JP2001194801A - 露光装置 - Google Patents
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
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- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/42—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 被露光物15とフォトマスク11，12との間での
異物の挟み込みを防止し、歩留よく製造できる露光装置
を提供する。 【解決手段】 接離手段13，14により、被露光物15を介
して、露光パターンが形成された一対のフォトマスク1
1，12を接離させる。一対のフォトマスク11，12の接触
状態で、露光手段により被露光物15を露光する。浄化気
体供給手段31により、少なくとも一対のフォトマスク1
1，12間に浄化気体を供給する。一対のフォトマスク1
1，12間に浄化気体を供給することにより、露光工程中
に被露光物15やフォトマスク11，12に異物が付着するの
を防止するとともに、被露光物15に付着する異物を除去
する。
異物の挟み込みを防止し、歩留よく製造できる露光装置
を提供する。 【解決手段】 接離手段13，14により、被露光物15を介
して、露光パターンが形成された一対のフォトマスク1
1，12を接離させる。一対のフォトマスク11，12の接触
状態で、露光手段により被露光物15を露光する。浄化気
体供給手段31により、少なくとも一対のフォトマスク1
1，12間に浄化気体を供給する。一対のフォトマスク1
1，12間に浄化気体を供給することにより、露光工程中
に被露光物15やフォトマスク11，12に異物が付着するの
を防止するとともに、被露光物15に付着する異物を除去
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被露光物とフォト
マスクとを接離させて露光する露光装置に関する。
マスクとを接離させて露光する露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばカラーブラウン管のシャド
ウマスクは、カラーブラウン管の内部の蛍光面の前面に
配置され、シャドウマスクのマスク面に設けられた多数
の透孔を通じて、電子銃から放射された電子ビームを選
別し、シャドウマスクの透孔と幾何学的に一対一の関係
にある蛍光体層のみに電子ビームを衝突させる機能を有
し、所謂色選別電極と呼ばれている。
ウマスクは、カラーブラウン管の内部の蛍光面の前面に
配置され、シャドウマスクのマスク面に設けられた多数
の透孔を通じて、電子銃から放射された電子ビームを選
別し、シャドウマスクの透孔と幾何学的に一対一の関係
にある蛍光体層のみに電子ビームを衝突させる機能を有
し、所謂色選別電極と呼ばれている。
【０００３】このシャドウマスクは、０．１〜０．２５
ｍｍ程度の板厚のアルミキルド鋼あるいは低熱膨張のア
ンバー（Ｆｅ−３６％Ｎｉ）材などの金属薄板に数万個
〜数十万個の微小な円形または矩形の電子ビームが通過
する透孔をあけたものであり、その電子ビームが通過す
る透孔は、図３に示すように、シャドウマスクのマスク
部１の蛍光面側となる一方の面の開孔（以下、大孔と称
する）２が、電子銃側となる他方の面の開孔（以下、小
孔と称する）３よりも大きくなるよう形成されている。
ｍｍ程度の板厚のアルミキルド鋼あるいは低熱膨張のア
ンバー（Ｆｅ−３６％Ｎｉ）材などの金属薄板に数万個
〜数十万個の微小な円形または矩形の電子ビームが通過
する透孔をあけたものであり、その電子ビームが通過す
る透孔は、図３に示すように、シャドウマスクのマスク
部１の蛍光面側となる一方の面の開孔（以下、大孔と称
する）２が、電子銃側となる他方の面の開孔（以下、小
孔と称する）３よりも大きくなるよう形成されている。
【０００４】従来より、シャドウマスクは、大孔２に対
応した第１の原版と、小孔３に対応した第２の原版とに
て、それら一対の原版をフォトマスクとして、フォトエ
ッチング法により製造されている。
応した第１の原版と、小孔３に対応した第２の原版とに
て、それら一対の原版をフォトマスクとして、フォトエ
ッチング法により製造されている。
【０００５】そして、シャドウマスクの製造方法につい
て説明する。まず、アルミキルド鋼あるいはアンバー材
などの金属薄帯（シャドウマスク素材）の表面に塗布さ
れた防錆油や汚れを除去するために脱脂洗浄およびリン
スを行ない、この金属薄帯の両面にカゼイン−重クロム
酸塩系、ＰＶＡ−重クロム酸塩系などから選ばれた水溶
性のレジストを塗布、乾燥する。
て説明する。まず、アルミキルド鋼あるいはアンバー材
などの金属薄帯（シャドウマスク素材）の表面に塗布さ
れた防錆油や汚れを除去するために脱脂洗浄およびリン
スを行ない、この金属薄帯の両面にカゼイン−重クロム
酸塩系、ＰＶＡ−重クロム酸塩系などから選ばれた水溶
性のレジストを塗布、乾燥する。
【０００６】その後、所定の露光パターンが形成された
一対のフォトマスクをレジストが塗布された金属薄帯の
両面に真空密着し、露光する。その後、現像、水洗、乾
燥、焼付けをしてエッチングパターンを形成し、一般的
には、透孔形状が円形のものは裏面、表面の２回に分け
て、矩形のものは両面から同時にエッチングして、電子
ビームが通過する透孔を形成する。その後、レジストを
剥離し、また裏面、表面の２回に分けてエッチングする
場合はレジストと裏面のエッチング後に塗布されたバッ
クコート剤を剥離し、最後に１枚ずつに切り離してシャ
ドウマスクが完成する。
一対のフォトマスクをレジストが塗布された金属薄帯の
両面に真空密着し、露光する。その後、現像、水洗、乾
燥、焼付けをしてエッチングパターンを形成し、一般的
には、透孔形状が円形のものは裏面、表面の２回に分け
て、矩形のものは両面から同時にエッチングして、電子
ビームが通過する透孔を形成する。その後、レジストを
剥離し、また裏面、表面の２回に分けてエッチングする
場合はレジストと裏面のエッチング後に塗布されたバッ
クコート剤を剥離し、最後に１枚ずつに切り離してシャ
ドウマスクが完成する。
【０００７】一般に、シャドウマスクの霧光工程に使用
される一対のフォトマスクは、青板ガラス基体の一方の
面に塗布形成された硝酸銀系の感光剤をゼラチン膜に分
散させた乳剤層に、シャドウマスクの透孔に対応する所
定の露光パターンを形成したエマルジョンマスクにて構
成されている。
される一対のフォトマスクは、青板ガラス基体の一方の
面に塗布形成された硝酸銀系の感光剤をゼラチン膜に分
散させた乳剤層に、シャドウマスクの透孔に対応する所
定の露光パターンを形成したエマルジョンマスクにて構
成されている。
【０００８】次に、図４においてシャドウマスクの露光
工程を詳細に説明する。図４はシャドウマスクの露光装
置を上方より見た断面図である。図４(a)に示すよう
に、一対のフォトマスク11，12を露光パターン面（乳剤
層）が内側となるように真空密着焼枠13，14に取り付
け、一対のフォトマスク11，12を両面にレジストが形成
された金属薄帯15を挟んで対置するとともに、一対のフ
ォトマスク11，12の相対位置を精度良く位置合せした
後、図４(b)に示すように、真空密着焼枠13，14を介し
て一対のフォトマスク11，12を金属薄帯15に真空密着さ
せ、フォトマスク11，12を通じて露光手段16，17により
露光する。そして、露光終了後、図４(a)に示すよう
に、真空密着を解除して一対のフォトマスク11，12を金
属薄帯15から離反させ、露光終了部分を真空密着焼枠1
3，14外に送り出し、１回の露光作業が終了する。通常
はこの一連の作業が連続してなされる。また、真空密着
焼枠13，14を多数配置して露光する場合もある。
工程を詳細に説明する。図４はシャドウマスクの露光装
置を上方より見た断面図である。図４(a)に示すよう
に、一対のフォトマスク11，12を露光パターン面（乳剤
層）が内側となるように真空密着焼枠13，14に取り付
け、一対のフォトマスク11，12を両面にレジストが形成
された金属薄帯15を挟んで対置するとともに、一対のフ
ォトマスク11，12の相対位置を精度良く位置合せした
後、図４(b)に示すように、真空密着焼枠13，14を介し
て一対のフォトマスク11，12を金属薄帯15に真空密着さ
せ、フォトマスク11，12を通じて露光手段16，17により
露光する。そして、露光終了後、図４(a)に示すよう
に、真空密着を解除して一対のフォトマスク11，12を金
属薄帯15から離反させ、露光終了部分を真空密着焼枠1
3，14外に送り出し、１回の露光作業が終了する。通常
はこの一連の作業が連続してなされる。また、真空密着
焼枠13，14を多数配置して露光する場合もある。
【０００９】しかしながら、このような方法により金属
薄帯15の両面のレジストに一対のフォトマスク11，12の
露光パターンを露光する際、次のような問題が生じる。
すなわち、エマルジョンマスクは安価で、シャドウマス
ク用やＰＤＰ用の大型マスクが容易に得られる反面、乳
剤層としてゼラチン膜を用いているため、膜硬度および
膜強度が弱く、傷が付き易く、異物を挟み込むと乳剤層
にめり込んでしまって取れないという問題がある。しか
も、上述のように、シャドウマスクの露光工程において
は、所謂ハードコンタクト露光と呼ばれるレジスト膜と
乳剤層を強く押し付けて密着させた状態で露光すること
から、レジスト膜と乳剤層との間に異物が入ってしまう
と、膜硬度および膜強度が弱い乳剤層の方に傷が付いた
り、露光パターンの一部が欠落したり、異物が本来の透
光部にめり込んでしまったりして、結果としてこれらに
起因する露光領域に透孔不良やシミ不良を発生させてし
まう。しかも、一度このようなダメージがエマルジョン
マスクに生じると、その後回復することがないので、気
が付かなければ、以降の全てのシャドウマスクの同じ部
位に共通不良を生じ、大きな歩留低下の要因となってい
る。特にエッチングされてしまうと、もはや金属薄帯15
の回収はできないことから、その被害は大きい。特に、
例えば孔径が０．１０〜０．１５ｍｍ、配列ピッチ０．
２〜０．３ｍｍ、孔径精度±３μｍ以下の高精度の透孔
が必要とされるパソコンのディスプレイや各種モニタに
使用されるカラーブラウン管のシャドウマスクでは、通
常のテレビジョン用のカラーブラウン管のシャドウマス
クの製造で問題とならなかった程度の異物が付着して
も、不良となり、その影響は大きい。
薄帯15の両面のレジストに一対のフォトマスク11，12の
露光パターンを露光する際、次のような問題が生じる。
すなわち、エマルジョンマスクは安価で、シャドウマス
ク用やＰＤＰ用の大型マスクが容易に得られる反面、乳
剤層としてゼラチン膜を用いているため、膜硬度および
膜強度が弱く、傷が付き易く、異物を挟み込むと乳剤層
にめり込んでしまって取れないという問題がある。しか
も、上述のように、シャドウマスクの露光工程において
は、所謂ハードコンタクト露光と呼ばれるレジスト膜と
乳剤層を強く押し付けて密着させた状態で露光すること
から、レジスト膜と乳剤層との間に異物が入ってしまう
と、膜硬度および膜強度が弱い乳剤層の方に傷が付いた
り、露光パターンの一部が欠落したり、異物が本来の透
光部にめり込んでしまったりして、結果としてこれらに
起因する露光領域に透孔不良やシミ不良を発生させてし
まう。しかも、一度このようなダメージがエマルジョン
マスクに生じると、その後回復することがないので、気
が付かなければ、以降の全てのシャドウマスクの同じ部
位に共通不良を生じ、大きな歩留低下の要因となってい
る。特にエッチングされてしまうと、もはや金属薄帯15
の回収はできないことから、その被害は大きい。特に、
例えば孔径が０．１０〜０．１５ｍｍ、配列ピッチ０．
２〜０．３ｍｍ、孔径精度±３μｍ以下の高精度の透孔
が必要とされるパソコンのディスプレイや各種モニタに
使用されるカラーブラウン管のシャドウマスクでは、通
常のテレビジョン用のカラーブラウン管のシャドウマス
クの製造で問題とならなかった程度の異物が付着して
も、不良となり、その影響は大きい。
【００１０】すなわち、従来のシャドウマスクの製造方
法は、シャドウマスクの素材となる金属薄帯15の両面の
レジストにフォトマスク11，12の乳剤層を直接密着させ
て露光パターンを焼き付けるため、金属薄帯15の両面の
レジスト面に金属片やゴミなどの異物が付着していた
り、あるいは露光操作中に異物が付着すると、それによ
りフォトマスク11，12の乳剤層が傷付いたり、異物が乳
剤層に食い込んだまま留まり、そのためフォトマスク1
1，12の露光パターンの一部が欠落したり、フォトマス
ク11，12に不要な不透光部ができ、それがディスプレイ
などに用いられる配列ピッチおよび孔径が小さな高精細
のカラーブラウン管のシャドウマスクでは致命的な不良
となり、しかも、フォトマスク11，12自体が損傷してい
るため、気が付かなければ大量に不良が連続して発生し
てしまう。
法は、シャドウマスクの素材となる金属薄帯15の両面の
レジストにフォトマスク11，12の乳剤層を直接密着させ
て露光パターンを焼き付けるため、金属薄帯15の両面の
レジスト面に金属片やゴミなどの異物が付着していた
り、あるいは露光操作中に異物が付着すると、それによ
りフォトマスク11，12の乳剤層が傷付いたり、異物が乳
剤層に食い込んだまま留まり、そのためフォトマスク1
1，12の露光パターンの一部が欠落したり、フォトマス
ク11，12に不要な不透光部ができ、それがディスプレイ
などに用いられる配列ピッチおよび孔径が小さな高精細
のカラーブラウン管のシャドウマスクでは致命的な不良
となり、しかも、フォトマスク11，12自体が損傷してい
るため、気が付かなければ大量に不良が連続して発生し
てしまう。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、カラー
ブラウン管に使用するシャドウマスクは、一対のフォト
マスク11，12を用いてフォトエッチング法により製造さ
れ、シャドウマスク素材となる金属薄帯15の両面に形成
されたレジストに一対のフォトマスク11，12の露光パタ
ーンを露光する露光工程では、各フォトマスク11，12の
乳剤層を直接レジストに接触させて露光パターンを露光
している。
ブラウン管に使用するシャドウマスクは、一対のフォト
マスク11，12を用いてフォトエッチング法により製造さ
れ、シャドウマスク素材となる金属薄帯15の両面に形成
されたレジストに一対のフォトマスク11，12の露光パタ
ーンを露光する露光工程では、各フォトマスク11，12の
乳剤層を直接レジストに接触させて露光パターンを露光
している。
【００１２】そのため、金属薄帯15の両面のレジストに
金属片やゴミなどの異物が付着していたり、あるいは露
光操作中に異物が付着すると、それによりフォトマスク
11，12の乳剤屠が傷付いたり、異物が乳剤層に食い込ん
だまま留まり、そのためフォトマスク11，12の露光パタ
ーンの一部が欠落したり、フォトマスク11，12に不要な
不透光部ができ、それがディスプレイなどに用いられる
配列ピッチおよび孔径が小さな高精細のカラーブラウン
管のシャドウマスクでは致命的な不良となり、しかも、
一度このようなダメージがフォトマスク11，12に生じる
と、その後回復することがないので、気が付かなけれ
ば、以降の全てのシャドウマスクの同じ部位に共通不良
を生じ、大きな歩留低下の要因となるという問題があ
る。
金属片やゴミなどの異物が付着していたり、あるいは露
光操作中に異物が付着すると、それによりフォトマスク
11，12の乳剤屠が傷付いたり、異物が乳剤層に食い込ん
だまま留まり、そのためフォトマスク11，12の露光パタ
ーンの一部が欠落したり、フォトマスク11，12に不要な
不透光部ができ、それがディスプレイなどに用いられる
配列ピッチおよび孔径が小さな高精細のカラーブラウン
管のシャドウマスクでは致命的な不良となり、しかも、
一度このようなダメージがフォトマスク11，12に生じる
と、その後回復することがないので、気が付かなけれ
ば、以降の全てのシャドウマスクの同じ部位に共通不良
を生じ、大きな歩留低下の要因となるという問題があ
る。
【００１３】本発明は、このような点に鑑みなされたも
ので、被露光物とフォトマスクとの間での異物の挟み込
みを防止し、フォトマスクの損傷により発生する不良を
低減して歩留よく製造できる露光装置を提供することを
目的とする。
ので、被露光物とフォトマスクとの間での異物の挟み込
みを防止し、フォトマスクの損傷により発生する不良を
低減して歩留よく製造できる露光装置を提供することを
目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、被露光物と露
光パターンが形成されたフォトマスクとを接離させる接
離手段と、被露光物とフォトマスクとの接触状態でフォ
トマスクを通じて被露光物を露光する露光手段と、少な
くとも被露光物とフォトマスクとの間に浄化気体を供給
する浄化気体供給手段とを具備しているものである。そ
して、少なくとも被露光物とフォトマスクとの間に、浄
化気体供給手段から浄化気体を供給することにより、露
光工程中に被露光物やフォトマスクに異物が付着するの
を防止するとともに、被露光物に付着する異物を除去
し、これにより、被露光物とフォトマスクとの間での異
物の挟み込みを防止し、フォトマスクの損傷により発生
する不良を低減する。
光パターンが形成されたフォトマスクとを接離させる接
離手段と、被露光物とフォトマスクとの接触状態でフォ
トマスクを通じて被露光物を露光する露光手段と、少な
くとも被露光物とフォトマスクとの間に浄化気体を供給
する浄化気体供給手段とを具備しているものである。そ
して、少なくとも被露光物とフォトマスクとの間に、浄
化気体供給手段から浄化気体を供給することにより、露
光工程中に被露光物やフォトマスクに異物が付着するの
を防止するとともに、被露光物に付着する異物を除去
し、これにより、被露光物とフォトマスクとの間での異
物の挟み込みを防止し、フォトマスクの損傷により発生
する不良を低減する。
【００１５】また、浄化気体供給手段は、被露光物とフ
ォトマスクとの間に浄化気体を供給する第１の供給部、
およびフォトマスクの外面に浄化気体を供給する第２の
供給部を有し、被露光物とフォトマスクとの接触時には
第２の供給部のみから浄化気体を供給するとともに、被
露光物とフォトマスクとの離反時には第１の供給部およ
び第２の供給部の両方から浄化気体を供給するもので、
第１の供給部は被露光物とフォトマスクとの接離動作に
より浄化気体の供給を調整する。そして、被露光物とフ
ォトマスクとの接触時すなわち露光時に第２の供給部か
らフォトマスクの外面に沿って浄化気体を供給すること
により、露光時に露光手段から熱線を受けて温度上昇す
るフォトマスクを冷却し、フォトマスクの熱膨張による
位置ずれを低減して高精度での露光を可能とする。この
とき、被露光物とフォトマスクとの接触時におけるフォ
トマスクの外面での浄化気体の風速は５ｍ／ｓ以上であ
れば十分な冷却効果が得られ、被露光物とフォトマスク
との離反時における被露光物とフォトマスクとの間での
浄化気体の風速は３ｍ／ｓ以上であれば十分な除塵効果
が得られる。
ォトマスクとの間に浄化気体を供給する第１の供給部、
およびフォトマスクの外面に浄化気体を供給する第２の
供給部を有し、被露光物とフォトマスクとの接触時には
第２の供給部のみから浄化気体を供給するとともに、被
露光物とフォトマスクとの離反時には第１の供給部およ
び第２の供給部の両方から浄化気体を供給するもので、
第１の供給部は被露光物とフォトマスクとの接離動作に
より浄化気体の供給を調整する。そして、被露光物とフ
ォトマスクとの接触時すなわち露光時に第２の供給部か
らフォトマスクの外面に沿って浄化気体を供給すること
により、露光時に露光手段から熱線を受けて温度上昇す
るフォトマスクを冷却し、フォトマスクの熱膨張による
位置ずれを低減して高精度での露光を可能とする。この
とき、被露光物とフォトマスクとの接触時におけるフォ
トマスクの外面での浄化気体の風速は５ｍ／ｓ以上であ
れば十分な冷却効果が得られ、被露光物とフォトマスク
との離反時における被露光物とフォトマスクとの間での
浄化気体の風速は３ｍ／ｓ以上であれば十分な除塵効果
が得られる。
【００１６】また、イオン化手段により、浄化気体をイ
オン化、特に正電荷および負電荷に交互にイオン化する
ことにより、露光工程中に被露光物やフォトマスクに異
物が付着するのを防止する。
オン化、特に正電荷および負電荷に交互にイオン化する
ことにより、露光工程中に被露光物やフォトマスクに異
物が付着するのを防止する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面を参照して説明する。なお、図４に示す従来例と同一
構造については同一符号を用いて説明する。
面を参照して説明する。なお、図４に示す従来例と同一
構造については同一符号を用いて説明する。
【００１８】図１は、一実施の形態としてシャドウマス
クの露光装置を側方から見た断面図を示し、(a)は一対
のフォトマスクの接触時すなわち露光時の断面図、(b)
は一対のフォトマスクの離反時すなわちシャドウマスク
素材の送り時の断面図である。
クの露光装置を側方から見た断面図を示し、(a)は一対
のフォトマスクの接触時すなわち露光時の断面図、(b)
は一対のフォトマスクの離反時すなわちシャドウマスク
素材の送り時の断面図である。
【００１９】露光パターンが形成された一対のフォトマ
スク11，12が接離手段としての真空密着焼枠13，14にそ
れぞれ取り付けられ、これら一対のフォトマスク11，12
間に、両面にレジストが形成された被露光物（シャドウ
マスク素材）としての金属薄帯15が配置される。
スク11，12が接離手段としての真空密着焼枠13，14にそ
れぞれ取り付けられ、これら一対のフォトマスク11，12
間に、両面にレジストが形成された被露光物（シャドウ
マスク素材）としての金属薄帯15が配置される。
【００２０】フォトマスク11，12は、例えば青板ガラス
基体の一方の面（内面）に塗布形成された硝酸銀系の感
光剤をゼラチン膜に分散させた乳剤層に、シャドウマス
クの透孔に対応する所定の露光パターンを形成したエマ
ルジョンマスクにて構成されている。
基体の一方の面（内面）に塗布形成された硝酸銀系の感
光剤をゼラチン膜に分散させた乳剤層に、シャドウマス
クの透孔に対応する所定の露光パターンを形成したエマ
ルジョンマスクにて構成されている。
【００２１】真空密着焼枠13，14は、中央に開口部21，
22を有する矩形枠状に形成され、相対する内面の内周側
には、フォトマスク11，12の周縁部が配置される凹段部
23，24が形成され、この凹段部23，24にフォトマスク1
1，12の外面に接触して真空密着する一対のパッキング2
5，26が配置されている。真空密着焼枠13，14の相対す
る内面の外周側には、互いに接触して真空密着するパッ
キング27，28が配置されている。そして、真空密着焼枠
13，14には、一対のフォトマスク11，12の内面の露光パ
ターン面（乳剤層）が内側となるように取り付けられ、
この真空密着焼枠13，14により金属薄帯15と各フォトマ
スク11，12とを接離させる。なお、金属薄帯15と各フォ
トマスク11，12との接触は、光学的に一致していれば物
理的に離れている場合も含まれる。
22を有する矩形枠状に形成され、相対する内面の内周側
には、フォトマスク11，12の周縁部が配置される凹段部
23，24が形成され、この凹段部23，24にフォトマスク1
1，12の外面に接触して真空密着する一対のパッキング2
5，26が配置されている。真空密着焼枠13，14の相対す
る内面の外周側には、互いに接触して真空密着するパッ
キング27，28が配置されている。そして、真空密着焼枠
13，14には、一対のフォトマスク11，12の内面の露光パ
ターン面（乳剤層）が内側となるように取り付けられ、
この真空密着焼枠13，14により金属薄帯15と各フォトマ
スク11，12とを接離させる。なお、金属薄帯15と各フォ
トマスク11，12との接触は、光学的に一致していれば物
理的に離れている場合も含まれる。
【００２２】金属薄帯15は、例えばアルミキルド鋼ある
いはアンバー材などの素材の表面に塗布された防錆油や
汚れを除去するために脱脂洗浄およびリンスを行ない、
その両面にカゼイン−重クロム酸塩系、ＰＶＡ−重クロ
ム酸塩系などから選ばれた水溶性のレジストが塗布、乾
燥されて形成されている。
いはアンバー材などの素材の表面に塗布された防錆油や
汚れを除去するために脱脂洗浄およびリンスを行ない、
その両面にカゼイン−重クロム酸塩系、ＰＶＡ−重クロ
ム酸塩系などから選ばれた水溶性のレジストが塗布、乾
燥されて形成されている。
【００２３】また、真空密着焼枠13，14の上方には、浄
化気体（クリーンエアー）を供給する浄化気体供給手段
31が配設されている。この浄化気体供給手段31は、内部
に送風空間32を有する本体33を有し、この本体33の下面
中央に真空密着焼枠13，14の上方に対向される第１の開
口34が形成され、下面両側から下方にノズル35，36が延
設されるとともにこれらノズル35，36の先端に各フォト
マスク11，12の外面に対向される第２および第３の開口
37，38が形成されている。第１の開口34の部分が一対の
フォトマスク11，12間に浄化気体を供給する第１の供給
部39として構成され、第２および第３の開口37，38の部
分が各フォトマスク11，12の外面に沿って浄化気体を供
給する第２の供給部40，41として構成されている。
化気体（クリーンエアー）を供給する浄化気体供給手段
31が配設されている。この浄化気体供給手段31は、内部
に送風空間32を有する本体33を有し、この本体33の下面
中央に真空密着焼枠13，14の上方に対向される第１の開
口34が形成され、下面両側から下方にノズル35，36が延
設されるとともにこれらノズル35，36の先端に各フォト
マスク11，12の外面に対向される第２および第３の開口
37，38が形成されている。第１の開口34の部分が一対の
フォトマスク11，12間に浄化気体を供給する第１の供給
部39として構成され、第２および第３の開口37，38の部
分が各フォトマスク11，12の外面に沿って浄化気体を供
給する第２の供給部40，41として構成されている。
【００２４】本体33の上部には本体33の外部から本体33
内の送風空間32に雰囲気中の気体を取り込んで気体の流
れを作るファン42が配設され、ファン42の下側にはファ
ン42で送り込まれる気体に含まれる塵埃などを捕獲して
浄化することにより浄化気体を作るフィルタ43が配設さ
れ、このフィルタ43の下側には浄化気体を正電荷および
負電荷にイオン化する交流タイプのイオン化手段44が配
設されている。
内の送風空間32に雰囲気中の気体を取り込んで気体の流
れを作るファン42が配設され、ファン42の下側にはファ
ン42で送り込まれる気体に含まれる塵埃などを捕獲して
浄化することにより浄化気体を作るフィルタ43が配設さ
れ、このフィルタ43の下側には浄化気体を正電荷および
負電荷にイオン化する交流タイプのイオン化手段44が配
設されている。
【００２５】一対のフォトマスク11，12の接触時におけ
る各フォトマスク11，12の外面での浄化気体の風速は５
ｍ／ｓ以上、一対のフォトマスク11，12の離反時におけ
る一対のフォトマスク11，12間での浄化気体の風速は３
ｍ／ｓ以上に設定されている。
る各フォトマスク11，12の外面での浄化気体の風速は５
ｍ／ｓ以上、一対のフォトマスク11，12の離反時におけ
る一対のフォトマスク11，12間での浄化気体の風速は３
ｍ／ｓ以上に設定されている。
【００２６】そして、図１(a)に示すように、露光時に
は、真空密着焼枠13，14を閉じ、一対のフォトマスク1
1，12を金属薄帯15に真空密着させ、フォトマスク11，1
2を通じて露光手段16，17（図４に示す）により露光す
る。
は、真空密着焼枠13，14を閉じ、一対のフォトマスク1
1，12を金属薄帯15に真空密着させ、フォトマスク11，1
2を通じて露光手段16，17（図４に示す）により露光す
る。
【００２７】このとき、浄化気体供給手段31は作動され
ているが、閉じられた真空密着焼枠13，14により第１の
開口34からの浄化気体の吐出が規制されるため、イオン
化された浄化気体は、ノズル35，36を通じて第２および
第３の開口37，38から各フォトマスク11，12の外面に向
けて吹き出し、フォトマスク11，12の外面に沿って流
れ、クリーンカーテンを形成するとともに、フォトマス
ク11，12を冷却する。
ているが、閉じられた真空密着焼枠13，14により第１の
開口34からの浄化気体の吐出が規制されるため、イオン
化された浄化気体は、ノズル35，36を通じて第２および
第３の開口37，38から各フォトマスク11，12の外面に向
けて吹き出し、フォトマスク11，12の外面に沿って流
れ、クリーンカーテンを形成するとともに、フォトマス
ク11，12を冷却する。
【００２８】この露光時には、露光手段16，17の例えば
高圧水銀ランプやメタルハライドランプなどの露光用光
源から露光に必要な紫外光と同時に発生する熱線（赤外
線成分）をフォトマスク11，12に受け、フォトマスク1
1，12が温度上昇するが、浄化気体がフォトマスク11，1
2の外面に沿って流れて放熱させることにより、フォト
マスク11，12の温度上昇を防止できる。フォトマスク1
1，12に対する第２および第３の開口37，38の角度をフ
ォトマスク11，12の外面に沿ってコアンダ効果が起こる
ように設定することにより、十分な冷却効果が得られ
る。
高圧水銀ランプやメタルハライドランプなどの露光用光
源から露光に必要な紫外光と同時に発生する熱線（赤外
線成分）をフォトマスク11，12に受け、フォトマスク1
1，12が温度上昇するが、浄化気体がフォトマスク11，1
2の外面に沿って流れて放熱させることにより、フォト
マスク11，12の温度上昇を防止できる。フォトマスク1
1，12に対する第２および第３の開口37，38の角度をフ
ォトマスク11，12の外面に沿ってコアンダ効果が起こる
ように設定することにより、十分な冷却効果が得られ
る。
【００２９】また、図１(b)に示すように、露光完了
後、真空密着を解除して真空密着焼枠13，14を開き、一
対のフォトマスク11，12を金属薄帯15から離反させ、露
光部分を真空密着焼枠13，14の配置部外に送り出す。
後、真空密着を解除して真空密着焼枠13，14を開き、一
対のフォトマスク11，12を金属薄帯15から離反させ、露
光部分を真空密着焼枠13，14の配置部外に送り出す。
【００３０】このとき、浄化気体供給手段31がない場合
には、真空密着を解除して一対のフォトマスク11，12を
金属薄帯15から引き離す際、大きな剥離帯電が生じると
ともに、周囲から一対のフォトマスク11，12間への雰囲
気気体が流れ込み、この雰囲気気体が異物を含んでいる
と、帯電しているフォトマスク11，12および金属薄帯15
に異物が付着しやすい。
には、真空密着を解除して一対のフォトマスク11，12を
金属薄帯15から引き離す際、大きな剥離帯電が生じると
ともに、周囲から一対のフォトマスク11，12間への雰囲
気気体が流れ込み、この雰囲気気体が異物を含んでいる
と、帯電しているフォトマスク11，12および金属薄帯15
に異物が付着しやすい。
【００３１】それに対して、浄化気体供給手段31がある
場合には、真空密着焼枠13，14が開くのに伴い、第１の
開口34からイオン化された浄化気体が一対のフォトマス
ク11，12間に一気に流れ込み、除電するとともに、クリ
ーンカーテンとなって周囲からの異物の進入を防止す
る。さらに、その後、露光部分を真空密着焼枠13，14の
配置部外に送り出すとともに、新しい未露光部分を露光
領域に送り込むことになるが、この未露光露部分に付着
していて露光工程に持ち込まれる異物を除電した上で、
除塵できる。また、金属薄帯15を動かす際に空気との摩
擦で発生する帯電についても容易に除電できる。
場合には、真空密着焼枠13，14が開くのに伴い、第１の
開口34からイオン化された浄化気体が一対のフォトマス
ク11，12間に一気に流れ込み、除電するとともに、クリ
ーンカーテンとなって周囲からの異物の進入を防止す
る。さらに、その後、露光部分を真空密着焼枠13，14の
配置部外に送り出すとともに、新しい未露光部分を露光
領域に送り込むことになるが、この未露光露部分に付着
していて露光工程に持ち込まれる異物を除電した上で、
除塵できる。また、金属薄帯15を動かす際に空気との摩
擦で発生する帯電についても容易に除電できる。
【００３２】なお、第１の開口34からの浄化気体の吐出
量の調整は、真空密着焼枠13，14の開閉を利用する場合
について説明したが、浄化気体供給手段31側に吐出量を
調整する調整手段を備えてもよく、この調整手段により
任意に調整できる。
量の調整は、真空密着焼枠13，14の開閉を利用する場合
について説明したが、浄化気体供給手段31側に吐出量を
調整する調整手段を備えてもよく、この調整手段により
任意に調整できる。
【００３３】次に、図２は、他の実施の形態としてシャ
ドウマスクの露光装置を側方から見た断面図を示し、
(a)は一対のフォトマスクの接触時すなわち露光時の断
面図、(b)は一対のフォトマスクの離反時すなわちシャ
ドウマスク素材の送り時の断面図である。
ドウマスクの露光装置を側方から見た断面図を示し、
(a)は一対のフォトマスクの接触時すなわち露光時の断
面図、(b)は一対のフォトマスクの離反時すなわちシャ
ドウマスク素材の送り時の断面図である。
【００３４】洗浄気体供給手段31の本体33の下面中央に
開口34（第１の開口34と同様）が形成され、下面両側か
ら下方にガイド部51，52が延設されているとともにこれ
らガイド部51，52の先端にガイド体としてのガイド羽根
53，54が配設されている。そして、開口34の部分が一対
のフォトマスク11，12間に浄化気体を供給する第１の供
給部39として構成され、ガイド羽根53，54の部分が各フ
ォトマスク11，12の外面に沿って浄化気体を供給する第
２の供給部40，41として構成されている。
開口34（第１の開口34と同様）が形成され、下面両側か
ら下方にガイド部51，52が延設されているとともにこれ
らガイド部51，52の先端にガイド体としてのガイド羽根
53，54が配設されている。そして、開口34の部分が一対
のフォトマスク11，12間に浄化気体を供給する第１の供
給部39として構成され、ガイド羽根53，54の部分が各フ
ォトマスク11，12の外面に沿って浄化気体を供給する第
２の供給部40，41として構成されている。
【００３５】なお、他の構成は図１に示す実施の形態と
同一であり、その説明を省略する。
同一であり、その説明を省略する。
【００３６】そして、図２(a)に示すように、露光時に
は、真空密着焼枠13，14を閉じ、一対のフォトマスク1
1，12を金属薄帯15に真空密着させ、フォトマスク11，1
2を通じて露光手段16，17（図４に示す）により露光す
る。
は、真空密着焼枠13，14を閉じ、一対のフォトマスク1
1，12を金属薄帯15に真空密着させ、フォトマスク11，1
2を通じて露光手段16，17（図４に示す）により露光す
る。
【００３７】このとき、浄化気体供給手段31は作動され
ているが、開口34から吐出されるイオン化された浄化気
体は、閉じられた真空密着焼枠13，14により横方向に流
れるとともに、ガイド部51，52で下方へ導かれ、さら
に、ガイド羽根53，54で向きが変えられ、各フォトマス
ク11，12の外面に向けて吹き出し、フォトマスク11，12
の外面に沿って流れ、クリーンカーテンを形成するとと
もに、フォトマスク11，12を冷却する。
ているが、開口34から吐出されるイオン化された浄化気
体は、閉じられた真空密着焼枠13，14により横方向に流
れるとともに、ガイド部51，52で下方へ導かれ、さら
に、ガイド羽根53，54で向きが変えられ、各フォトマス
ク11，12の外面に向けて吹き出し、フォトマスク11，12
の外面に沿って流れ、クリーンカーテンを形成するとと
もに、フォトマスク11，12を冷却する。
【００３８】この露光時には、露光手段16，17の例えば
高圧水銀ランプやメタルハライドランプなどの露光用光
源から露光に必要な紫外光と同時に発生する熱線（赤外
線成分）をフォトマスク11，12に受け、フォトマスク1
1，12が温度上昇するが、浄化気体がフォトマスク11，1
2の外面に沿って流れて放熱させることにより、フォト
マスク11，12の温度上昇を防止できる。フォトマスク1
1，12に対する第２および第３の開口37，38の角度をフ
ォトマスク11，12の外面に沿ってコアンダ効果が起こる
ように設定することにより、十分な冷却効果が得られ
る。
高圧水銀ランプやメタルハライドランプなどの露光用光
源から露光に必要な紫外光と同時に発生する熱線（赤外
線成分）をフォトマスク11，12に受け、フォトマスク1
1，12が温度上昇するが、浄化気体がフォトマスク11，1
2の外面に沿って流れて放熱させることにより、フォト
マスク11，12の温度上昇を防止できる。フォトマスク1
1，12に対する第２および第３の開口37，38の角度をフ
ォトマスク11，12の外面に沿ってコアンダ効果が起こる
ように設定することにより、十分な冷却効果が得られ
る。
【００３９】また、図１(b)に示すように、露光完了
後、真空密着を解除して真空密着焼枠13，14を開き、一
対のフォトマスク11，12を金属薄帯15から離反させ、露
光部分を真空密着焼枠13，14の配置部外に送り出す。
後、真空密着を解除して真空密着焼枠13，14を開き、一
対のフォトマスク11，12を金属薄帯15から離反させ、露
光部分を真空密着焼枠13，14の配置部外に送り出す。
【００４０】このとき、浄化気体供給手段31があるの
で、真空密着焼枠13，14が開くのに伴い、開口34からイ
オン化された浄化気体が一対のフォトマスク11，12間に
一気に流れ込み、除電するとともに、クリーンカーテン
となって周囲からの異物の進入を防止する。さらに、そ
の後、露光部分を真空密着焼枠13，14の配置部外に送り
出すとともに、新しい未露光部分を露光領域に送り込む
ことになるが、この未露光露部分に付着していて露光工
程に持ち込まれる異物を除電した上で、除塵できる。ま
た、金属薄帯15を動かす際に空気との摩擦で発生する帯
電についても容易に除電できる。
で、真空密着焼枠13，14が開くのに伴い、開口34からイ
オン化された浄化気体が一対のフォトマスク11，12間に
一気に流れ込み、除電するとともに、クリーンカーテン
となって周囲からの異物の進入を防止する。さらに、そ
の後、露光部分を真空密着焼枠13，14の配置部外に送り
出すとともに、新しい未露光部分を露光領域に送り込む
ことになるが、この未露光露部分に付着していて露光工
程に持ち込まれる異物を除電した上で、除塵できる。ま
た、金属薄帯15を動かす際に空気との摩擦で発生する帯
電についても容易に除電できる。
【００４１】以上の各実施の形態のように、金属薄帯15
を介して接離される一対のフォトマスク11，12間に、浄
化気体供給手段31から浄化気体を供給することにより、
露光工程中に金属薄帯15や一対のフォトマスク11，12に
異物が付着するのを防止するとともに、金属薄帯15に付
着して一対のフォトマスク11，12間に持ち込まれる異物
を除去し、これにより、金属薄帯15と一対のフォトマス
ク11，12との間での異物の挟み込みを防止し、フォトマ
スク11，12の損傷により発生するシャドウマスクの不良
を低減できる。
を介して接離される一対のフォトマスク11，12間に、浄
化気体供給手段31から浄化気体を供給することにより、
露光工程中に金属薄帯15や一対のフォトマスク11，12に
異物が付着するのを防止するとともに、金属薄帯15に付
着して一対のフォトマスク11，12間に持ち込まれる異物
を除去し、これにより、金属薄帯15と一対のフォトマス
ク11，12との間での異物の挟み込みを防止し、フォトマ
スク11，12の損傷により発生するシャドウマスクの不良
を低減できる。
【００４２】また、一対のフォトマスク11，12間に浄化
気体を供給する第１の供給部39、および各フォトマスク
11，12の外面に沿って浄化気体を供給する第２の供給部
40，41を有し、一対のフォトマスク11，12の接触時には
第２の供給部40，41のみから浄化気体を供給するととも
に、一対のフォトマスク11，12の離反時には第１の供給
部39および第２の供給部40，41の両方から浄化気体を供
給することにより、除塵効果および除電効果とともに放
熱効果を得ることができる。
気体を供給する第１の供給部39、および各フォトマスク
11，12の外面に沿って浄化気体を供給する第２の供給部
40，41を有し、一対のフォトマスク11，12の接触時には
第２の供給部40，41のみから浄化気体を供給するととも
に、一対のフォトマスク11，12の離反時には第１の供給
部39および第２の供給部40，41の両方から浄化気体を供
給することにより、除塵効果および除電効果とともに放
熱効果を得ることができる。
【００４３】放熱効果は、一対のフォトマスク11，12の
接触時すなわち露光時に第２の供給部40，41から各フォ
トマスク11，12の外面に沿って浄化気体を供給すること
により、露光時に露光手段16，17から熱線を受けて温度
上昇するフォトマスク11，12を冷却し、フォトマスク1
1，12の熱膨張による位置ずれを低減して高精度での露
光を可能とする。
接触時すなわち露光時に第２の供給部40，41から各フォ
トマスク11，12の外面に沿って浄化気体を供給すること
により、露光時に露光手段16，17から熱線を受けて温度
上昇するフォトマスク11，12を冷却し、フォトマスク1
1，12の熱膨張による位置ずれを低減して高精度での露
光を可能とする。
【００４４】一対のフォトマスク11，12の接離動作によ
り、第１の供給部39からの浄化気体の供給量を自動的に
調整できる。
り、第１の供給部39からの浄化気体の供給量を自動的に
調整できる。
【００４５】そして、一対のフォトマスク11，12の接触
時における各フォトマスク11，12の外面での浄化気体の
風速は５ｍ／ｓ以上であれば十分な冷却効果が得られ、
一対のフォトマスク11，12の離反時における一対のフォ
トマスク11，12間での浄化気体の風速は３ｍ／ｓ以上で
あれば十分な除塵効果および除電効果を得ることができ
る。
時における各フォトマスク11，12の外面での浄化気体の
風速は５ｍ／ｓ以上であれば十分な冷却効果が得られ、
一対のフォトマスク11，12の離反時における一対のフォ
トマスク11，12間での浄化気体の風速は３ｍ／ｓ以上で
あれば十分な除塵効果および除電効果を得ることができ
る。
【００４６】また、イオン化手段44により、浄化気体を
イオン化、特に正電荷および負電荷に交互にイオン化す
ることにより、露光工程中に金属薄帯15や一対のフォト
マスク11，12に異物が付着するのを防止できる。
イオン化、特に正電荷および負電荷に交互にイオン化す
ることにより、露光工程中に金属薄帯15や一対のフォト
マスク11，12に異物が付着するのを防止できる。
【００４７】なお、露光装置は、カラーブラウン管のシ
ャドウマスクに限らず、ＰＤＰ（プラズマディスプレイ
パネル）の製造工程における露光装置のように、１枚の
フォトマスクと１枚のレジストが塗布された基板とを密
着させて露光するような場合にも適用可能ある。
ャドウマスクに限らず、ＰＤＰ（プラズマディスプレイ
パネル）の製造工程における露光装置のように、１枚の
フォトマスクと１枚のレジストが塗布された基板とを密
着させて露光するような場合にも適用可能ある。
【００４８】
【発明の効果】本発明によれば、接離される少なくとも
被露光物とフォトマスクとの間に、浄化気体供給手段か
ら浄化気体を供給するので、露光工程中に被露光物やフ
ォトマスクに異物が付着するのを防止できるとともに、
被露光物に付着する異物を除去でき、これにより、被露
光物とフォトマスクとの間での異物の挟み込みを防止で
き、フォトマスクの損傷により発生する不良を低減して
歩留よく製造できる。
被露光物とフォトマスクとの間に、浄化気体供給手段か
ら浄化気体を供給するので、露光工程中に被露光物やフ
ォトマスクに異物が付着するのを防止できるとともに、
被露光物に付着する異物を除去でき、これにより、被露
光物とフォトマスクとの間での異物の挟み込みを防止で
き、フォトマスクの損傷により発生する不良を低減して
歩留よく製造できる。
【図１】本発明の露光装置の一実施の形態としてシャド
ウマスクの露光装置を側方から見た断面図を示し、(a)
は一対のフォトマスクの接触時すなわち露光時の断面
図、(b)は一対のフォトマスクの離反時すなわちシャド
ウマスク素材の送り時の断面図である。
ウマスクの露光装置を側方から見た断面図を示し、(a)
は一対のフォトマスクの接触時すなわち露光時の断面
図、(b)は一対のフォトマスクの離反時すなわちシャド
ウマスク素材の送り時の断面図である。
【図２】本発明の露光装置の他の実施の形態としてシャ
ドウマスクの露光装置を側方から見た断面図を示し、
(a)は一対のフォトマスクの接触時すなわち露光時の断
面図、(b)は一対のフォトマスクの離反時すなわちシャ
ドウマスク素材の送り時の断面図である。
ドウマスクの露光装置を側方から見た断面図を示し、
(a)は一対のフォトマスクの接触時すなわち露光時の断
面図、(b)は一対のフォトマスクの離反時すなわちシャ
ドウマスク素材の送り時の断面図である。
【図３】シャドウマスクの透孔を示す一部の断面図であ
る。
る。
【図４】シャドウマスクの露光装置を上方から見た断面
図を示し、(a)は一対のフォトマスクの接触時すなわち
露光時の断面図、(b)は一対のフォトマスクの離反時す
なわちシャドウマスク素材の送り時の断面図である。
図を示し、(a)は一対のフォトマスクの接触時すなわち
露光時の断面図、(b)は一対のフォトマスクの離反時す
なわちシャドウマスク素材の送り時の断面図である。
11，12 フォトマスク 13，14 接離手段としての真空密着焼枠 15 被露光物としての金属薄帯 16，17 露光手段 31 浄化気体供給手段 39 第１の供給部 40，41 第２の供給部 44 イオン化手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石野 智明 東京都江東区有明一丁目２番25号 東洋熱 工業株式会社内 (72)発明者 田所 徹也 東京都江東区有明一丁目２番25号 東洋熱 工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H097 AA01 BA04 GA06 GA30 LA17 5C027 HH09
Claims (6)
- 【請求項１】 被露光物と露光パターンが形成されたフ
ォトマスクとを接離させる接離手段と、 被露光物とフォトマスクとの接触状態でフォトマスクを
通じて被露光物を露光する露光手段と、 少なくとも被露光物とフォトマスクとの間に浄化気体を
供給する浄化気体供給手段とを具備していることを特徴
とする露光装置。 - 【請求項２】 浄化気体供給手段は、被露光物とフォト
マスクと間に浄化気体を供給する第１の供給部、および
フォトマスクの外面に浄化気体を供給する第２の供給部
を有し、被露光物とフォトマスクとの接触時には第２の
供給部のみから浄化気体を供給するとともに、被露光物
とフォトマスクの離反時には第１の供給部および第２の
供給部の両方から浄化気体を供給することを特徴とする
請求項１記載の露光装置。 - 【請求項３】 第１の供給部は、被露光物とフォトマス
クとの接離動作により浄化気体の供給を調整することを
特徴とする請求項２記載の露光装置。 - 【請求項４】 被露光物とフォトマスクとの接触時にお
けるフォトマスクの外面での浄化気体の風速は５ｍ／ｓ
以上、被露光物とフォトマスクとの離反時における被露
光物とフォトマスクと間での浄化気体の風速は３ｍ／ｓ
以上であることを特徴とする請求項２または３記載の露
光装置。 - 【請求項５】 浄化気体供給手段は、浄化気体をイオン
化するイオン化手段を有していることを特徴とする請求
項１ないし４いずれか記載の露光装置。 - 【請求項６】 イオン化手段は、正電荷および負電荷の
イオン化を交互にすることを特徴とする請求項５記載の
露光装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000006947A JP4379997B2 (ja) | 2000-01-14 | 2000-01-14 | 露光装置 |
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|---|---|---|---|---|
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Citations (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4811639Y1 (ja) * | 1971-10-04 | 1973-03-29 | ||
| JPS56126926A (en) * | 1980-03-12 | 1981-10-05 | Nec Corp | Projection type both surface exposure machine |
| JPS58116734A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-12 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPS59123229A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-17 | Yamagata Nippon Denki Kk | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6292642U (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-13 | ||
| JPS62198122A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
| JPS62212657A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-18 | Oak Seisakusho:Kk | 移送式の両面露光装置 |
| JPS62295053A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Sumio Yokoyama | フオトプロツタ− |
| JPH01119022A (ja) * | 1987-10-31 | 1989-05-11 | Hoya Corp | 描画装置 |
| JPH01241821A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-26 | Toshiba Corp | 露光装置 |
| JPH0327045A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-05 | Toshiba Corp | プリント配線基板用露光装置 |
| JPH03127814A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 露光装置 |
| JPH03265837A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-11-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 真空密着焼付装置 |
| JPH03265836A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-11-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光装置における原版開閉装置 |
| JPH04356037A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-12-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 真空密着焼付方法及び真空密着焼付装置 |
| JPH05333438A (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 密着プリンタ |
| JPH0667311A (ja) * | 1992-08-19 | 1994-03-11 | Dainippon Printing Co Ltd | 真空密着焼付装置 |
| JPH08124822A (ja) * | 1994-10-20 | 1996-05-17 | Ushio Inc | 投影露光装置 |
| JPH09321013A (ja) * | 1996-05-29 | 1997-12-12 | Olympus Optical Co Ltd | 異物除去装置 |
| JPH1172430A (ja) * | 1997-06-19 | 1999-03-16 | Svg Lithography Syst Inc | 真空助成式細片除去装置 |
| JPH11288097A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-19 | Nippon Densan Shinpo Kk | 露光装置 |
| JPH11297595A (ja) * | 1998-04-10 | 1999-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線露光方法、ｘ線露光装置およびｘ線マスク |
| JP2000131770A (ja) * | 1998-10-22 | 2000-05-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 真空密着露光方法及び装置 |
| JP2000235266A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-08-29 | Nsk Ltd | 密着露光装置における密着方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US5083156A (en) * | 1990-03-16 | 1992-01-21 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Vacuum contact printing device and exposure apparatus and original contact device |
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Patent Citations (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4811639Y1 (ja) * | 1971-10-04 | 1973-03-29 | ||
| JPS56126926A (en) * | 1980-03-12 | 1981-10-05 | Nec Corp | Projection type both surface exposure machine |
| JPS58116734A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-12 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPS59123229A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-17 | Yamagata Nippon Denki Kk | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6292642U (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-13 | ||
| JPS62198122A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
| JPS62212657A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-18 | Oak Seisakusho:Kk | 移送式の両面露光装置 |
| JPS62295053A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Sumio Yokoyama | フオトプロツタ− |
| JPH01119022A (ja) * | 1987-10-31 | 1989-05-11 | Hoya Corp | 描画装置 |
| JPH01241821A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-26 | Toshiba Corp | 露光装置 |
| JPH0327045A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-05 | Toshiba Corp | プリント配線基板用露光装置 |
| JPH03127814A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 露光装置 |
| JPH03265837A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-11-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 真空密着焼付装置 |
| JPH03265836A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-11-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光装置における原版開閉装置 |
| JPH04356037A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-12-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 真空密着焼付方法及び真空密着焼付装置 |
| JPH05333438A (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 密着プリンタ |
| JPH0667311A (ja) * | 1992-08-19 | 1994-03-11 | Dainippon Printing Co Ltd | 真空密着焼付装置 |
| JPH08124822A (ja) * | 1994-10-20 | 1996-05-17 | Ushio Inc | 投影露光装置 |
| JPH09321013A (ja) * | 1996-05-29 | 1997-12-12 | Olympus Optical Co Ltd | 異物除去装置 |
| JPH1172430A (ja) * | 1997-06-19 | 1999-03-16 | Svg Lithography Syst Inc | 真空助成式細片除去装置 |
| JPH11288097A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-19 | Nippon Densan Shinpo Kk | 露光装置 |
| JPH11297595A (ja) * | 1998-04-10 | 1999-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線露光方法、ｘ線露光装置およびｘ線マスク |
| JP2000131770A (ja) * | 1998-10-22 | 2000-05-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 真空密着露光方法及び装置 |
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