JP2865271B2 - 薄膜光電変換素子の製造装置 - Google Patents
薄膜光電変換素子の製造装置Info
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- JP2865271B2 JP2865271B2 JP6081505A JP8150594A JP2865271B2 JP 2865271 B2 JP2865271 B2 JP 2865271B2 JP 6081505 A JP6081505 A JP 6081505A JP 8150594 A JP8150594 A JP 8150594A JP 2865271 B2 JP2865271 B2 JP 2865271B2
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、可撓性基板上に各層を
ステッピングロール方式で成膜する薄膜光電変換素子の
製造装置に関する。
ステッピングロール方式で成膜する薄膜光電変換素子の
製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばアモルファスシリコン (以下ａ−
Ｓｉと記す) を主材料とした光電変換層を含む各層を長
尺の高分子材料あるいはステンレス鋼などの金属からな
る可撓性基板上に形成して薄膜光電変換素子を製造する
方法は、生産性の点ですぐれている。長尺の可撓性基板
上に複数の層を成膜する方式として、各成膜室内を移動
する基板上に成膜するロールツーロール方式と、成膜室
内で停止させた基板上に成膜したのち成膜の終わった基
板部分を成膜室外へ送り出すステッピングロール方式と
がある。プラズマＣＶＤ法を用いて成膜するステッピン
グロール方式では、成膜室開放−基板１フレーム移動−
成膜室封止−原料ガス導入−圧力制御−放電開始−放電
終了−原料ガス停止−ガス引き−成膜室開放の操作が繰
り返される。
Ｓｉと記す) を主材料とした光電変換層を含む各層を長
尺の高分子材料あるいはステンレス鋼などの金属からな
る可撓性基板上に形成して薄膜光電変換素子を製造する
方法は、生産性の点ですぐれている。長尺の可撓性基板
上に複数の層を成膜する方式として、各成膜室内を移動
する基板上に成膜するロールツーロール方式と、成膜室
内で停止させた基板上に成膜したのち成膜の終わった基
板部分を成膜室外へ送り出すステッピングロール方式と
がある。プラズマＣＶＤ法を用いて成膜するステッピン
グロール方式では、成膜室開放−基板１フレーム移動−
成膜室封止−原料ガス導入−圧力制御−放電開始−放電
終了−原料ガス停止−ガス引き−成膜室開放の操作が繰
り返される。
【０００３】このステッピングロール方式を採用した成
膜装置は、通常のロールツーロール成膜に比べ以下の点
で優れている。 (1)隣接する成膜室とのガス相互拡散がない。 (2)装置がコンパクトである。 図２ (ａ) 、 (ｂ) はステッピングロール方式の成膜室
の開放時および封止時の断面をそれぞれ概念的に示す。
断続的に搬送されてくる可撓性基板１の上下に函状の下
部成膜室２１と上部成膜室２２が対向している。下部成
膜室２１には電源４に接続された高電圧電極３１が、上
部成膜室２２にはヒータ３３に内蔵した接地電極３４が
備えられている。成膜時には、図２ (ｂ) に示すよう
に、上部成膜室２２が下降し、接地電極３４が基板１を
抑えて下部成膜室２１の壁体２３の開口側端面に取付け
られたシール材５に接触させる。これにより下部成膜室
２１の壁体２３と基板１により、排気管６１に連通する
気密に密閉された成膜空間６が形成され、高電圧電極３
１への高周波電圧の印加によりプラズマを成膜空間６に
発生させ、図示しない導入管から導入された原料ガスを
分解して基板１上に膜を形成する。
膜装置は、通常のロールツーロール成膜に比べ以下の点
で優れている。 (1)隣接する成膜室とのガス相互拡散がない。 (2)装置がコンパクトである。 図２ (ａ) 、 (ｂ) はステッピングロール方式の成膜室
の開放時および封止時の断面をそれぞれ概念的に示す。
断続的に搬送されてくる可撓性基板１の上下に函状の下
部成膜室２１と上部成膜室２２が対向している。下部成
膜室２１には電源４に接続された高電圧電極３１が、上
部成膜室２２にはヒータ３３に内蔵した接地電極３４が
備えられている。成膜時には、図２ (ｂ) に示すよう
に、上部成膜室２２が下降し、接地電極３４が基板１を
抑えて下部成膜室２１の壁体２３の開口側端面に取付け
られたシール材５に接触させる。これにより下部成膜室
２１の壁体２３と基板１により、排気管６１に連通する
気密に密閉された成膜空間６が形成され、高電圧電極３
１への高周波電圧の印加によりプラズマを成膜空間６に
発生させ、図示しない導入管から導入された原料ガスを
分解して基板１上に膜を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図２に示した装置を用
い、成膜空間６にプラズマを発生させて基板１上に膜を
形成する成膜作業を繰り返すと、反応生成物が電極３１
の表面に付着し、均一な放電が行われなくなり、膜質が
低下する。そのため、ときどき下部成膜室２１を開放し
て電極３１の清掃等のメンテナンス作業を行う必要があ
る。しかしその場合、上部成膜室２２の壁体２５が邪魔
になり、作業を行いにくいという問題があった。また、
排気管６１からの真空排気により成膜空間６を真空にす
るためには、下部成膜室２１の壁体２３の開口部端面の
シール材５に上部成膜室２２の壁体２５によって押圧さ
れる基板１を密着させなければならない。そのために
は、上部成膜室壁体２５の端面と下部成膜室壁体２３の
端面との間に平行度を確保しなければならない問題があ
る。
い、成膜空間６にプラズマを発生させて基板１上に膜を
形成する成膜作業を繰り返すと、反応生成物が電極３１
の表面に付着し、均一な放電が行われなくなり、膜質が
低下する。そのため、ときどき下部成膜室２１を開放し
て電極３１の清掃等のメンテナンス作業を行う必要があ
る。しかしその場合、上部成膜室２２の壁体２５が邪魔
になり、作業を行いにくいという問題があった。また、
排気管６１からの真空排気により成膜空間６を真空にす
るためには、下部成膜室２１の壁体２３の開口部端面の
シール材５に上部成膜室２２の壁体２５によって押圧さ
れる基板１を密着させなければならない。そのために
は、上部成膜室壁体２５の端面と下部成膜室壁体２３の
端面との間に平行度を確保しなければならない問題があ
る。
【０００５】本発明の目的は、上述の問題を解決するこ
とにあり、第一の目的は、内部に成膜空間を有する成膜
室部分を開放して行うメンテナンス作業が容易にできる
薄膜光電変換素子の製造装置を提供すること、第二の目
的は、内部に成膜空間を有する成膜室の一方の部分の壁
体開口部端面と、その端面上のシール材に可撓性基板を
押圧する成膜室の他方の部分の壁体開口部の端面との間
に平行度の調整が容易である薄膜光電変換素子の製造装
置を提供することにある。
とにあり、第一の目的は、内部に成膜空間を有する成膜
室部分を開放して行うメンテナンス作業が容易にできる
薄膜光電変換素子の製造装置を提供すること、第二の目
的は、内部に成膜空間を有する成膜室の一方の部分の壁
体開口部端面と、その端面上のシール材に可撓性基板を
押圧する成膜室の他方の部分の壁体開口部の端面との間
に平行度の調整が容易である薄膜光電変換素子の製造装
置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の第一の目的を達成
するために、請求項１に記載の第一の本発明は、搬送さ
れてくる可撓性基板を成膜室のそれぞれ函状の壁体を有
する二つの部分の開口側の間に停止させ、基板を成膜室
の両部分の壁体の開口側端面間にはさみ、成膜室の一方
の部分と基板とにより囲まれた成膜空間を真空にし、空
間内の電極に電圧を印加して成膜する薄膜光電変換素子
の製造装置において、成膜室の前記一方の部分が、上下
への移動をさせる駆動部を備え、基板通過部分の下方か
ら横方向へ移動可能の支持体上に支持されたものとす
る。成膜空間を真空にするための真空排気管が少なくと
も一部可撓性で、外部から着脱自在であることが有効で
ある。
するために、請求項１に記載の第一の本発明は、搬送さ
れてくる可撓性基板を成膜室のそれぞれ函状の壁体を有
する二つの部分の開口側の間に停止させ、基板を成膜室
の両部分の壁体の開口側端面間にはさみ、成膜室の一方
の部分と基板とにより囲まれた成膜空間を真空にし、空
間内の電極に電圧を印加して成膜する薄膜光電変換素子
の製造装置において、成膜室の前記一方の部分が、上下
への移動をさせる駆動部を備え、基板通過部分の下方か
ら横方向へ移動可能の支持体上に支持されたものとす
る。成膜空間を真空にするための真空排気管が少なくと
も一部可撓性で、外部から着脱自在であることが有効で
ある。
【０００７】上記の第二の目的を達成するために、請求
項３に記載された第二の本発明は、搬送されてくる可撓
性基板を成膜室のそれぞれ函状の壁体を有する二つの部
分の開口側の間に停止させ、基板を成膜室の両部分の壁
体の開口側端面間にはさみ、成膜室の一方の部分と基板
とにより囲まれた成膜空間を真空にし、空間内の電極に
電圧を印加して成膜する薄膜光電変換素子の製造装置に
おいて、成膜室の他方の部分の壁体が、基板に向かう方
向へ駆動する駆動体に基板面に平行な回転軸を介して支
持され、その壁体の開口側端面が基板に密着する際にそ
の壁体が前記回転軸の周りに揺動可能であるものとす
る。
項３に記載された第二の本発明は、搬送されてくる可撓
性基板を成膜室のそれぞれ函状の壁体を有する二つの部
分の開口側の間に停止させ、基板を成膜室の両部分の壁
体の開口側端面間にはさみ、成膜室の一方の部分と基板
とにより囲まれた成膜空間を真空にし、空間内の電極に
電圧を印加して成膜する薄膜光電変換素子の製造装置に
おいて、成膜室の他方の部分の壁体が、基板に向かう方
向へ駆動する駆動体に基板面に平行な回転軸を介して支
持され、その壁体の開口側端面が基板に密着する際にそ
の壁体が前記回転軸の周りに揺動可能であるものとす
る。
【０００８】
【作用】第一の発明により、成膜空間を囲む成膜室部分
を上下に移動させる駆動部を備えた支持体に支持させる
ことにより、他の成膜室部分から遠ざけることができ
る。さらに、その支持体を横方向に移動させることによ
り、電極を収容した成膜室部分を上方に邪魔なもののな
い個所で解放状態にすることができ、メンテナンス作業
や電極の変更などがきわめて容易になる。そして、成膜
空間を真空にするための真空排気管が、その少なくとも
一部が可撓性で外部から着脱自在であることにより、上
記の成膜室部分の移動を容易にする。
を上下に移動させる駆動部を備えた支持体に支持させる
ことにより、他の成膜室部分から遠ざけることができ
る。さらに、その支持体を横方向に移動させることによ
り、電極を収容した成膜室部分を上方に邪魔なもののな
い個所で解放状態にすることができ、メンテナンス作業
や電極の変更などがきわめて容易になる。そして、成膜
空間を真空にするための真空排気管が、その少なくとも
一部が可撓性で外部から着脱自在であることにより、上
記の成膜室部分の移動を容易にする。
【０００９】第二の発明により、可撓性基板を成膜空間
を囲む成膜室部分の開口端に対して押圧する開口端をも
つ他の成膜室部分を回転軸の周りに揺動可能にすること
によって、両開口端端面の平行度の調整が容易になり、
成膜空間の可撓性基板の成膜室部分の開口端への密着を
確実にすることができる。
を囲む成膜室部分の開口端に対して押圧する開口端をも
つ他の成膜室部分を回転軸の周りに揺動可能にすること
によって、両開口端端面の平行度の調整が容易になり、
成膜空間の可撓性基板の成膜室部分の開口端への密着を
確実にすることができる。
【００１０】
【実施例】以下、図２を含めて各図の共通な部分に同一
の符号を付した図を引用して本発明の実施例について述
べる。図１は、第一の本発明の一実施例のプラズマＣＶ
Ｄ法により成膜を行う薄膜光電変換素子の製造装置で、
同図 (ａ) は一部断面で示した側面図である。可撓性基
板１は図の左右方向に搬送される。高電圧電極３１を収
容する下部成膜室２１は、ベース２３と開口部を有する
トッププレート２４で構成され、真空排気口３２から真
空排気される。内部に接地電極が収容されているケーシ
ング２５は下方が開口しており、その開口側の端面が可
撓性基板１をトッププレート２４上のＯリングに対して
押圧する。これにより下部成膜室２１は気密に密閉され
る。下部成膜室２１のベース２３はメンテナンス台車９
の空圧シリンダ９２により矢印９３のように上下に移動
できる支柱９１の上に支持されており、成膜時にはベー
ス２３が架台１１に支持される包括真空室チャンバ３６
の下方開口部に嵌合している。メンテナンスの際には、
支柱９１の駆動により、トッププレート２４の上面がチ
ャンバ３６の下面よりも下に位置するまで下部成膜室２
１を下降させると共に、平面図である図３に示すように
矢印９４のように横方向に移動できる台車９を包括真空
室チャンバ３６の下から３１を出す。この際、排気口３
２に連結されている真空排気管４１、４２を取り外す必
要がある。
の符号を付した図を引用して本発明の実施例について述
べる。図１は、第一の本発明の一実施例のプラズマＣＶ
Ｄ法により成膜を行う薄膜光電変換素子の製造装置で、
同図 (ａ) は一部断面で示した側面図である。可撓性基
板１は図の左右方向に搬送される。高電圧電極３１を収
容する下部成膜室２１は、ベース２３と開口部を有する
トッププレート２４で構成され、真空排気口３２から真
空排気される。内部に接地電極が収容されているケーシ
ング２５は下方が開口しており、その開口側の端面が可
撓性基板１をトッププレート２４上のＯリングに対して
押圧する。これにより下部成膜室２１は気密に密閉され
る。下部成膜室２１のベース２３はメンテナンス台車９
の空圧シリンダ９２により矢印９３のように上下に移動
できる支柱９１の上に支持されており、成膜時にはベー
ス２３が架台１１に支持される包括真空室チャンバ３６
の下方開口部に嵌合している。メンテナンスの際には、
支柱９１の駆動により、トッププレート２４の上面がチ
ャンバ３６の下面よりも下に位置するまで下部成膜室２
１を下降させると共に、平面図である図３に示すように
矢印９４のように横方向に移動できる台車９を包括真空
室チャンバ３６の下から３１を出す。この際、排気口３
２に連結されている真空排気管４１、４２を取り外す必
要がある。
【００１１】図４は、真空排気管の取り付け構造を示
す。真空排気管は、両端がフランジに結合された可撓性
部分４１と剛性部分４２とからなり、双方のフランジ部
でＯリング５の働きにより気密に互いに結合されてい
る。また可撓性部分４１の両端のフランジはそれぞれ、
下部成膜室２１のベース２３の真空排気口３２およびチ
ャンバ３６の開口部周辺にＯリング５の働きにより気密
に取り付けられている。真空排気管の取り外しは、先ず
剛性部分４２を取り外したのち、補助孔４３を通じて可
撓性部分４１のベース２３の固定ねじ１０を緩めて取り
外し、またチャンバ３６への固定ねじも取り外すことに
よって行う。真空排気管には可撓性部分４１があるの
で、ベース２３の取り付け、取り外しにより真空排気口
３２に２〜３ｍｍの位置ずれが生じても、そのずれを吸
収でき、真空排気に影響を与えずに包括真空室チャンバ
３６の外から着脱を行うことができる。
す。真空排気管は、両端がフランジに結合された可撓性
部分４１と剛性部分４２とからなり、双方のフランジ部
でＯリング５の働きにより気密に互いに結合されてい
る。また可撓性部分４１の両端のフランジはそれぞれ、
下部成膜室２１のベース２３の真空排気口３２およびチ
ャンバ３６の開口部周辺にＯリング５の働きにより気密
に取り付けられている。真空排気管の取り外しは、先ず
剛性部分４２を取り外したのち、補助孔４３を通じて可
撓性部分４１のベース２３の固定ねじ１０を緩めて取り
外し、またチャンバ３６への固定ねじも取り外すことに
よって行う。真空排気管には可撓性部分４１があるの
で、ベース２３の取り付け、取り外しにより真空排気口
３２に２〜３ｍｍの位置ずれが生じても、そのずれを吸
収でき、真空排気に影響を与えずに包括真空室チャンバ
３６の外から着脱を行うことができる。
【００１２】下部成膜室２のメンテナンス以外に、高電
圧電極３１を、例えばアモルファスシリコン成膜用の電
極からＩＴＯ成膜用の電極に取り換えたい場合がある。
その場合には、図１ (ｂ) に示された補助架台１２上に
載置された別のベース２３に別の高電圧電極３１をセッ
トしておき、このベース２３をメンテナンス台車９に載
せて、包括真空室チャンバ３６の下に引込み、シリンダ
９２の操作で所定の位置まで持ち上げることにより、容
易に電極の交換ができる。
圧電極３１を、例えばアモルファスシリコン成膜用の電
極からＩＴＯ成膜用の電極に取り換えたい場合がある。
その場合には、図１ (ｂ) に示された補助架台１２上に
載置された別のベース２３に別の高電圧電極３１をセッ
トしておき、このベース２３をメンテナンス台車９に載
せて、包括真空室チャンバ３６の下に引込み、シリンダ
９２の操作で所定の位置まで持ち上げることにより、容
易に電極の交換ができる。
【００１３】図５は、メンテナンスのための別の機構を
有する第一の本発明の別の実施例の製造装置を示す。こ
の装置では、包括真空室チャンバ３６を支持する架台１
１には、前後駆動の案内を行う前後ガイド６１と、ベー
ス２３がチャンバ３６の下面より下降した時点で平面図
である図６に示すように前方へ押し出す図示されてない
アクチュエータが固定され、前後ガイド６１の移動側に
は上下駆動の案内を行う上下ガイド６２とベース２３を
上下駆動するアクチュエータ６３を備えた移動案内機構
が設置されている。前後ガイド６１の固定側は架台１１
に固定されている。この移動案内機構により、ベース２
３をメンテナンススペースまで移動させ、高電圧電極３
１のメンテナンス作業を行うことができる。ただし、高
電圧電極３１の変換はできない。
有する第一の本発明の別の実施例の製造装置を示す。こ
の装置では、包括真空室チャンバ３６を支持する架台１
１には、前後駆動の案内を行う前後ガイド６１と、ベー
ス２３がチャンバ３６の下面より下降した時点で平面図
である図６に示すように前方へ押し出す図示されてない
アクチュエータが固定され、前後ガイド６１の移動側に
は上下駆動の案内を行う上下ガイド６２とベース２３を
上下駆動するアクチュエータ６３を備えた移動案内機構
が設置されている。前後ガイド６１の固定側は架台１１
に固定されている。この移動案内機構により、ベース２
３をメンテナンススペースまで移動させ、高電圧電極３
１のメンテナンス作業を行うことができる。ただし、高
電圧電極３１の変換はできない。
【００１４】図７は第二の本発明の一実施例の薄膜光電
変換素子の下部成膜室２１および包括真空室チャンバ３
６より上方の部分を断面図で示す。この図では、基板１
は紙面に垂直方向に搬送される。図示しない接地電極を
収容するケーシング２５にはハウジング２６が連結さ
れ、ハウジング２６の内部には接地電極の支持チューブ
が嵌合により固定されている。ハウジング２６の上端に
は移動プレート２７が取付けられている。移動プレート
２７上のブラケット１５を通る軸１６は自在ジョイント
１７につながる、図１に示されたブラケット１８も貫通
している。自在ジョイント１７はアクチュエータ１９と
連結されているため、ブラケット１５はブラケット１８
を介して矢印９５に示す上下方向に駆動される。アクチ
ュエータ１９および上下駆動ガイド２８は、包括真空室
チャンバ３６上の上部フランジ３７に載置されたマウン
ト３５に固定されている。成膜時には、アクチュエータ
１９の動作によりブラケット１５に固定された移動プレ
ート２７、移動プレートに固定されたハウジング２６、
ハウジング２６に固定されたケーシング２５ならびにケ
ーシング内部の図示しない接地電極が下降する。これに
よりケーシング２５の下端はシール材７１を介して可撓
性基板１を押し下げ、基板１をトッププレート２４上の
シール材７２に対して加圧する。そして、下部成膜室２
１が密閉される。同時にケーシング２５内部の空間を密
閉される。この際、ケーシング２５は軸１６の中心線ａ
の周りに矢印９６のように揺動するため、可撓性基板１
とシール材７２とは密着し、成膜空間から真空包括室空
間への原料ガスの流出が防止される。なおこの場合、接
地電極を収容するケーシング２５の内部空間を基板１に
より密閉されるが、この空間に連通する排気管４４から
真空排気することは、本発明者等の発明に係る特願平５
−２９２９０４号明細書にも記載されており、基板に貫
通孔が明けられている場合にも、成膜空間への不純物の
拡散が防止される。
変換素子の下部成膜室２１および包括真空室チャンバ３
６より上方の部分を断面図で示す。この図では、基板１
は紙面に垂直方向に搬送される。図示しない接地電極を
収容するケーシング２５にはハウジング２６が連結さ
れ、ハウジング２６の内部には接地電極の支持チューブ
が嵌合により固定されている。ハウジング２６の上端に
は移動プレート２７が取付けられている。移動プレート
２７上のブラケット１５を通る軸１６は自在ジョイント
１７につながる、図１に示されたブラケット１８も貫通
している。自在ジョイント１７はアクチュエータ１９と
連結されているため、ブラケット１５はブラケット１８
を介して矢印９５に示す上下方向に駆動される。アクチ
ュエータ１９および上下駆動ガイド２８は、包括真空室
チャンバ３６上の上部フランジ３７に載置されたマウン
ト３５に固定されている。成膜時には、アクチュエータ
１９の動作によりブラケット１５に固定された移動プレ
ート２７、移動プレートに固定されたハウジング２６、
ハウジング２６に固定されたケーシング２５ならびにケ
ーシング内部の図示しない接地電極が下降する。これに
よりケーシング２５の下端はシール材７１を介して可撓
性基板１を押し下げ、基板１をトッププレート２４上の
シール材７２に対して加圧する。そして、下部成膜室２
１が密閉される。同時にケーシング２５内部の空間を密
閉される。この際、ケーシング２５は軸１６の中心線ａ
の周りに矢印９６のように揺動するため、可撓性基板１
とシール材７２とは密着し、成膜空間から真空包括室空
間への原料ガスの流出が防止される。なおこの場合、接
地電極を収容するケーシング２５の内部空間を基板１に
より密閉されるが、この空間に連通する排気管４４から
真空排気することは、本発明者等の発明に係る特願平５
−２９２９０４号明細書にも記載されており、基板に貫
通孔が明けられている場合にも、成膜空間への不純物の
拡散が防止される。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、成膜空間を囲む成膜室
部分を上下および横方向に移動可能にすることにより、
邪魔のない状態でのメンテナンス作業や成膜方法の変更
のための作業が容易になった。また、成膜空間密閉のた
めに基板を成膜室壁体の開口端に押圧する上部機構を揺
動可能にすることにより、基板の開口端への密着が確保
でき、成膜空間での安定した成膜が行えるようになっ
た。
部分を上下および横方向に移動可能にすることにより、
邪魔のない状態でのメンテナンス作業や成膜方法の変更
のための作業が容易になった。また、成膜空間密閉のた
めに基板を成膜室壁体の開口端に押圧する上部機構を揺
動可能にすることにより、基板の開口端への密着が確保
でき、成膜空間での安定した成膜が行えるようになっ
た。
【図１】本発明の一実施例の薄膜光電変換素子製造装置
を示し、 (ａ) は本体断面図、(ｂ) は交換用電極支持
架台断面図
を示し、 (ａ) は本体断面図、(ｂ) は交換用電極支持
架台断面図
【図２】従来の薄膜光電変換素子製造装置の成膜室の概
念的断面図
念的断面図
【図３】図１の装置の平面図
【図４】図１の装置の真空排気管取付け部断面図
【図５】本発明の別の実施例の薄膜光電変換素子製造装
置断面図
置断面図
【図６】図５の装置の平面図
【図７】図１の装置の成膜室部断面図
１ 可撓性基板 １１ 架台 １５、１８ ブラケット １６ 軸 １７ 自在ジョイント １９、６３ アクチュエータ ２１ 下部成膜室 ２３ ベース ２４ トッププレート ２５ ケーシング ２６ ハウジング ２７ 移動プレート ３１ 高電圧電極 ３２ 真空排気口 ４１ 真空排気管可撓性部分 ４２ 真空排気管剛性部分
Claims (3)
- 【請求項１】搬送されてくる可撓性基板を成膜室のそれ
ぞれ函状の壁体を有する二つの部分の開口側の間に停止
させ、基板を成膜室の両部分の壁体の開口側端面間には
さみ、成膜室の一方の部分と基板とにより囲まれた成膜
空間を真空にし、空間内の電極に電圧を印加して成膜す
るものにおいて、成膜室の前記一方の部分が、上下への
移動をさせる駆動部を備え、基板通過部分の下方から横
方向へ移動可能の支持体上に支持されたことを特徴とす
る薄膜光電変換素子の製造装置。 - 【請求項２】成膜空間を真空にするための真空排気管が
少なくとも一部可撓性で、外部から着脱自在である請求
項１記載の薄膜光電変換素子の製造装置。 - 【請求項３】搬送されてくる可撓性基板を成膜室のそれ
ぞれ函状の壁体を有する二つの部分の開口側の間に停止
させ、基板を成膜室の両部分の壁体の開口側端面間には
さみ、成膜室の一方の部分と基板とにより囲まれた成膜
空間を真空にし、空間内の電極に電圧を印加して成膜す
るものにおいて、成膜室の他方の部分の壁体が、基板に
向かう方向へ駆動する駆動体に基板面に平行な回転軸を
介して支持され、その壁体の開口側端面が基板に密着す
る際にその壁体が前記回転軸の周りに揺動可能であるこ
とを特徴とする薄膜光電変換素子の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6081505A JP2865271B2 (ja) | 1994-04-20 | 1994-04-20 | 薄膜光電変換素子の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6081505A JP2865271B2 (ja) | 1994-04-20 | 1994-04-20 | 薄膜光電変換素子の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297426A JPH07297426A (ja) | 1995-11-10 |
| JP2865271B2 true JP2865271B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=13748224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6081505A Expired - Fee Related JP2865271B2 (ja) | 1994-04-20 | 1994-04-20 | 薄膜光電変換素子の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2865271B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6030542B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2016-11-24 | エステック株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
1994
- 1994-04-20 JP JP6081505A patent/JP2865271B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07297426A (ja) | 1995-11-10 |
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