JPH02250309A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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Publication number
JPH02250309A
JPH02250309A JP1070629A JP7062989A JPH02250309A JP H02250309 A JPH02250309 A JP H02250309A JP 1070629 A JP1070629 A JP 1070629A JP 7062989 A JP7062989 A JP 7062989A JP H02250309 A JPH02250309 A JP H02250309A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hood
light
projection lens
gas
exposure
Prior art date
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Pending
Application number
JP1070629A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyoshi Nakagawa
清 中川
Keizo Kuroiwa
慶造 黒岩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP1070629A priority Critical patent/JPH02250309A/ja
Publication of JPH02250309A publication Critical patent/JPH02250309A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造工程における露光技術、特に、半導
体ウェハ〈以下、単にウェハという〉の周辺部分にかぶ
り現象を生じさない露光を行なうために効果のある技術
に関するものである。
〔従来の技術〕
半導体装置の製造に際しては、フォトレジストを塗布し
たウェハにマスクパターンを露光し、フォトレジストの
光化学反応を利用してウェハ表面に所要形状のフォトレ
ジストから形成されたマスクを形成することが行われて
いる。また、レチクルからフォトマスクを製造する場合
も同様である。
このようなマスクまたはフォトマスクの形成する場合の
装置として、例えば、光学式の露光装置が用いられる。
なお、この露光装置に関する技術が開示されている文献
としては、例えば、特開昭61−177144号公報が
ある。
ところで、本発明者は、露光装置によってウェハを露光
するときの投影レンズよりの光漏れについて検討した。
以下は、本発明者によって検討された技術であり、その
概要は次の通りである。
すなわち、この種の露光装置はステッパとも呼ばれるも
ので、第2図の如き概略構成になっている。水銀ランプ
などを用いた光allの光を、集光レンズ12を介して
レチクル13(またはマスクパターン)に照射し、その
透過光を投影レンズユニット14によってXY子テーブ
ル5上に載置されたウェハ16の感光体表面に合焦させ
、感光体にパターンを縮小投影して露光する構成がとら
れている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、従来の露光装置では、露光したい部分の周辺
に光が漏れて不必要な部分を露光してしまう所謂カブリ
現象を生じること、及び投影レンズに感光剤の分解物が
付着して光透過率を低下させて未露光不良を生じること
などが本発明者によって見出された。
そこで、本発明の目的は、レンズ表面の汚れを回避する
と共に必要部分以外へ露光が行なわれるのを防止できる
技術を提供することにある。
本発明の前記目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び
添付図面から明らかになるであろう。
〔課題を解決するための手段〕 本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
すなわち、平板状の被加工物に塗布された感光剤に投影
レンズによってパターンなどを露光する露光装置におい
て、露光用光路部分に開口を有して前記投影レンズを覆
う如くに装着されるフードと、該フード内に気体を充満
させる気体供給手段とを設けるようにしている。
〔作用〕
上記した手段によれば、投影レンズの前部に設けられた
フードは、必要部分以外への露光用の光の漏れを防止す
る。また、フード内部に充満された気体は、感光剤の分
解物などが外部より進入するのを防止する。したがって
、カブリ現象を無くし、レンズ汚れに起因する光透過量
の減少を防止することができる。
〔実施例〕
第1図は本発明による露光装置の一実施例を示す主要部
の構成を示す断面図である。
第1図に示す本発明の露光装置の部分は、第2図に例示
した露光装置における投影レンズユニット14の先端部
に設けられている。投影レンズユニット14の底部には
、投影レンズ1が設けられ、この投影レンズ1を保護す
るようにフード2が取り付けられている。フード2は、
下部が絞り込まれ、その先端(第1図では下端)は開口
されている。また、フード2の上部の側壁には、気体供
給手段としてのガス供給口3が設けられ、フード内部4
に窒素(N2)ガスなどの気体を導入できるようにされ
ている。
次に、本実施例を用いた露光操作について説明する。
露光に際しては、第2図で説明したように、レチクル1
3をセットして光源11を点灯する一方、図示しないガ
ス供給源からガス供給口3を経てフード内部4に窒素ガ
スを連続的に供給する。投影レンズ1はウェハ16に予
め形成されている感光剤17にパターンを感光する。こ
のとき、フード内部4には窒素ガスが満たされているた
め、感光剤の分解物がフード内部4に入り込むことがな
く、投影レンズlの表面を汚すことがない。また、フー
ド2を設けたことによって、露光を必要とする部分以外
に光が照射されず、漏れ光によるカブリ現象を防止する
ことができる。
なお、上記実施例では、フード内部4に窒素ガスを供給
するものとしたが、これに限定されるものではなく、例
えば、乾燥空気などの他の気体であってもよい。
以上、本発明によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることは言うまでもない。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りであ
る。
すなわち、平板状の被加工物に塗布された感光剤に投影
レンズによってパターンなどを露光する露光装置におい
て、露光用光路部分に開口を有して’、:<!記投影′
7′を覆う如くに装着されるフードと、該フード内に気
体を充満させる気体供給手段とを設けるようにしたので
、必要部分以外への露光用の光の漏れを防止して、カブ
リ現象を無くし、レンズ汚れに起因する光透過量の減少
を防止することができるので、製品歩留りを向上させる
ことができる。
また、従来必要とした感光剤分解物の除去作業や露光量
の調整作業を不要にすることができ、その分だけ時間短
縮が図れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による露光装置の一実施例を示す主要部
の構成を示す断面図 第2図は従来の露光装置の原理的構成を示す斜視図であ
る。 1・・・投影レンズ、2・・・フード、3・・・ガス供
給口(気体供給手段)、11・・・光源、12・・・集
光レンズ、13・・・レチクル、14・・・投影レンズ
ユニット、15・・・XYテーブル、16・・・ウェハ
(被加工物)、17・・・感光剤。 第1図 1:投影レンズ 2:フード 3:ガス供給口 4:フード内部 16:半導体ウェハ 17:怒光剤

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、平板状の被加工物に塗布された感光剤に投影レンズ
    によってパターンなどを露光する露光装置において、露
    光用光路部分に開口を有して前記投影レンズを覆う如く
    に装着されるフードと、該フード内に気体を充満させる
    気体供給手段とを設けたことを特徴とする露光装置。 2、前記気体は、窒素ガスであることを特徴とする請求
    項1記載の露光装置。
JP1070629A 1989-03-24 1989-03-24 露光装置 Pending JPH02250309A (ja)

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JP1070629A JPH02250309A (ja) 1989-03-24 1989-03-24 露光装置

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JPH02250309A true JPH02250309A (ja) 1990-10-08

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1172430A (ja) * 1997-06-19 1999-03-16 Svg Lithography Syst Inc 真空助成式細片除去装置
KR100406583B1 (ko) * 2001-12-24 2003-11-20 주식회사 하이닉스반도체 감광막 물질의 증발에 의한 렌즈 오염을 방지할 수 있는노광 장치
US6970228B1 (en) 1999-07-16 2005-11-29 Nikon Corporation Exposure method and system
US7061573B2 (en) 2000-04-14 2006-06-13 Canon Kabushiki Kaisha Contamination prevention in optical system

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