JP2003287904A

JP2003287904A - パターン形成方法およびそれを用いたフラットディスプレイパネルの製造方法

Info

Publication number: JP2003287904A
Application number: JP2002087962A
Authority: JP
Inventors: Hideaki Matsushima; 英晃松島
Original assignee: Nippon Electric Kagoshima Ltd; NEC Kagoshima Ltd
Current assignee: Nippon Electric Kagoshima Ltd; NEC Kagoshima Ltd
Priority date: 2002-03-27
Filing date: 2002-03-27
Publication date: 2003-10-10

Abstract

(57)【要約】【課題】フォトリソグラフィ工程中でのレジストオー
プン不良部のリペアを可能とする。【解決手段】背面基板１０上にリブ形成部材層４を形
成し、その上にアルカリ現像タイプのフォトレジスト６
と水現像タイプフォトレジスト７を順次形成する。これ
ら２層のフォトレジストを選択露光用マスクパターンを
介して同時に露光し、まず、上側フォトレジスト７のみ
を現像し、その現像パターン７２のパターン欠陥部の有
無を検査する。欠陥部があれば、下側フォトレジスト６
に欠陥部に相当する領域をレーザ描写手段３３等により
選択的に露光してリペアし、リペア領域６４を形成す
る。リペア処理後に下側フォトレジスト６を現像し、残
存する上下２層のフォトレジストパターン６２，６４，
７２をパターン形成用レジストマスクとしてリブ形成部
材層を選択除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はフォトリソグラフィ
技術によるパターン形成方法に関し、とくにプラズマデ
ィスプレイパネル等のフラットディスプレイパネルにお
ける透明電極等の各種パターン形成に適したパターン形
成方法およびそれを用いたフラットディスプレイパネル
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマディスプレイパネル、ＥＬパネ
ル、液晶表示パネル等のフラットディスプレイパネルに
おいては、その大型化と高精細化に伴い、透明電極パタ
ーンや隔壁パターンに高密度、高精細度の向上要求が近
年ますます高まっている。

【０００３】以下の説明では、フラットディスプレイパ
ネルの代表としてＡＣ型プラズマディスプレイパネルの
一例を図４を参考にして記載する。背面基板１０上に
は、アドレス電極１１、誘電体層１３が形成され、その
上に放電空間を単位発光セル毎に区画している隔壁（リ
ブ）１４がストライプ状に形成されている。このように
作られた放電空間の内側には、可視光の発光とカラー化
のために赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体１５が
規則的に形成されている。前面基板２０には、放電させ
るための帯状の透明電極２１およびバス電極２２が形成
され、その上を誘電体層２３および保護層２６で覆って
いる。この一対の透明電極間の放電で生じる紫外線によ
って、各蛍光体層１５は励起され発光する。

【０００４】ここで、プラズマディスプレイパネル用リ
ブの形成方法には、スクリーン印刷法、アディティブ
法、感光性ペースト法、サンドブラスト法などが従来か
ら知られているが、なかでもサンドブラスト法は高アス
ペクト比且つ高精細のリブ形成方法として注目されてい
る。

【０００５】通常のサンドブラスト法は、図５（ａ）に
示すように、まずガラス基板１０上のアドレス電極１１
を覆う誘電体層１３上にリブ形成用ガラスペーストをス
リットダイコータ法やロールコータ法により一括に塗布
し、１００〜１６０℃程度の温度で乾燥して、厚み１０
０〜１５０μmのリブ材層４を形成する。そして、図５
（ｂ）に示すように、リブ材層４上にアルカリ現像タイ
プのドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）６を張り付け
る。その後、図５（ｃ）に示すように、リブのネガパタ
ーンを有するガラスマスク８を介して紫外線照射３１に
よる露光を行い、次に図５（ｄ）に示す現像（アルカリ
現像）を行い、ＤＦＲのレジストパターン６２にてリブ
のポジパターンを形成する。そして、図５（ｅ）に示す
ように、サンドブラスト加工によりリブ材層４の不要部
分を除去し、最後に図５（ｆ）に示すようにレジストパ
ターン６２を剥離するといったものである。

【０００６】このようなサンドブラスト法によるリブ形
成方法においては、図５（ｃ）に示すように、露光用の
ガラスマスク８に異物９や傷等が付着した場合、露光工
程にてマスク開口部に対応するフォトレジスト領域が架
橋されず、レジストのオープン不良となり、その結果、
図５（ｆ）に示すようなリブ欠損９１が発生する。リブ
の場合は、欠損部をリペアすることは不可能ではない
が、セル内での放電特性や隣接セル間のクロストークに
よる誤灯を考慮すると、形状や高さを精度良くリペアす
る必要があり、そのリペア作業は極めて困難である。

【０００７】また、図６を参照して、透明電極をリフト
オフ法により形成する場合の問題点を説明する。リフト
オフ法では、図６（ａ）に示すように、ガラス基板２０
上にアルカリ現像タイプのドライフィルムレジスト（Ｄ
ＦＲ）６を張り付ける。その後、図６（ｂ）に示すよう
に透明電極のポジパターンを有するガラスマスク８を介
して紫外線照射３１による露光を行い、図６（ｃ）に示
すように現像（アルカリ現像）を行いＤＦＲにて透明電
極のネガパターン６２を形成する。その後、図６（ｄ）
に示すように透明電極材料２をスパッタリングにより全
面に成膜し、最後に図６（ｅ）に示すようにＤＦＲパタ
ーン６２を基板から剥離することにより、透明電極２１
を基板上に残すことができる。

【０００８】このようなリフトオフ法による透明電極の
形成方法においては、図６（ｂ）に示すように、露光用
のガラスマスク８に異物９や傷等が付着した場合、露光
工程にてマスク開口部に対応するフォトレジスト領域が
架橋されずに、レジストのオープン不良となり、その結
果、図６（ｅ）に示すように透明電極２１のショート不
良９２が発生する。

【０００９】さらにまた、図７（ａ）乃至図７（ｆ）を
参照して、透明電極をエッチング法により形成する場合
の問題点を説明する。エッチング法では、図７（ａ）に
示すようにガラス基板２０上に透明電極材料２をスパッ
タリングにより全面に成膜し、その上に、図７（ｂ）に
示すようにアルカリ現像タイプのドライフィルムレジス
ト（ＤＦＲ）６を貼り付ける。次いで、図７（ｃ）に示
すように透明電極のネガパターンを有するガラスマスク
８を介して紫外線照射３１による露光を行い、図７
（ｄ）に示すように、現像（アルカリ現像）を行い、Ｄ
ＦＲにて透明電極のポジパターン６２を形成する。その
後、図７（ｅ）に示すようにレジストパターン６２のな
い部分の電極材料２をプラズマや薬液により除去し、最
後に図７（ｆ）に示すようにＤＦＲパターン６２を透明
電極１２から剥離する工程を有する。

【００１０】このようなエッチング法による透明電極形
成方法においては、図７（ｃ）に示すように、露光用の
ガラスマスク８に異物９や傷等が付着した場合、露光工
程にてマスク開口部に対応するフォトレジスト領域が架
橋されず、レジストのオープン不良となり、その結果、
図７（ｆ）に示すようなオープン（断線）不良９３が生
じる。

【００１１】このように、従来のフォトレジストを用い
たパターン形成方法においては、露光用のガラスマスク
８に異物９や傷等が付着した場合、露光工程にてマスク
開口部に対応するフォトレジスト領域が架橋されず、レ
ジストのオープン不良となったり、もしくはマスクされ
る箇所のレジストが架橋されてショートとなるといった
不具合が生じる。このうちレジストのオープン不良部
は、工程中でのリペアが不可能であるため、これまでは
不良部を最終工程でリペアするといった手法が採用され
ている。

【００１２】しかしながら、このリペアという手法で
は、リフトオフ法による透明電極形成方法においては、
レジストのオープン不良は透明電極のショート不良とな
るため、レーザカット等によりリペアすることは可能だ
が、エッチング法による透明電極形成方法においては、
レジストのオープン不良は透明電極のオープン不良とな
るため、リペアすることはできない。これはエッチング
法によるバス電極形成方法においても同様である。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】そこで、例えば同一設
計のガラスマスクを２枚準備し、２回露光を行うこと
で、ガラスマスク起因のレジストオープン不良を防ぐこ
とが考えられている。しかし、この手法では多重露光と
なるため、アライメントずれが生じた場合、パターン幅
に大きく影響するため、アライメントのより高精度化が
求められる。そればかりか、レジストパターンのオープ
ン不良を防ぐことはできても、マスク部の傷等によるレ
ジストのショート不良のポテンシャルが大きくなるとい
った問題があり、十分とは言えない。

【００１４】本発明の主な目的の一つは、フォトリソグ
ラフィ工程中でのレジストオープン不良部のリペアを可
能とするパターン形成方法およびそれを用いたフラット
ディスプレイパネルの製造方法を提供することにある。

【００１５】本発明の主な他の目的は、レジストオープ
ン不良をなくすことで、そのレジストにより形成される
リブ、透明電極及びバス電極の欠損、オープン・ショー
ト不良がないプラズマディスプレイパネル等のフラット
ディスプレイパネルを提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、フォト
リソグラフィ技術を用いて基板上に所定のパターンを形
成する方法において、前記基板上に現像タイプが異なる
上下２層のフォトレジストを積層形成する工程と、前記
上下２層のフォトレジストを選択露光用マスクパターン
を介して露光する工程と、前記上下２層のフォトレジス
トの上側フォトレジストを現像する工程と、前記上側フ
ォトレジストのパターン欠陥部の有無を検査する工程
と、残存する前記上側フォトレジストから露出している
下側フォトレジストに前記欠陥部に相当する領域を選択
的に露光する工程と、前記下側フォトレジストを現像す
る工程と、残存する前記上側および下側のフォトレジス
トをパターン形成用マスクとしてパターン形成部材を選
択的に加工する工程とを有することを特徴とするパター
ン形成方法が得られる。

【００１７】上記パターン形成方法においては、前記上
側フォトレジストが水現像タイプのフォトレジストであ
り、前記下側フォトレジストがアルカリ現像タイプのフ
ォトレジストであることが望ましい。

【００１８】また、前記選択的に露光する手段がレーザ
描画手段を用いることをも特徴とする。さらに、前記上
下２層のフォトレジストはドライフィルムレジストであ
ることが望ましい。

【００１９】本発明の実施の形態によれば、前記パター
ン形成部材は前記下側フォトレジストの形成前に前記基
板上に形成され、前記パターン形成用マスクをレジスト
マスクとして前記パターン形成部材を選択的に除去する
ことを特徴とするパターン形成方法が得られる。とく
に、前記パターン形成部材がプラズマディスプレイパネ
ルのリブ形成用部材であり、前記レジストマスクを用い
たサンドブラスト法により前記リブのパターンを形成す
ることを特徴とするパターン形成方法も得られる。

【００２０】本発明の他の実施の形態によれば、前記パ
ターン形成部材は前記パターン形成用マスクに形成後に
前記基板上および前記パターン形成用マスク上に形成さ
れ、その後前記パターン形成用マスクを除去するリフト
オフ法により前記パターンを形成することを特徴とする
パターン形成方法が得られる。とくに、前記基板がフラ
ットディスプレイパネル用の透明基板であり、前記パタ
ーン形成部材が透明電極形成用部材であることを特徴と
するパターン形成方法が得られる。

【００２１】さらに、本発明によれば、透明基板上に透
明電極を備えたフラットディスプレイパネルの製造方法
において、前記透明基板上に現像タイプが異なる上下２
層のフォトレジストを積層形成する工程と、前記上下２
層のフォトレジストを選択露光用マスクパターンを介し
て露光する工程と、前記上下２層のフォトレジストの上
側フォトレジストを現像する工程と、前記上側フォトレ
ジストのパターン欠陥部の有無を検査する工程と、残存
する前記上側フォトレジストから露出している下側フォ
トレジストに前記欠陥部に相当する領域を選択的に露光
する工程と、前記下側フォトレジストを現像する工程
と、残存する前記上側および下側のフォトレジスト上を
パターン形成用マスクとするとともに、前記パターン形
成用マスク上および前記透明基板上に共通に前記透明電
極の層を形成する工程と、前記パターン形成用マスクを
前記透明基板から除去することにより、前記パターン形
成用マスク以外の領域に前記透明電極のパターンを形成
する工程とを有することを特徴とするフラットディスプ
レイパネルの製造方法が得られる。

【００２２】さらには、基板上にガス放電空間を形成す
るリブを設けたプラズマディスプレイパネルの製造方法
において、前記基板上に前記リブを構成するリブ形成部
材層を形成する工程と、前記リブ形成部材層上に現像タ
イプが異なる上下２層のフォトレジストを積層形成する
工程と、前記上下２層のフォトレジストを選択露光用マ
スクパターンを介して露光する工程と、前記上下２層の
フォトレジストの上側フォトレジストを現像する工程
と、前記上側フォトレジストのパターン欠陥部の有無を
検査する工程と、残存する前記上側フォトレジストから
露出している下側フォトレジストに前記欠陥部に相当す
る領域を選択的に露光する工程と、前記下側フォトレジ
ストを現像する工程と、残存する前記上側および下側の
フォトレジスト上をパターン形成用レジストマスクとし
て前記リブ形成部材層を選択除去する工程とを有するこ
とを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法
も得られる。

【００２３】とくに本発明のレジスト材を使用するプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法においては、アルカ
リ現像タイプもしくは水現像タイプを用いる従来の構成
に対し、本発明は上層に水現像タイプ、下層にアルカリ
現像タイプのレジストを積層させ、現像工程を水現像の
第一現像とアルカリ現像の第二現像とすることで、工程
中でのレジストオープン不良のリペアを可能としたこと
を特徴とする。

【００２４】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００２５】本発明のパターン形成方法の実施の形態と
して、サンドブラスト法によりプラズマディスプレイパ
ネルのリブ形成に本発明のパターン形成方法を適用した
例を図１に示す。図１（ａ）に示すように、誘電体層１
３で覆われたアドレス電極１１を備えたガラス基板から
なる背面基板１０上にリブ用ガラスペースト４が塗布さ
れる。次に、図１（ｂ）に示すように、リブペースト４
上に、まずアルカリ現像タイプのＤＦＲ６を貼り付け、
さらにその上に水現像タイプのＤＦＲ７を重ねて貼り付
ける。ここで、これら２層のＤＦＲ（ドライフィルムレ
ジスト）６，７としては、上層に水現像タイプ、下層に
アルカリ現像タイプの積層レジストを一括に貼り付けて
もよい。次に、図１（ｃ）に示すように、リブのネガパ
ターンを有するガラス製の露光用マスク８を介して紫外
線照射３１による露光を上下２層のＤＦＲ６，７の両方
同時に行う。露光工程の後、図１（ｄ）に示すように、
第一現像工程としての水現像を行い、紫外線照射領域を
残存させ、リブのポジパターンを有する水現像タイプの
残存レジストパターン７２を形成する。

【００２６】その後に上側ＤＦＲ７のレジストパターン
７２の画像検査を行う。この画像検査は、レジストの隣
接パターンとの同一性を比較するものであり、公知の画
像比較装置を利用すればよい。比較結果により、レジス
トオープン不良部の有無を検出し、もし、不良部が発見
された場合は、図１（ｅ）に示すように、下側ＤＦＲ６
の不良部領域６４に紫外線などによるレーザ描画手段３
３を用いてリペア作業を行う。このリペア作業は、第二
現像工程であるアルカリ現像を行う前に実行する必要が
ある。画像検査の結果、不良部がなければ、リペア作業
が不要であることは言うまでもない。上記リペア工程の
後に、図１（ｆ）に示すように、下側ＤＦＲ６のアルカ
リ現像を行い、アルカリ現像タイプの残存レジストパタ
ーン６２，アルカリ現像タイプのリペア部残存レジスト
パターン６４、水現像タイプの残存レジストパターン７
２からなる上下２層のレジストパターンを形成する。そ
して、図１（ｇ）に示すように、研磨剤３５を吹き付け
るサンドブラスト加工法によりリブ材層の不要部分を除
去してリブパターン１４を形成する。最後に図１（ｈ）
に示すように、上下２層レジストパターンをリブ１４か
ら剥離する。

【００２７】本発明では、第一現像の水現像により、上
層の水現像タイプのレジストのみがパターニングされる
ため、第一現像後に画像検査を実施することでガラスマ
スクへの異物・傷等によるレジストオープン不良部が検
出される。よって、第二現像のアルカリ現像工程前に該
箇所の下層レジストを紫外線などによるレーザ描画する
ことでレジストパターンのリペアが可能となる。

【００２８】従って、サンドブラスト処理前でマスクと
なるレジストパターンの欠損を防ぐことができるためリ
ブ欠損をなくすことができ、これによりパネルでのクロ
ストークによる隣接誤灯をなくすことができる。

【００２９】なお、本発明で使用されるリブペーストや
ＤＦＲとしては、従来公知の市販のものを採用すること
ができる。

【００３０】上記実施の形態では、本発明をプラズマデ
ィスプレイパネルのサンドブラスト法によるリブ形成方
法に適応したが、透明電極形成についても適用すること
ができる。透明電極形成方法には、エッチング法、リフ
トオフ法がある。透明電極材料には酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ_２）やインジウムとスズの合金酸化膜（ＩＴＯ）があ
るが、ＳｎＯ_２はエッチングが難しいためリフトオフ法
により形成されるのが望ましい。

【００３１】次に、本発明の実施の形態として、エッチ
ングによる透明電極形成に適用した例を図２を参照して
説明する。図２（ａ）に示すように、前面透明基板用の
ガラス基板２０上に透明電極材料２１が全面に成膜され
る。次に、図２（ｂ）に示すように、その透明電極材料
層２の上にまずドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）６を
貼り付け、さらにその上に水現像タイプのレジスト（Ｄ
ＦＲ）７を重ねて貼り付ける。ここで、これら２層のＤ
ＦＲ６，７としては、上層に水現像タイプ、下層にアル
カリ現像タイプの積層レジストを一括に貼り付けてもよ
い。次に、図２（ｃ）に示すように、透明電極のネガパ
ターンを有するガラスマスク８を介して紫外線照射３１
による露光を上下２層のＤＦＲ６，７の両方同時に行
う。露光工程の後、図２（ｄ）に示すように、第一現像
工程としての水現像を行い、紫外線照射領域を残存さ
せ、透明電極のポジパターンを有するレジストパターン
７２を形成する。

【００３２】その後に上側ＤＦＲ７のレジストパターン
７２の画像検査を行う。この画像検査は、レジストの隣
接パターンとの同一性を比較するものであり、公知の画
像比較装置を利用すればよい。比較結果により、レジス
トオープン不良部の有無を検出し、もし、不良部が発見
された場合は、図２（ｅ）に示すように、下側ＤＦＲ６
の不良部領域６４に紫外線などによるレーザ描画手段３
３を用いてリペア作業を行う。このリペア作業は、第二
現像工程であるアルカリ現像を行う前に実行する必要が
ある。画像検査の結果、不良部ななければ、リペア作業
が不要であることは言うまでもない。上記リペア工程の
後に、図２（ｆ）に示すように、下側ＤＦＲ６のアルカ
リ現像を行い、上下２層のＤＦＲからなるレジストパタ
ーン６２，７２，６４を形成する。そして、図２（ｇ）
に示すように、レジストのない部分の電極材料をプラズ
マや薬液により除去し透明電極パターン２１を形成す
る。最後に図２（ｈ）に示すように、上下２層レジスト
パターンを透明電極パターン２１から剥離する。

【００３３】次に、本発明の実施の形態として、リフト
オフ法による透明電極形成に本発明を適用した例を図３
を参照して説明する。まず、図３（ａ）に示すように、
プラズマディスプレイパネルの前面側透明基板用として
のガラス基板２０上にドライフィルムレジスト（ＤＦ
Ｒ）６を貼り付け、さらにその上に水現像タイプのレジ
スト（ＤＦＲ）７を重ねて貼り付ける。ここで、これら
２層のＤＦＲ６，７としては、上層に水現像タイプ、下
層にアルカリ現像タイプの積層レジストを一括に貼り付
けてもよい。次に、図３（ｂ）に示すように、透明電極
のポジパターンを有するガラスマスク８を介して紫外線
照射３１による露光を上下２層のＤＦＲ６，７の両方同
時に行う。露光工程の後、図３（ｃ）に示すように、第
一現像工程としての水現像を行ない、紫外線照射領域を
残存させ、透明電極のポジパターンを有するレジストパ
ターン７２を形成する。

【００３４】その後に上側ＤＦＲ７のレジストパターン
７２の画像検査を行う。この画像検査は、レジストの隣
接パターンとの同一性を比較するものであり、公知の画
像比較装置を利用すればよい。比較結果により、レジス
トオープン不良部の有無を検出し、もし、不良部が発見
された場合は、図３（ｄ）に示すように、下側ＤＦＲ６
の不良部領域６４に紫外線などによるレーザ描画手段３
３を用いてリペア作業を行う。このリペア作業は、第二
現像工程であるアルカリ現像を行う前に実行する必要が
ある。画像検査の結果、不良部ななければ、リペア作業
が不要であることは言うまでもない。上記リペア工程の
後に、図３（ｅ）に示すように、下側ＤＦＲ６のアルカ
リ現像を行い、上下２層のＤＦＲからなるレジストパタ
ーン６２，６４，７２を形成する。そして、図３（ｆ）
に示すように、透明電極材料２をスパッタリングにより
全面に形成する。最後に図３（ｇ）に示すように、上下
２層レジストパターン６２，６４，７２をその上部に形
成された電極材料とともに基板２０から剥離することに
より、透明電極２１のみを基板上に残すことができる。

【００３５】上記の本発明の実施の形態では、第一現像
の水現像により、上層の水現像タイプのレジストのみが
パターニングされるため、第一現像後に画像検査を実施
することでガラスマスクへの異物・傷等によるレジスト
オープン不良部が検出される。よって、第二現像のアル
カリ現像工程前に該箇所の下層レジストを紫外線などに
よるレーザ描画することでレジストパターンのリペアが
可能となる。

【００３６】従って、レジストのオープン不良による透
明電極のオープン不良およびショート不良をなくすこと
ができる。

【００３７】上記実施の形態においては、本発明をエッ
チング法による透明電極形成に適用したが、エッチング
法によるバス電極形成にも同様に適用することができ
る。ここで、エッチング法により形成されるバス電極材
料として、Cr-Cu-Cr（クロム・銅・クロム）があり、通
常これらの3層を蒸着やスパッタリングで成膜する。こ
こでも本発明を適用することで、工程内でのレジストオ
ープン不良部をリペアすることができるので、バス電極
のオープン（断線）不良をなくすことができる。

【００３８】なお、本発明においては、上側レジストを
水現像タイプとし、下側レジストをアルカリ現像タイプ
としたが、この順序を逆にしては本発明を実現できな
い。なぜなら、水現像タイプは、水はもちろんアルカリ
でも現像されてしまうからである。一方、アルカリ現像
タイプは、アルカリのみで現像され、水はただの洗浄液
としか作用しない。よって、本発明の順序を逆にした場
合、第一現像がアルカリ現像となるため、下層の水現像
も同時に現像されてしまい、本発明の特徴とするリペア
が不可能となる。したがって、本発明における現像タイ
プの異なる２層のフォトレジストの選択基準としては、
下層のフォトレジストは上層のフォトレジストが現像さ
れる際に現像されないようなものを採用することが重要
である。

【００３９】また、フォトレジストとして、ドライフィ
ルムレジスト（ＤＦＲ）を採用したが、本発明がこのタ
イプに限定される必要性はない。他の種類のフォトレジ
ストでも本発明を適用可能であるが、ＤＦＲがプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法においては、作業効率の
観点から望ましい。

【００４０】さらに、本発明は、上述した実施の形態の
例に限定されるものではなく、通常の電極パターン形成
等への適用できることは言うまでもない。

【００４１】

【発明の効果】以上のとおり、本発明により第一現像後
に上層レジストのみがパターニングされるため、第二現
像前に画像検査にて上層レジストパターンのオープン不
良部を検出し、該箇所の下層レジストを紫外線などによ
るレーザ描画でのリペアが可能となる。

【００４２】したがって、ガラスマスクの異物・傷等に
よるレジストパターンのオープン不良をなくすことがで
きるため、それに伴う不良をなくすことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明をサンドブラスト法によるプラズマディ
スプレイパネルのリブ形成方法に適用した実施の形態を
説明する工程断面図。

【図２】本発明の実施の形態として、エッチング法によ
る透明電極形成に適用した例を説明する工程断面図。

【図３】本発明の実施の形態として、リフトオフ法によ
る透明電極形成に適用した例を説明する工程断面図。

【図４】本発明が適用される従来のＡＣ型プラズマディ
スプレイパネルの代表的な構造を説明するための斜視
図。

【図５】従来例におけるサンドブラスト法によるリブ形
成方法において、マスク異物によるリブ欠陥例を説明す
る工程断面図。

【図６】従来例におけるリフトオフ法による透明電極形
成方法において、マスク異物による不良例を説明する工
程断面図。

【図７】従来例におけるエッチング法による透明電極形
成方法において、マスク異物による不良例を説明する工
程断面図。

【符号の説明】

２透明電極材料４リブペースト６アルカリ現像タイプのＤＦＲ７水現像タイプのＤＦＲ８露光用マスク９異物１０背面基板１１アドレス電極１３誘電体層１４隔壁（リブ）１５蛍光体２０前面基板２１透明電極２２バス電極２３誘電体層２６保護層３１紫外線照射３３レーザ描画手段３５研磨剤６２アルカリ現像タイプの残存レジストパターン６４アルカリ現像タイプのリペア部残存レジストパ
ターン７２水現像タイプの残存レジストパターン９１リブ欠損９２ショート不良９３オープン（断線）不良

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】フォトリソグラフィ技術を用いて基板上
に所定のパターンを形成する方法において、前記基板上
に現像タイプが異なる上下２層のフォトレジストを積層
形成する工程と、前記上下２層のフォトレジストを選択
露光用マスクパターンを介して露光する工程と、前記上
下２層のフォトレジストの上側フォトレジストを現像す
る工程と、前記上側フォトレジストの現像パターン欠陥
部の有無を検査する工程と、残存する前記上側フォトレ
ジストから露出している下側フォトレジストに前記欠陥
部に相当する領域を選択的に露光する工程と、前記下側
フォトレジストを現像する工程と、残存する前記上側お
よび下側のフォトレジストをパターン形成用マスクとし
てパターン形成部材を選択的に加工する工程とを有する
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】前記上側フォトレジストが水現像タイプ
のフォトレジストであり、前記下側フォトレジストがア
ルカリ現像タイプのフォトレジストであることを特徴と
する請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】前記選択的に露光する手段がレーザ描画
手段を用いることを特徴とする請求項１または２に記載
のパターン形成方法。
【請求項４】前記上下２層のフォトレジストがドライ
フィルムレジストであることを特徴とする請求項１乃至
３のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項５】前記パターン形成部材は前記下側フォト
レジストの形成前に前記基板上に形成され、前記パター
ン形成用マスクをレジストマスクとして前記パターン形
成部材を選択的に除去することを特徴とする請求項１乃
至４のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項６】前記パターン形成部材は前記パターン形
成用マスクに形成後に前記基板上および前記パターン形
成用マスク上に形成され、その後前記パターン形成用マ
スクを除去するリフトオフ法により前記パターンを形成
することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に
記載のパターン形成方法。
【請求項７】前記パターン形成部材がプラズマディス
プレイパネルのリブ形成用部材であり、前記レジストマ
スクを用いたサンドブラスト法により前記リブのパター
ンを形成することを特徴とする請求項５に記載のパター
ン形成方法。
【請求項８】前記基板がフラットディスプレイパネル
用の透明基板であり、前記パターン形成部材が透明電極
形成用部材であることを特徴とする請求項６に記載のパ
ターン形成方法。
【請求項９】透明基板上に透明電極を備えたフラット
ディスプレイパネルの製造方法において、前記透明基板
上に現像タイプが異なる上下２層のフォトレジストを積
層形成する工程と、前記上下２層のフォトレジストを選
択露光用マスクパターンを介して露光する工程と、前記
上下２層のフォトレジストの上側フォトレジストを現像
する工程と、前記上側フォトレジストの現像パターン欠
陥部の有無を検査する工程と、残存する前記上側フォト
レジストから露出している下側フォトレジストに前記欠
陥部に相当する領域を選択的に露光する工程と、前記下
側フォトレジストを現像する工程と、残存する前記上側
および下側のフォトレジスト上をパターン形成用マスク
とするとともに、前記パターン形成用マスク上および前
記透明基板上に共通に前記透明電極の層を形成する工程
と、前記パターン形成用マスクを前記透明基板から除去
することにより、前記パターン形成用マスク以外の領域
に前記透明電極のパターンを形成する工程とを有するこ
とを特徴とするフラットディスプレイパネルの製造方
法。
【請求項１０】基板上にガス放電空間を形成するリブ
を設けたプラズマディスプレイパネルの製造方法におい
て、前記基板上に前記リブを構成するリブ形成部材層を
形成する工程と、前記リブ形成部材層上に現像タイプが
異なる上下２層のフォトレジストを積層形成する工程
と、前記上下２層のフォトレジストを選択露光用マスク
パターンを介して露光する工程と、前記上下２層のフォ
トレジストの上側フォトレジストを現像する工程と、前
記上側フォトレジストの現像パターン欠陥部の有無を検
査する工程と、残存する前記上側フォトレジストから露
出している下側フォトレジストに前記欠陥部に相当する
領域を選択的に露光する工程と、前記下側フォトレジス
トを現像する工程と、残存する前記上側および下側のフ
ォトレジスト上をパターン形成用レジストマスクとして
前記リブ形成部材層を選択除去する工程とを有すること
を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。