KR100950746B1 - 임프린트 장치 및 임프린트 방법 - Google Patents

임프린트 장치 및 임프린트 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100950746B1
KR100950746B1 KR1020070137859A KR20070137859A KR100950746B1 KR 100950746 B1 KR100950746 B1 KR 100950746B1 KR 1020070137859 A KR1020070137859 A KR 1020070137859A KR 20070137859 A KR20070137859 A KR 20070137859A KR 100950746 B1 KR100950746 B1 KR 100950746B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
stamp
upper chamber
substrate
lower chamber
Prior art date
Application number
KR1020070137859A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090070009A (ko
Inventor
권규호
안현환
임용진
최정수
김은석
Original Assignee
주식회사 에이디피엔지니어링
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에이디피엔지니어링 filed Critical 주식회사 에이디피엔지니어링
Priority to KR1020070137859A priority Critical patent/KR100950746B1/ko
Publication of KR20090070009A publication Critical patent/KR20090070009A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100950746B1 publication Critical patent/KR100950746B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00444—Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate
    • B81C1/0046—Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate using stamping, e.g. imprinting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7042—Alignment for lithographic apparatus using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping or imprinting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트 장치는 하부챔버, 상기 하부챔버의 상면에 배치되며 광경화성 수지가 형성된 기판을 탈착가능하게 지지하는 하부척, 상기 하부챔버의 상방에 배치되며 상기 하부챔버와 접촉하여 제 1밀폐공간을 형성하는 제 1상부챔버, 상기 제 1상부챔버의 하면에 배치되며, 미세패턴이 각인된 스탬프를 탈착가능하게 지지하는 상부척 및 상기 하부챔버와 상기 제 1상부챔버의 외부에 마련되고 상기 제 1상부챔버와 교대로 상기 하부챔버와 접촉하여 제 2밀폐공간을 형성하는 제 2상부챔버를 포함한다.
스탬프, 기판, 제 1상부챔버, 제 2상부챔버, 자외선 엘이디(LED)

Description

임프린트 장치 및 임프린트 방법{APPARATUS AND METHOD FOR IMPRINTING A FINE PATTERN}
본 발명은 임프린트 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 미세한 패턴을 균일하고 정밀하게 구현할 수 있는 임프린트 장치 및 임프린트 방법에 관한 것이다.
최근, 휴대형 전자제품의 소형화, 박막화 및 경량화에 따라 이에 구비되는 회로기판도 소형화, 고밀도화되고 있다. 또한, 티브이와 같은 일반 전자제품도 본래의 방송 수신 기능뿐만 아니라, 유무선 통신기능, 다른 기기들을 제어하고 모니터링할 수 있는 기능 등이 포함된 다기능화되고 있다. 이에 따라, 일반 전자제품에 구비되는 회로기판도 고밀도화되고 있다. 따라서, 고밀도의 정밀한 회로기판을 제조하는 기술에 대한 관심이 증가되고 있다.
정밀한 회로기판을 제조하는 방법으로 몰딩(molding) 방식, 포토리소그래피(photolithography) 방식 및 스탬프(stamp) 방식 등이 있다. 몰딩 방식은 패턴이 형성된 틀 속에 유동성 물질을 넣고 경화시키는 방식이고, 포토리소그래피 방식은 포토레지스트(photoresist) 박막이 입혀진 기판에 미세한 패턴이 형성된 마스크를 통하여 F2 레이저, 극자외선, X-선 등을 노광시켜 패턴을 형성하는 방식이며, 스탬프 방식은 패턴이 형성된 스탬프로 폴리머(polymer)가 입혀진 기판을 가압하는 방식이다.
몰딩 방식은 유동성 물질을 틀 속에 주입하고 경화시키기 위한 공정 시간이 많이 걸리는 단점이 있다. 그리고 포토리소그래피 방식은 미세한 패턴을 형성하는 마스크의 가격이 높고, 패턴이 미세화됨에 따라 파장이 더욱 짧은 광을 노광시켜야 하는 어려움이 있다.
반면에 스탬프 방식은 스탬프로 기판 전체를 한번 찍음으로써 임프린트(imprint)할 수 있어서 공정 시간을 줄일 수 있고, 하나의 스탬프로 다수의 기판을 임프린트할 수 있어서 생산성을 높일 수 있다. 특히, 스탬프 방식은 대형 기판에 미세 패턴을 형성할 때 더욱 유리하여, 스탬프 방식으로 대형 기판에 미세한 패턴을 임프린트하는 장치가 개발되고 있다. 이러한 스탬프 방식은 미세패턴이 각인된 스탬프를, 스핀코팅 된 고분자 소재의 광경화성 수지가 형성된 기판에 가압하는 방식이다.
그러나, 일반적인 임프린트 장치는 스탬프를 기판의 광경화성 수지에 접촉시키고, 스탬프의 상부에서(또는, 기판의 하부에서) 기구적으로 가압하는 방법으로 공정을 진행시키고 있다. 이와 같이 스탬프 또는 기판을 기구적으로 가압하는 경우, 스탬프와 기판 간의 정밀한 정렬과, 가압력의 균일한 분포에 한계가 있다.
따라서, 스탬프와 기판 간의 정렬과, 가압력의 균일한 분포가 이루어지지 못할 경우에는 기판의 중앙부와 주변부 간의 불균일 또는 불량 패턴이 발생할 확률이 증가해 작업효율이 저하되는 문제점을 가지고 있다. 이러한 문제점은 기판의 대면적화에 따라 더욱 두드러지게 나타난다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 스탬프와 기판을 가압하는 가압력이 균일하도록 한 임프린트 장치 및 방법을 제공하는 데 목적이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트 장치는 하부챔버, 상기 하부챔버의 상면에 배치되며 광경화성 수지가 형성된 기판을 탈착가능하게 지지하는 하부척, 상기 하부챔버의 상방에 배치되며 상기 하부챔버와 접촉하여 제 1밀폐공간을 형성하는 제 1상부챔버, 상기 제 1상부챔버의 하면에 배치되며, 미세패턴이 각인된 스탬프를 탈착가능하게 지지하는 상부척 및 상기 하부챔버와 상기 제 1상부챔버의 외부에 마련되고 상기 제 1상부챔버와 교대로 상기 하부챔버와 접촉하여 제 2밀폐공간을 형성하는 제 2상부챔버를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트 방법은 제 1상부챔버와 하부챔버 내부 로 반입된, 미세패턴이 각인된 스탬프와 광경화성 수지가 형성된 기판을 정렬시키는 정렬단계; 상기 정렬된 상기 스탬프를 상기 기판과 접촉시키는 접촉단계; 상기 제 1상부챔버를 상기 하부챔버로부터 이탈시키고, 상기 이탈된 상기 제 1상부챔버 대신에 상기 제 1상부챔버의 외부에 마련된 제 2상부챔버를 상기 하부챔버와 접촉시켜 밀폐공간을 형성하는 이탈단계; 상기 기판에 접촉된 상기 스탬프를 가압하는 가압단계; 및 상기 가압단계로부터 가압된 상기 스탬프를 통해 상기 광경화성 수지에 자외선을 조사하는 조사단계를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 임프린트 장치는 자외선 엘이디(LED)를 포함하는 상부챔버, 상기 상부챔버의 하면에 배치되며 미세패턴이 각인된 스탬프를 탈착가능하게 지지하고 상기 자외선 엘이디(LED)의 자외선이 복수 개의 구멍을 통해 조사되도록 하는 상부척, 상기 상부챔버와 접촉하여 밀폐공간을 형성하는 하부챔버 및 상기 하부챔버의 상면에 배치되며, 광경화성 수지가 형성된 기판을 탈착가능하게 지지하는 하부척을 포함한다.
본 발명에 따른 임프린트 장치 및 방법은 스탬프와 기판을 가압하는 가압력을 균일하게 적용시켜, 기판에 형성되는 미세패턴의 안정성을 확보하며, 작업효율을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트 장치를 도시한 개략 단면도이다.
도 1을 참조하면, 임프린트 장치(100)는 제 1상부챔버(200), 하부챔버(300) 및 제 2상부챔버(400)를 포함한다.
제 1상부챔버(200)의 하면은 하부챔버(300)와 밀착하여 밀폐공간을 형성한다. 상부척(210)은 상부챔버(200)의 하면에 배치되며, 판형상으로 형성된다. 상부척(210)의 하면은 미세패턴이 각인된 스탬프(S)를 탈착가능하게 지지한다. 상부척(210)은 정전력에 의해 스탬프(S)를 탈착가능하게 지지하는 정전척(ESC: Electrostatic Chuck)을 포함할 수 있다. 이때, 정전척에 인가되는 전압이 정전력을 발생시키고, 정전력에 의해 스탬프(S)는 탈착가능하게 지지된다. 그리고, 정전척에 인가된 전압이 차단됨으로써 상부척(210)에 탈착가능하게 지지되는 스탬프(S)는 후술할 광경화성 수지(R)가 형성된 기판(P)으로 낙하되어 스탬프(S)와 기판(P)은 접촉하게 된다. 스탬프(S)를 기계적으로 지지할 경우에는 스탬프(S)를 지지할 수 있는 높은 강도가 요구되고, 스탬프(S)의 자중에 의해 처짐이 발생할 수 있기 때문에 두꺼운 스탬프(S)가 요구된다. 따라서, 정전척을 사용하여 스탬프(S)를 지지할 경우 스탬프(S)의 평편도가 유지되고, 얇은 스탬프(S)의 경우라도 용이하게 지지가 가능하다는 장점이 있다.
정렬유닛은 도면에 도시하지는 않았지만, 스탬프(S)를 기판(P)에 대하여 정렬시킨다. 이러한 스탬프(S)와 기판(P) 사이의 정렬은 사전 정렬, 최종 정렬 등으로 복수 회 반복적으로 실시될 수 있다. 그리고, 정렬유닛(미도시)은 카메라부(미 도시)와 조명장치(미도시)를 이용하여 스탬프(S)와 기판(P)을 정렬시킨다. 즉, 카메라부는 상부척(210)에 부착된 스탬프(S)와 기판(P)에 마련되는 얼라인 마크(미도시)를 중첩하여 관측할 수 있도록 장착되며, 적어도 스탬프(S)와 기판(P)의 대각된 두 모서리 이상을 중첩 관측하도록 배치된다. 이때, 카메라부가 얼라인 마크를 촬영할 수 있도록 조명장치가 카메라부로 조명을 제공하게 된다.
또한, 도시하지는 않았지만 제 1상부챔버(200)와 하부챔버(300)에 의해 형성되는 밀폐공간에 진공압을 형성하기 위해 진공펌프가 연결된다. 진공펌프는 드라이 펌프(Dry Pump), 터보모레큘러 펌프(Turbomolecular Pump, TMP), 미케니컬 부스터 펌프(Mechanical Booster Pump, MBP) 등이 될 수 있다. 또한, 배기관(미도시)은 밀폐공간에 진공압을 형성하기 위해 밀폐공간과 진공펌프를 연결한다.
하부챔버(300)는 제 1상부챔버(200)의 하방에 배치되며, 하부챔버(300)의 상면은 제 1상부챔버(200)의 하면과 접촉하여 밀폐공간을 형성한다. 하부척(310)은 하부챔버(300)의 상면에 배치되며, 판형상으로 형성된다. 하부척(310)의 상면은 광경화성 수지(R)가 형성된 기판(P)을 탈착가능하게 지지한다. 하부척(310)은 정전력에 의해 기판(P)을 탈착가능하게 지지하는 정전척(ESC: Electrostatic Chuck)을 포함할 수 있다.
제 2상부챔버(400)는 제 1상부챔버(200)와 하부챔버(300)의 외부에 마련된다. 제 2상부챔버(400)는 제 1상부챔버(200)와 교대로 하부챔버(300)와 접촉하여 밀폐공간을 형성한다. 즉, 제 1상부챔버(200)가 하부챔버(300)로부터 이탈한 후, 제 2상부챔버(400)는 하부챔버(300)와 접촉하여 밀폐공간을 형성한다. 따라서, 제 1상부챔버(200)는 하부챔버(300)와 접촉하여 밀폐공간을 형성하고, 스탬프(S)가 상부척(210)으로부터 낙하되어 기판(P)에 접촉한 후, 제 1상부챔버(200)는 하부챔버(300)로부터 이탈한다. 그리고, 제 2상부챔버(400)는 하부챔버(300)와 접촉하여 밀폐공간을 형성한 후, 제 2상부챔버(400)는 스탬프(S)를 가압하고 광경화성 수지(R)에 자외선을 조사하여 광경화성 수지(R)에 미세패턴을 임프린트시킨다. 광경화성 수지(R)는 자외선에 의해 경화되므로, 광경화성 수지(R)의 상면에 임프린트되는 스탬프(S)의 소재는 자외선을 투과할 수 있는 재질을 사용하여야 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트 장치 중 제 2상부챔버를 나타낸 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트 장치 중 다른 제 2상부챔버를 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 제 2상부챔버(400)는 하부챔버(300)와의 밀폐공간에 가압가스를 주입하여 스탬프(S)를 가압하는 가압장치(미도시)와, 광경화성 수지(R)에 자외선을 조사하여 광경화성 수지(R)를 경화시키는 자외선 엘이디(LED)(410)를 포함한다.
가압장치와 자외선 엘이디(LED)(410)는 제 2상부챔버(400) 내부에 구비된다. 제 2상부챔버(400)와 하부챔버(300)가 접촉하여 밀폐공간을 형성하면, 가압장치에 의해 가압가스가 분사되어 스탬프(S)와 기판(P)은 가압된다. 스탬프(S)와 기판(P)의 가압이 완료된 후, 자외선 엘이디(LED)(410)에 의해 조사된 자외선을 통해 기판(P)에 형성된 광경화성 수지(R)는 경화된다. 자외선 엘이디(LED)(410)는 소형으로서 복수 개로 구성되고, 내구성이 강한 장점을 가지고 있다.
도 3을 참조하면, 제 2상부챔버(400)는 하부챔버(300)와의 밀폐공간에 가압가스를 주입하여 스탬프(S)를 가압하는 가압장치(미도시)와, 광경화성 수지(R)에 자외선을 조사하여 광경화성 수지(R)를 경화시키는 자외선 램프(420)와, 자외선 램프(420)의 하방에 배치되어 스탬프(S)를 가압하는 압력으로부터 자외선 램프(420)를 보호하는 보호판(430)을 포함한다.
가압장치, 자외선 램프(420) 및 보호판(430)은 제 2상부챔버(400) 내부에 구비된다. 제 2상부챔버(400)와 하부챔버(300)가 접촉하여 밀폐공간을 형성하면, 가압장치에 의해 가압가스가 분사되어 스탬프(S)와 기판(P)은 가압된다. 스탬프(S)와 기판(P)의 가압이 완료된 후, 자외선 램프(420)에 의해 조사된 자외선을 통해 기판(P)에 형성된 광경화성 수지(R)는 경화된다. 일반적인 자외선 램프(420)는 내구성이 약하므로 스탬프(S)를 가압하는 압력에 의해 부서질 수 있다. 따라서, 스탬프(S)를 가압하는 압력으로부터 자외선 램프(420)를 보호하기 위해서, 자외선 램프(420)의 하방에 보호판(430)을 설치한다. 보호판(430)은 자외선 투과물질로서 아크릴 또는 석영 중 어느 하나일 수 있다. 보호판(430)은 제 2상부챔버(400) 내부에 함입되어 형성될 수 있고, 또는 제 2상부챔버(400) 하면에 부착될 수도 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트 방법을 나타낸 순서도이다. 도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트 장치의 작동상태를 나타낸 작동도이다.
도 4 내지 도 5e를 참조하면, 정렬단계는 미세패턴이 각인된 스탬프(S)와, 광경화성 수지(R)가 형성된 기판(P)을 정렬시킨다(도 5a참조)(S110). 스탬프(S)와 기판(P)은 제 1상부챔버(200) 및 하부챔버(300) 내부로 반입되고, 스탬프(S)는 제 1상부챔버(200) 하면에 배치된 상부척(210)에 탈착가능하게 지지되고, 기판(P)은 하부챔버(300) 상면에 배치된 하부척(310)에 탈착가능하게 지지된다. 그리고 스탬프(S)와 기판(P)의 부착이 완료되면, 제 1상부챔버(200)와 하부챔버(300)는 서로 밀착하여 밀폐공간을 형성한다. 밀폐공간이 형성되면, 밀폐공간에 진공압을 형성하고, 정렬유닛(미도시)에 의해 스탬프(S)와 기판(P)은 정렬된다. 이때, 조명장치(미도시)에 의해 조명이 카메라부(미도시)로 제공되고, 카메라부는 스탬프(S)와 기판(P)의 얼라인 마크를 촬영함으로써 얼라인 상태를 확인한다. 그리하여 정렬유닛은 스탬프(S)와 기판(P)간의 정렬을 수행한다.
접촉단계는 스탬프(S)와 기판(P)을 접촉시킨다(도 5b참조)(S120). 스탬프(S)는 상부척(210)에 탈착가능하게 지지되어 있고, 기판(P)은 하부척(310)에 탈착가능하게 지지되어 있다. 상부척(210)은 정전척을 포함하고, 정전척에 인가되는 전압이 정전력을 발생시키고, 정전력에 의해 스탬프(S)는 탈착가능하게 지지된다. 이때, 정전척에 인가된 전압이 차단됨으로써 상부척(210)에 탈착가능하게 지지된 스탬프(S)는 광경화성 수지(R)가 형성된 기판(P)으로 낙하되어 스탬프(S)와 기판(P)은 접촉하게 된다.
이탈단계는, 제 1상부챔버(200)를 하부챔버(300)로부터 이탈시키고(도 5c참조) 상기 이탈된 제 1상부챔버(200) 대신에 제 1상부챔버(200)의 외부에 마련된 제 2상부챔버(400)를 하부챔버(300)와 접촉시켜 밀폐공간을 형성한다(도 5d참조)(S130). 접촉단계로부터 스탬프(S)와 기판(P)간의 접촉이 완료된 후, 제 1상부챔 버(200)와 하부챔버(300)는 서로 분리되어 밀폐공간이 해제된다. 그리고 나서, 제 2상부챔버(400)는 하부챔버(300)로 이동하고, 제 2상부챔버(400)는 하부챔버(300)와 접촉하여 밀폐공간을 형성한다.
가압단계는 기판(P)에 접촉된 스탬프(S)를 가압한다(도 5e참조)(S140). 제 2상부챔버(400) 내부에 구비된 가압장치는 제 2상부챔버(400)와 하부챔버(300) 내부로 가압가스를 주입한다. 가압가스로는 질소(N2), 헬륨(He), 아르곤(Ar) 등의 불활성 기체가 사용될 수 있다. 이와같이, 기구적 가압이 아닌 가압가스에 의한 균일한 압력으로 스탬프(S)를 가압하므로, 기판(P)에 형성되는 미세패턴의 안정성을 확보할 수 있다.
조사단계는 가압단계로부터 가압된 스탬프(S)를 통해 광경화성 수지에 자외선을 조사한다(도 5e참조)(S150). 따라서, 스탬프(S)에 각인된 미세패턴은 기판(P)에 형성된 광경화성 수지(R)에 임프린트된다. 즉, 제 2상부챔버(400)에 형성된 자외선 엘이디(LED)(410) 또는 자외선 램프(420)에 의해 자외선이 조사됨으로서 광경화성 수지(R)는 경화된다. 가압단계 후 조사단계가 진행되는 것이 일반적이지만, 가압단계와 조사단계가 동시에 진행되더라도 무방하다.
도면에 도시하지는 않았지만, 최종적으로 광경화성 수지(R)가 경화된 후, 제 2상부챔버(400)는 하부챔버(300)로부터 이탈되고, 제 1상부챔버(200)와 하부챔버(300)와 접촉한다. 그리고 나서, 상부척(210)은 스탬프(S)를 부착시켜 광경화성 수지(R)로부터 스탬프(S)를 분리하고, 기판이송장치(미도시)에 의해 미세패턴이 임 프린트된 기판(P)은 외부로 반출된다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 임프린트 장치를 도시한 개략 단면도이다.
도 6을 참조하면, 임프린트 장치는 상부챔버(200), 상부척(210) 및 하부챔버(300)를 포함한다. 도 6에서 설명하는 임프린트 장치 중 상부챔버(200)는, 도 1에서 설명한 임프린트 장치 중 제 1상부챔버(200)와 제 2상부챔버(400)의 역할까지 겸하고 있다.
상부챔버(200)는 자외선 엘이디(LED)(410)를 포함한다. 자외선 엘이디(LED) (410)는 후술할 상부척(210)에 형성된 복수 개의 구멍을 통해 자외선을 조사시킨다. 또한, 가압장치는 상부챔버(200) 또는 하부챔버(300)에 구비될 수 있고, 가압장치는 기판(P)과 접촉하는 스탬프(S)에 압력을 가한다.
상부척(210)은 상부챔버(200)의 하면에 배치되며, 상부척(210)의 하면은 미세패턴이 각인된 스탬프(S)를 탈착가능하게 지지한다. 따라서, 상부척(210)은 정전력에 의해 스탬프(S)를 탈착가능하게 지지하는 정전척(ESC:Electrostatic Chuck)을 포함할 수 있다. 이때, 상부챔버(200)에 형성된 자외선 엘이디(LED)(410)의 자외선이 상부척(210)을 통해 스탬프(S)에 조사되도록 하기 위해, 복수 개의 구멍이 상부척(210)에 형성되도록 한다. 예를 들어, 상부척(210)은 정전척을 포함하므로 복수 개의 구멍이 정전척에 구성되도록 하고, 상부챔버(200)에 형성된 자외선 엘이디(LED)(410)는 상기 복수 개의 구멍을 통해 자외선을 스탬프(S)로 조사시켜 광경화성 수지(R)를 경화시킨다.
하부챔버(300)는 상부챔버(200)와 접촉하여 밀폐공간을 형성한다. 하부척(310)은 하부챔버(300)의 상면에 배치되며, 하부척(310)의 상면은 광경화성 수지(R)가 형성된 기판(P)을 탈착가능하게 지지한다. 그 이외의 구성요소는 도 1에서 설명한 것과 동일하므로 생략하기로 한다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 기술되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 사람이라면, 첨부된 청구 범위에 정의된 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 본 발명을 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 앞으로의 실시예들의 변경은 본 발명의 기술을 벗어날 수 없을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트 장치를 도시한 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트 장치 중 제 2상부챔버를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트 장치 중 다른 제 2상부챔버를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트 방법을 나타낸 순서도이다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트 장치의 작동상태를 나타낸 작동도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 임프린트 장치를 도시한 개략 단면도이다.
**도면의 주요 부분의 부호에 대한 설명**
100: 임프린트 장치
200: 제 1상부챔버
210: 상부척
300: 하부챔버
400: 제 2상부챔버
410: 자외선 엘이디(LED)
420: 자외선 램프
430: 보호판

Claims (10)

  1. 하부챔버;
    상기 하부챔버의 상면에 배치되며, 광경화성 수지가 형성된 기판을 탈착가능하게 지지하는 하부척;
    상기 하부챔버의 상방에 배치되며, 상기 하부챔버와 접촉하여 제 1밀폐공간을 형성하는 제 1상부챔버;
    상기 제 1상부챔버의 하면에 배치되며, 미세패턴이 각인된 스탬프를 탈착가능하게 지지하는 상부척;
    상기 제 1밀폐공간의 외부에 마련되고, 상기 제 1상부챔버와 교대로 상기 하부챔버와 접촉하여 제 2밀폐공간을 형성하며, 자외선을 조사하여 상기 광경화성 수지를 경화시키는 자외선 램프 또는 자외선 엘이디(LED)를 포함하는 제 2상부챔버; 및
    상기 제 2상부챔버에 마련되어 상기 제 2밀폐공간에 가압가스를 주입하여 상기 스탬프를 균일하게 가압하는 가압장치를 포함하는 임프린트 장치.
  2. 하부챔버;
    상기 하부챔버의 상면에 배치되며, 광경화성 수지가 형성된 기판을 탈착가능하게 지지하는 하부척;
    상기 하부챔버의 상방에 배치되며, 상기 하부챔버와 접촉하여 밀폐공간을 형성하고, 자외선을 조사하여 상기 광경화성 수지를 경화시키는 자외선 엘이디(LED)를 포함하는 상부챔버;
    상기 상부챔버의 하면에 배치되며, 미세패턴이 각인된 스탬프를 탈착가능하게 지지하고, 상기 자외선 엘이디(LED)에 의한 자외선이 통과하도록 복수 개의 구멍이 마련된 상부척; 및
    상기 상부챔버에 마련되어 상기 밀폐공간에 가압가스를 주입하여 상기 스탬프를 균일하게 가압하는 가압장치;를 포함하는 임프린트 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 상부척은 정전력을 이용하여 상기 스탬프를 탈착가능하게 지지하는 정전척(ESC:Electrostatic Chuck)을 포함하는 임프린트 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제 2상부챔버가 자외선 램프를 포함하는 경우, 상기 자외선 램프의 하방에 배치되어 상기 스탬프를 가압하는 압력으로부터 상기 자외선 램프를 보호하는 보호판을 포함하는 임프린트 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 보호판은 아크릴 또는 석영 중 선택된 어느 하나로 된 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  6. 제 1상부챔버와 하부챔버 내부로 반입된, 미세패턴이 각인된 스탬프와 광경화성 수지가 형성된 기판을 정렬시키는 정렬단계;
    정렬된 상기 스탬프를 자유낙하시켜 상기 기판과 접촉시키는 접촉단계;
    상기 제 1상부챔버를 상기 하부챔버로부터 이탈시키고, 상기 이탈된 상기 제 1상부챔버 대신에 상기 제 1상부챔버의 외부에 마련된 제 2상부챔버를 상기 하부챔버와 접촉시켜 밀폐공간을 형성하는 이탈단계;
    상기 제 2상부챔버와 상기 하부챔버 내부에 가스를 주입하여 상기 기판에 접촉된 상기 스탬프를 균일하게 가압하는 가압단계; 및
    상기 가압단계로부터 가압된 상기 스탬프를 통해 상기 광경화성 수지에 자외선을 조사하는 조사단계를 포함하는 임프린트 방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 정렬단계 이전에 상기 제 1상부챔버를 상기 하부챔버와 접촉시켜 밀폐공간을 형성하는 밀폐단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
  8. 상부챔버와 하부챔버를 서로 접촉시켜 형성된 밀폐공간 내부로 반입된, 미세패턴이 각인된 스탬프와 광경화성 수지가 형성된 기판을 정렬시키는 정렬단계;
    정렬된 상기 스탬프를 자유낙하시켜 상기 기판과 접촉시키는 접촉단계;
    상기 상부챔버와 상기 하부챔버 내부에 가스를 주입하여 상기 기판에 접촉된 상기 스탬프를 균일하게 가압하는 가압단계; 및
    상기 가압단계로부터 가압된 상기 스탬프를 통해 상기 광경화성 수지에 자외선을 조사하는 조사단계를 포함하는 임프린트 방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
KR1020070137859A 2007-12-26 2007-12-26 임프린트 장치 및 임프린트 방법 KR100950746B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070137859A KR100950746B1 (ko) 2007-12-26 2007-12-26 임프린트 장치 및 임프린트 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070137859A KR100950746B1 (ko) 2007-12-26 2007-12-26 임프린트 장치 및 임프린트 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090070009A KR20090070009A (ko) 2009-07-01
KR100950746B1 true KR100950746B1 (ko) 2010-04-05

Family

ID=41321599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070137859A KR100950746B1 (ko) 2007-12-26 2007-12-26 임프린트 장치 및 임프린트 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100950746B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110370666A (zh) * 2019-06-19 2019-10-25 摩比科技（深圳）有限公司 应用于基站天线的塑料铆钉的冲压装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040081069A (ko) * 2003-03-14 2004-09-20 후지쯔 디스플레이 테크놀로지스 코포레이션 기판 맞붙이기 장치
KR20070078264A (ko) * 2006-01-26 2007-07-31 삼성전자주식회사 기판 표면 처리 방법과 이를 수행하기 위한 기판 표면 처리장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040081069A (ko) * 2003-03-14 2004-09-20 후지쯔 디스플레이 테크놀로지스 코포레이션 기판 맞붙이기 장치
KR20070078264A (ko) * 2006-01-26 2007-07-31 삼성전자주식회사 기판 표면 처리 방법과 이를 수행하기 위한 기판 표면 처리장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090070009A (ko) 2009-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101114178B1 (ko) 임프린트 방법, 칩 제조 방법 및 임프린트 장치
KR101381252B1 (ko) 임프린트 장치, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 박막패터닝 방법
JP5535164B2 (ja) インプリント方法およびインプリント装置
CN106142528B (zh) 压印方法以及压印装置
KR101371093B1 (ko) 미세패턴 형성장치 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법
JP2015144193A (ja) インプリント方法、テンプレートおよびインプリント装置
JP2000194142A (ja) パタ―ン形成方法及び半導体装置の製造方法
US6113724A (en) Lamination molding method and an apparatus thereof
KR100602176B1 (ko) 나노 임프린팅 장치
KR20080046479A (ko) 임프린트 장치 및 임프린트 방법
KR20090071031A (ko) 임프린팅 장치 및 임프린팅 방법
KR100982673B1 (ko) 미세 패턴 임프린트 장치
KR100950746B1 (ko) 임프린트 장치 및 임프린트 방법
KR20070078264A (ko) 기판 표면 처리 방법과 이를 수행하기 위한 기판 표면 처리장치
JP2016157784A (ja) パターン形成方法およびパターン形成装置
JP6139434B2 (ja) インプリント方法
KR100931603B1 (ko) 임프린트 공정 시스템 및 패턴형성방법
KR100913222B1 (ko) 임프린트 장치 및 임프린트 방법
KR101025316B1 (ko) 임프린트 장치
JPH04202677A (ja) レジストパターンの形成方法
KR101355504B1 (ko) 확산부재 및 이를 이용한 패턴형성장치
KR20110140059A (ko) 나노 임프린트용 스탬프 및 이의 제조 방법
US20090267248A1 (en) Process for fabricating molding stamp
KR20100042424A (ko) 반도체 소자의 패턴 형성 방법
KR101679560B1 (ko) 임프린트장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment
LAPS Lapse due to unpaid annual fee