JPH03254112A - 薄膜除去方法及び薄膜除去装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、例えば半導体基板（ウェハ）上に形成された
フォトレジストの選択された一部の領域のみをエネルギ
ービームの照射により効率良く除去する方法及びかかる
方法に用いられる薄膜除去装置に関するものである。

［従来の技術］ 近年、超ＬＳＩパターンの高集積化に伴い、回路の最小
線幅も縮小されてきている。最小線幅か０．３５　μｍ
程度と予想される数年光の６４ＭｂｉｔＤ　ＲＡＭの生
産にはＤｅｅｐＵ　Ｖ光源、例えは波長２４８ｎ１１の
ＫｒＦエキシマレーザを光源とするエキシマステッパー
が用いられるものと期待されている。

ところて、エキシマステッパーにおいては、アライメン
ト精度を向上せるためにレチクル、投影レンズを通した
いわゆるスルーサレチクル（Ｔｈｒ。

ｕｇｈ　Ｔｈｅ　Ｒｅｔｉｃｌｅ　　；　Ｔ　Ｔ　Ｒ）
方式のアライメント計測を行うことか望ましいか、これ
を行なう場合には、露先々と同し波長の光を使わなけれ
ば良好なマーク位置の計測ができない。この理由は、エ
キシマステッパーに用いられる投影レンズか強い色収差
を持ち、非露先々、例えは可視光なとてはレチクルとウ
ニへ間の結像共役関係を保てないからである。

ところが、エキシマレーザ光てアライメント計測を行な
う場合、レジストの吸収が強い場合かうい。例えば、Ｍ
Ｐ−２４００（商品名）のようなノボラック樹脂を用い
たレジストでは厚さ１μｍに対する透過率が５〜８＊と
低く、アライメントの為の計測では１往復の透過率とな
るためせいぜいＯ，６４零位の透過率しか期待できない
。このような小さな透過率ではアライメント計測するこ
とは不可能である。

また、アライメントマークが微少な段差構造から成るこ
とから、マーク周辺でレジストの膜厚が不均一になるこ
とは避けられない。従って、非露先々を用いてマーク位
置計測を行なう場合でも薄膜固有の干捗効果かマーク近
傍て顕著になったり、あるいはマーク両側でレジストの
膜厚のムラか非対照になったりすること等によってアラ
イメント精度か低下しかちてあった。このため従来より
、アライメントマーク形成領域のレジストのみをアライ
メントの前に除去することが考えられてきた。例えは、
この考えを実施するための装置の一例かみられる。

ここで、従来のレジスト除去装置について第６図を用い
て説明する。エネルキービーム、例えばレーザ光源５１
から射出したレーザ光ＬＢは可変絞り５２によって所定
のビーム形状に成形された後、シャッター５３に至る。

シャッター５３はレーザ光ＬＢを透過又は遮断させるも
のであり、シャッター５３を透過したレーザ光ＬＢはミ
ラー５４で反射された後、対物レンズ５５に入射する。

そして、開口絞り５２の開口像が対物レンズ５５によっ
てウェハＷ上に縮小結像される。照射された領域のレジ
ストは、レーザ光ＬＢのエネルギーにより溶融、あるい
は光化学反応により微粒子化し、レジスト層より飛散除
去される。

このＫ、微粒子化したレジストにより他の領域のレジス
ト表面か汚染されるのを防止するため、従来例では第７
図のことき汚染防止装置か考案されている。この汚染防
止装置は第６図において説明をした対物レンズ５５とウ
ェハＷとの間に設置される。チャンバー６６の対物レン
ズ５５と対向する位置には、取り外し可能な石英板６１
が窓として設けられており、石英板６１のチャンバー６
６の内側の面には、ノズル６５を介してガスが吹き付け
られる。これにより対物レンズ５５本体の汚染が防止さ
れるとともに、石英板６１の汚染もガスの吹き付けによ
り軽減される。またチャンバー６６のウェハＷ側には穴
６２ａを設けたマスク６２がチャンバー６６に固定され
ている。穴６２ａはレーザ光ＬＢが通るのに十分な大き
さの寸法で設けられている。さらにマスク６２とウェハ
Ｗとの間には適当な間隔が設けられ、穴６２ａの近傍で
レーザ光ＬＢを遮光しない位置にノズル６３．６４が配
置され、このノズル６３．６４からはウェハＷに向けて
ガスか吹き付けられる。またチャンバー６６内のガスは
トラップ６７を介して排気ポンプ６８により吸引される
。これによってウェハＷの表面て発生したレジストの微
粒子は、穴６２ａを介してチャンバー６６内に吸い込ま
れ、さらにトラップ６７内に取り込まれる。同時に、ウ
ェハＷ表面に発生したゴミはノズル６３６４からのカス
によって飛ばされ、穴６２ａを介してチャンバー６６内
に吸い込まれる。しかし、この様なイ５染防止装置によ
っても十分な汚染防止効果を得ることかてきない。

そこで、レジスト微粒子を酸化により揮発性物質に変え
て除去する方法が検討されている。特に、前記レーザ光
ＬＢが波長の短い紫外線である場合、照射されたレジス
トのＣ−Ｃ，Ｃ−Ｈ等の分子結合は光エネルギーにより
切断されてレジスト層より飛散される割合が高い。そこ
で、分子結合が切断されたレジストを酸化作用の強い酸
素ラジカル０１による酸化反応によりＣＯ２や８２０な
どの揮発性物質に変えることが考えられる。この方７去
においては除去されたレジストか、他のレジスト表面等
を汚染する恐れがなく良好なレジスト除去か可能となる
。Ｏ”は外部より供給されるオゾンＯ８に、波長が３１
０ｎｍ以下（２００ｎｍ　〜３００ｎｍという説もある
）の紫外線を照射することによって生成される。レーサ
光ＬＢ自体がこの波長領域の光である場合、特に別光源
を用意する必要はない。このＯｏのライフタイムは１ナ
ノ程度ときわめて短いため、レジスト表面のごく近傍で
０３から０”を生成し速やかに反応に寄与させなければ
ならない。また、この反応速度は温度に対して指数関数
的に増大することから、レジスト表面の温度を高めに保
持しながらエネルギービームを照射することが望ましい
。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、一般にレジストをウェハに塗布する工程の後
には、レジスト膜中の溶剤を除去する目的で加熱乾燥（
以下ブリベータという）が行なわれる。このブリベータ
はレジストが塗布されたウェハをホットプレートやオー
ブン等で加熱することてなされる。溶剤の除去はこの時
の温度か高いほど完全に行なわれるか、レジストの種類
によって熱安定性が異なり、高温でブリベータを行なう
とカブリ現象を起こし、現像後に薄膜残りを生しる等の
不具合かあるため、各レジストごとに許されたプリベー
ク温度、時間を守る必要かある。

よって、露光前にレジストの一部を除去する工程におい
ても、このレジスト毎に許された限界温度以上に温度を
上げることは出来ない。また、この温度以下であっても
、所定のブリベーク工程以外てレジストを高温に保持す
ることはレジストの解像特性に悪影響を与える可能性が
ある。

この発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、残
存させる薄膜の特性を劣化させずに、効率良く薄膜の一
部を除去することのできる薄膜除去方法及び装置を提供
することを目的とするものである。

［課題を解決するための手段］ 本発明による薄膜除去方法においては、支持基板上に塗
布された薄膜をプリベークする際に、プリベークを行な
いなから、薄膜に選択的にエネルギービームを照射して
所望の部分の薄膜を除去することによって、上記の課題
を達成している。

また、本発明の方法を実施するために用いられる薄膜除
去装置は、エネルギービームを射出する光源を有し、支
持基板上に塗布された薄膜の除去しようとする部分とエ
ネルギービームの照射領域とを相対的に位置合わせする
位置合わせ手段と、この位置合わせ手段の動作及びエネ
ルギービームの薄膜上への照射を妨げずに、支持基板上
に塗布された薄膜を加熱乾燥する加熱手段とを備えたも
のである。

［作用コ 本発明では、支持基板上に塗布された薄膜を加熱乾燥す
るブリベーク工程を行ないながら、薄膜の除去しようと
する部分にエネルギービームを照射するので、光子エネ
ルギーによって分子結合が切断されて微粒子化した薄膜
の酸化反応の反応速度が増大され、所望の部分の薄膜が
効率良く除去される。また、微粒子の酸化が速やかに行
なわれ、揮発性物質に変わることから微粒子状態のまま
の薄膜か周囲に飛散して残存し、薄膜表面が汚染される
という不都合も解消される。

更に、プリベーク工程では、薄膜の種類に応した許容範
囲内の上限に近い温度で許容時間たけ薄膜か加熱保持さ
れるので、薄膜の除去に件って新たに加熱条件を設定し
なくとも、Ｗ＃膜の特性を劣化させない範囲でｆ＃膜除
去の効率を最も高くすることが可能である。

本発明の方法を半導体素子の製造に通用して実施するに
あたっては、薄膜（レジスト）の除去しようとする領域
とエネルギービームの照射領域を相対的に位置合わせす
る位置合わせ手段と、薄膜のブリベータを行なう加熱手
段を備えた薄膜除去装置を用い、この薄膜除去装置と薄
膜塗布装置及び露光装置をインラインで結合すれば、複
数のウェハを次々に処理することがてき、−層スループ
ツトを向上させることが可能である。

［実施例］ 以下図面を参照して、本発明を半導体素子製造のリソグ
ラフィ工程に通用した場合の実施例について説明する。

まず、第２図及び第３図を用いて本実施例による方法を
実施するに好適なシステムを具体的に説明する。

第２図は半導体素子製造のリングラフィ工程て用いられ
る投影縮小露光装置（以下ステッパーという）本体３０
、コータ・デベロッパー（レジスト塗布部と現像部を一
体にもつ装置で、以下ＣＤ、と呼ぶ）２５及びレジスト
除去装置２０とをインラインで結合した様子を示す概略
平面図である。また、第３図は本実施例における処理の
流れを示した概念図である。

まず、これから露光しようとするウェハは、複数枚のウ
ェハが収納されたウェハカセット（図示せず）からＣ，
Ｄ、２５のポジションＰ１に載置された後、レジスト塗
布部２１に搬送される。このレジスト塗布部２１は、第
３図に示されるようにウェハを保持した状態で回転する
支持台２８と、液状のレジストを所定量ウェハ上に滴下
するノズル２７を備えている。支持台２８はその回転数
、回転時間、立ち上げ加速度等を多段階に設定すること
かでき、ノズル２７から噴出されたレジストは最適化さ
れたプログラムによって、所望の膜厚てしかも均一な膜
としてウェハＷに塗布される。

次いて、ウェハＷはプリベークされない状態でレジスト
除去装置２０（詳細後述）のステージ上の加工位置Ｐ２
に搬送される。この際、レジストの塗布が終了した段階
では、ウェハＷの向きか不確定であるので、例えば搬送
中にオリエンテーションフラットＯ，Ｆ（第３図参照）
を検出して向きを揃える等のプリアライメントを行なう
ことか望ましい。もし、ウェハＷのＯ，Ｆの向きか全く
ばらばらのままレジスト除去装置２０に搬送すると、こ
こでの位置合わせ（後述）が非常に繁雑になってしまう
。

尚、レジスト除去装置２０にプリアライメント機能を持
たせても構わないが、本実施例のように上記除去装置２
０をモジュール化してＣ，Ｄ２５に組み込む場合には装
置自体か大掛りとなるので、プリアライメント機構（Ｏ
Ｆの向きを合ねせるたけて構わない）を別設することか
望ましい。

プリアライメントにより所定の整合状態てレジスト除去
装置２０に運ばれたウェハは、ここでホットプレート１
０等の加熱手段によって、レジストの種類に応したプリ
ベーク条件で加熱保持される。そして、プリベークを行
ないなから、オフ・アクシス方式のウェハ・アライメン
ト系（後述）でグローバルアライメントか行われた後、
レジストの所定の領域にエネルギービームが照射され、
レジストの除去が行なわれる。プリベークの所定時間以
内にレジスト除去が終了した場合には、ウェハＷはその
ままホットプレート１０上に保持され、プリベーク完了
時点で搬送系によって自動的にポジションＰ３に搬出さ
れるように制御が行なわれる。ブリベータ時間が長い場
合には、ウェハＷをレジスト除去装置２０に運ぶ搬送手
段にも加熱手段を設け、搬送中にウェハＷの加熱を開始
するようにすれは、レジスト除去装置２０ての加熱保持
時間を短縮できる。

レジスト除去装置２０て所定の領域のし・シストか除去
されるとともにプリベークも終了したウェハＷは、Ｃ，
Ｄ、２５のバッファポジションＰ４て待機する。そして
、ステッパー本体３０（後述）が露光動作を開始すると
、ウェハＷはポジションＰ４からステッパー３０のロー
トポジションＰ５に搬送され、ウェハステージ上（投影
レンズＰＬ）に受は渡されて露光か行なわれる。露光後
のウェハＷはステージから取り出され、アンロードポジ
ションＰ６を経て、Ｃ，Ｄ、２５の分岐ポジションＰ７
に受は渡され、ポジションＰ８を通って現像部２３へ送
られる。レジストの現像か終了したウェハはポジション
Ｐ９を経てティク・アウトポジションＰＩＯに保存され
る。

また、本実施例におけるＣ、Ｄ、２５においては、レジ
スト塗布部２１と現像部２３との間にリニアなガイドレ
ール２４が配置され、このガイドレール２４に沿って、
ウェハＷを保持して−次元に移動する搬送アーム２６か
設けられている。アーム２６は、上下動・回転運動可能
に構成されており、必要に応して現像部２３から出てき
たウェハＷを保持した状態て所定量もち上げ、カイトレ
ール２４に沿って第２図中て右方へ移動し、ウェハを分
岐ポジションＰ７に搬送したり、あるいは再度レジスト
除去装置に運んたりする。このような副搬送手段を備え
た第２図のシステムては、上述したような順で処理を行
なうたけてなく、例えは現像後のウェハＷを直ちにステ
ッパー本体３０に戻してレジスト像の観察や各種計測を
ステッパーのアライメント系を用いて行なったり、場合
によっては再度レジストの除去を行なったりすることか
可能である。

上記のように、Ｃ，Ｄ、２５、加熱手段を設けたレジス
ト除去装置２０及びステッパー３０をインラインで結合
すれは、複数枚のウェハＷについて自動的にアライメン
トマークを露出させた状態で次々にパターンの焼付（露
光）を行なうことができ、高いスルーブツトを維持しつ
つ、アライメント精度を向上させることか可能である。

この際、レジスト除去装置２０てはステッパー３０の各
種データ（配列マツプ、ウェハマークの打替えの有無等
）に基ついてレジスト除去か行われることになる。

次に、第１図は、第２図に示されたシステムに用いられ
るレジスト除去装置２０の一例を示す構成国である。

このレジスト除去装置２０には、レジスト除去用のエキ
シマレーザ光源ｌとアライメント用の照明系１１とが設
けられ、エキシマレーザ光は不図示のシャッター、レン
ズ系２．ビームスプリッタ−３及びレンズ系４を介して
、可変開口絞り（可変アパーチャ）５を均一に照射する
。可変アパーチャ５の開口像は加工用対物レンズ７によ
りウェハＷの表面に縮小結像される。対物レンズ７とウ
ェハＷの間には加工時の対物レンズ７の汚れを防止する
ための透明な保護板９が取り外し可能に配置されている
。

ウェハＷの表面には、前述したようにレジスト層か塗布
されており、ウェハＷは加ＰＡ手段としてのホットプレ
ート１０上に載置されている。ホットプレートｌＯは、
７品度調節系（図示せず）によってブリヘークに最適な
温度に保持されるようになってあり、干渉計等て位置計
測されて２次元移動するステージ１５上に固定されてい
る。このステージ１５には、インバー合金やセラミック
のような熱膨張の少ない材料を使用すれは、レーザ光Ｌ
Ｂに対する位置決め精度が熱によって劣化することを防
ぐことができる。また、ホットプレート１０の重量が大
きい場合には、レーザ光とウェハＷのアライメントを行
なう際に、主としてステージ１５てはなく、アライメン
ト用の照明光（レーザ光ＬＢの照射領域との位置関係は
固定）の方を移動させるようにすることが望ましい。ま
た、前述したように、レジスト除去装置２ｏに搬送され
る過程でつ°エバＷのプリアライメントがなされておれ
ば、ステージ１５を回転させずどもＸ、Ｙ方向の相対移
動だけでアライメントが可能であり、レジスト除去装置
２０におけるアライメント時間か短縮される。

照明系１１からのアライメント用の照明光（レジストに
対して非感光性の広帯域波長光）はビームスプリッタ−
１２て反射されて、アライメント用対物レンズ１３に入
射し、ウェハＷの表面を均一に照明する。ウェハＷ上の
ウェハマークＷＭ（アライメントマーク）からの反射光
は対物レンズ１３、ビームスプリッタ−１２を介してリ
レー系１４を通って総室系に導かれる。この対物レンズ
１３、ビームスプリッタ−１２及びリレー系１４によっ
て、オフ・アクシス方式のウェハ・アライメント系が構
成され、ウェハのグローバルアライメント等を行う。

また、加工用対物レンズ７を介して加工点（レジスト除
去部）を直接観察するため、対物レンズ７と可変アパー
チャ５との間の光路中に進退可能なビームスプリッタ−
６が配置される。このビームスプリッタ−６が光路中に
ある時、照明系１１からの照明光は対物レンズ７に導か
れ、ウェハＷ上の加工部を均一に照射する。ウェハＷの
表面からの反射光は対物レンズ７、ビームスプリ・ンタ
６及び可変アパーチャ５を通り、さらにレンズ系４及び
ビームスプリッタ−３を介してリレー系８に入射し、観
察系に導かれる。ここで、ウェハＷと可変アパーチャ５
とは共役なのて、リレー系８を介して可変アパーチャ５
の開口像と、ウェハＷ上の加工部とが同時観察される。

即ち、可変アパーチャ５の開口内にマークＷＭか位置す
るようにステージ１５を位置決めした後、ビームスプリ
・ンター６を退避させて、エキシマレーザ光源１からエ
キシマレーザ光（パルス光）を発振させれば（レーザ光
は発振させ続けておいて光源１の後段に設けたシャッタ
ー（図示せず）の開閉によってレーザ光の遮断・透過を
制御しても良い）、ウェハマークＷＭを含む局所領域の
みのレジスト層が除去されることになる。上記構成にお
いて、ビームスプリッタ−３はダイクロイックミラーの
ような波長選択性のものにし、照明系１１からの照明光
の波長は可視域にすることが望ましい。

次に、第４図は第２図に示されたシステムに用いられる
露光装置（ステッパー３０）の−例を示す構成図である
。本実施例で用いられる露光装置は、従来の装置（特開
昭６３−２８１２９号公報に開示されている露光装置）
をそのまま利用てきるものである。

図において、超高圧水銀ランプ等の！！セ明光源３１は
ｇ線、ｉ線等のレジスト層を感光するような波長（露光
波長）の照明光を発生し、この明明光はミラー３２を介
して可変ブラインド３４、不図示のオプチカルインテグ
レータ（フライアイレンズ）等を含む照明光学系３３に
入射する。照明光学系３３て光束の一様化等が行なわれ
た照明光は、コンデンサーレンズ３５を通ってダイクロ
イックミラー３６で垂直に反射された後、レチクルＲの
パターン領域ＰＡを均一な照度で照明する。

レチクルＲにはパターン領域ＰＡに付随して、矩形の透
明窓部と回折格子マークとから成るアライメント用のレ
チクルマークＲＭが形成されている。可変ブラインド３
４の面はレチクルＲと結像関係にあるので、可変ブライ
ンド３４を構成する可動プレートを開閉させて開口位置
、形状を変えることにより、レチクルＲの観測、視野（
露光時は照明視野）を任意に選択することがてきる。レ
チクルＲのパターン領域ＰＡを透過した照明光は、両側
（若しくは片側）テレセントリックな投影レンズＰＬに
入射し、投影レンズＰＬは回路パターンやレチクルマー
クＲＭの像をウェハＷ上に投影する。ウェハＷはステッ
プ・アント・リピート方式で２次元移動するウェハステ
ージ３７上に載置されており、レジスト除去装置２０て
の加工により回折格子状のウェハマークＷＭが露出され
ている。

また、露光装置には回折格子状のマークＷＭに対して２
方向から平行なレーザビームを同時に照射して１次元の
干渉縞を作り、この干渉縞を用いてアライメントを行な
うＴ　Ｔ　Ｒ（Ｔｈｒｏｕｇｈ　Ｔｈｅ　Ｒｅｔｉｃｌ
ｅ　）方式のアライメント系、特に２方向から照射され
るレーザビームに一定の周波数差を与えるヘテロダイン
法を採用したアライメント系（以下、Ｌａ５ｅｒ　Ｉｎ
ｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｉｃ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ；Ｌ
　Ｉ　Ａ系と呼ぶ）か、２芦点光学系２８を介して、ダ
イクロイックミラー３６の上方に設けられている。

ＬＩＡ系は良く知られたアライメント系であるのて詳細
な説明は省略するか、本実施例では、ウェハマークＷＭ
上のレジストか除去されているので、露光光を用いて投
影レンズＰＬを介してアライメントを行なっても露光光
がレジストに吸収されてマークＷＭからのヒート信号か
弱まったりレジスト膜厚の不均一によりアライメント精
度か低下したりすることかない。

次に、第５図は加部手段としてオーブンを用いた場合の
レジスト除去装置の要部構成図である。

図において、加工用対物レンズ４７と２次元移動可能な
ウェハステージ４５の間にはチャンバ４０が設置されて
おり、このチャンバー４０内は、外周面に巻きつけられ
たヒーター４２によって使用レジストに最適なプリベー
ク温度に調節されている。チャンバー４０内に保持され
たウェハＷのレジスト層はブリベータが行なわれつつ、
ウェハ・アライメント系によるグローバルアライメント
終了後、加部された状態て石英板４１の窓を通過したレ
ーザ光ＬＢによって所定の部分か除去される。この場合
も、ウェハＷはブリヘーク所定時間まてチャンバー４０
内に保持された後、搬送系によって搬出される。また、
除去されたレジストによって他の領域のレジスト表面か
汚染されるのを防止するため、ノズル４３を介してガス
をウェハＷ表面に吹き付け、排気ポンプ４４で微粒子化
したレジストなとの汚染因子を排出する。石英板４１は
着脱可能であり、汚染された場合は容易に取り替えるこ
とがてきる。

なお、以上の実施例においては、アライメントマーク形
成領域のレジスト層を除去する場合について具体的に説
明したが、本発明は、光エツチング法によって直接レジ
ストを所望のパターン形状に加工する場合にも同様に適
用できることは言うまでもない。

［発明の効果］ 以上のように本発明においては、加熱手段をもつ薄膜除
去装置を用いて、従来単独で考えられてきたＴＮ　ＭＵ
の所定の部分の除去をブリ・・、−ク工程中に行なうた
め、薄膜の除去工程に要する時間かフリヘーク工程に吸
収され、処理時間を大幅に短縮することかてきる。また
、薄膜はフリヘーク７品度、即ち薄膜の特性を劣化させ
ない範囲内て可能な限りの高温に保たれた状態でエネル
キービームか照射されるため、薄膜の解像度等を低下さ
せることなく最大限に薄膜の酸化反応か促進され、薄膜
の除去速度か増大する。また、酸化反応か速やかに進行
することから、微粒子状のままの薄膜か周囲に飛散する
ことによる薄膜表面の汚染も防止される。

本発明を半導体素子製造のりソゲラフイエ程に適用して
、レジスト塗布部とレジスト除去装置を搬送系で接続す
ｈは、複数枚のウェハについてレジスト塗布からプリヘ
ーク、更にアライメントマーク形成部等所定の部分のレ
ジスト除去まての工程を自動的に処理することか可能と
なり、−層スループツトを向上させることかてきる。こ
のインライン処理を終了したウェハはそのまま露光する
ことかてき、アライメントマークが露出されているため
、精度の良いＴＴＬ方式のアライメントを行なうことか
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例にかかるレジスト除去装置の構成
図、第２図は本発明実施例の方法を実施するのに好適な
システムの概略平面図、第３図は本発明実施例における
処理の流れを示した概念図、第４図は第２図に示された
システムに用いられる露光装置の構成図、第５図は本発
明の別の実施例によるレジスト除去装置の要部構成図、
第６図は従来の薄膜（レジスト）除去装置の構成図、第
７図は従来の薄膜除去装置に用いられる汚染防止装置の
構成図である。 ［主要部分の符号の説明］ １・・・・・・・・・・・・エキシマレーサ光源５・・
・・・・・・・・・・可変アパーチャー７．４７・・・
加工用対物レンズ ９・・・・・・・・・・・・保護板 １０・・・・・・・・・・・・ホットプレート１１・・
・・・・・・・・・・照明系 １３・・・・・・・・・・・・アライメント用対物レン
ズ１５．４５・・・ステージ ＰＬ・・・・・・・・・・・・投影レンズ２０・・・・
・・・・・・・・レジスト除去装置２１・・・・・・・
・・・・・レジスト塗布部２５・・・・・・・・・・・
・コータ・デｌ＼ロッパ３０・・・川・・・・・・ステ
ッパー本体４０・・・・・・・・・・・・チャンバ４２
・・・・・・・・・・・・ヒータ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持基板上に形成された薄膜の所望の部分をエネ
   ルギービームの照射によって除去する方法において、 前記支持基板上に塗布された薄膜を加熱乾燥する際に、
   加熱乾燥を行ないながら、前記薄膜に選択的にエネルギ
   ービームを照射し、所望の部分の薄膜を除去することを
   特徴とする薄膜除去方法。
2. （２）エネルギービームを射出する光源を有し、エネル
   ギービームの照射によって支持基板上に形成された薄膜
   の所望の部分を除去する薄膜除去装置において、 前記支持基板上に塗布された薄膜の除去しようとする部
   分と前記エネルギービームの照射領域とを相対的に位置
   合わせする位置合わせ手段と、この位置合わせ手段の動
   作及びエネルギービームの薄膜上への照射を妨げずに、
   前記支持基板上に塗布された薄膜を加熱乾燥する加熱手
   段とを備えたことを特徴とする薄膜除去装置。