KR20070078264A - 기판 표면 처리 방법과 이를 수행하기 위한 기판 표면 처리장치 - Google Patents

기판 표면 처리 방법과 이를 수행하기 위한 기판 표면 처리장치 Download PDF

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KR20070078264A
KR20070078264A KR1020060008354A KR20060008354A KR20070078264A KR 20070078264 A KR20070078264 A KR 20070078264A KR 1020060008354 A KR1020060008354 A KR 1020060008354A KR 20060008354 A KR20060008354 A KR 20060008354A KR 20070078264 A KR20070078264 A KR 20070078264A
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Abstract

기판 표면 처리 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 처리 장치가 개시된다. 기판 표면 처리 장치는 기판 지지부, 몰드 지지부, 조명 유닛, 열처리 유닛 및 진공 형성 용기를 포함한다. 기판 지지부는 기판을 고정시키며 몰드 지지부에 지지되고 몰드 패턴을 포함하는 몰드는 기판에 대향하여 배치된다. 조명 유닛은 몰드 상부에 배치되며 몰드 및 기판 표면의 레지스트에 광을 조사하고, 열처리 유닛은 기판 지지부에 배치되며 레지스트에 열을 처리한다. 진공 형성 용기는 기판 및 기판 지지부를 커버하여 각인(imprint) 과정에서 발생하는 가스를 제거한다. 따라서 각인(imprint) 과정에서 광 조사와 열처리를 동시에 실시할 수 있으며, 반복 공정의 수를 감소하고 패턴을 각인시키는 데 수율을 향상시킨다.

Description

기판 표면 처리 방법과 이를 수행하기 위한 기판 표면 처리 장치{METHOD AND APPARATUS FOR RESIST PATTERN FORIMING ON A SUBSTRATE}
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 표면 처리 장치의 단면도들이다.
도 2a 및 도 2b는 도 1a에서 Ⅰ-Ⅱ방향으로 바라본 평면도이다.
도 3은 도 1a 및 도 1b에 도시된 기판 지지부의 단면도이다.
도 4는 부분적으로 기판, 몰드 및 얼라인(align) 광학계를 설명하는 단면도이다.
도 5a는 도 4에서 Ⅲ-Ⅳ방향으로 바라본 평면도이고, 도 5b는 기판에 형성된 제1 패턴을 설명하는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 표면 처리 방법을 순서대로 도시한 순서도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 기판 지지부 200 : 몰드 300 : 조명 유닛
400 : 진공 형성 용기 500 : 얼라인(align) 광학계
600 : 기판 흡착기 700 : 열처리 유닛
본 발명은 기판 표면 처리 방법과 이를 수행하기 위한 기판 표면 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 공정수를 감소시킬 수 있는 기판 표면 처리 방법과 이를 수행하기 위한 기판 표면 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 집적 회로, 전자 소자, 광 소자(photo-electronic), 자기(manetic) 소자, 필터 등을 제조할 때에는 기판(예를 들면, 세라믹 기판, 금속층, 고분자층 등)상에 미세 패턴을 형성하는 공정을 수행하게 되며, 이는 LCD제조 공정, 반도체 공정 등에서 핵심적인 공정이다. 이와 같이 기판 상에 패턴을 형성하는 대표적인 기법으로는 광을 이용하여 미세 패턴을 형성하는 포토 리소그래피(photo lithography) 방법이 있다.
상기 포토 리소그래피는 광에 대한 반응성을 갖는 물질(예를 들면, 포토레지스트 등)을 패터닝하고자 하는 물질이 적층된 기판 상에 도포하고, 목표로 하는 임의의 패턴으로 설계된 레티클을 통해 고분자 물질 상에 빛을 투과시켜 노광하며, 현상 공정을 통해 노광된 고분자 물질을 제거함으로써, 패터닝하고자 하는 물질 위에 목표로 하는 패턴을 갖는 식각 마스크를 형성한다. 이후에, 식각 공정을 수행함으로써, 기판 상에 적층된 물질을 원하는 패턴으로 패터닝한다.
그러나 상기와 같은 포토 공정에 사용되는 고가의 장비와 재료뿐만 아니라 복잡한 공정으로 인하여 생산량 저하의 원인이 되고, 각 공정을 거치면서 발생되는 불량으로 인하여 수율을 저하하는 문제점이 지적되어 왔다. 또한 회로 등의 집적화와 상기 패턴의 미세화에 따라 레지스트 및 기판에서 산란되는 빛의 파장, 레지스트의 두께 및 특성들에 의해 그 해상도가 제한되며, 특히 레지스트를 도포하고 현상하고 제거하는 것은 다수의 반복공정이 필요한 비교적 느린 단계들로서 처리 속도를 제한한다.
최근에는 나노부분의(nanofeatured) 몰딩 표면이 레지스트 또는 레지스트 유사 재료(예를 들면, 폴리머)내로 각인(imprint)되고, 임프린트된 패턴이 기판 표면을 선택적으로 노출시키도록 제거되는 나노 각인 리소그래피 기술이 연구, 개발되고 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 공정을 단순화시킬 수 있는 기판 표면 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기한 각인 리소그래피 방법을 수행하기 위한 기판 표면 처리 장치를 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 표면 처리 방법은 기판을 지지대 상부에 고정시키는 단계, 기판 상부에 레지스트를 제공하는 단계, 복수의 돌출 형상을 갖는 몰드 패턴을 포함하는 몰드를 상기 기판 표면 근처에 배치시키는 단계, 상기 레지스트에 발생하는 가스를 제거해가며 상기 몰드를 상기 레지스트에 밀착하여 몰드 패턴을 각인(imprint)시키는 단계 및 상기 레지스트 로부터 상기 몰드를 분리하는 단계를 포함한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 다른 실시예에 따른 기판 표면 처리 장치는 기판을 고정시키는 기판 지지부, 상기 기판 상부에 배치되며 복수의 돌출 형상을 갖는 몰드 패턴을 포함하는 몰드, 상기 몰드 패턴을 고정시키는 몰드 지지부, 상기 몰드 상부에 배치되며 상기 몰드 및 상기 기판 표면의 레지스트에 광을 조사하는 조명 유닛, 상기 기판 지지부에 배치되며 상기 레지스트에 열을 처리하는 열처리 유닛, 상기 기판에 대향하며 각인(imprint)과정에서 상기 레지스트에 발생하는 가스를 제거하는 진공 형성 용기를 포함한다.
이러한 기판 표면 처리 방법과 이를 수행하기 위한 기판 표면 처리 장치에 의하면, 광을 조사함과 동시에 열을 처리하는 각인 리소그래피 기술을 이용하므로써, 몰드를 프레싱하여 박막화할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 표면 처리 장치의 단면도들이다. 더욱 상세하게는, 도 1a는 기판 표면 처리 과정 전의 구조를 설명하는 단면도이고, 도 1b는 기판 표면 처리 과정 중의 구조를 설명하는 단면도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 표면 처리 장치(1000)는 기판 지지부(100) 및 몰드(200)를 포함한다.
상기 기판 지지부(100)는 레지스트(120)가 적층된 기판(110)을 지지한다.
상기 몰드(200)는 상기 기판 상부에 배치되고, 복수의 몰드 패턴들(210)을 포함한다. 상기 몰드 패턴들(210) 각각은 돌출 형상을 갖는다.
상기 기판 표면 처리 장치(1000)는 상기 몰드 상부에 광을 조사하는 조명 유닛(300) 및 진공 형성 용기(400)를 포함한다.
상기 조명 유닛(300)은 상기 진공 형성 용기(400) 상부에 배치되고, 상기 진공 형성 용기(400)는 상기 조명 유닛(300)으로부터 조사되는 광을 투과시키는 광 투과 영역(410)을 포함한다.
상기 진공 형성 용기(400)는 각인(imprint) 과정 중에 진공 공간(420)을 형성하며, 상기 진공 형성 용기(400)의 개구부(420)의 일부는 상기 기판 지지부(100)의 외측벽과 상기 진공 형성 용기(400)의 내측벽 사이에 가스 배출부(430)를 갖는다.
또한, 상기 진공 형성 용기(400)는 상기 몰드(200)와 상기 기판(110)을 정렬시키는 얼라인(align) 광학계(500)를 포함한다.
상기 기판 표면 처리 장치(1000)는 다수의 기판 지지부 상부에 다수의 기판 및 이에 대응하는 다수의 몰드를 포함할 수 있으며, 상기 기판 지지부(100)는 모터나 공기 실린더와 같은 구동 수단(130)에 의해 자유롭게 상하 이동할 수 있으며 회전 운동도 할 수 있다.
상기 진공 형성 용기(400)는 상기 기판에 대향하며 bell-jar 형상을 가질 수 있다. 상기 진공 형성 용기의 개구부(420)는 상기 기판(110)을 커버하며, 진공 형성 용기의 지지부(140)에 의해 지지된다. 또한, 상기 진공 형성 용기(400)는 상기 진공 형성 용기의 지지부(140))와 결합된 결합부(440)에 의해 상하 자유롭게 이동 할 수 있다.
상기 진공 형성 용기의 개구부(420)는 각인(imprint) 과정 중에 상기 기판(110)을 커버하여 상기 진공 형성 용기(400) 내에 진공 공간(420)이 형성된다. 예를 들면, 상기 기판 지지부의 구동 수단(130)과 진공 형성 용기의 구동 수단(140)에 의해 상하 이동하여 진공 공간을 형성한다. 이 경우에 있어서, 상기 진공 형성 용기의 개구부(420)는 상기 기판 지지부(100)의 외측 벽과 상기 진공 형성 용기(400)의 내측 벽 사이에 가스 배출부(430)를 포함한다. 상기 가스 배출부(430)는 배기 통로(450)를 따라 배기 장치(미도시)로 연결된다.
도 2a 및 도 2b는 도 1a에서 Ⅰ-Ⅰ’방향으로 바라본 평면도이다.
도 1a, 도 1b, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 상기 진공 형성 용기의 개구부(420)는 상기 기판(110) 및 가스 배출부(430)를 포함한다. 예를 들면, 상기 진공 형성 용기(400)는 원형이거나 사각형 형상의 기판을 가질 수 있고, 각인(imprint) 과정 중에 진공 공간(420)을 형성한다. 또한, 상기 기판 지지부(100)의 외측 벽에 형성된 가스 배출부(430)는 적절한 크기의 가스 배출구(440)를 가질 수 있다.
상기 진공 공간(420)은 각인(imprint) 과정 중에 레지스트에 발생하는 가스를 제거할 수 있는 적절한 진공도(예를 들면, 1＊10-5 torr)를 유지할 수 있다. 이 경우에 있어서, 상기 레지스트에 발생되는 불순물의 발생 정도, 기판 및 패턴의 크기, 진공 시간 등을 고려하여 적절한 진공도(예를 들면, 1*10-2 내지 1*10-3)를 유지할 수 있다.
도 3은 도 1a 및 도 1b에 도시된 기판 지지부의 단면도이다.
도 1a, 도 1b 및 도 3을 참조하면, 상기 기판 지지부(100)는 기판 흡착기(600) 및 열처리 유닛(700)을 포함한다.
상기 기판 흡착기(600)는 상기 기판(110) 하부에 배치된 다수의 공기 흡입공(610) 및 상기 공기 흡입공(610)과 연결된 진공관로(620)를 포함한다. 또한, 상기 진공관로(620)는 상기 기판 지지부(100) 외부의 배기관로(630)와 배기장치(미도시)에 연결된다. 이 경우에 있어서, 상기 기판 흡착기(600)는 상기 기판 하부의 공기를 상기 공기 흡입공(610)을 통해 흡입하고 상기 진공관로(620)를 통해 외부로 배출시킴으로써, 상기 기판(110)을 흡착하여 고정시킨다.
상기 열처리 유닛(700)은 상기 기판 흡착기(600) 하부에 배치될 수 있으며, 상부(710), 하부(720) 및 가열부(730)를 포함한다. 상기 가열부(730)는 저항(740) 또는 다른 가열 수단을 포함할 수 있으며, 상기 상부(710)는 열 전도율이 좋은 금속(예를 들면, 알루미늄)을 포함한다. 이 경우에 있어서, 상기 열처리 유닛(700)은 상기 레지스트(120)에 광이 조사되는 과정과 동시에 또는 선택적으로 작동될 수 있다.
도 4는 부분적으로 기판, 몰드 및 얼라인 광학계를 설명하는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 상기 기판(110)은 레지스트를 포함하며, 상기 몰드(200)는 상기 기판(110)에 대향하여 배치되고, 상기 몰드 패턴(210)을 포함하며 상기 몰드 지지부(220)에 의해 지지된다.
또한, 상기 기판 표면 처리 장치(1000)는 얼라인(align) 광학계(500)를 포함 할 수 있다. 상기 얼라인(align) 광학계(500)는 상기 몰드(200) 상부에 배치되며, 상기 진공 형성 용기와 연결되는 결합부(510)를 포함한다. 상기 결합부(510)는 상기 얼라인(align) 광학계(500)에 의해서 상기 몰드(200)를 상기 기판(110) 표면에 정렬시키기 위한 구동 수단을 포함한다.
상기 기판(110) 및 상기 몰드(200)는 각각 제1 패턴(520) 및 제2 패턴(530)을 포함하며 상기 몰드 지지부(220)는 몰드 얼라인 패턴(540)을 포함한다.
도 5a는 도 4에서 Ⅲ-Ⅲ’방향으로 바라본 평면도이고, 도 5b는 기판에 형성된 제1 패턴을 설명하는 사시도이다.
도 4, 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 상기 기판(100)은 상기 레지스트 (120)및 상기 제1 패턴(520)을 포함한다. 상기 몰드(200)는 상기 제2 패턴(530)을 포함한다. 각각의 패턴들은 복수의 돌출 형상을 포함한다.
상기 제1 패턴(520)은 상기 몰드(200)에 형성된 제2 패턴(530)과 대응하여 배치되며 상기 몰드 얼라인 패턴(540)과도 대응하여 배치된다. 각각의 패턴들은 광학적으로 대응하는 구조를 포함한다.
상기 얼라인(align) 광학계(500)는 상기 기판(110) 및 상기 몰드(200)에 형성된 각각의 제1 패턴(520) 및 제2 패턴(530)의 광학적 오차를 상기 몰드(200)에 형성된 상기 몰드 얼라인 패턴(540)을 기준으로 하여 측정한다. 또한 상기 결합부(510)의 구동 수단은 상기 몰드(200)를 상기 기판(100)에 배치시키거나 각인 과정 중에 발생하는 오차를 보정하기 위하여 상기 몰드를 정렬시킨다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 표면 처리 방법을 설명하는 개략적 인 흐름도이다.
도 1 및 도 6을 참조하면, 상기 기판(110)이 상기 기판 지지대(100) 상부에 고정된다(단계 S10). 예를 들어, 상기 기판(110)은 상기 기판(110)의 유동을 방지하고 평탄도를 유지하기 위해, 공기 흡입 방식에 의하여 고정될 수 있다.
이어, 상기 기판 지지대(100)에 고정된 기판(110) 상부에 레지스트가 제공된다(단계 S20). 상기 레지스트는 일례로, 광경화성 특성을 갖는 고분자 물질을 포함한다. 상기 레지스트는 다른 일례로, 열경화성 특성을 갖는 고분자 물질을 포함한다. 상기 레지스트는 또 다른 일례로, 상기 광경화성 및 열경화성을 갖는 고분자 물질를 포함한다.
이어, 복수의 돌출 형상을 갖는 몰드 패턴(210)이 형성된 몰드(200)가 상기 기판(110) 표면 근처에 배치된다(단계 S30). 일례로, 상기 기판(110)에는 정렬을 위한 제1 패턴이 형성되고 상기 몰드(200)에는 정렬을 위한 제2 패턴이 형성된다. 또한, 상기 몰드(200)는 몰드 얼라인(align) 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제2 패턴이 형성된 몰드는 얼라인(align) 광학계에 의한 오차 측정과 구동 수단에 의해 상기 제1 패턴이 형성된 기판 상에 정렬된다. 이 경우에 있어서, 상기 몰드 얼라인(align) 패턴은 오차 측정에 있어서 기준이 될 수 있다.
이어, 몰드 패턴을 갖는 몰드는 상기 레지스트에 각인된다(단계 S40). 상기 레지스트는 상기 몰드와 접촉되고 가압된 후, 상기 조명 유닛으로부터 광을 조사받거나 열을 받게된다. 이 때, 상기 조명 유닛으로부터 나오는 광은 자외선(UV), 극자외선(EUV) 또는 입자빔일 수 있으며, 상기 몰드를 투과하여 레지스트에 조사된 다. 이 경우에 있어서, 광을 조사하거나 열을 가하는 단계는 선택적이거나 동시에 수행될 수 있다.
상기 몰드는 상기 기판 표면의 상기 레지스트에 광이 조사될 수 있도록 광에 투명한 재료로 구성되고, 예를 들면, 융합 석영일 수 있다. 또한 상기 레지스트는 광경화성과 열경화성을 동시에 갖는 고분자 물질일 수 있으며, 상기 몰드 패턴을 갖고 경화되는 과정에서 미세한 패턴의 고정 세화에 유리하다. 상기 단계(S40)에서는 상기 레지스트에 발생하는 기포를 제거하는 단계가 포함된다. 상기 레지스트가 경화되는 동안에 진공 공간이 형성되어 상기 기포가 제거된다. 또한, 상기 단계에서 경화 중 발생되는 불순물과 용제류를 동시에 제거 할 수 있다.
이어, 상기 몰드와 상기 레지스트가 서로 분리된다(단계S50). 상기 몰드 및 상기 기판이 분리되면 기판 표면상에 각인된 몰드 패턴이 남겨진다. 이 경우에 있어서, 각인된 부분과 몰드의 부분들을 손상시키지 않고 상기 레지스트 및 상기 몰드를 용이하게 분리하도록 상기 레지스트와 상기 몰드의 열팽창 계수의 차이가 적을수록 바람직하다.
이어, 반응성 이온 식각(RIE) 등의 식각 공정, 감광제 스트립 공정을 거쳐 상기 기판 상에 목표로 하는 패턴 형상을 갖는 고분자의 미세 패턴을 형성할 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 기판 표면 처리 장치는 기판 및 몰드에 광을 조사하는 조명 유닛과 레지스트에 열을 가하는 열처리 유닛을 포함하여 동일한 장 비내에서 열경화와 광경화를 선택적 또는 동시에 각인 리소그래피를 수행할 수 있다.
또한, 기판 표면 처리 장치는 진공 형성 용기를 포함하여 각인 과정 중에 레지스트에 발생하는 가스를 제거 할 수 있다.
또한, 기판 표면 처리 장치는 얼라인 광학계를 포함하여 각인 과정 중에 몰드와 기판을 일치시켜 패턴의 오차를 줄일 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (19)

  1. 기판을 지지대 상부에 고정시키는 단계;
    기판 상부에 레지스트를 제공하는 단계;
    복수의 돌출 형상을 갖는 몰드 패턴을 포함하는 몰드를 상기 기판 표면 근처에 배치시키는 단계;
    상기 레지스트에 발생하는 가스를 제거해가며 상기 몰드를 상기 레지스트에 밀착하여 몰드 패턴을 각인(imprint)시키는 단계; 및
    상기 레지스트로부터 상기 몰드를 분리하는 단계를 포함하는 기판 표면 처리 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 몰드 패턴을 각인(imprint)시키는 단계는 상기 몰드 및 상기 레지스트 표면에 광을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 몰드 패턴을 각인(imprint)시키는 단계는 상기 레지스트에 열을 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 몰드 패턴을 각인(imprint)시키는 단계는 상기 광을 조사하는 단계 및 상기 열을 처리하는 단계를 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기판을 상기 지지대 상부에 고정시키는 단계는 공기 흡입에 의하여 상기 기판이 고정되는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 몰드 패턴을 각인(imprint)시키는 단계는 상기 레지스트에 발생하는 가스를 진공에서 제거해가며 수행하는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 몰드 패턴을 각인(imprint)시키는 단계는 상기 광을 조사하고 동시에 상기 레지스트에 발생하는 가스를 진공에서 제거해가며 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 몰드 패턴을 각인(imprint)시키는 단계는 상기 레지스트에 열을 처리하고 동시에 상기 레지스트에 발생하는 가스를 진공에서 제거해가며 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 몰드 패턴을 각인(imprint)시키는 단계는 상기 광을 조사하고 상기 열을 처리하는 동시에 상기 레지스트에 발생하는 가스를 진공에서 제거해가며 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법.
  10. 제 6항에 있어서,
    상기 몰드 패턴을 각인(imprint)시키는 단계는 상기 몰드를 상기 레지스트에 밀착하는 동시에 상기 레지스트에 발생하는 가스를 제거해가며 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 몰드를 상기 기판 표면에 배치시키는 단계는 상기 몰드 및 상기 기판에 각각 대응하는 패턴을 형성하여 정렬시키는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 몰드를 상기 기판 표면에 배치시키는 단계는 상기 몰드 및 상기 기판에 형성된 패턴을 광을 이용하여 일치시키는 것을 특징을 하는 기판 표면 처리 방법.
  13. 기판을 고정시키는 기판 지지부;
    상기 기판 상부에 배치되며 복수의 돌출 형상을 갖는 몰드 패턴을 포함하는 몰드;
    상기 몰드 패턴을 고정시키는 몰드 지지부;
    상기 몰드 상부에 배치되며 상기 몰드 및 상기 기판 표면의 레지스트에 광을 조사하는 조명 유닛;
    상기 기판 지지부에 배치되며 상기 레지스트에 열을 처리하는 열처리 유닛; 및
    상기 기판에 대향하며 각인(imprint)과정에서 상기 레지스트에 발생하는 가스를 제거하는 진공 형성 용기를 포함하는 기판 표면 처리 장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 기판 하부에 배치되어 상기 기판을 고정시키는 기판 흡착기를 더 포함하는 기판 표면 처리 장치.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 기판 흡착기는 진공 흡입을 이용하여 기판을 고정시키는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 장치.
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 조명 유닛은 자외선, 극자외선 또는 입자빔을 조사하는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 장치.
  17. 제 13항에 있어서,
    상기 진공 형성 용기는 상기 기판 상부에 배치되며 상기 기판 지지부와 함께 진공 공간을 형성하며 상기 기판 지지부와 동시에 또는 상기 기판 지지부를 향하여 상하로 이동 가능하는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 장치.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 진공 형성 용기는 상기 기판 지지부의 외부 경계 영역과 상기 진공 형성 용기의 내부 경계 영역상에 상기 레지스트에 발생하는 가스를 배출하는 가스 배출구를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 장치.
  19. 제 13항에 있어서,
    상기 기판은 제1 패턴을 포함하고, 상기 몰드는 제2 패턴을 포함하며, 상기 몰드 지지부는 몰드 얼라인 패턴을 포함하고, 상기 기판 표면 처리 장치는 상기 각각의 패턴의 광학적 구조를 측정하는 얼라인(align) 광학계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 장치.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100913497B1 (ko) * 2007-12-27 2009-08-25 한국산업기술대학교산학협력단 임프린팅 장치 및 임프린팅 방법
KR100950746B1 (ko) * 2007-12-26 2010-04-05 주식회사 에이디피엔지니어링 임프린트 장치 및 임프린트 방법
KR100950745B1 (ko) * 2007-12-26 2010-04-05 주식회사 에이디피엔지니어링 미세 패턴 임프린트 공정용 스탬프 공급 장치 및 방법
KR100975429B1 (ko) * 2008-05-30 2010-08-11 주식회사 디엠에스 기판에 식각 영역을 만들기 위한 장치
KR100984179B1 (ko) * 2008-08-20 2010-09-28 엘아이지에이디피 주식회사 미세 패턴 임프린트 장치 및 방법
US8475602B2 (en) 2008-10-27 2013-07-02 Toyko Electron Limited Substrate cleaning method and apparatus
KR200469836Y1 (ko) * 2009-04-17 2013-11-14 주식회사 디엠에스 임프린트 장치

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100950746B1 (ko) * 2007-12-26 2010-04-05 주식회사 에이디피엔지니어링 임프린트 장치 및 임프린트 방법
KR100950745B1 (ko) * 2007-12-26 2010-04-05 주식회사 에이디피엔지니어링 미세 패턴 임프린트 공정용 스탬프 공급 장치 및 방법
KR100913497B1 (ko) * 2007-12-27 2009-08-25 한국산업기술대학교산학협력단 임프린팅 장치 및 임프린팅 방법
KR100975429B1 (ko) * 2008-05-30 2010-08-11 주식회사 디엠에스 기판에 식각 영역을 만들기 위한 장치
KR100984179B1 (ko) * 2008-08-20 2010-09-28 엘아이지에이디피 주식회사 미세 패턴 임프린트 장치 및 방법
US8475602B2 (en) 2008-10-27 2013-07-02 Toyko Electron Limited Substrate cleaning method and apparatus
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