JPH04273430A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH04273430A JPH04273430A JP3034687A JP3468791A JPH04273430A JP H04273430 A JPH04273430 A JP H04273430A JP 3034687 A JP3034687 A JP 3034687A JP 3468791 A JP3468791 A JP 3468791A JP H04273430 A JPH04273430 A JP H04273430A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- chamber
- window
- gas
- space
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 51
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 abstract description 18
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 52
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光装置に関する。
【０００２】
【従来技術】半導体製造工程において、半導体ウェハ上
に積層された薄膜にパターン形成するフォトリソグラフ
ィー工程がある。フォトリソグラフィー工程では半導体
ウェハ上にスピンコータ等で均一な厚さにレジストを塗
布し、この塗布されたレジスト膜をパターンが形成され
たマスクを通して投影露光し、現像を行い、レジスト薄
膜をパターン形状に形成している。これらの露光工程で
は紫外線を照射してパターンの投影露光を行っている。 また、現像工程では現像液で、光反応して硬化したレジ
スト以外のレジストを現像除去したあと、ポジあるいは
ネガのパターンで残存するレジストパターン形状が高精
度に維持できるようにするため、例えばホットプレート
に半導体ウェハを載置して加熱し、紫外線照射して残存
するレジストの硬化を行っている。
に積層された薄膜にパターン形成するフォトリソグラフ
ィー工程がある。フォトリソグラフィー工程では半導体
ウェハ上にスピンコータ等で均一な厚さにレジストを塗
布し、この塗布されたレジスト膜をパターンが形成され
たマスクを通して投影露光し、現像を行い、レジスト薄
膜をパターン形状に形成している。これらの露光工程で
は紫外線を照射してパターンの投影露光を行っている。 また、現像工程では現像液で、光反応して硬化したレジ
スト以外のレジストを現像除去したあと、ポジあるいは
ネガのパターンで残存するレジストパターン形状が高精
度に維持できるようにするため、例えばホットプレート
に半導体ウェハを載置して加熱し、紫外線照射して残存
するレジストの硬化を行っている。
【０００３】
【発明が解決すべき課題】しかしながら、このようなフ
ォトリソグラフィー工程において、半導体集積回路素子
の超集積度が要求されるに伴い、パターンの形成も超高
精度に均一性が要求されている。そこで、このような半
導体ウェハをチャンバ内で加熱しながら紫外線照射を行
う露光装置では、熱板上に半導体ウェハを水平に載置し
、紫外線を透過させる石英板の蓋体で気密に保持したチ
ャンバ内で処理することが行なわれている。そしてチャ
ンバの側壁に設けられた気体導入口から排気口に向って
チャンバ内にＮ２ガス等の気体流を生じさせ、熱により
気化されて発生するレジストの溶剤等を取り除くことに
より、レジスト溶剤等が石英板に付着して露光のための
照射光強度が変化して、露光による処理が不均一になる
のを防止している。
ォトリソグラフィー工程において、半導体集積回路素子
の超集積度が要求されるに伴い、パターンの形成も超高
精度に均一性が要求されている。そこで、このような半
導体ウェハをチャンバ内で加熱しながら紫外線照射を行
う露光装置では、熱板上に半導体ウェハを水平に載置し
、紫外線を透過させる石英板の蓋体で気密に保持したチ
ャンバ内で処理することが行なわれている。そしてチャ
ンバの側壁に設けられた気体導入口から排気口に向って
チャンバ内にＮ２ガス等の気体流を生じさせ、熱により
気化されて発生するレジストの溶剤等を取り除くことに
より、レジスト溶剤等が石英板に付着して露光のための
照射光強度が変化して、露光による処理が不均一になる
のを防止している。
【０００４】しかしながら、チャンバ内に供給するＮ２
ガスはかなりの流量が必要であるため、図４に示すよう
にチャンバ１内で石英板２と熱板３上の半導体ウェハ４
間にＮ２ガス流を発生させた場合、半導体ウェハ４上に
Ｎ２ガス流が大量に当る部分（中央部）５と、少量しか
供給されない部分（周辺部）６とで温度差が生じてしま
う。そのため露光処理が不均一になってしまった。
ガスはかなりの流量が必要であるため、図４に示すよう
にチャンバ１内で石英板２と熱板３上の半導体ウェハ４
間にＮ２ガス流を発生させた場合、半導体ウェハ４上に
Ｎ２ガス流が大量に当る部分（中央部）５と、少量しか
供給されない部分（周辺部）６とで温度差が生じてしま
う。そのため露光処理が不均一になってしまった。
【０００５】本発明は上記の欠点を解消するためになさ
れたものであって、照射光強度が半導体ウェハ全面に亘
って均一に当るようにして露光が均一に行われる高品質
な半導体ウェハが得られる露光装置を提供することを目
的とする。
れたものであって、照射光強度が半導体ウェハ全面に亘
って均一に当るようにして露光が均一に行われる高品質
な半導体ウェハが得られる露光装置を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の露光装置は、被露光体が載置されるチャン
バと、前記チャンバ内の前記被露光体上面に沿って気体
流を発生させる導入口及び排気口を有する気体供給手段
と、前記チャンバ内の前記被露光体を露光する光の光路
となる前記チャンバに設けられた窓と、前記窓を透過し
て前記半導体ウェハを露光する光の光源とを備えた露光
装置において、前記気体流が流れる空間の高さを前記導
入口から前記排気口方向に高く設け前記空間は前記気体
流が前記窓内壁面に沿って形成される形状を備えたもの
である。
め、本発明の露光装置は、被露光体が載置されるチャン
バと、前記チャンバ内の前記被露光体上面に沿って気体
流を発生させる導入口及び排気口を有する気体供給手段
と、前記チャンバ内の前記被露光体を露光する光の光路
となる前記チャンバに設けられた窓と、前記窓を透過し
て前記半導体ウェハを露光する光の光源とを備えた露光
装置において、前記気体流が流れる空間の高さを前記導
入口から前記排気口方向に高く設け前記空間は前記気体
流が前記窓内壁面に沿って形成される形状を備えたもの
である。
【０００７】前記窓の形状は平板形状であって、前記空
間は前記被露光体との間隔を前記導入口近傍から前記排
気口近傍に向って漸時広くした形状を備えたものであっ
てもよいし、前記窓の形状は湾曲した曲面形状であって
、前記空間は前記被露光体との間隔を前記被露光体の中
心部から周縁部に向って漸時広くした形状を備えたもの
であってもよい。
間は前記被露光体との間隔を前記導入口近傍から前記排
気口近傍に向って漸時広くした形状を備えたものであっ
てもよいし、前記窓の形状は湾曲した曲面形状であって
、前記空間は前記被露光体との間隔を前記被露光体の中
心部から周縁部に向って漸時広くした形状を備えたもの
であってもよい。
【０００８】
【作用】本発明の露光装置は露光光源からの光をチャン
バ内に導入しチャンバ内に載置された被露光体を露光す
るものである。被露光体が加熱されることにより発生す
る気体を除去するため、チャンバ内に気体流を生じさせ
る気体供給手段を設ける。気体流が被露光体全表面に均
一に当るように、チャンバ内の被露光体上面の空間が気
体の導入口近傍から排気口近傍に向って高さ方向が漸次
高くなる形状を構成するように窓を設ける。気体流が広
がりながら窓の内壁に沿って形成され、窓の表面に気体
のカーテンを形成し、かつ被露光体全表面に均一に当る
ようにする。また蓋体の他の形状として湾曲した曲面形
状に設け、被露光体の中心部では蓋体と被露光体の間隔
を狭く、被露光体の周縁部では間隔で広くなるように配
置して窓表面の気体流の交換が促進されるようにして被
露光体に均一な露光処理を行う。
バ内に導入しチャンバ内に載置された被露光体を露光す
るものである。被露光体が加熱されることにより発生す
る気体を除去するため、チャンバ内に気体流を生じさせ
る気体供給手段を設ける。気体流が被露光体全表面に均
一に当るように、チャンバ内の被露光体上面の空間が気
体の導入口近傍から排気口近傍に向って高さ方向が漸次
高くなる形状を構成するように窓を設ける。気体流が広
がりながら窓の内壁に沿って形成され、窓の表面に気体
のカーテンを形成し、かつ被露光体全表面に均一に当る
ようにする。また蓋体の他の形状として湾曲した曲面形
状に設け、被露光体の中心部では蓋体と被露光体の間隔
を狭く、被露光体の周縁部では間隔で広くなるように配
置して窓表面の気体流の交換が促進されるようにして被
露光体に均一な露光処理を行う。
【０００９】
【実施例】本発明の露光装置を現像後のパターン硬化装
置に適用した一実施例を図面を参照して説明する。図１
に示すパターン硬化装置７は主として光源を備えた光源
装置８と、被露光体である半導体ウェハ１４を載置して
加熱する加熱装置であるホットプレート９を備えるチャ
ンバ１０とから成る。光源装置８は所定の波長の紫外線
を発生する光源であるアーク灯、白熱灯等の紫外線ラン
プ１１、紫外線ランプ１１からの紫外線１２の散乱を防
止する反射鏡１３を備える。光源装置８からの紫外線１
２が入射されるチャンバ１０には支持した搬送アーム１
５に支持される半導体ウェハ１４が挿入される挿入口１
６が設けられ、チャンバ１０内に半導体ウェハ１４を搬
入出できるようになっている。そしてこの挿入口１６を
開閉するシャッター１７が上下動移動機構に接続されて
設けられる。チャンバ１０内に配置されたホットプレー
ト９は内部に埋設された抵抗発熱体により半導体ウェハ
１４を所望の温度に加熱可能となっている。ホットプレ
ート９には図示しない上下動機構に接続された支持ピン
１８の貫通孔が例えば３カ所設けられ、この貫通孔の周
囲にはポリテトラフロロエチレン等の摺動部材が取着さ
れ、支持ピンが摺動する際摩擦を小さくして上下動を容
易にし、ホットプレート９上に半導体ウェハ１４を上昇
させ、搬送アーム１５との受渡しを行ったり、下降して
ホットプレート９上に半導体ウェハを載置したりするよ
うになっている。さらに、チャンバ１０の側壁には窒素
ガスの気体流Ｎ２をチャンバ１０内に発生させるための
窒素ガス供給装置に接続されたパージガス導入口１９及
び図示しない排気装置に接続されたパージガス排気口２
０を備えた気体供給手段２１を備える。パージガス導入
口１９は窒素ガス供給装置から供給されるＮ２ガスを一
担収容する導入管２２に接続されて設けられ圧力を一定
にしてチャンバ１０内に吹き出すように設けられる。導
入口１９は穴でなくスリット状にして設けてもよい。
置に適用した一実施例を図面を参照して説明する。図１
に示すパターン硬化装置７は主として光源を備えた光源
装置８と、被露光体である半導体ウェハ１４を載置して
加熱する加熱装置であるホットプレート９を備えるチャ
ンバ１０とから成る。光源装置８は所定の波長の紫外線
を発生する光源であるアーク灯、白熱灯等の紫外線ラン
プ１１、紫外線ランプ１１からの紫外線１２の散乱を防
止する反射鏡１３を備える。光源装置８からの紫外線１
２が入射されるチャンバ１０には支持した搬送アーム１
５に支持される半導体ウェハ１４が挿入される挿入口１
６が設けられ、チャンバ１０内に半導体ウェハ１４を搬
入出できるようになっている。そしてこの挿入口１６を
開閉するシャッター１７が上下動移動機構に接続されて
設けられる。チャンバ１０内に配置されたホットプレー
ト９は内部に埋設された抵抗発熱体により半導体ウェハ
１４を所望の温度に加熱可能となっている。ホットプレ
ート９には図示しない上下動機構に接続された支持ピン
１８の貫通孔が例えば３カ所設けられ、この貫通孔の周
囲にはポリテトラフロロエチレン等の摺動部材が取着さ
れ、支持ピンが摺動する際摩擦を小さくして上下動を容
易にし、ホットプレート９上に半導体ウェハ１４を上昇
させ、搬送アーム１５との受渡しを行ったり、下降して
ホットプレート９上に半導体ウェハを載置したりするよ
うになっている。さらに、チャンバ１０の側壁には窒素
ガスの気体流Ｎ２をチャンバ１０内に発生させるための
窒素ガス供給装置に接続されたパージガス導入口１９及
び図示しない排気装置に接続されたパージガス排気口２
０を備えた気体供給手段２１を備える。パージガス導入
口１９は窒素ガス供給装置から供給されるＮ２ガスを一
担収容する導入管２２に接続されて設けられ圧力を一定
にしてチャンバ１０内に吹き出すように設けられる。導
入口１９は穴でなくスリット状にして設けてもよい。
【００１０】このようなチャンバ１０内を気密に保持す
る蓋体２３は紫外線を透過し熱に安定な例えば石英等か
らなる窓２４を着脱自在に設置されるようになっている
。窓２４は紫外線１２の光路外の摺動部分の表面に合成
樹脂製例えばポリテトラフロロエチレン等から成るフィ
ルムを接着剤で貼着され摺動しやすいようになっている
。窓２４が嵌合された蓋体２３は図２の側面図に示すよ
うにパージガス導入口１９近傍においては窓２４とホッ
トプレート９上の半導体ウェハ１４との間隔を狭く、パ
ージガス排気口２０近傍では窓２４と半導体ウェハ１４
との間隔を広く末広がりに配置され、半導体ウェハ１４
上面と窓２４で形成する空間Ａはその高さがパージガス
導入口１９からパージガス排気口２０方向に高くなるよ
うに形成される。即ち、窓２４の半導体ウェハ１４に対
向する下面と、半導体ウェハ１４面を平行ではなく、相
対的に傾斜させ、パージガス導入口１９からパージガス
排気口２０に向って漸次間隔が広くなるように構成する
。さらにパージガス導入口１９は窓２４方向に向ってパ
ージガスを噴出するように設けられる。
る蓋体２３は紫外線を透過し熱に安定な例えば石英等か
らなる窓２４を着脱自在に設置されるようになっている
。窓２４は紫外線１２の光路外の摺動部分の表面に合成
樹脂製例えばポリテトラフロロエチレン等から成るフィ
ルムを接着剤で貼着され摺動しやすいようになっている
。窓２４が嵌合された蓋体２３は図２の側面図に示すよ
うにパージガス導入口１９近傍においては窓２４とホッ
トプレート９上の半導体ウェハ１４との間隔を狭く、パ
ージガス排気口２０近傍では窓２４と半導体ウェハ１４
との間隔を広く末広がりに配置され、半導体ウェハ１４
上面と窓２４で形成する空間Ａはその高さがパージガス
導入口１９からパージガス排気口２０方向に高くなるよ
うに形成される。即ち、窓２４の半導体ウェハ１４に対
向する下面と、半導体ウェハ１４面を平行ではなく、相
対的に傾斜させ、パージガス導入口１９からパージガス
排気口２０に向って漸次間隔が広くなるように構成する
。さらにパージガス導入口１９は窓２４方向に向ってパ
ージガスを噴出するように設けられる。
【００１１】このような構成のパターン硬化装置７で半
導体ウェハ１４の露光を行なうには、搬送アーム１５に
支持された半導体ウェハ１４がシャッター１７が開けら
れた挿入口１６からチャンバ１０内に搬入されると、支
持ピン１８が上昇され搬送アーム１５から半導体ウェハ
１４を受取り、搬送アーム１５が後退してシャッター１
７が閉じられ、チャンバ１０内が気密に保たれる。支持
ピン１８が下降して半導体ウェハ１４は２００℃に温度
設定されたホットプレート９上に載置される。光源装置
８の紫外線ランプ１１から紫外線１２が発光されると紫
外線１２は蓋体２３の窓２４を透過して半導体ウェハ１
４を照射して露光する。この際、チャンバ１０内では、
Ｎ２ガス供給体から供給されるＮ２ガスがパージガス導
入口１９からチャンバ１０内に窓２４方向に向って導入
されると、Ｎ２ガスは壁面に沿って流れる性質を有する
（コアンダ効果）ため、窓２４に沿って流れる。従って
窓２４表面に充分なＮ２ガスカーテンが形成されるので
、窓２４に付着しようとするレジスト溶剤等を効率よく
除去排出できる。
導体ウェハ１４の露光を行なうには、搬送アーム１５に
支持された半導体ウェハ１４がシャッター１７が開けら
れた挿入口１６からチャンバ１０内に搬入されると、支
持ピン１８が上昇され搬送アーム１５から半導体ウェハ
１４を受取り、搬送アーム１５が後退してシャッター１
７が閉じられ、チャンバ１０内が気密に保たれる。支持
ピン１８が下降して半導体ウェハ１４は２００℃に温度
設定されたホットプレート９上に載置される。光源装置
８の紫外線ランプ１１から紫外線１２が発光されると紫
外線１２は蓋体２３の窓２４を透過して半導体ウェハ１
４を照射して露光する。この際、チャンバ１０内では、
Ｎ２ガス供給体から供給されるＮ２ガスがパージガス導
入口１９からチャンバ１０内に窓２４方向に向って導入
されると、Ｎ２ガスは壁面に沿って流れる性質を有する
（コアンダ効果）ため、窓２４に沿って流れる。従って
窓２４表面に充分なＮ２ガスカーテンが形成されるので
、窓２４に付着しようとするレジスト溶剤等を効率よく
除去排出できる。
【００１２】尚、チャンバ１０内に形成されるＮ２ガス
流は、窓２４が半導体ウェハ１４と５゜〜３０゜の範囲
内の傾斜を有するように形成すれば窓２４の表面に沿っ
て充分なエアーカーテンを形成できると同時に半導体ウ
ェハ１４直上の雰囲気をパージガスで乱されることがな
く良好な処理が可能となる。これはＮ２ガス流が半導体
ウェハ１４の上面と平行に流れている状態である。この
ようにＮ２ガス流が半導体ウェハ１４の上面と平行に成
形されることにより半導体ウェハ１４は全面に亘り均一
温度となり均一な処理が行われる。このようにＮ２ガス
流は効率的に半導体ウェハ１４から発生するレジストの
溶剤を除去することができるので、Ｎ２ガスの供給量も
少量で行うことができる。
流は、窓２４が半導体ウェハ１４と５゜〜３０゜の範囲
内の傾斜を有するように形成すれば窓２４の表面に沿っ
て充分なエアーカーテンを形成できると同時に半導体ウ
ェハ１４直上の雰囲気をパージガスで乱されることがな
く良好な処理が可能となる。これはＮ２ガス流が半導体
ウェハ１４の上面と平行に流れている状態である。この
ようにＮ２ガス流が半導体ウェハ１４の上面と平行に成
形されることにより半導体ウェハ１４は全面に亘り均一
温度となり均一な処理が行われる。このようにＮ２ガス
流は効率的に半導体ウェハ１４から発生するレジストの
溶剤を除去することができるので、Ｎ２ガスの供給量も
少量で行うことができる。
【００１３】また他の実施例として図３に示すように、
円筒状に形成したチャンバ２５の蓋体２６を湾曲して設
ける。蓋体２６に嵌合される窓２７も湾曲させ、半導体
ウェハ１４の中心部１４１は間隔が狭く、周縁部１４２
に向って漸次間隔が広くなるように配置させる。チャン
バ２５の側壁周囲には、Ｎ２ガス供給装置から供給され
る環状の導入管２８が設けられ、チャンバ２５に穿孔さ
れる導入口２９あるいはスリット状の送入口からチャン
バ２５内にＮ２ガスが供給されるようになっている。Ｎ
２ガスはチャンバ２５の周囲から供給されるため半導体
ウェハ１４全面に亘り平均に供給され湾曲した窓２７に
沿って中心から周辺に向って流れチャンバ２５側壁に設
けた排気口３０から排気される。この場合導入されたＮ
２ガスは窓２７が周辺上方に向って湾曲しているため、
排気は滞留することなく効率よく行なわれ半導体ウェハ
１４上方の雰囲気の交換が促進されるので窓２７へのレ
ジスト溶剤の付着を防止することができる。
円筒状に形成したチャンバ２５の蓋体２６を湾曲して設
ける。蓋体２６に嵌合される窓２７も湾曲させ、半導体
ウェハ１４の中心部１４１は間隔が狭く、周縁部１４２
に向って漸次間隔が広くなるように配置させる。チャン
バ２５の側壁周囲には、Ｎ２ガス供給装置から供給され
る環状の導入管２８が設けられ、チャンバ２５に穿孔さ
れる導入口２９あるいはスリット状の送入口からチャン
バ２５内にＮ２ガスが供給されるようになっている。Ｎ
２ガスはチャンバ２５の周囲から供給されるため半導体
ウェハ１４全面に亘り平均に供給され湾曲した窓２７に
沿って中心から周辺に向って流れチャンバ２５側壁に設
けた排気口３０から排気される。この場合導入されたＮ
２ガスは窓２７が周辺上方に向って湾曲しているため、
排気は滞留することなく効率よく行なわれ半導体ウェハ
１４上方の雰囲気の交換が促進されるので窓２７へのレ
ジスト溶剤の付着を防止することができる。
【００１４】以上の説明はパターン硬化装置に適用した
一実施例であって、本発明はＬＣＤの製造工程における
露光、プリント基板の製造における露光等露光装置なら
ば何れのものにも適用することができる。
一実施例であって、本発明はＬＣＤの製造工程における
露光、プリント基板の製造における露光等露光装置なら
ば何れのものにも適用することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明は半導体ウェハにパージガスを均一に供給し、しかも
窓に沿ってパージガス流が効率よく形成されるようにし
たため、半導体ウェハに塗布されたレジストから発生す
る溶剤が窓に付着することなく、少量のパージガスで目
的を達成することができる。そのため、半導体ウェハの
温度均一を保持して均一な処理ができ、高品位な製品を
効率よく製造することができる。
明は半導体ウェハにパージガスを均一に供給し、しかも
窓に沿ってパージガス流が効率よく形成されるようにし
たため、半導体ウェハに塗布されたレジストから発生す
る溶剤が窓に付着することなく、少量のパージガスで目
的を達成することができる。そのため、半導体ウェハの
温度均一を保持して均一な処理ができ、高品位な製品を
効率よく製造することができる。
【図１】本発明の露光装置の一実施例を示す斜視図
【図
２】図１に示す一実施例の要部を示す図
２】図１に示す一実施例の要部を示す図
【図３】他の実
施例を示す図
施例を示す図
【図４】従来例を示す図
７・・・・・・パターン硬化装置
１０・・・・・・チャンバ
１１・・・・・・紫外線ランプ（光源）１４・・・・・
・半導体ウェハ １９、２９・・・・・・導入口 ２０、３０・・・・・・排気口 ２１・・・・・・気体供給手段 ２４、２９・・・・・・窓 １４１・・・・・・半導体ウェハの中心部１４２・・・
・・・半導体ウェハの周縁部Ｎ２・・・・・・気体流 Ａ・・・・・・空間
・半導体ウェハ １９、２９・・・・・・導入口 ２０、３０・・・・・・排気口 ２１・・・・・・気体供給手段 ２４、２９・・・・・・窓 １４１・・・・・・半導体ウェハの中心部１４２・・・
・・・半導体ウェハの周縁部Ｎ２・・・・・・気体流 Ａ・・・・・・空間
Claims (3)
- 【請求項１】被露光体が載置されるチャンバと、前記チ
ャンバ内の前記被露光体上面に沿って気体流を発生させ
る導入口及び排気口を有する気体供給手段と、前記チャ
ンバ内の前記被露光体を露光する光の光路となる前記チ
ャンバに設けられた窓と、前記窓を透過して前記半導体
ウェハを露光する光の光源とを備えた露光装置において
、前記気体流が流れる空間の高さを前記導入口から前記
排気口方向に高く設け前記空間は前記気体流が前記窓内
壁面に沿って形成される形状を備えていることを特徴と
する露光装置。 - 【請求項２】前記窓の形状は平板形状であって、前記空
間は前記被露光体との間隔を前記導入口近傍から前記排
気口近傍に向って漸時広くした形状を備えたことを特徴
とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項３】前記窓の形状は湾曲した曲面形状であって
、前記空間は前記被露光体との間隔を前記被露光体の中
心部から周縁部に向って漸時広くした形状を備えたこと
を特徴とする請求項１記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3034687A JPH04273430A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3034687A JPH04273430A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04273430A true JPH04273430A (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=12421307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3034687A Withdrawn JPH04273430A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04273430A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021034537A (ja) * | 2019-08-23 | 2021-03-01 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP3034687A patent/JPH04273430A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021034537A (ja) * | 2019-08-23 | 2021-03-01 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
| WO2021039148A1 (ja) * | 2019-08-23 | 2021-03-04 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
| TWI775127B (zh) * | 2019-08-23 | 2022-08-21 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 熱處理方法及熱處理裝置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3983831B2 (ja) | 基板ベーキング装置及び基板ベーキング方法 | |
| US7156924B2 (en) | System and method for heating and cooling wafer at accelerated rates | |
| JP3764278B2 (ja) | 基板加熱装置、基板加熱方法及び基板処理方法 | |
| US8217313B2 (en) | Heating apparatus and heating method | |
| JP2010250177A (ja) | レジスト塗布現像方法、並びにレジスト膜処理装置およびこれを含むレジスト塗布現像装置 | |
| JP2006191032A (ja) | 半導体ウェーハのベーキング装置 | |
| US7351936B1 (en) | Method and apparatus for preventing baking chamber exhaust line clog | |
| JP2004104069A (ja) | 半導体デバイス製造のためのベーク装置 | |
| KR100324440B1 (ko) | 치수 정밀도가 높은 포토마스크를 형성할 수 있는 포토마스크형성 방법 및 열처리장치 | |
| US5849582A (en) | Baking of photoresist on wafers | |
| JPH04273430A (ja) | 露光装置 | |
| JP2854716B2 (ja) | 露光装置 | |
| TWI645265B (zh) | 烘烤設備及烘烤方法 | |
| JPH1055951A (ja) | ベーキング装置およびベーキング方法 | |
| TW202303288A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| JP3676947B2 (ja) | 半導体素子の製造装備、これを利用した半導体素子のパターン形成方法及びこれを適用した半導体素子製造用フォトレジスト | |
| JP7002262B2 (ja) | 露光装置、基板処理装置、露光方法および基板処理方法 | |
| CN100541330C (zh) | 涂布膜的加热装置 | |
| JPH0130138B2 (ja) | ||
| JPS62193248A (ja) | レジスト塗布・ベ−ク装置 | |
| CN219202126U (zh) | 光刻胶形成设备 | |
| JPH04195140A (ja) | 露光装置 | |
| JP2544121B2 (ja) | アッシング装置 | |
| JP6976884B2 (ja) | 露光装置、および物品の製造方法 | |
| JPH09330873A (ja) | ベーク・オーブン |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |