JPH1172430A - 真空助成式細片除去装置 - Google Patents

真空助成式細片除去装置

Info

Publication number
JPH1172430A
JPH1172430A JP10168298A JP16829898A JPH1172430A JP H1172430 A JPH1172430 A JP H1172430A JP 10168298 A JP10168298 A JP 10168298A JP 16829898 A JP16829898 A JP 16829898A JP H1172430 A JPH1172430 A JP H1172430A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vacuum
illumination area
debris removal
lens element
manifold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10168298A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3949819B2 (ja
Inventor
Andrew W Mccullough
ダブリュー マッカロー アンドリュー
Sean Olson
オルソン シーン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SVG Lithography Systems Inc
Original Assignee
SVG Lithography Systems Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SVG Lithography Systems Inc filed Critical SVG Lithography Systems Inc
Publication of JPH1172430A publication Critical patent/JPH1172430A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3949819B2 publication Critical patent/JP3949819B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Optical Measuring Cells (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 生じるおそれのあるレンズ素子の被覆を回避
する。 【解決手段】 レンズ素子２２と感光剤で被覆された基
板１０との間に配置された、照明領域開口を有する真空
マニホルド１４が設けられており、この真空マニホルド
が、前記照明領域開口に対して開口したボア１６を有し
ており、前記真空マニホルドに連結された真空源２６が
設けられており、レンズ素子２２が細片で被覆されるこ
とを回避する流れパターンが得られるようになってい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、概して半導体装置
の製造で用いられるフォトリソグラフィ、特にレンズ素
子または他の素子の感光表面における化学線またはアラ
インメント波長の滞留時間または作用による前記感光表
面から発生する、汚染を招くような二次的発生物または
放射により生じる、感光層に最も近いレンズ素子または
他の素子の汚染を回避するために使用される細片除去装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造では、レチクルの画像
が感光剤で被覆されたウェーハに投影される。所望の高
解像度を得るために、感光剤で被覆されたウェーハの表
面の近くに位置した、投影光学系の一部であるレンズ素
子または他の素子を提供する必要がある。この素子から
ウェーハまでの距離は約３ｍｍである。これは、レチク
ルの画像を投影するために使用される場合もある高エネ
ルギの照明系と相俟って、露光過程において、感光剤で
被覆されたウェーハからおよび／または不意にレンズ素
子に堆積した材料がしばらくして裏面放射することによ
り、溶融、気化または放射された材料を生ぜしめる。こ
のことは、系の性能を低減させ、望ましくない。レンズ
素子は、アクセスして清浄にするのが困難であり、その
結果、フォトリソグラフィ装置または系の望ましくない
停止時間が生ぜしめられる。さらに、レンズ素子はクリ
ーニング時に損傷を受ける。非常に高レベルのレーザカ
ッタやアブレーション装置では真空式細片除去系または
強制空気系が使用されているが、これらの系は、用いら
れる空気流に画質が影響を受けてはならないフォトリソ
グラフィ系では使用することができない。すなわち、フ
ォトリソグラフィ系内の細片または汚染物でレンズ素子
が望ましくなく被覆されることを回避するために系が必
要とされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
課題は、生じる可能性のあるレンズ素子の被覆を回避す
ることである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の構成では、レンズ素子と感光剤で被覆された
基板との間に配置された、照明領域開口を有するマニホ
ルドが設けられており、このマニホルドが、前記照明領
域開口に対して開口したボアを有しており、前記マニホ
ルドに連結された真空源が設けられており、レンズ素子
が細片で被覆されることを回避する流れパターンが得ら
れるようにした。
【０００５】
【発明の効果】本発明は、感光剤で被覆されたウェーハ
に隣接したレンズ素子の被覆を回避する。照明領域開口
が設けられた真空マニホルドは、投影光学系の最後の光
学素子と感光剤で被覆されたウェーハとの間に配置され
ている。真空マニホルド内のボアは、照明領域開口に対
して開口している。上部間隙は、レンズ素子と真空マニ
ホルドの上面との間に配置されている。底部間隙は、真
空マニホルドの底面と感光剤で被覆されたウェーハとの
間に形成されている。清浄なガスまたは空気は、上部間
隙に沿って導入され、レンズ素子から、照明領域開口の
縁部から真空マニホルド内のボアに送出される。清浄な
ガスまたは空気は、底部間隙に沿っても導入されてボア
を通じて送出され、これにより、汚染物がレンズ素子に
達することを回避する。レンズ素子と真空マニホルドと
の間に間隙を有していない実施例もある。上部間隙が設
けられていなくとも、本発明を使用および適用すること
ができる。空気流は様々であるが、共通の原理が請求さ
れている。
【０００６】画質に影響を与えないことが本発明の利点
である。
【０００７】マニホルド真空系がレンズ素子とウェーハ
との間に配置されていることが、本発明の特徴である。
【０００８】これらの課題、利点および特徴ならびに他
の課題、利点および特徴は、以下の詳細な説明を見るこ
とにより容易に明らかである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
につき詳しく説明する。
【００１０】図１には、本発明の一部が概略的に示され
ている。ウェーハ１０には、感光剤被覆層１２が設けら
れている。ウェーハ１０は、矢印１１で示した方向に移
動させられるかまたは走査される。ウェーハは、一般的
に、ステージ（図示せず）に配置されている。ほぼ平坦
な真空マニホルド１４が、感光剤被覆層１２に隣接して
配置されている。真空マニホルド１４は、複数の横方向
のボア１６を有している。真空マニホルド１４は、投影
光学系の一部、たとえばレンズ取付体２０にマニホルド
取付部材１８によって装着されている。レンズ素子２２
は、レンズ取付体２０によって装着または保持されてい
る。レンズ素子２２は、レンズ面２４を有している。真
空マニホルド１４は、レンズ面２４に隣接した上面１３
と、ウェーハ１０上の感光剤被覆層１２に隣接した底面
１５とを有している。上部間隙が、レンズ面２４と上面
１３との間に形成されており、下部間隙が、底面１５と
感光剤被覆層１２との間に形成されている。真空系２６
は、横方向のボア１６に接続または連通させられてい
る。すなわち、真空マニホルドは、感光剤被覆層１２が
設けられたウェーハ１０とレンズ面２４との間に配置さ
れている。レンズ面２４とウェーハ１０上の感光剤被覆
層１２との間の距離は、約３ｍｍである。フォトリソグ
ラフィ装置は、一般的に、清浄なクラスＩ空気を有する
環境に配置されている。レチクルの画像は、レンズ素子
２２を有する投影光学系によって感光剤被覆層１２に投
影される。光線３２は、真空マニホルド１４の矩形の照
明開口を通過して投影された画像を形成する電磁放射を
表している。真空マニホルド１４の端部は、レンズ素子
２２を有する投影光学系からの光線または照明の開口数
または円錐形に従うように、テーパされているか切り詰
められていてよい。真空系２６が横方向のボア１６に連
結または接続されている。すなわち、空気はボア１６を
通じて真空系２６へ通流させられる。矢印２８で示され
た空気流は、レンズ面２４に沿って上部間隙を通り次い
で矩形の照明領域開口に隣接した下方のボア１６を通じ
て通流させられる。さらに、ガスまたは空気は、矢印３
０で示したように感光剤被覆層１２に隣接した下部間隙
を通過し、矩形の照明領域開口に隣接したまたはこの照
明領域開口に開口した横方向のボア１６を通じて通流さ
せられる。このガス流または空気流パターンは、感光剤
被覆層１２からの生じ得る汚染物をレンズ素子２２の表
面２４から押し流すかまたは方向付け、感光剤被覆層１
２からの細片を受け取りこの細片を取り去ってレンズ面
の生じ得る汚染を回避する。ウェーハが矢印１１の方向
に移動させられるかまたは走査されている場合、真空マ
ニホルド１４は投影光学系に対して定置である。
【００１１】図２は、図１に示した真空マニホルドをよ
り明確に示した平面図である。長手方向の通路３４は、
複数の横方向のボア１６に連結または接続されている。
ボアは原則的に複数設けられている：多くの様々なサイ
ズおよび配列の孔もしくはボアが、同等の機能を有して
いる。横方向のボア１６は、矩形の照明領域開口４０に
対して開口しており、この照明領域開口４０は、通常、
走査型リソグラフィ装置において使用される矩形の照明
領域に従っている。矩形の照明領域開口は、たとえば、
３０ｍｍの長さで８ｍｍの幅であってよい。長手方向の
通路３４は、横方向の通路３８に接続されている。端部
側のボア３６は、横方向の通路３８に接続または連結さ
れている。端部側のボア３６は、矩形の照明領域開口４
０に対して開口している。長手方向の通路３８と横方向
の通路３４とは、真空ポート４２に接続または連結され
ている。また真空系２６は真空ポート４２に接続されて
いる。必要であれば、第２の真空系（図示せず）を真空
マニホルド１４の反対側の端部に配置するために第２の
真空ポート（図示せず）を配置してもよい。概して、た
いていの場合に細片を除去することを目的として十分な
ガスまたは空気流を提供するためには、照明領域開口４
０の対向した長手方向の側部に沿って開口した横方向の
ボア１６を有していればよい。たいていの場合には端部
側のボア３６は不要である。真空マニホルド１４により
生ぜしめられるガス流または空気流は、画質に悪影響を
与えることなしに細片を除去するために十分であればよ
い。横方向のボア１６と端部側のボア３６とはほぼ等間
隔で配置されていると有利である。
【００１２】図３は、図２の３−３線に沿って見た横断
面図である。図３には、矩形の照明領域開口４０に対し
て開口した横方向のボア１６と、長手方向の通路３４と
がより明確に示されている。端部側のボア３６は円形に
示されているが、矩形を含むあらゆる横断面形状であっ
てよい。ボア１６および３６は、積層構造から形成され
た矩形の開口であってもよい。
【００１３】図４は、フォトリソグラフィ装置における
本発明を示す概略的な線図である。照明源１３２は、レ
チクルステージ４６に取り付けられたレチクル４４に照
明を提供する。レチクル４４の画像は、感光剤で被覆さ
れたウェーハ１１６に投影光学系１２２によって投影さ
れる。ウェーハ１１６はウェーハステージ４８に配置さ
れている。ステージ制御装置５０は、ウェーハ１１を矢
印１１１の方向に移動させるか走査するために、レチク
ルステージ４６とウェーハステージ４８との同期的に移
動を制御する。通常、投影光学系は４分の１の縮小を提
供し、その結果、レチクルステージはウェーハステージ
とは異なる比率で移動する。真空マニホルド１１４は投
影光学系１２２とウェーハ１１６との間に配置されてい
る。真空マニホルド１１４は投影光学系１２２に装着さ
れているので、投影光学系１２２に対して定置である。
真空系１２６は、真空マニホルド１１４に連結されてい
る。
【００１４】すなわち、たとえばウェーハ上の感光剤被
覆層により生ぜしめられる細片および汚染物はレンズ素
子の表面に付着することがなく、これにより、レンズ表
面の被覆または汚染を回避する。このことは系の性能を
増大させ、時間の経過に従う画質の低下を回避する。そ
の結果、リソグラフィ装置の停止時間および保守が減じ
られることにより、一定時間内の生産量が増大する。本
発明により生ぜしめられる空気流は、細片を除去するの
に十分であるが、画質に影響を与えるほど大きくないこ
とが望ましい。
【００１５】本発明を有利な実施例につき説明したが、
本発明の思想および範囲を逸脱することなしに様々な変
更が行われることは当業者に明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を部分的に横断面で示した図である。
【図２】本発明を示す平面図である。
【図３】図２の３−３線に沿って見た横断面図である。
【図４】本発明の用いたリソグラフィ系の線図である。
【符号の説明】
１０ ウェーハ、 １２ 感光剤被覆層、 １３ 上
面、 １４ 真空マニホルド、 １５ 底面、 １６
横方向のボア、 １８ マニホルド取付部材、２０ レ
ンズ取付体、 ２２ レンズ素子、 ２４ レンズ面、
２６ 真空系、 ２８，３０ 矢印、 ３４ 通路、
３８ 端部側のボア、 ４０照明領域開口、 ４２
真空ポート、 ４４ レチクル、 １１１ 矢印、 １
１４ 真空マニホルド、 １１６ ウェーハ、 １２２
投影光学、 １２６ 真空系

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フォトリソグラフィにおいて使用するた
    めの真空助成式細片除去装置において、 レンズ素子と感光剤で被覆された基板との間に配置され
    た、照明領域開口を有するマニホルドが設けられてお
    り、該マニホルドが、前記照明領域開口に対して開口し
    たボアを有しており、 前記マニホルドに連結された真空源が設けられており、 レンズ素子が細片で被覆されることを回避する流れパタ
    ーンが得られるようになっていることを特徴とする、真
    空助成式細片除去装置。
  2. 【請求項２】 前記照明領域開口が、１対の長手方向の
    側部と１つの横方向の側部とを有する矩形である、請求
    項１記載の真空助成式細片除去装置。
  3. 【請求項３】 前記ボアが、前記１対の長手方向の側部
    に沿って開口している、請求項１記載の、真空助成式細
    片除去装置。
  4. 【請求項４】 前記ボアが、前記１対の横方向の側部に
    沿って開口している、請求項３記載の真空助成式細片除
    去装置。
  5. 【請求項５】 前記照明領域開口に対して開口したボア
    を集結させた通路が設けられており、該通路が、一方の
    端部において前記真空源に接続されている、請求項１記
    載の真空助成式細片除去装置。
  6. 【請求項６】 前記照明領域開口に対して開口したボア
    が、ほぼ等間隔を置いて配置されている、請求項１記載
    の真空助成式細片除去装置。
  7. 【請求項７】 フォトリソグラフィで使用するための真
    空助成式細片除去装置において、 ほぼ平坦な上面とほぼ平坦な下面とを有する真空マニホ
    ルドが設けられており、該真空マニホルドが、矩形の照
    明領域開口と、前記真空マニホルドを貫通して延びた複
    数のボアとを有しており、該複数のボアが、ほぼ平坦な
    上面および下面に対してほぼ垂直な回転軸線を有してお
    り、前記複数のボアが、矩形の照明領域開口に対して開
    口した一方の端部と、真空ポートに連結された他方の端
    部とを有しており、前記真空マニホルドが、レンズ素子
    に隣接して投影光学系に対して定置であるように取り付
    けられており、 レンズ素子から細片および汚染物が除去され、レンズ素
    子が被覆されることを回避するようになっていることを
    特徴とする、真空助成式細片除去装置。
  8. 【請求項８】 ウェーハに隣接した平坦な底面に沿って
    底部空気流が形成されるように、前記真空マニホルド
    が、レンズ素子とウェーハとに隣接して位置決めされて
    いる、請求項７記載の真空助成式細片除去装置。
  9. 【請求項９】 レンズ素子に隣接した平坦な上面に沿っ
    て上部空気流が形成され、かつウェーハに隣接した平坦
    な底面に沿って形成された底部空気流が形成されるよう
    に、前記真空マニホルドが、レンズ素子およびウェーハ
    に隣接して位置決めされている、請求項７記載の真空助
    成式細片除去装置。
  10. 【請求項１０】 前記矩形の照明領域開口が、１対の長
    手方向の縁部と、１対の横方向の縁部とを有しており、
    前記複数のボアが、前記１対の長手方向の縁部に沿って
    開口している、請求項７記載の真空助成式細片除去装
    置。
  11. 【請求項１１】 前記矩形の照明領域開口に対して開口
    した一方の端部を有する前記複数のボアが、ほぼ等間隔
    を置いて配置されている、請求項７記載の真空助成式細
    片除去装置。
  12. 【請求項１２】 フォトリソグラフィにおいて使用する
    ための真空助成式細片除去装置において、 照明領域を有する照明源と、 前記照明源に隣接して配置されたレチクルと、 前記レチクルの画像を投影するために位置決めされてお
    りかつレンズ素子を有する投影光学系と、 前記レチクルの画像の少なくとも一部を受け取るように
    位置決めされたウェーハステージと、 レンズ素子とウェーハステージとの間に配置されていて
    前記投影光学系に対して定置である真空マニホルドとが
    設けられており、該真空マニホルドが、複数のボアと、
    照明領域を収容するようにサイズ決めされた照明領域開
    口とを有しており、該照明領域開口が縁部を有してお
    り、複数のボアが、照明領域開口の縁部において開口し
    ており、さらに、 前記真空マニホルドの複数のボアに連結された真空系が
    設けられており、 空気流が、レンズ素子と前記真空マニホルドとの間およ
    びウェーハと前記真空マニホルドとの間に形成され、こ
    れにより、レンズ素子が、時間が経つにつれて性能を低
    下させるような細片で被覆されることを回避するように
    なっていることを特徴とする、真空助成式細片除去装
    置。
  13. 【請求項１３】 前記照明領域が、１対の長手方向の側
    部と１対の横方向の側部とを有している、請求項１２記
    載の真空助成式細片除去装置。
  14. 【請求項１４】 前記複数のボアが、１対の長手方向の
    側部に沿って開口している、請求項１２記載の真空助成
    式細片除去装置。
  15. 【請求項１５】 前記複数のボアが、前記照明領域の縁
    部に沿ってほぼ等間隔で配置されている、請求項１２記
    載の真空助成式細片除去装置。
JP16829898A 1997-06-19 1998-06-16 真空助成式細片除去装置 Expired - Fee Related JP3949819B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/878,633 US5973764A (en) 1997-06-19 1997-06-19 Vacuum assisted debris removal system
US08/878633 1997-06-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1172430A true JPH1172430A (ja) 1999-03-16
JP3949819B2 JP3949819B2 (ja) 2007-07-25

Family

ID=25372463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16829898A Expired - Fee Related JP3949819B2 (ja) 1997-06-19 1998-06-16 真空助成式細片除去装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5973764A (ja)
EP (1) EP0886184B1 (ja)
JP (1) JP3949819B2 (ja)
KR (1) KR100564094B1 (ja)
CA (1) CA2241125A1 (ja)
DE (1) DE69829607T2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001194801A (ja) * 2000-01-14 2001-07-19 Toshiba Corp 露光装置
WO2002039491A1 (fr) * 2000-11-10 2002-05-16 Nikon Corporation Dispositif optique, dispositif d'exposition et leurs procedes de fabrication
JP2008252117A (ja) * 1999-11-05 2008-10-16 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999027568A1 (fr) * 1997-11-21 1999-06-03 Nikon Corporation Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection
AU4653999A (en) * 1999-07-16 2001-02-05 Nikon Corporation Exposure method and system
US6671051B1 (en) 1999-09-15 2003-12-30 Kla-Tencor Apparatus and methods for detecting killer particles during chemical mechanical polishing
US6628397B1 (en) * 1999-09-15 2003-09-30 Kla-Tencor Apparatus and methods for performing self-clearing optical measurements
JP2001118783A (ja) * 1999-10-21 2001-04-27 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US6369874B1 (en) * 2000-04-18 2002-04-09 Silicon Valley Group, Inc. Photoresist outgassing mitigation system method and apparatus for in-vacuum lithography
AU2001259331A1 (en) * 2000-05-03 2001-11-12 Silicon Valley Group Inc Non-contact seal using purge gas
JP2002158154A (ja) * 2000-11-16 2002-05-31 Canon Inc 露光装置
KR100866818B1 (ko) * 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
US6514775B2 (en) 2001-06-29 2003-02-04 Kla-Tencor Technologies Corporation In-situ end point detection for semiconductor wafer polishing
WO2003090265A1 (fr) * 2002-04-22 2003-10-30 Nikon Corporation Appareil de support, appareil optique, appareil d'exposition a la lumiere et procede de production d'un dispositif
DE10239344A1 (de) * 2002-08-28 2004-03-11 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zum Abdichten einer Projektionsbelichtungsanlage
US20050153424A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
US20070056138A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 International Business Machines Corporation High volume brush cleaning apparatus
JP2007103658A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Canon Inc 露光方法および装置ならびにデバイス製造方法
US8654305B2 (en) * 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8817226B2 (en) * 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US7947919B2 (en) 2008-03-04 2011-05-24 Universal Laser Systems, Inc. Laser-based material processing exhaust systems and methods for using such systems
DE102009016319A1 (de) * 2009-04-06 2010-10-14 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Kontaminationsvermeidung und EUV-Lithographieanlage
US9259802B2 (en) 2012-07-26 2016-02-16 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for collecting material produced by processing workpieces
JP7071118B2 (ja) * 2014-08-19 2022-05-18 ルミレッズ ホールディング ベーフェー ダイレベルのレーザリフトオフ中の機械的損傷を減少させるサファイアコレクタ
JP6807334B2 (ja) * 2015-05-13 2021-01-06 ルミレッズ ホールディング ベーフェー ダイレベルのリフトオフの最中におけるメカニカルダメージを低減するためのサファイアコレクタ
CN106501929A (zh) * 2017-01-16 2017-03-15 浙江舜宇光学有限公司 镜头除尘治具
CN111736432A (zh) * 2020-06-15 2020-10-02 上海集成电路研发中心有限公司 一种阻隔光阻放气污染的装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02250309A (ja) * 1989-03-24 1990-10-08 Hitachi Ltd 露光装置
JPH03127814A (ja) * 1989-10-13 1991-05-30 Tokyo Electron Ltd 露光装置
JPH03254112A (ja) * 1990-03-05 1991-11-13 Nikon Corp 薄膜除去方法及び薄膜除去装置
JPH0582417A (ja) * 1991-09-19 1993-04-02 Hitachi Ltd 縮小投影型ｘ線リソグラフイ装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4607167A (en) * 1982-10-19 1986-08-19 Varian Associates, Inc. Charged particle beam lithography machine incorporating localized vacuum envelope
US4752668A (en) * 1986-04-28 1988-06-21 Rosenfield Michael G System for laser removal of excess material from a semiconductor wafer
US4837443A (en) * 1987-10-15 1989-06-06 The Perkin-Elmer Corporation Guard ring for a differentially pumped seal apparatus
US4818838A (en) * 1988-01-11 1989-04-04 The Perkin-Elmer Corporation Apparatus for preselecting and maintaining a fixed gap between a workpiece and a vacuum seal apparatus in particle beam lithography systems
US4989031A (en) * 1990-01-29 1991-01-29 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5359176A (en) * 1993-04-02 1994-10-25 International Business Machines Corporation Optics and environmental protection device for laser processing applications
BE1007851A3 (nl) * 1993-12-03 1995-11-07 Asml Lithography B V Belichtingseenheid met een voorziening tegen vervuiling van optische componenten en een fotolithografisch apparaat voorzien van een dergelijke belichtingseenheid.
KR200152655Y1 (ko) * 1993-12-20 1999-07-15 구본준 반도체 제조장비의 노광장치
KR200184786Y1 (ko) * 1994-11-24 2000-06-01 김영환 웨이퍼 에지 노광장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02250309A (ja) * 1989-03-24 1990-10-08 Hitachi Ltd 露光装置
JPH03127814A (ja) * 1989-10-13 1991-05-30 Tokyo Electron Ltd 露光装置
JPH03254112A (ja) * 1990-03-05 1991-11-13 Nikon Corp 薄膜除去方法及び薄膜除去装置
JPH0582417A (ja) * 1991-09-19 1993-04-02 Hitachi Ltd 縮小投影型ｘ線リソグラフイ装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008252117A (ja) * 1999-11-05 2008-10-16 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置
JP2001194801A (ja) * 2000-01-14 2001-07-19 Toshiba Corp 露光装置
WO2002039491A1 (fr) * 2000-11-10 2002-05-16 Nikon Corporation Dispositif optique, dispositif d'exposition et leurs procedes de fabrication
US7050148B2 (en) 2000-11-10 2006-05-23 Nikon Corporation Optical unit, exposure apparatus, and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
US5973764A (en) 1999-10-26
EP0886184A3 (en) 2000-03-29
JP3949819B2 (ja) 2007-07-25
CA2241125A1 (en) 1998-12-19
EP0886184B1 (en) 2005-04-06
KR19990007135A (ko) 1999-01-25
EP0886184A2 (en) 1998-12-23
KR100564094B1 (ko) 2006-07-06
DE69829607T2 (de) 2005-09-15
DE69829607D1 (de) 2005-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1172430A (ja) 真空助成式細片除去装置
US7423728B2 (en) Immersion exposure method and apparatus, and manufacturing method of a semiconductor device
JP4065200B2 (ja) インサイチュリソグラフィマスククリーニング
JP2008529079A (ja) 露光方法および装置
US6614507B2 (en) Apparatus for removing photoresist edge beads from thin film substrates
JP7221096B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法
US6317197B1 (en) Mask pellicle remove tool
US20080199783A1 (en) Double-Decker Pellicle-Mask Assembly
JPH06104167A (ja) 露光装置及び半導体装置の製造方法
JPH08227851A (ja) ホトリソグラフィ方法及びそれに使用するホトリソグラフィシステム
US6426168B1 (en) Method of inspecting photo masks
KR100526527B1 (ko) 포토마스크와 그를 이용한 마스크 패턴 형성 방법
US5780861A (en) Adjustable blade reticle assembly
JP2005049879A (ja) レチクルバリヤシステム
WO2008082983A1 (en) Apparatus and method for reducing resist defects in wafer processing
KR100496072B1 (ko) 노광 장치
KR0147426B1 (ko) 포토마스크 장치
KR20020096086A (ko) 노광용 파티클 제거 장치
KR200196585Y1 (ko) 이에스디(esd) 방지기능을 갖는 포토 마스크
KR0142791B1 (ko) 레티클구조
JPH06338453A (ja) 基板周辺部露光装置
JP2002311595A (ja) 大型一括露光装置
KR100237742B1 (ko) 스텝퍼 리턱션 렌즈
KR20030039518A (ko) 파티클 제거장치를 가진 반도체 제조용 노광장치
JPH1187227A (ja) 電子線投影露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040908

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060825

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060908

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060914

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20060915

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20061127

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20061208

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20061226

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070308

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070410

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070419

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20070803

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100427

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100427

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

A072 Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination]

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072

Effective date: 20071122

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees