JP2000131770A - 真空密着露光方法及び装置 - Google Patents
真空密着露光方法及び装置Info
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- JP2000131770A JP2000131770A JP10300674A JP30067498A JP2000131770A JP 2000131770 A JP2000131770 A JP 2000131770A JP 10300674 A JP10300674 A JP 10300674A JP 30067498 A JP30067498 A JP 30067498A JP 2000131770 A JP2000131770 A JP 2000131770A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 使用する露光装置に応じて記憶された最適真
空引きプロファイルに沿って真空引きを行うことで真空
引き時間を短縮し、生産効率の向上させる。 【解決手段】 原版２と感光基材１との間の密閉室８の
真空度を下げて原版２と感光基材１を密着させるかある
いは所定間隔で近接させ、原版２側から光を照射して原
版２の絵柄を感光基材１に焼き付ける真空密着露光方法
及び装置であり、予め低真空度から高真空度へ連続的に
真空引きを行う経路を示す真空引きプロファイルをメモ
リー１８に記憶しておき、密閉室８の真空度を圧力計１
４計測しながら、記憶された真空引きプロファイル信号
と計測された実際の真空度とを比較して、その誤差信号
に基づいて密閉室８の真空排気路に設けられた真空圧制
御用レギュレーター１２の真空排気度を調節することに
より真空引き制御を行う。
空引きプロファイルに沿って真空引きを行うことで真空
引き時間を短縮し、生産効率の向上させる。 【解決手段】 原版２と感光基材１との間の密閉室８の
真空度を下げて原版２と感光基材１を密着させるかある
いは所定間隔で近接させ、原版２側から光を照射して原
版２の絵柄を感光基材１に焼き付ける真空密着露光方法
及び装置であり、予め低真空度から高真空度へ連続的に
真空引きを行う経路を示す真空引きプロファイルをメモ
リー１８に記憶しておき、密閉室８の真空度を圧力計１
４計測しながら、記憶された真空引きプロファイル信号
と計測された実際の真空度とを比較して、その誤差信号
に基づいて密閉室８の真空排気路に設けられた真空圧制
御用レギュレーター１２の真空排気度を調節することに
より真空引き制御を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空密着露光方法
及び装置に関し、特に、感光材料を表面に設けた基材に
対して原版の絵柄を焼き付ける露光装置において、露光
すべき基材の両面に真空を利用して原版を密着、コンタ
クトあるいは近接させ、基材の両面あるいは片面に原版
の絵柄を焼き付ける真空密着露光方法及び装置に関す
る。
及び装置に関し、特に、感光材料を表面に設けた基材に
対して原版の絵柄を焼き付ける露光装置において、露光
すべき基材の両面に真空を利用して原版を密着、コンタ
クトあるいは近接させ、基材の両面あるいは片面に原版
の絵柄を焼き付ける真空密着露光方法及び装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、感光材料をラミネート等により
表面に設けた基材に原版の絵柄を焼き付けるパターニン
グ露光を行う場合、真空密着を利用することが多い。こ
の時、露光結果（製版寸法）は、 感光材料感度 絵柄寸法 焼付エリア面積 露光光源コリメーション 密着度（絵柄パターン−基材間距離） 等に依存しており、〜条件に応じた光源装置の選定
及び真空引き（密着）手法の選択が必要となってくる。
表面に設けた基材に原版の絵柄を焼き付けるパターニン
グ露光を行う場合、真空密着を利用することが多い。こ
の時、露光結果（製版寸法）は、 感光材料感度 絵柄寸法 焼付エリア面積 露光光源コリメーション 密着度（絵柄パターン−基材間距離） 等に依存しており、〜条件に応じた光源装置の選定
及び真空引き（密着）手法の選択が必要となってくる。
【０００３】そこで、一般に市販されている露光装置
（焼付装置）の真空引き方法を考えてみると、真空圧を
一気に７６０ｍｍＨｇ程度の高真空まで立ち上げる露光
装置が多く、その密着状況としては、真空引きはパター
ン外周から始まり、パターン同士が外周部で完全に密着
され、パターン中央部のエアーが排気されない状態でシ
ールされてしまうため、中央部は密着されず、中央部が
密着あるいは適正プロキシミティギャップ以下になるま
でには長い真空引き時間が必要となっていた。
（焼付装置）の真空引き方法を考えてみると、真空圧を
一気に７６０ｍｍＨｇ程度の高真空まで立ち上げる露光
装置が多く、その密着状況としては、真空引きはパター
ン外周から始まり、パターン同士が外周部で完全に密着
され、パターン中央部のエアーが排気されない状態でシ
ールされてしまうため、中央部は密着されず、中央部が
密着あるいは適正プロキシミティギャップ以下になるま
でには長い真空引き時間が必要となっていた。
【０００４】この不具合に対しては、 ・スペーサーを設けてエアーの抜け道を確保する、 ・真空度を低真空度から高真空度へ上げて行く、 方法が対応策として考えられ、装置構成上、スペーサー
の設置と真空度の段階的な制御は可能であるため、原版
センター部のエアーを排気でき、結果として真空時間の
短縮効果は確かに得られていた。
の設置と真空度の段階的な制御は可能であるため、原版
センター部のエアーを排気でき、結果として真空時間の
短縮効果は確かに得られていた。
【０００５】しかし、絵柄の描かれた原版サイズが大き
くなった場合、段階的な真空度の制御では真空引き時間
の短縮が困難なケースが生まれてきた。その理由とし
て、真空変化率ｄＰ／ｄｔ（Ｐ＝真空度、ｔ＝真空引き
時間）が急激に変化する瞬間に原版センター部にエアー
が残り、その外側がシールされてしまうためである。こ
の現象を打破するには、さらにマイルドな真空引きを行
う必要があり、低真空度から高真空度への連続的な真空
引きプロファイル（所定の真空度を得るための経路を示
す曲線：Ｐ（ｔ））制御の実現が望まれていた。
くなった場合、段階的な真空度の制御では真空引き時間
の短縮が困難なケースが生まれてきた。その理由とし
て、真空変化率ｄＰ／ｄｔ（Ｐ＝真空度、ｔ＝真空引き
時間）が急激に変化する瞬間に原版センター部にエアー
が残り、その外側がシールされてしまうためである。こ
の現象を打破するには、さらにマイルドな真空引きを行
う必要があり、低真空度から高真空度への連続的な真空
引きプロファイル（所定の真空度を得るための経路を示
す曲線：Ｐ（ｔ））制御の実現が望まれていた。
【０００６】完全真空密着方式における高速真空密着法
としては、二重真空方式（特開平６−６７３１１号）が
あげられるが、真空引きを利用したプロキシミティー露
光も含めた場合には、低真空度から高真空度へ段階的あ
るいは連続的に真空度を上げて行く真空引き方法（特開
平４−３５６０３７号）が有効であり、この真空引き方
法は多くの露光方法で用いられている真空引き方法であ
る。
としては、二重真空方式（特開平６−６７３１１号）が
あげられるが、真空引きを利用したプロキシミティー露
光も含めた場合には、低真空度から高真空度へ段階的あ
るいは連続的に真空度を上げて行く真空引き方法（特開
平４−３５６０３７号）が有効であり、この真空引き方
法は多くの露光方法で用いられている真空引き方法であ
る。
【０００７】そこで、露光装置上で上記の制御方法を実
現しようと考えると、一定圧力に真空度を制御する真空
対応のレギュレーターと、真空配管と、真空ＯＮ−ＯＦ
Ｆ制御の電磁弁を複数個並列に設けることで連続的な真
空引きを行うこととなる。
現しようと考えると、一定圧力に真空度を制御する真空
対応のレギュレーターと、真空配管と、真空ＯＮ−ＯＦ
Ｆ制御の電磁弁を複数個並列に設けることで連続的な真
空引きを行うこととなる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この制御方法
では、レギュレーター、電磁弁、配管の数が増え、コス
トが高くつくと共に、より大きな設置スペースが必要に
なってしまい、露光装置自体が大きくなってしまうとい
う問題点があった。特に、２次関数、３次関数のような
連続的な真空引きプロファイル（所定の真空度を得るた
めの経路を示す曲線）を用いる場合には、レギュレータ
ー、電磁弁等の設置機器を、 ・１ｍｍＨｇステップ制御では７００個 ・５ｍｍＨｇステップ制御では３５０個 ・５０ｍｍＨｇステップ制御では１４個（５０ｍｍＨｇ
刻みでは段階的な真空圧変更となってしまう） と非常に多く便用することとなり、現実的ではなかっ
た。また、露光装置に組み付け可能だとしても、電磁弁
の切り換えに多くの時間を要することとなり、初期の目
的の１つである真空引き時間の短縮化に対して逆行して
しまうという問題点もあった。
では、レギュレーター、電磁弁、配管の数が増え、コス
トが高くつくと共に、より大きな設置スペースが必要に
なってしまい、露光装置自体が大きくなってしまうとい
う問題点があった。特に、２次関数、３次関数のような
連続的な真空引きプロファイル（所定の真空度を得るた
めの経路を示す曲線）を用いる場合には、レギュレータ
ー、電磁弁等の設置機器を、 ・１ｍｍＨｇステップ制御では７００個 ・５ｍｍＨｇステップ制御では３５０個 ・５０ｍｍＨｇステップ制御では１４個（５０ｍｍＨｇ
刻みでは段階的な真空圧変更となってしまう） と非常に多く便用することとなり、現実的ではなかっ
た。また、露光装置に組み付け可能だとしても、電磁弁
の切り換えに多くの時間を要することとなり、初期の目
的の１つである真空引き時間の短縮化に対して逆行して
しまうという問題点もあった。
【０００９】本発明は従来技術のこのような問題点に鑑
みてなされたものであり、その目的は、使用する露光装
置に応じてプログラミングされた最適真空引きプロファ
イルに沿って真空引きを行うことで真空引き時間を短縮
し、生産効率の向上を実現する高効率な真空密着露光方
法及び装置を提供することである。
みてなされたものであり、その目的は、使用する露光装
置に応じてプログラミングされた最適真空引きプロファ
イルに沿って真空引きを行うことで真空引き時間を短縮
し、生産効率の向上を実現する高効率な真空密着露光方
法及び装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の真空密着露光方法は、絵柄の描かれた原版と感光材
料が表面に設けられた感光基材との間の密閉室の真空度
を下げて前記原版と前記感光基材を密着させるかあるい
は所定間隔で近接させ、前記原版側から光を照射して前
記原版の絵柄を前記感光基材に焼き付ける真空密着露光
方法において、予め低真空度から高真空度へ連続的に真
空引きを行う経路を示す真空引きプロファイルを記憶し
ておき、前記密閉室の真空度を計測しながら、記憶され
た真空引きプロファイル信号と計測された実際の真空度
とを比較してその誤差信号に基づいて前記密閉室の真空
排気路に設けられた真空圧制御用レギュレーターの真空
排気度を調節することにより、真空引き制御を行うこと
を特徴とする方法である。
明の真空密着露光方法は、絵柄の描かれた原版と感光材
料が表面に設けられた感光基材との間の密閉室の真空度
を下げて前記原版と前記感光基材を密着させるかあるい
は所定間隔で近接させ、前記原版側から光を照射して前
記原版の絵柄を前記感光基材に焼き付ける真空密着露光
方法において、予め低真空度から高真空度へ連続的に真
空引きを行う経路を示す真空引きプロファイルを記憶し
ておき、前記密閉室の真空度を計測しながら、記憶され
た真空引きプロファイル信号と計測された実際の真空度
とを比較してその誤差信号に基づいて前記密閉室の真空
排気路に設けられた真空圧制御用レギュレーターの真空
排気度を調節することにより、真空引き制御を行うこと
を特徴とする方法である。
【００１１】また、本発明の真空密着露光装置は、絵柄
の描かれた原版と感光材料が表面に設けられた感光基材
との間の密閉室の真空度を下げて前記原版と前記感光基
材を密着させるかあるいは所定間隔で近接させ、前記原
版側から光を照射して前記原版の絵柄を前記感光基材に
焼き付ける真空密着露光装置において、前記密閉室を真
空排気する排気装置と、前記密閉室から前記排気装置の
間の真空排気路に設けられ入力信号に基づいて真空排気
度が調節可能な真空圧制御用レギュレーターと、前記密
閉室の真空度を計測する圧力計と、低真空度から高真空
度へ連続的に前記密閉室の真空引きを行う経路を示す真
空引きプロファイルを記憶するメモリーと、前記圧力計
により計測された前記密閉室の真空度を示す計測信号と
前記メモリーに記憶された真空引きプロファイルとを比
較してその誤差信号に基づいて前記真空圧制御用レギュ
レーターの真空排気度を調節する制御装置とを備えたこ
とを特徴とするものである。
の描かれた原版と感光材料が表面に設けられた感光基材
との間の密閉室の真空度を下げて前記原版と前記感光基
材を密着させるかあるいは所定間隔で近接させ、前記原
版側から光を照射して前記原版の絵柄を前記感光基材に
焼き付ける真空密着露光装置において、前記密閉室を真
空排気する排気装置と、前記密閉室から前記排気装置の
間の真空排気路に設けられ入力信号に基づいて真空排気
度が調節可能な真空圧制御用レギュレーターと、前記密
閉室の真空度を計測する圧力計と、低真空度から高真空
度へ連続的に前記密閉室の真空引きを行う経路を示す真
空引きプロファイルを記憶するメモリーと、前記圧力計
により計測された前記密閉室の真空度を示す計測信号と
前記メモリーに記憶された真空引きプロファイルとを比
較してその誤差信号に基づいて前記真空圧制御用レギュ
レーターの真空排気度を調節する制御装置とを備えたこ
とを特徴とするものである。
【００１２】この場合、圧力計は、真空圧制御用レギュ
レーターに内蔵されているものであっても、それとは別
体のものであってもよい。
レーターに内蔵されているものであっても、それとは別
体のものであってもよい。
【００１３】なお、それぞれ原版を保持する一対の枠
と、その枠に保持された一対の原版の間の間隔を規制す
るスペーサとを備えていることが望ましい。
と、その枠に保持された一対の原版の間の間隔を規制す
るスペーサとを備えていることが望ましい。
【００１４】本発明においては、密閉室の真空度を計測
しながら、記憶された真空引きプロファイル信号と計測
された実際の真空度とを比較して、その誤差信号に基づ
いて前記密閉室の真空排気路に設けられた真空圧制御用
レギュレーターの真空排気度を調節することにより真空
引き制御を行うので、必要な真空度を得るための真空引
き時間を大幅に短縮でき、高効率な露光を行うことがで
きる。
しながら、記憶された真空引きプロファイル信号と計測
された実際の真空度とを比較して、その誤差信号に基づ
いて前記密閉室の真空排気路に設けられた真空圧制御用
レギュレーターの真空排気度を調節することにより真空
引き制御を行うので、必要な真空度を得るための真空引
き時間を大幅に短縮でき、高効率な露光を行うことがで
きる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の真空密着露光方
法及び装置の原理と実施例について説明する。本発明に
おいては、該当真空密着露装置に関して、予め、低真空
度から高真空度へ連続的に真空引きを行う経路を示す真
空引きプロファイルＰ（ｔ）（真空度の時間変化）の最
も最適なもの（最適真空引きプロファイル）を経験的あ
るいは実験的に求めてその最適真空引きプロファイルを
プログラミング中に記憶しておき、一方真空排気経路中
に入力電気信号により真空圧を制御する真空圧制御用レ
ギュレーター（圧力調節電磁弁）を設け、真空密着露装
置の原版と感光材料を塗布してなる基材との間に形成さ
れた密閉室の真空度（圧力）を圧力計により計測しなが
ら、記憶された最適真空引きプロファイル信号と圧力計
からのフィードバック信号とを比較してその誤差信号に
基づいて真空圧制御用レギュレーターの調節度を制御す
ることにより、真空引きプロファイル制御を行うもので
あり、必要とされる真空引き時間を短縮させたものであ
る。
法及び装置の原理と実施例について説明する。本発明に
おいては、該当真空密着露装置に関して、予め、低真空
度から高真空度へ連続的に真空引きを行う経路を示す真
空引きプロファイルＰ（ｔ）（真空度の時間変化）の最
も最適なもの（最適真空引きプロファイル）を経験的あ
るいは実験的に求めてその最適真空引きプロファイルを
プログラミング中に記憶しておき、一方真空排気経路中
に入力電気信号により真空圧を制御する真空圧制御用レ
ギュレーター（圧力調節電磁弁）を設け、真空密着露装
置の原版と感光材料を塗布してなる基材との間に形成さ
れた密閉室の真空度（圧力）を圧力計により計測しなが
ら、記憶された最適真空引きプロファイル信号と圧力計
からのフィードバック信号とを比較してその誤差信号に
基づいて真空圧制御用レギュレーターの調節度を制御す
ることにより、真空引きプロファイル制御を行うもので
あり、必要とされる真空引き時間を短縮させたものであ
る。
【００１６】図１に上記真空密着露光方法を実施するた
めの本発明による真空密着露光装置の１実施例の構成を
示す概略断面図を示す。感光基材１の両側にそれぞれガ
ラス等からなる原版２、２を配置させるために、真空チ
ャック等（図示せず）により原版２、２を固定した一対
の枠３、３と、各枠３、３の対向する面に取付られたパ
ッキング４、４と、一対の原版２、２の周囲に設けられ
たスペーサー９と、一方の枠３に形成された排気口５に
配管１１を介して接続された真空ポンプ１０と、真空ポ
ンプ１０と排気口５の間の配管１１に設けられた圧力調
節電磁弁１２と、何れかの枠３に形成された連通口１９
に配管１３を介して接続された圧力計１４と、メモリー
１８を有し、圧力計１４からのフィードバック計測信号
１５に基づいて圧力調節電磁弁１２を制御する制御装置
１６と、各枠３、３を互いに接近及び離間するように往
復動可能に保持したベッド６と、基材１の両側に配置さ
れた光源７、７等とを備えている。図中、符号８は、一
対の原版２、２間とパッキング４、４の間に形成される
密閉室を示し、符号１７は、制御装置１６から圧力調節
電磁弁１２へ送られる電気信号を示している。
めの本発明による真空密着露光装置の１実施例の構成を
示す概略断面図を示す。感光基材１の両側にそれぞれガ
ラス等からなる原版２、２を配置させるために、真空チ
ャック等（図示せず）により原版２、２を固定した一対
の枠３、３と、各枠３、３の対向する面に取付られたパ
ッキング４、４と、一対の原版２、２の周囲に設けられ
たスペーサー９と、一方の枠３に形成された排気口５に
配管１１を介して接続された真空ポンプ１０と、真空ポ
ンプ１０と排気口５の間の配管１１に設けられた圧力調
節電磁弁１２と、何れかの枠３に形成された連通口１９
に配管１３を介して接続された圧力計１４と、メモリー
１８を有し、圧力計１４からのフィードバック計測信号
１５に基づいて圧力調節電磁弁１２を制御する制御装置
１６と、各枠３、３を互いに接近及び離間するように往
復動可能に保持したベッド６と、基材１の両側に配置さ
れた光源７、７等とを備えている。図中、符号８は、一
対の原版２、２間とパッキング４、４の間に形成される
密閉室を示し、符号１７は、制御装置１６から圧力調節
電磁弁１２へ送られる電気信号を示している。
【００１７】ここで、感光基材１の両面には感光材料が
塗布されてなり、その両側に密着あるいは近接配置（プ
ロキシミティー露光の場合）された一対の原版２、２に
描かれた絵柄を光源７、７からの露光光により焼き付け
るものである。また、スペーサー９は、テープ、金属
板、紙等からなり、その厚さは、密着露光の場合には、
感光基材１の厚さと同じかやや厚いものであり、また、
プロキシミティー露光の場合には、感光基材１厚さにプ
ロキシミティギャップの２倍を加えた厚さかそれよりや
や厚いものである。そして、このスペーサー９は感光基
材１のなるべく近くに配置する。スペーサー９と感光基
材１の間に距離があると、密閉室８を真空引きしたと
き、その間のスペースで原版２、２同士が密着して感光
基材１の部分で原版２、２が感光基材１に密着したり、
近接できなくなる恐れが生じる。
塗布されてなり、その両側に密着あるいは近接配置（プ
ロキシミティー露光の場合）された一対の原版２、２に
描かれた絵柄を光源７、７からの露光光により焼き付け
るものである。また、スペーサー９は、テープ、金属
板、紙等からなり、その厚さは、密着露光の場合には、
感光基材１の厚さと同じかやや厚いものであり、また、
プロキシミティー露光の場合には、感光基材１厚さにプ
ロキシミティギャップの２倍を加えた厚さかそれよりや
や厚いものである。そして、このスペーサー９は感光基
材１のなるべく近くに配置する。スペーサー９と感光基
材１の間に距離があると、密閉室８を真空引きしたと
き、その間のスペースで原版２、２同士が密着して感光
基材１の部分で原版２、２が感光基材１に密着したり、
近接できなくなる恐れが生じる。
【００１８】この密着露光装置による焼付動作は次のよ
うに行われる。まず、感光基材１を原版２、２間の所定
位置に位置決めした後、一対の枠３、３を感光基材１に
接近する方向に移動させて、感光基材１を両面の原版
２、２で挟み、パッキング４、４により枠３、３間をシ
ールして、両面の原版２、２、枠３、３及びパッキング
４、４によって密閉された密閉室８が形成される。次
に、密閉室８に連通した排気口５から内部の空気を真空
ポンプ１０で吸引して、密閉室８内を真空にする。その
結果、両面の原版２、２が大気により押圧され、感光基
材１に密着するか所定のプロキシミティギャップで近接
する。その後、光源７、７を点灯させることにより、原
版２、２の絵柄が感光基材１に露光される。
うに行われる。まず、感光基材１を原版２、２間の所定
位置に位置決めした後、一対の枠３、３を感光基材１に
接近する方向に移動させて、感光基材１を両面の原版
２、２で挟み、パッキング４、４により枠３、３間をシ
ールして、両面の原版２、２、枠３、３及びパッキング
４、４によって密閉された密閉室８が形成される。次
に、密閉室８に連通した排気口５から内部の空気を真空
ポンプ１０で吸引して、密閉室８内を真空にする。その
結果、両面の原版２、２が大気により押圧され、感光基
材１に密着するか所定のプロキシミティギャップで近接
する。その後、光源７、７を点灯させることにより、原
版２、２の絵柄が感光基材１に露光される。
【００１９】ここで、密閉室８内の真空度は、制御装置
１６中において、圧力計１４で計測された密閉室８内の
真空度を表すフィードバック計測信号１５とメモリー１
８内に記憶されている最適真空引きプロファイルＰ
（ｔ）とを比較し、その誤差信号に基づく電気信号１７
を圧力調節電磁弁１２へ送り、その圧力調節電磁弁１２
の調節度を制御することにより、真空引きプロファイル
制御を行う。
１６中において、圧力計１４で計測された密閉室８内の
真空度を表すフィードバック計測信号１５とメモリー１
８内に記憶されている最適真空引きプロファイルＰ
（ｔ）とを比較し、その誤差信号に基づく電気信号１７
を圧力調節電磁弁１２へ送り、その圧力調節電磁弁１２
の調節度を制御することにより、真空引きプロファイル
制御を行う。
【００２０】このような構成をとることにより、後記の
具体例からも明らかなように、必要とされる真空引き時
間を短縮させることができ、また、原版サイズ、真空室
（密閉室）シール性等が各種異なる露光装置に対して
も、最適な真空引き状態を作ることができるため、真空
制御機器のコストを抑え、設置スペースを削減しつつ、
真空引き時間を短縮することができる。
具体例からも明らかなように、必要とされる真空引き時
間を短縮させることができ、また、原版サイズ、真空室
（密閉室）シール性等が各種異なる露光装置に対して
も、最適な真空引き状態を作ることができるため、真空
制御機器のコストを抑え、設置スペースを削減しつつ、
真空引き時間を短縮することができる。
【００２１】次に、上記のような真空密着露光装置を用
いて金属材料上に塗布した感光性樹脂上に潜像を形成す
る露光方法の１具体例を示す。図２にメモリー１８に記
憶して真空引きを制御する２つの入力電圧プロファイル
、と、それら入力電圧プロファイル、を用いて
フィードバック制御された実際の真空プロファイル
’、’を示す。また、参考比較例として、従来の段
階的な真空引きプロファイルも示してある。焼付方式
は、完全真空密着方式であり、原版サイズとしては、市
販で最大グレードである３０”□以上のガラスを使用し
た。フィードバック制御を行わない従来の真空引きの場
合には、必要な真空密着時間は３００秒であったが、本
発明によるフィードバックを行った場合には、入力電圧
プロファイルの場合には必要な真空密着時間は３０秒
であった。この結果から、本発明により必要な真空密着
時間が１０分の１まで短縮できた。
いて金属材料上に塗布した感光性樹脂上に潜像を形成す
る露光方法の１具体例を示す。図２にメモリー１８に記
憶して真空引きを制御する２つの入力電圧プロファイル
、と、それら入力電圧プロファイル、を用いて
フィードバック制御された実際の真空プロファイル
’、’を示す。また、参考比較例として、従来の段
階的な真空引きプロファイルも示してある。焼付方式
は、完全真空密着方式であり、原版サイズとしては、市
販で最大グレードである３０”□以上のガラスを使用し
た。フィードバック制御を行わない従来の真空引きの場
合には、必要な真空密着時間は３００秒であったが、本
発明によるフィードバックを行った場合には、入力電圧
プロファイルの場合には必要な真空密着時間は３０秒
であった。この結果から、本発明により必要な真空密着
時間が１０分の１まで短縮できた。
【００２２】ここで、入力電圧プロファイルはｙ＝３
ｘ3 、入力電圧プロファイルはｙ＝５ｘ3 （ｘ：時
間、ｙ：真空引きプロファイルの真空度に対応した入力
電圧信号）であり、入力電圧プロファイル、で図１
の露光装置で真空引き動作を行ったところ、露光装置ま
での配管と露光装置自体が真空チャンバーを形成してい
る状態となっているため、入力信号に対する遅れはある
ものの、真空変化率ｄＰ／ｄｔ（Ｐ＝真空度、ｔ＝真空
引き時間）を制御した真空引きが可能となっていること
が分かる。また、入力電圧プロファイルを変更すること
により、得られる実際の真空プロファイルも変更可能で
あることから、連続的かつ任意の真空プロファイル設定
が可能であり、所望の真空変化率ｄＰ／ｄｔ制御が実現
できることとなる。
ｘ3 、入力電圧プロファイルはｙ＝５ｘ3 （ｘ：時
間、ｙ：真空引きプロファイルの真空度に対応した入力
電圧信号）であり、入力電圧プロファイル、で図１
の露光装置で真空引き動作を行ったところ、露光装置ま
での配管と露光装置自体が真空チャンバーを形成してい
る状態となっているため、入力信号に対する遅れはある
ものの、真空変化率ｄＰ／ｄｔ（Ｐ＝真空度、ｔ＝真空
引き時間）を制御した真空引きが可能となっていること
が分かる。また、入力電圧プロファイルを変更すること
により、得られる実際の真空プロファイルも変更可能で
あることから、連続的かつ任意の真空プロファイル設定
が可能であり、所望の真空変化率ｄＰ／ｄｔ制御が実現
できることとなる。
【００２３】上記具体例では、真空引きプロファイルと
して２次曲線、３次曲線の例をあげたが、使用する真空
引きプロファイルは必ずしも上記の例に限定されるもの
ではなく、１次関数＋２次曲線等の組み合わせも可能で
ある。また、焼き付け方法についても、上記具体例では
完全真空密着露光の例を示したが、これに限定されるも
のではなく、ソフトコンタクト露光、プロキシミティー
露光等の焼付方法にも適用可能である。さらに、対象と
なる基材についても、金属材料だけでなく、ガラス基
板、フィルム等の場合にも適用できる。
して２次曲線、３次曲線の例をあげたが、使用する真空
引きプロファイルは必ずしも上記の例に限定されるもの
ではなく、１次関数＋２次曲線等の組み合わせも可能で
ある。また、焼き付け方法についても、上記具体例では
完全真空密着露光の例を示したが、これに限定されるも
のではなく、ソフトコンタクト露光、プロキシミティー
露光等の焼付方法にも適用可能である。さらに、対象と
なる基材についても、金属材料だけでなく、ガラス基
板、フィルム等の場合にも適用できる。
【００２４】本発明の真空密着露光方法及び装置は、真
空引き機能を有する露光装置において、焼き付け条件等
に応じた最適真空引きプロファイルＰ（ｔ）を予め測定
し、その最適真空引きプロファイルＰ（ｔ）あるいはそ
のプロファイルＰ（ｔ）に沿った真空変化率ｄＰ／ｄｔ
をメモリー内に記憶し、そのＰ（ｔ）あるいはｄＰ／ｄ
ｔと実際に測定した真空度あるいは真空変化率との差信
号に基づいてフィードバック制御して真空引きを行うも
のであり、また、電磁式の真空圧制御用レギュレーター
を設置し、真空変化率ｄＰ／ｄｔを任意に可変制御可能
とさせたものである。ここで、本発明の方法及び装置の
大きな効果は、必要真空時間を大幅に短縮させたことに
ある。
空引き機能を有する露光装置において、焼き付け条件等
に応じた最適真空引きプロファイルＰ（ｔ）を予め測定
し、その最適真空引きプロファイルＰ（ｔ）あるいはそ
のプロファイルＰ（ｔ）に沿った真空変化率ｄＰ／ｄｔ
をメモリー内に記憶し、そのＰ（ｔ）あるいはｄＰ／ｄ
ｔと実際に測定した真空度あるいは真空変化率との差信
号に基づいてフィードバック制御して真空引きを行うも
のであり、また、電磁式の真空圧制御用レギュレーター
を設置し、真空変化率ｄＰ／ｄｔを任意に可変制御可能
とさせたものである。ここで、本発明の方法及び装置の
大きな効果は、必要真空時間を大幅に短縮させたことに
ある。
【００２５】なお、本発明による真空密着露光装置にお
いて、市販の真空圧制御用レギュレーター（圧力調節電
磁弁１２）の中には圧力計を内蔵したものもあるので、
その内蔵された圧力計を圧力計１４として用いることが
できる。
いて、市販の真空圧制御用レギュレーター（圧力調節電
磁弁１２）の中には圧力計を内蔵したものもあるので、
その内蔵された圧力計を圧力計１４として用いることが
できる。
【００２６】また、本発明による真空引きフィードバッ
ク制御方法及び装置は、二重真空方式（特開平６−６７
３１１号）の内側の真空室の真空引きに適用することも
できる。
ク制御方法及び装置は、二重真空方式（特開平６−６７
３１１号）の内側の真空室の真空引きに適用することも
できる。
【００２７】以上、本発明の真空密着露光方法及び装置
を実施例に基づいて説明してきたが、本発明はこれら実
施例に限定されず種々の変形が可能である。
を実施例に基づいて説明してきたが、本発明はこれら実
施例に限定されず種々の変形が可能である。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の真空密着露光方法及び装置によると、密閉室の真空度
を計測しながら、記憶された真空引きプロファイル信号
と計測された実際の真空度とを比較して、その誤差信号
に基づいて前記密閉室の真空排気路に設けられた真空圧
制御用レギュレーターの真空排気度を調節することによ
り真空引き制御を行うので、必要な真空度を得るための
真空引き時間を大幅に短縮でき、高効率な露光を行うこ
とができる。
の真空密着露光方法及び装置によると、密閉室の真空度
を計測しながら、記憶された真空引きプロファイル信号
と計測された実際の真空度とを比較して、その誤差信号
に基づいて前記密閉室の真空排気路に設けられた真空圧
制御用レギュレーターの真空排気度を調節することによ
り真空引き制御を行うので、必要な真空度を得るための
真空引き時間を大幅に短縮でき、高効率な露光を行うこ
とができる。
【図１】本発明による真空密着露光装置の１実施例の構
成を示す概略断面図である。
成を示す概略断面図である。
【図２】具体例における入力電圧プロファイルとそれを
用いてフィードバック制御された実際の真空プロファイ
ルを示す図である。
用いてフィードバック制御された実際の真空プロファイ
ルを示す図である。
１…感光基材 ２…原版 ３…枠 ４…パッキング ５…排気口 ６…ベッド ７…光源 ８…密閉室 ９…スペーサー １０…真空ポンプ １１…配管 １２…圧力調節電磁弁 １３…配管 １４…圧力計 １５…フィードバック計測信号 １６…制御装置 １７…制御用電気信号 １８…メモリー １９…連通口
Claims (5)
- 【請求項１】 絵柄の描かれた原版と感光材料が表面に
設けられた感光基材との間の密閉室の真空度を下げて前
記原版と前記感光基材を密着させるかあるいは所定間隔
で近接させ、前記原版側から光を照射して前記原版の絵
柄を前記感光基材に焼き付ける真空密着露光方法におい
て、予め低真空度から高真空度へ連続的に真空引きを行
う経路を示す真空引きプロファイルを記憶しておき、前
記密閉室の真空度を計測しながら、記憶された真空引き
プロファイル信号と計測された実際の真空度とを比較し
て、その誤差信号に基づいて前記密閉室の真空排気路に
設けられた真空圧制御用レギュレーターの真空排気度を
調節することにより真空引き制御を行うことを特徴とす
る真空密着露光方法。 - 【請求項２】 絵柄の描かれた原版と感光材料が表面に
設けられた感光基材との間の密閉室の真空度を下げて前
記原版と前記感光基材を密着させるかあるいは所定間隔
で近接させ、前記原版側から光を照射して前記原版の絵
柄を前記感光基材に焼き付ける真空密着露光装置におい
て、前記密閉室を真空排気する排気装置と、前記密閉室
から前記排気装置の間の真空排気路に設けられ入力信号
に基づいて真空排気度が調節可能な真空圧制御用レギュ
レーターと、前記密閉室の真空度を計測する圧力計と、
低真空度から高真空度へ連続的に前記密閉室の真空引き
を行う経路を示す真空引きプロファイルを記憶するメモ
リーと、前記圧力計により計測された前記密閉室の真空
度を示す計測信号と前記メモリーに記憶された真空引き
プロファイルとを比較してその誤差信号に基づいて前記
真空圧制御用レギュレーターの真空排気度を調節する制
御装置とを備えたことを特徴とする真空密着露光装置。 - 【請求項３】 請求項２において、前記圧力計が前記真
空圧制御用レギュレーターに内蔵されていることを特徴
とする真空密着露光装置。 - 【請求項４】 請求項２において、前記圧力計が前記真
空圧制御用レギュレーターとは別体であることを特徴と
する真空密着露光装置。 - 【請求項５】 請求項２において、それぞれ前記原版を
保持する一対の枠と、前記枠に保持された一対の前記原
版の間の間隔を規制するスペーサとを備えていることを
特徴とする真空密着露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10300674A JP2000131770A (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 真空密着露光方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10300674A JP2000131770A (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 真空密着露光方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000131770A true JP2000131770A (ja) | 2000-05-12 |
Family
ID=17887717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10300674A Pending JP2000131770A (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 真空密着露光方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000131770A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001194801A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Toshiba Corp | 露光装置 |
| JP2003015324A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光装置 |
| JP2003015308A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光装置 |
| JP2003029416A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-29 | Toppan Printing Co Ltd | フォトレジスト膜の露光方法及びフォトレジスト膜の露光装置 |
| JP2006156507A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 感光性樹脂が塗布された基板の露光方法 |
| KR20200121435A (ko) * | 2019-04-15 | 2020-10-26 | 주식회사 디에이피 | 밀착형 노광 장치의 밀착 방법 |
-
1998
- 1998-10-22 JP JP10300674A patent/JP2000131770A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001194801A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Toshiba Corp | 露光装置 |
| JP2003015324A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光装置 |
| JP2003015308A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光装置 |
| JP2003029416A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-29 | Toppan Printing Co Ltd | フォトレジスト膜の露光方法及びフォトレジスト膜の露光装置 |
| JP2006156507A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 感光性樹脂が塗布された基板の露光方法 |
| JP4622482B2 (ja) * | 2004-11-25 | 2011-02-02 | パナソニック電工株式会社 | 感光性樹脂が塗布された基板の露光方法 |
| KR20200121435A (ko) * | 2019-04-15 | 2020-10-26 | 주식회사 디에이피 | 밀착형 노광 장치의 밀착 방법 |
| KR102174632B1 (ko) | 2019-04-15 | 2020-11-06 | 주식회사 디에이피 | 밀착형 노광 장치의 밀착 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051019 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061207 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061213 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070613 |