパターン形成方法及びこれを適用した半導体素子製造用フォトレジスト | |
| JP7002262B2 (ja) | 露光装置、基板処理装置、露光方法および基板処理方法 | |
| JPH04273430A (ja) | 露光装置 | |
| KR100930604B1 (ko) | 노광 장치, 노광 방법 및 그에 따른 패턴 형성방법 | |
| JPH0130138B2 (ja) | ||
| JPS63234526A (ja) | レジスト処理方法 | |
| JPH07307274A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JP2973737B2 (ja) | 露光方法およびその実施に用いる露光装置 | |
| JP2011123102A (ja) | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板温度調節方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
| US20020092839A1 (en) | Method of making an integrated circuit |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19981020 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |